JPH04295770A - 圧電型加速度センサ - Google Patents
圧電型加速度センサInfo
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- JPH04295770A JPH04295770A JP8463491A JP8463491A JPH04295770A JP H04295770 A JPH04295770 A JP H04295770A JP 8463491 A JP8463491 A JP 8463491A JP 8463491 A JP8463491 A JP 8463491A JP H04295770 A JPH04295770 A JP H04295770A
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- JP
- Japan
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- sensing
- piezoelectric
- acceleration sensor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、圧電型加速度センサ
に係わり、特に焦電ノイズを低減せしめたセンサの構造
に関する。
に係わり、特に焦電ノイズを低減せしめたセンサの構造
に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧電型加速度センサに関して既に我々は
、ＰＶＤＦなどの高分子圧電フィルムを圧縮することに
より発生する電荷を利用し、構造が簡単で、衝撃に強い
圧電型加速度センサを提案し、特願平１−１１３２５５
号、特願平１−２５１４０５号、特願平１−３１８２７
７号として特許出願している。
、ＰＶＤＦなどの高分子圧電フィルムを圧縮することに
より発生する電荷を利用し、構造が簡単で、衝撃に強い
圧電型加速度センサを提案し、特願平１−１１３２５５
号、特願平１−２５１４０５号、特願平１−３１８２７
７号として特許出願している。
【０００３】図２および図３は、このような加速度セン
サ装置を例示するものである。この加速度センサ装置１
は、圧電型加速度センサ２と、この圧電型加速度センサ
からの出力をインピーダンス変換するインピーダンス変
換回路や出力増幅回路などを搭載した回路基板３とから
なる加速度センサユニット４をパッケージ５内に収容し
たものである。この加速度センサユニット４は、回路基
板３の一方の面側に圧電型加速度センサ２を取り付け、
他方の面側に回路６を配設して構成されている。この圧
電型加速度センサ２は、膜状圧電体７の両面に支持板８
，８を接着、一体化した感知部９の上に荷重体１０を載
置して構成されている。またセンサユニット４からの電
気的出力は、出力用の同軸ケーブル１１を介して測定器
１２の入力端子１３に接続されている。
サ装置を例示するものである。この加速度センサ装置１
は、圧電型加速度センサ２と、この圧電型加速度センサ
からの出力をインピーダンス変換するインピーダンス変
換回路や出力増幅回路などを搭載した回路基板３とから
なる加速度センサユニット４をパッケージ５内に収容し
たものである。この加速度センサユニット４は、回路基
板３の一方の面側に圧電型加速度センサ２を取り付け、
他方の面側に回路６を配設して構成されている。この圧
電型加速度センサ２は、膜状圧電体７の両面に支持板８
，８を接着、一体化した感知部９の上に荷重体１０を載
置して構成されている。またセンサユニット４からの電
気的出力は、出力用の同軸ケーブル１１を介して測定器
１２の入力端子１３に接続されている。
【０００４】この圧電型加速度センサは、このような構
成としたので、小型化が可能となり、製造も容易である
上、圧電体に高分子フィルムを用いているために、従来
問題となっていた圧電体（従来はセラミックス圧電体）
の脆性に起因する圧電体そのものの衝撃時の破損がない
などの数々の利点も有している。
成としたので、小型化が可能となり、製造も容易である
上、圧電体に高分子フィルムを用いているために、従来
問題となっていた圧電体（従来はセラミックス圧電体）
の脆性に起因する圧電体そのものの衝撃時の破損がない
などの数々の利点も有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようなセンサにあ
っては、低熱伝導率の支持板を用いることにより圧電体
フィルムへの熱の急激な流入を抑制して焦電出力を低減
している。しかし支持板の材料として、熱伝導率が０．
５Ｗｍ−１Ｋ−１以下の低熱伝導材料を用いたとしても
、センサの周囲に急激な温度変化が生じた場合には、焦
電出力がかなり発生し、測定の障害となる場合があった
。
っては、低熱伝導率の支持板を用いることにより圧電体
フィルムへの熱の急激な流入を抑制して焦電出力を低減
している。しかし支持板の材料として、熱伝導率が０．
５Ｗｍ−１Ｋ−１以下の低熱伝導材料を用いたとしても
、センサの周囲に急激な温度変化が生じた場合には、焦
電出力がかなり発生し、測定の障害となる場合があった
。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
、従来の圧電型加速度センサにおける焦電ノイズを低減
させることを目的としている。
、従来の圧電型加速度センサにおける焦電ノイズを低減
させることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる課題は、被測定物
に剛に取り付けられる台座と、この台座の感知軸に垂直
な測定面に固定された感知部と、この感知部上に固着さ
れ、慣性質量部として作用する剛体からなる荷重体を有
し、前記感知部は、膜状圧電体と、この膜状圧電体の両
面に固着された板状の剛体からなる２枚の支持板とから
なり、支持板をなす材料の熱伝導率が０．５Ｗｍ−１Ｋ
−１以下とされ、かつ膜状圧電体の平面形状が前記測定
面に平行な面において感知軸を対称の中心とする点対称
であり、前記荷重体は、それの感知部に接する面の平面
形状が感知軸を対称の中心とする点対称であり、かつ感
知軸を通り前記測定面に垂直な無数の平面で断面した時
、すべての断面について感知軸を対称軸とする線対称で
ある圧電型加速度センサであって、前記支持板の台座と
の接合面と、荷重体との接合面の少なくとも一方に、前
記感知軸を対称中心とする溝を設けた構成とした圧電型
加速度センサにより解消される。
に剛に取り付けられる台座と、この台座の感知軸に垂直
な測定面に固定された感知部と、この感知部上に固着さ
れ、慣性質量部として作用する剛体からなる荷重体を有
し、前記感知部は、膜状圧電体と、この膜状圧電体の両
面に固着された板状の剛体からなる２枚の支持板とから
なり、支持板をなす材料の熱伝導率が０．５Ｗｍ−１Ｋ
−１以下とされ、かつ膜状圧電体の平面形状が前記測定
面に平行な面において感知軸を対称の中心とする点対称
であり、前記荷重体は、それの感知部に接する面の平面
形状が感知軸を対称の中心とする点対称であり、かつ感
知軸を通り前記測定面に垂直な無数の平面で断面した時
、すべての断面について感知軸を対称軸とする線対称で
ある圧電型加速度センサであって、前記支持板の台座と
の接合面と、荷重体との接合面の少なくとも一方に、前
記感知軸を対称中心とする溝を設けた構成とした圧電型
加速度センサにより解消される。
【０００８】またこの溝は、深さが支持板の厚さの５０
％〜２５％であり、かつ溝の底面積が溝のない場合の支
持板面積の５０％〜２５％とすることが望ましい。
％〜２５％であり、かつ溝の底面積が溝のない場合の支
持板面積の５０％〜２５％とすることが望ましい。
【０００９】
【作用】支持板の台座との接合面と、荷重体との接合面
の少なくとも一方に、感知軸を対称中心とする形状の溝
を設けたことにより、台座や荷重体と支持板とを接合強
度を低下させる事無く接合面積を減少させて、台座や荷
重体から支持板を介して伝わる熱伝導を低減し、膜状圧
電体の断熱性を向上させて焦電出力を低減せしめた。
の少なくとも一方に、感知軸を対称中心とする形状の溝
を設けたことにより、台座や荷重体と支持板とを接合強
度を低下させる事無く接合面積を減少させて、台座や荷
重体から支持板を介して伝わる熱伝導を低減し、膜状圧
電体の断熱性を向上させて焦電出力を低減せしめた。
【００１０】以下、この発明を詳しく説明する。図１は
この発明の圧電型加速度センサの一例を示すものである
。この圧電型加速度センサ２０は、台座となる基板２１
上に、この基板２１の感知軸に垂直な測定面に固定され
た感知部２２と、この感知部２２上に固着され、慣性質
量部として作用する剛体からなる荷重体２３とを備えて
構成されている。
この発明の圧電型加速度センサの一例を示すものである
。この圧電型加速度センサ２０は、台座となる基板２１
上に、この基板２１の感知軸に垂直な測定面に固定され
た感知部２２と、この感知部２２上に固着され、慣性質
量部として作用する剛体からなる荷重体２３とを備えて
構成されている。
【００１１】この感知部２２は、膜状圧電体２４と、こ
の膜状圧電体２４の両面に固着された２枚の支持板２５
，２５とからなっている。膜状圧電体２４は、ＰＶＤＦ
などの圧電体高分子フィルムの両面に銅箔などの金属薄
板を固着してなるものである。また支持板２５をなす材
料の熱伝導率は０．５Ｗｍ−１Ｋ−１以下とされる。こ
のように熱伝導率が低く機械強度も高い材料としては、
ガラスエポキシ板などが好適に用いられる。
の膜状圧電体２４の両面に固着された２枚の支持板２５
，２５とからなっている。膜状圧電体２４は、ＰＶＤＦ
などの圧電体高分子フィルムの両面に銅箔などの金属薄
板を固着してなるものである。また支持板２５をなす材
料の熱伝導率は０．５Ｗｍ−１Ｋ−１以下とされる。こ
のように熱伝導率が低く機械強度も高い材料としては、
ガラスエポキシ板などが好適に用いられる。
【００１２】また支持板２５には、その片面に溝２６が
形成されている。２枚の支持板２５，２５は、溝２６を
外に向けた状態で膜状圧電体２４の両面に接着されてい
る。そして感知部２２の一方の溝側の面は基板２１上に
固着され、他方の溝側の面上には荷重体２３が固着され
ている。この溝２６の形状は、正方形、円形など対称中
心を有する形状であればよいが、その中心を感知軸と一
致させる必要がある。溝中心と感知軸とが一致していな
いと、横方向からの加速度に対する感度が増大し縦横感
度比が悪化してしまう。
形成されている。２枚の支持板２５，２５は、溝２６を
外に向けた状態で膜状圧電体２４の両面に接着されてい
る。そして感知部２２の一方の溝側の面は基板２１上に
固着され、他方の溝側の面上には荷重体２３が固着され
ている。この溝２６の形状は、正方形、円形など対称中
心を有する形状であればよいが、その中心を感知軸と一
致させる必要がある。溝中心と感知軸とが一致していな
いと、横方向からの加速度に対する感度が増大し縦横感
度比が悪化してしまう。
【００１３】またこの溝２６は、深さが支持板２５の厚
さＴの５０％〜２５％であり、かつ溝２６の底面積が、
溝のない場合の支持板面積の５０％〜２５％とするのが
望ましい。溝２６の深さが支持板２５の厚さＴの５０％
より大きいと、溝部分の剛性が不足し、荷重が膜状圧電
体２４にうまくかからない不具合を生じ、また溝深さが
支持板２５の厚さＴの２５％より小さいと、焦電防止効
果が十分に得られなくなる。また溝２６の底面積が、溝
のない支持板面積の５０％より大きくなると、支持板２
５と基板２１または荷重体２３との接着力が弱くなりす
ぎてセンサの耐衝撃性が悪化してしまい、溝２６の底面
積が、溝のない支持板面積の２５％より小さいと、焦電
防止効果が十分に得られなくなる。
さＴの５０％〜２５％であり、かつ溝２６の底面積が、
溝のない場合の支持板面積の５０％〜２５％とするのが
望ましい。溝２６の深さが支持板２５の厚さＴの５０％
より大きいと、溝部分の剛性が不足し、荷重が膜状圧電
体２４にうまくかからない不具合を生じ、また溝深さが
支持板２５の厚さＴの２５％より小さいと、焦電防止効
果が十分に得られなくなる。また溝２６の底面積が、溝
のない支持板面積の５０％より大きくなると、支持板２
５と基板２１または荷重体２３との接着力が弱くなりす
ぎてセンサの耐衝撃性が悪化してしまい、溝２６の底面
積が、溝のない支持板面積の２５％より小さいと、焦電
防止効果が十分に得られなくなる。
【００１４】またこの圧電型加速度センサ２０にあって
は、膜状圧電体２４の平面形状が測定面に平行な面にお
いて感知軸を対称の中心とする点対称の形状とされる。 さらに荷重体２３は、それの感知部２２に接する面の平
面形状が感知軸を対称の中心とする点対称であり、かつ
感知軸を通り測定面に垂直な無数の平面で断面した時、
全ての断面について感知軸を対称軸とする線対称である
ことが必要である。
は、膜状圧電体２４の平面形状が測定面に平行な面にお
いて感知軸を対称の中心とする点対称の形状とされる。 さらに荷重体２３は、それの感知部２２に接する面の平
面形状が感知軸を対称の中心とする点対称であり、かつ
感知軸を通り測定面に垂直な無数の平面で断面した時、
全ての断面について感知軸を対称軸とする線対称である
ことが必要である。
【００１５】この圧電型加速度センサは、支持板２５，
２５の基板２１との接合面と、荷重体２３との接合面に
、感知軸を対称中心とする形状の溝２６を設けたことに
より、基板２１や荷重体２３と支持板２５，２５とを、
接合強度を低下させる事無く接合面積を減少させて支持
板の等価的な熱伝導率を低下させることができ、その結
果センサ２０の焦電出力を低下させることができる。
２５の基板２１との接合面と、荷重体２３との接合面に
、感知軸を対称中心とする形状の溝２６を設けたことに
より、基板２１や荷重体２３と支持板２５，２５とを、
接合強度を低下させる事無く接合面積を減少させて支持
板の等価的な熱伝導率を低下させることができ、その結
果センサ２０の焦電出力を低下させることができる。
【００１６】なお先の例では、溝２６を有する２枚の支
持板２５，２５を用いて感知部２２を構成したが、一方
の支持板にのみ溝を形成して構成することもできる。す
なわち溝２６のある支持板２５と、溝のない支持板とか
ら感知部を構成し、溝のある面を基板２１側にあるいは
荷重体２３側に向けて接合することも可能である。
持板２５，２５を用いて感知部２２を構成したが、一方
の支持板にのみ溝を形成して構成することもできる。す
なわち溝２６のある支持板２５と、溝のない支持板とか
ら感知部を構成し、溝のある面を基板２１側にあるいは
荷重体２３側に向けて接合することも可能である。
【００１７】
【実施例】厚さ５ｍｍのアルミ板を台座として、この上
に感知部をエポキシ接着剤で接着した。感知部は、厚さ
１００μｍのＰＶＤＦフィルムを１ｃｍ×１ｃｍの正方
形状に切断し、これの両面に１５μｍ厚の銅箔を接着し
、さらにその膜状圧電体の両面に１ｃｍ角の正方形状で
厚さ１．５ｍｍ、熱伝導率０．２Ｗｍ−１Ｋ−１のガラ
スエポキシ板をエポキシ系接着剤で接着して作製した。 この感知部上に、底面が１ｃｍ角の正方形状で重さ１０
ｇの黄銅製の重りをエポキシ系接着剤で接着した。本発
明の効果を調べるために、前記ガラスエポキシ板には、
正方形状で、表１に示す種々の大きさの溝を台座側のみ
に形成した。作製した各センサのを用い、１Ｇの加速度
を加えて出力を測定した他、縦横感度比、耐衝撃性およ
び焦電出力を測定した。尚、出力は溝のないタイプ（比
較例８）の出力を１としたときの相対比とした。また耐
衝撃性は、１ｍの高さから台座ごと１０個のセンサを、
感知軸を直角方向にして２０回コンクリート上へ落下さ
せたときの破壊個数で示した。また焦電出力は、センサ
に１０ｃｍの距離から熱風を１分間吹き付けて、そのと
き発生する焦電出力のピーク値を測定し、溝を形成しな
いセンサ（比較例８）の値を１としたときの相対値で示
した。結果を表１に示した。
に感知部をエポキシ接着剤で接着した。感知部は、厚さ
１００μｍのＰＶＤＦフィルムを１ｃｍ×１ｃｍの正方
形状に切断し、これの両面に１５μｍ厚の銅箔を接着し
、さらにその膜状圧電体の両面に１ｃｍ角の正方形状で
厚さ１．５ｍｍ、熱伝導率０．２Ｗｍ−１Ｋ−１のガラ
スエポキシ板をエポキシ系接着剤で接着して作製した。 この感知部上に、底面が１ｃｍ角の正方形状で重さ１０
ｇの黄銅製の重りをエポキシ系接着剤で接着した。本発
明の効果を調べるために、前記ガラスエポキシ板には、
正方形状で、表１に示す種々の大きさの溝を台座側のみ
に形成した。作製した各センサのを用い、１Ｇの加速度
を加えて出力を測定した他、縦横感度比、耐衝撃性およ
び焦電出力を測定した。尚、出力は溝のないタイプ（比
較例８）の出力を１としたときの相対比とした。また耐
衝撃性は、１ｍの高さから台座ごと１０個のセンサを、
感知軸を直角方向にして２０回コンクリート上へ落下さ
せたときの破壊個数で示した。また焦電出力は、センサ
に１０ｃｍの距離から熱風を１分間吹き付けて、そのと
き発生する焦電出力のピーク値を測定し、溝を形成しな
いセンサ（比較例８）の値を１としたときの相対値で示
した。結果を表１に示した。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１から明らかなように、本発明に係わる
実施例１ないし実施例４の各センサは、出力や縦横感度
比あるいは耐衝撃性などの性能を損なう事無く、焦電出
力を低減することができた。
実施例１ないし実施例４の各センサは、出力や縦横感度
比あるいは耐衝撃性などの性能を損なう事無く、焦電出
力を低減することができた。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による圧電
型加速度センサは、支持板の台座との接合面と荷重体と
の接合面の少なくとも一方に、感知軸を対称中心とする
形状の溝を設けたことにより、台座や荷重体と支持板と
の接触面積を接合強度を低下させる事無く減少させ、支
持板の等価的な熱伝導率を低下できるので、センサの焦
電出力を低下させることができる。
型加速度センサは、支持板の台座との接合面と荷重体と
の接合面の少なくとも一方に、感知軸を対称中心とする
形状の溝を設けたことにより、台座や荷重体と支持板と
の接触面積を接合強度を低下させる事無く減少させ、支
持板の等価的な熱伝導率を低下できるので、センサの焦
電出力を低下させることができる。
【図１】 本発明の圧電型加速度センサの一実施例を
示す要部側面断面図である。
示す要部側面断面図である。
【図２】 従来の圧電型加速度センサの一例を示す側
面断面図である。
面断面図である。
【図３】 従来の加速度センサ装置の概略構成図であ
る。
る。
２０…圧電型加速度センサ、２１…基板（台座）、２２
…感知部、２３…荷重体、２４…膜状圧電体、２５…支
持板、２６…溝
…感知部、２３…荷重体、２４…膜状圧電体、２５…支
持板、２６…溝
Claims (2)
- 【請求項１】 被測定物に剛に取り付けられる台座と
、この台座の感知軸に垂直な測定面に固定された感知部
と、この感知部上に固着され、慣性質量部として作用す
る剛体からなる荷重体を有し、前記感知部は、膜状圧電
体と、この膜状圧電体の両面に固着された板状の剛体か
らなる２枚の支持板とからなり、支持板をなす材料の熱
伝導率が０．５Ｗｍ−１Ｋ−１以下とされ、かつ膜状圧
電体の平面形状が前記測定面に平行な面において感知軸
を対称の中心とする点対称であり、前記荷重体は、それ
の感知部に接する面の平面形状が感知軸を対称の中心と
する点対称であり、かつ感知軸を通り前記測定面に垂直
な無数の平面で断面した時、すべての断面について感知
軸を対称軸とする線対称である圧電型加速度センサであ
って、前記支持板の台座との接合面と、荷重体との接合
面の少なくとも一方に、前記感知軸を対称中心とする溝
を設けたことを特徴とする圧電型加速度センサ。 - 【請求項２】 前記溝の深さが支持板の厚さの５０％
〜２５％であり、かつ溝の底面積が溝のない場合の支持
板面積の５０％〜２５％であることを特徴とする請求項
１記載の圧電型加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8463491A JPH04295770A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 圧電型加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8463491A JPH04295770A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 圧電型加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04295770A true JPH04295770A (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=13836121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8463491A Withdrawn JPH04295770A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 圧電型加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04295770A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999002995A1 (en) * | 1997-07-11 | 1999-01-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bimorph piezoelectric device for acceleration sensor and method of its manufacture |
| US6550116B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing a bimorph piezoelectric device for acceleration sensor |
| JP2020012670A (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | Ｊｆｅアドバンテック株式会社 | センサホルダおよびセンサ |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP8463491A patent/JPH04295770A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999002995A1 (en) * | 1997-07-11 | 1999-01-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bimorph piezoelectric device for acceleration sensor and method of its manufacture |
| US6246155B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-06-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bimorph piezoelectric device for acceleration sensor and method of its manufacture |
| US6550116B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing a bimorph piezoelectric device for acceleration sensor |
| JP2020012670A (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | Ｊｆｅアドバンテック株式会社 | センサホルダおよびセンサ |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |