JPH04297056A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
、特にパシベーション膜にパッド窓開けを終えた後裏面
研削及びダイシングを行う半導体装置の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェハのパシベーション膜にパッ
ド窓開けを終えた後に行う所謂半導体ウェハ後工程は、
従来、下記のように行われた。即ち、表面保護用のレジ
スト膜を半導体ウェハ表面に塗布し、該レジスト膜の表
面に硬質テープを貼り、その状態で裏面研削をして半導
体ウェハの厚さを所定の値にし、次いで該裏面研削によ
り半導体ウェハ裏面に生じた研削歪を除去すると共にウ
ェハの反りを小さくするために半導体ウェハの裏面エッ
チングを行い、次いで、半導体ウェハのペレットの電極
にプローブを当てての半導体装置機能テスト［２ＰＣ（
第２回目のペレットチェック）］を行い、不良ペレット
にはインクでドットマーキングをし、更にこのインクを
焼きつけ、その後、半導体ウェハの裏面をダイシングテ
ープに張り合せてダイシングすることによりペレタイズ
する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の半導体ウェハ後工程ではパッケージの薄型化の要求
に対応しきれなくなりつつある。というのは、パッケー
ジの厚さを例えば１ｍｍ程度あるいはそれ以下にすると
いう要求が為されているが、それに応えるには半導体ペ
レットの厚さを２５０〜２００μｍあるいはそれ以下に
しなければならず、そのように薄くすることは非常に難
しく、従来においては不可能に近かった。また、仮にそ
のように薄くすることができたとしても裏面研削後ダイ
シングするまでの間に半導体ウェハに欠けや割れが発生
し易く、特に半導体において欠け、割れの発生率が高く
なる。

【０００４】というのは、半導体装置機能テスト（２Ｐ
Ｃ）はプローブを半導体ウェハの電極パッドにあてて電
気的に回路の機能チェックを行うものであるが、正確な
チェックを行うには当然にプローブの半導体ウェハに対
する圧力、即ち針圧がある程度以上必要となる。従って
、半導体ウェハが薄いとその針圧によって割れ、欠けが
生じ易くなるのである。

【０００５】また、従来のダイシングは、フルカットダ
イシング、即ち、半導体ウェハ裏面をダイボンドテープ
に接着して半導体ウェハを表面から半導体ウェハの厚さ
よりも深い切り込み深さでカットするダイシングであっ
たので、ダイシングブレードの摩耗が激しかった。図３
はブレードの切り込み量とブレード摩耗量（５０００カ
ットライン当り）との関係図であり、この図からシリコ
ンが切り残るようにカット（ハーフカット）すると摩耗
量は１０μｍと少ないが、テープにまで切り込むように
カット（フルカット）するとテープ切り込み量に比例し
て非常に大きく摩耗することが解る。また、半導体時に
不良ペレットに付けたインクマーキングドットやダイシ
ング時に発生したシリコンダストにより半導体ウェハ表
面のアルミニウムパッドや配線膜が汚染されてワイヤボ
ンド不良、ショート不良等が生じるという問題もあった
。

【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、半導体装置の厚さ（ペレット厚さ）
を容易に薄くし、ウェハの割れ、欠けの発生率を低くし
、ダイシングブレードの摩耗を少なくし、半導体装置機
能テスト時に付けたインクマーキングドットやダイシン
グにより生じたダストによる半導体ウェハ表面の汚染を
除去し、更には裏面研削、ダイシングにより生じた歪を
完全に除去できるようにすることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置の
製造方法は、半導体ウェハ表面からその厚さよりも浅い
切り込み深さでダイシングし、その後、該半導体ウェハ
の裏面研削をすることを特徴とする。請求項２の半導体
装置の製造方法は、ダイシングの切り込み深さをペレッ
ト厚さと略等しくすることを特徴とする。請求項３の半
導体装置の製造方法は、裏面研削を半導体ウェハの表面
に表面保護テープを貼着した状態で行うことを特徴とす
る。請求項４の半導体装置の製造方法は、裏面研削後半
導体ウェハ裏面に対する歪除去エッチングを行うことを
特徴とする。

【０００８】

【実施例】以下、本発明半導体装置の製造方法を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｆ）は
本発明半導体装置の製造方法の一つの実施例を工程順に
示す断面図である。 （Ａ）パシベーション膜に対するパッド窓開けを終えた
半導体ウェハに対して、図１の（Ａ）に示すように電極
パッドにプローブ２をあてての半導体装置機能テストを
行う。そして、不良のペレットに対してはインクでドッ
トマーキングする。そして、マーキングした後、ドット
マーキングしたインクを焼き付ける。

【０００９】（Ｂ）次に、図１の（Ｂ）に示すように、
半導体ウェハ１のスクライブラインをダイシングブレー
ド３によりハーフカットする。４、４、…はハーフカッ
トにより形成された溝である。この溝４、４、…の深さ
は製造しようとする半導体装置のペレット厚さと略等し
くすると良い。例えば、ペレット厚さを２００μｍにし
たい場合には切り込み量をその２００μｍにする。この
ようにハーフカットするのでダイシングブレードの摩耗
は少なくて済むこと図２から明らかである。

【００１０】（Ｃ）次に、図１の（Ｃ）に示すように、
半導体ウェハ１の表面１ａに表面保護テープとして例え
ばＵＶ照射硬化型テープ５を貼り付ける。この表面保護
テープは後に行う半導体ウェハ１の裏面研削時に半導体
ウェハ１の表面を保護するためのものである。尚、二点
鎖線で示すように、リングボルダ６を用いて表面保護テ
ープ５を緊張させ、その状態で表面保護テープ５を半導
体ウェハ１の表面１ａに貼り付けても良い。 （Ｄ）次に、図１の（Ｄ）に示すように、半導体ウェハ
１の裏面１ａをエッチングすることによりウェハ１を所
定のペレット厚さ（それはダイシングのためのハーフカ
ットの切り込み量でもあり、例えば２００μｍ）にして
ペレタイズする。１ｃ、１ｃ、…は半導体ペレットであ
る。

【００１１】尚、その後、半導体ウェハ１に対して裏面
研削による歪を除去するウェットエッチングを行うよう
にしても良い。すると、単に裏面研削による歪を除去で
きるだけでなく、ダイシング［工程（Ｂ）］により半導
体ペレット１ａ、１ａ、…の側面に生じた歪も除去する
ことができる。この裏面研削による歪を除去するエッチ
ング工程は不可欠な工程ではないが、このエッチング工
程を設けた場合には裏面研削による歪だけでなくダイシ
ングにより半導体ペレット１ａ、１ａ、…の側面に生じ
た歪をも除去することができるという効果を奏する。

【００１２】（Ｅ）次に、図１の（Ｅ）に示すように、
ダイボンディング用テープ７を、ペレタイズを終えた半
導体ウェハ１の裏面１ｂに貼り付ける。この場合、テー
プ７として表面保護テープ５よりも粘着力の強いものを
使用する。さもないと表面保護テープ５を剥離できず、
テープ７が半導体ウェハ１から剥れてしまうことになっ
てしまうからである。但し、表面保護テープ５としてＵ
Ｖ照射硬化型テープを用いた場合には、ダイボンド用テ
ープ７としてそのＵＶ照射硬化型テープかそれよりも弱
い粘着力のものを用いても良い。というのは、ＵＶ照射
硬化型テープはＵＶ照射により粘着力が数十分の１に低
下するからである。即ち、表面保護テープ５剥離前にＵ
Ｖ照射をすることとすれば、ＵＶ照射後におけるＵＶ照
射硬化型テープの粘着力よりも強ければＵＶ照射前にお
けるＵＶ照射硬化型テープの粘着力よりも弱くてもダイ
ボント用テープとして用いることができるのである。

【００１３】（Ｆ）その後、図１の（Ｆ）に示すように
、表面保護テープ５を剥離する。尚、表面保護テープ５
がＵＶ照射硬化型テープの場合にはＵＶ照射として粘着
力を低下させてから剥離すると良い。また、表面保護テ
ープ５が水溶性接着剤テープの場合には剥離後に純水に
よる洗浄を後処理として行い、ダイボンディングに供す
る。

【００１４】本半導体装置の製造方法によれば、ハーフ
カットダイシングのときの切り込み量を小さくすること
により半導体装置の厚さ（ペレット厚さ）を薄くするこ
とができ、２００μｍ程度にすることは勿論のこと、５
０μｍにすることも容易である。そして、そのダイシン
グはウェハ保持テープなしで行うことができる。また、
ペレット厚さを薄くすることができるけれども、それは
ダイシングを終えた後の裏面研削の段階で為され、半導
体やダイシングの段階では半導体ウェハが厚い。従って
、半導体やそれからダイシングに至る過程、特にハンド
リング工程で半導体ウェハに割れや欠けが生じにくくな
り、歩留りが向上する。

【００１５】そして、ダイシングのためのカットはフル
カットではなくハーフカットなので、ダイシングブレー
ドの摩耗は少なくて済む。また、半導体や裏面研削によ
るインクマーキングドットやシリコンダストは表面保護
テープ５を剥離するときに表面保護テープ５と共に除去
することができる。従って、これ等の汚染によりワイヤ
ボンディング不良や配線間のショート不良や耐湿性不良
が生じるのを防止することができる。そして、裏面研削
後の半導体ウェハ１の裏面エッチングによって単に裏面
研削歪のみならずダイシングによりペレット側面に生じ
たダイシング歪をも除去できるので、より特性を向上さ
せ、信頼度を高めることができる。そして、表面保護手
段としてレジスト膜を使用しないので、高価な間接材料
（レジスト、レジスト除去液）を使用しなくても済み、
また面倒なレジストコーティング、レジスト洗浄を行わ
なくても済む。従って、材料費が安くて済み、工数が少
なくて済む。

【００１６】

【発明の効果】請求項１の半導体装置の製造方法は、半
導体ウェハ表面からその厚さよりも浅い切り込み深さで
ダイシングし、その後、上記半導体ウェハの裏面研削を
することを特徴とするものである。従って、請求項１の
半導体装置の製造方法によれば、ハーフカットによりダ
イシングするので、ダイシングブレードの摩耗を少なく
することができる。そして、裏面研削をウェハ後工程プ
ロセスの最終的段階で行うので、半導体等半導体ウェハ
の割れや、欠けが生じやすい工程を半導体ウェハの厚い
段階で行うことになる。依って、半導体ウェハの割れや
欠けが生じにくくなる。請求項２の半導体装置の製造方
法は、ダイシングの切り込み深さを得ようとする半導体
装置のペレット厚さと略等しくしたことを特徴とするも
のである。従って、請求項２の半導体装置の製造方法に
よれば、半導体ウェハをダイシングしたところまで裏面
研削することにより半導体装置のペレット厚さをダイシ
ングの切り込み厚さと同じにすることができる。依って
、ダイシングの切り込み深さを浅くすることによりペレ
ット厚さを任意に薄くすることができ、１００μｍ以下
という極めて薄いペレット厚も実現可能である。請求項
３の半導体装置の製造方法は、裏面研削を半導体ウェハ
の表面に表面保護テープを貼着した状態で行うことを特
徴とするものである。従って、請求項３の半導体装置の
製造方法によれば、表面保護テープの剥離により半導体
装置機能テスト時、ダイシング時に付いたあるいは生じ
たインクマーキングドット、ダイスによる汚染を除去す
ることができる。依って、汚染によるワイヤボンディン
グ不良、配線間ショート不良、耐湿性不良の発生を防止
することができる。そして、表面保護手段としてレジス
ト膜を使用しないので、高価な間接材料（レジスト、レ
ジスト除去液）を使用しなくても済み、また面倒なレジ
ストコーティング、レジスト洗浄を行わなくても済む。 従って、材料費が安くて済み、工数が少なくて済む。依
って、半導体装置の低価格化を図ることができる。請求
項４の半導体装置の製造方法は、裏面研削後半導体ウェ
ハ裏面に対する歪除去エッチングを行うことを特徴とす
るものである。従って、請求項４の半導体装置の製造方
法によれば、ハーフカットによるダイシング後裏面研削
することによりペレタイズした後、半導体ウェハ裏面に
対する歪除去エッチングするので、単に裏面研削歪のみ
ならず、ダイシングによりペレット側面に生じたダイシ
ング歪をも除去することができ、特性、品質、信頼度の
向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明半導体装置の製造方
法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。

【図２】発明が解決しようする一つの問題点を説明する
ところのダイシング切り込み深さとダイシングブレード
の摩耗の関係図である。

【符号の説明】

１　　半導体ウェハ １ａ　　表面 １ｂ　　裏面 １ｃ　　半導体ペレット ４　　ダイシング溝 ５　　表面保護テープ ７　　ダイボンドテープ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　半導体ウェハ表面からその厚さよりも
   浅い切り込み深さでダイシングし、その後、上記半導体
   ウェハの裏面研削をすることを特徴とする半導体装置の
   製造方法。
2. 【請求項２】　　ダイシングの切り込み深さをつくろう
   とする半導体装置のペレット厚さと略等しくしたことを
   特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】　　裏面研削を半導体ウェハの表面に表面
   保護テープを接着した状態で行うことを特徴とする請求
   項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】　　裏面研削後半導体ウェハ裏面に対する
   歪除去エッチングを行うことを特徴とする請求項１、２
   又は３記載の半導体装置の製造方法。