JPH04296716A - 空間光変調素子 - Google Patents

空間光変調素子

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JPH04296716A
JPH04296716A JP8458391A JP8458391A JPH04296716A JP H04296716 A JPH04296716 A JP H04296716A JP 8458391 A JP8458391 A JP 8458391A JP 8458391 A JP8458391 A JP 8458391A JP H04296716 A JPH04296716 A JP H04296716A
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JP
Japan
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transparent electrode
adhesive layer
transparent adhesive
electro
electrode film
Prior art date
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Pending
Application number
JP8458391A
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English (en)
Inventor
Yukihisa Osugi
幸久 大杉
Masaji Tange
正次 丹下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
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Publication date
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Priority to JP8458391A priority Critical patent/JPH04296716A/ja
Publication of JPH04296716A publication Critical patent/JPH04296716A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ポッケルス読み出し光
変調素子 (PROM, Pockels Reado
ut OpticalModulator) 等の空間
光変調素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】空間光変調素子のうち、Bi12SiO
20 (BSO) 単結晶を使用したPROM素子は、
BSO単結晶の光伝導性を利用して、書き込み画像情報
の光強度分布を単結晶板内の電荷分布に変換して蓄積し
、次いでこの電荷分布がつくる電界によって生ずる電気
光学効果を利用し、読み出し光の強度分布に変換するも
のである。従って、この型の空間光変調素子は、BSO
 単結晶板とこれを包む絶縁層及び透明電極によって構
成される。
【0003】ここで特に、インコヒーレント光画像をコ
ヒーレント光画像に変換するPROM素子においては、
コヒーレント光による読み出し画像に干渉縞が発生する
のを防止するため、電気光学結晶層にテーパを設ける。 従ってこの層の一対の主面は互いに対して所定角度傾斜
することになるが、この角度は素子や装置によって異な
り、例えば15分程度以上の大きさが必要である。これ
により、読み出し光画像に発生する干渉縞のピッチを肉
眼で識別できない程度にまで小さくする。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者が、
電気光学結晶層に15分程度のテーパを設けてレーザー
光で読み出し実験したところ、未だ微小な干渉縞が読み
出し光画像に現れることが解った。
【0005】本発明の課題は、上記したような、電気光
学結晶層の一対の主面間の反射に直接起因するものでな
い干渉縞を除去することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、電気光学結晶
層、この電気光学結晶層の少なくとも一方の側に設けら
れた絶縁層、透明電極膜が形成されたガラス基板、及び
このガラス基板の前記透明電極膜が形成された側の面と
前記絶縁層とを接着する透明接着剤層を少なくとも有す
る空間光変調素子であって、前記透明電極膜の光路長が
、この空間光変調素子の読み出し用コヒーレント光の波
長の0.47倍以上、0.52倍以下である空間光変調
素子に係わるものである。
【0007】
【作用】本発明者は、主としてPROM素子について、
コヒーレント光による読み出し光画像中の干渉縞につき
検討を行った結果、これまで見逃されてきた透明電極膜
の二つの界面における反射や、透明接着剤層における反
射が干渉縞の原因となっていることを突き止め、本発明
を完成した。そして、本発明に従い、透明電極膜の光路
長を、空間光変調素子の読み出し用コヒーレント光の波
長の0.47倍以上、0.52倍以下とすることで、上
記の反射による干渉縞のコントラストを、読み出し光画
像において確認し難い程度にまで薄くすることができた
のである。 この原理については後述する。
【0008】
【実施例】まず、本発明を適用するのに好適なPROM
素子を例示する。図1は、こうしたPROM素子の断面
図である。まず、例えば四辺形の基板1Aを準備する。 基板1Aは、合成石英ガラス、ホウケイ酸ガラスのよう
なガラスによって形成することが好ましい。この基板1
Aの表面に、蒸着法等によって透明電極膜2Aを形成す
る。この際、基板1Aのコーナー部分に、透明電極膜2
Aを外部電源へと接続するためのリード部を形成するこ
とが好ましい。
【0009】次いで、所定厚さの絶縁板を基板1Aの表
面に透明接着剤層3Aを介して接着する。次いで、この
絶縁板を研削加工及び光学研摩し、図1に示すように絶
縁層4Aを形成する。そして、絶縁層4Aの表面に、透
明接着剤層5Aを介して電気光学結晶板を接着し固定す
る。この状態で、電気光学結晶板の表面を研削加工及び
光学研摩し、図1に示すように、所定厚さの電気光学結
晶層6を形成する。この電気光学結晶層6には、例えば
15分程度の傾斜又はテーパを設ける。
【0010】一方、上記したと全く同様の方法で、図1
に示すように、リード部を有する透明電極膜2Bを基板
1Bの表面に形成し、また透明電極膜2Bを覆うように
、絶縁板を透明接着剤層3Bを介して基板1Bの表面へ
と接着する。そしてこの絶縁板を研削加工及び光学研摩
し、所定厚さの絶縁層4Bを形成する。この絶縁層4B
を透明接着剤層5Bによって電気光学結晶層6に接着す
る。こうして図1に示すPROM素子を構成する。
【0011】図1のPROM素子においては、電気光学
結晶層6の両側に絶縁層4A, 4Bを設けたが、この
うち一方の絶縁層を省略することも一応可能である。ま
た、一対の透明電極膜2A, 2Bをそれぞれ基板1A
,1Bに形成し、これら一対の透明電極膜2Aと2Bと
の間に電気光学結晶層6と絶縁層4A, 4Bとを挟ん
だが、上記したように一方の絶縁層4Bを省略した場合
には、一方の透明電極膜2Bを電気光学結晶層6の表面
に蒸着によって形成することもできる。
【0012】ここで、図1において、透明電極2A、2
Bの光路長を、この空間光変調素子の読み出し用コヒー
レント光の波長の0.47倍以上、0.52倍以下とす
る。即ち、本発明の研究によれば、電気光学結晶層6の
端面における反射に由来しない干渉縞の原因が、透明電
極膜2A、2B及び透明接着剤層3Aの端面における反
射によることが明らかになった。そして透明電極膜の光
路長を上記のように限定することにより、透明電極膜及
び透明接着剤層における反射を総合して考慮した場合に
も、干渉縞が観測されなくなったのである。
【0013】更に、この点を実証するために、本発明者
が行なったモデル実験について述べる。まず、図2に示
すような構成のサンプルを作製し、このサンプルの透過
率を測定した。即ち、一辺40mm、厚さ3mmの平面
正方形状の合成石英ガラス基板8の表面に反射防止膜7
Aを形成した。また、基板8の反射膜防止膜7Aと反対
側の表面に、電子ビーム蒸着法によって、In2O3 
とSn2O3 との混合物からなる透明電極膜9を形成
した。
【0014】また、合成石英ガラス製の絶縁板11の表
面に反射防止膜7Bを形成した。透明電極膜9と絶縁板
11とを、透明接着剤層10で接着した。透明接着剤層
10の材質としては、屈折率n=1.56の二液性光学
エポキシ樹脂を使用した。
【0015】このサンプルにおいては、電気光学結晶層
を用いず、これによる反射と干渉縞との影響を取り除く
こととした。またガラス基板8と絶縁板11との表面に
反射防止膜7A、7Bを設け、これらの表面における反
射の影響も除いた。これにより、透明電極膜9と透明接
着剤層10とによる反射の影響を測定できることになる
。
【0016】ここで、便宜上、透明電極膜9の光路長n
dと、読み出し用コヒーレント光の波長λとの間に、次
の関係式を設定する。 nd=aλ そして、λ=633nm のレーザー光を図2のサンプ
ルに照射し、図3〜図7に示す各グラフを得た。ただし
、透明接着剤層10における反射の影響をも調べるため
、図3〜図7において、それぞれ透明接着剤層10の層
厚も変化させた。
【0017】図3に示す例においては、透明接着層10
の層厚を0μm とした。aのピークは約0.50であ
り、透過率はゆるやかに変化する。そして、本発明者が
透過光を目視で観察したところ、透過率が99.5%以
上であれば、透過光中に干渉縞が観測されなかった。こ
の点は、図4〜図7に示す各例でも同様であった。そし
て、a=0.46〜0.54の範囲内であれば、透過光
は99.5%以上となった。
【0018】図4に示す例においては、透明接着剤層1
0の膜厚を 0.7μm とした。従って、この光路長
は 0.7×1.56μm となり、λ=633 μm
 の約 1.7倍であった。この場合は、透明接着剤層
10の影響から、透過率が振動しながら変化することが
解った。そして、透過率のピークはa=0.50には存
在せず、かえってa=0.50付近に透過率の極小値が
存在することが解った。また、a=0.45〜0.56
の範囲内で、透過率が99.5%以上となった。
【0019】図5に示す例においては、透明接着剤層1
0の厚さを 1.7μm とした。従って、この光路長
は、1.7 ×1.56μm となり、λの約 4.2
倍であった。そして、図4のグラフと比較して、一層振
動の間隔が狭くなっている。また、a=0.46〜0.
53の範囲で、透過率が99.5%以上となった。
【0020】図6に示す例においては、透明接着剤層1
0の厚さを 2.7μm とした。従って、この光路長
は、2.7 ×1.56μm となり、λの約 6.7
倍であった。そして、図5のグラフと比較しても、更に
一層振動の間隔が小さくなっている。また、a=0.4
7〜0.52の範囲で透過率が99.5%以上となった
。また、極大値は、約0.48、0.51の近辺にある
。
【0021】図7の例においては、透明接着剤層10の
厚さを 3.7μm とした。従って、この光路長は 
3.7×1.56μm となり、λの約 8.4倍であ
った。そして、図6のグラフと比較しても、一層振動の
間隔が小さくなっている。またa=0.45〜0.53
の範囲で透過率が99.5%以上となった。更には、透
過率が99.5%以上となる範囲で、極大値のピークが
2つから3つに増加している。更に一層透明接着剤層が
厚くなれば、上記の振動は更に一層細かくなり、これに
伴って透過率99.5%以上の範囲に入るピークの数が
一層増える。
【0022】上記の実験を総合すれば、a=0.47〜
0.52の範囲であれば、透過率が99.5%以上とな
り、透明電極膜及び透明接着剤層に起因する干渉縞は観
測されなくなる。
【0023】現実には、透明接着剤層を薄くした方が、
これによる電圧降下が少なくなり、素子の性能が上がる
ため、有利である。ただし、光学接着剤の性質による限
界があり、製造時の層厚にも若干バラツキがある。例え
ば、本発明者が、上記した屈折率n=1.56のエポキ
シ系光学接着剤で実験したところ、層厚が平均で 1.
7μm、誤差が最大±1μm であった。しかし、こう
した製造時のバラツキを考慮に入れても、a=0.47
〜0.52の範囲であれば、前記したように、干渉縞が
生じない。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、透明電極膜の光路長を
、空間光変調素子の読み出し用コヒーレント光の波長の
0.47倍以上、0.52倍以下としたので、透明電極
膜及び透明接着剤層の界面における反射による干渉縞の
コントラストを、読み出し光画像において確認できない
程度にまで薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】PROM 素子の一例を示す断面図である。
【図2】実験用サンプルを示す正面図である。
【図3】透明接着剤層の厚さが0μm のときのaと透
過率との関係を示すグラフである。
【図4】透明接着剤層の厚さが 0.7μm のときの
aと透過率との関係を示すグラフである。
【図5】透明接着剤層の厚さが 1.7μm のときの
aと透過率との関係を示すグラフであフである。
【図6】透明接着剤層の厚さが 2.7μm のときの
aと透過率との関係を示すグラフであフである。
【図7】透明接着剤層の厚さが 3.7μm のときの
aと透過率との関係を示すグラフであフである。
【符号の説明】
1A,1B,8  基板 2A, 2B, 9  透明電極膜 3A, 3B, 10  透明接着剤層4A, 4B 
 絶縁層 6  電気光学結晶層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  電気光学結晶層、この電気光学結晶層
    の少なくとも一方の側に設けられた絶縁層、透明電極膜
    が形成されたガラス基板、及びこのガラス基板の前記透
    明電極膜が形成された側の面と前記絶縁層とを接着する
    透明接着剤層を少なくとも有する空間光変調素子であっ
    て、前記透明電極膜の光路長が、この空間光変調素子の
    読み出し用コヒーレント光の波長の0.47倍以上、0
    .52倍以下である空間光変調素子。
JP8458391A 1991-03-26 1991-03-26 空間光変調素子 Pending JPH04296716A (ja)

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JP8458391A JPH04296716A (ja) 1991-03-26 1991-03-26 空間光変調素子

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5387248A (en) * 1977-01-11 1978-08-01 Sumitomo Electric Ind Ltd Photo picture tansducer
JPS5773777A (en) * 1980-10-27 1982-05-08 Sumitomo Electric Ind Ltd Hologram element
JPH02245721A (ja) * 1989-03-18 1990-10-01 Ngk Insulators Ltd 画像変換素子及びそれを用いたx線画像検知方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980324