JPH04297570A - 均一な消耗特性を持つ陰極装置 - Google Patents
均一な消耗特性を持つ陰極装置Info
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- JPH04297570A JPH04297570A JP3342527A JP34252791A JPH04297570A JP H04297570 A JPH04297570 A JP H04297570A JP 3342527 A JP3342527 A JP 3342527A JP 34252791 A JP34252791 A JP 34252791A JP H04297570 A JPH04297570 A JP H04297570A
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，良好な導電性及び熱伝
導性を持つ中間板又は基板に取り付けられた，焼失可能
な陰極板を含んでおりかつ冷却通路により貫通されてい
る，面の大きい陰極装置に関する。
導性を持つ中間板又は基板に取り付けられた，焼失可能
な陰極板を含んでおりかつ冷却通路により貫通されてい
る，面の大きい陰極装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような陰極装置は例えば被覆装置に
使用され，被覆として設けられた材料の少なくとも一部
の供給源として役立つ。特に，例えばチタン，クロム，
チタン−アルミニウム，チタン−ジルコンから成るこの
ような陰極は工作物を被覆するために使用される。この
ような被覆装置の運転の際に，陰極はアークを発生させ
るために大電流を供給され，このアークは被覆方法に応
じて磁界により影響を及ぼされる。
使用され，被覆として設けられた材料の少なくとも一部
の供給源として役立つ。特に，例えばチタン，クロム，
チタン−アルミニウム，チタン−ジルコンから成るこの
ような陰極は工作物を被覆するために使用される。この
ような被覆装置の運転の際に，陰極はアークを発生させ
るために大電流を供給され，このアークは被覆方法に応
じて磁界により影響を及ぼされる。
【０００３】従来，公知の被覆方法及び被覆装置では，
陰極において均一な焼失を達成することが問題である。 一般に，陰極は不均一に焼失するので，陰極の有効寿命
は理論的に可能であるより短い。種々の手段，例えば静
磁界，により焼失特性に影響を及ぼそうとする従来の試
みは改善に至らせたが，しかし陰極は個々の範囲におい
て依然としてより一層焼失した。
陰極において均一な焼失を達成することが問題である。 一般に，陰極は不均一に焼失するので，陰極の有効寿命
は理論的に可能であるより短い。種々の手段，例えば静
磁界，により焼失特性に影響を及ぼそうとする従来の試
みは改善に至らせたが，しかし陰極は個々の範囲におい
て依然としてより一層焼失した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は，陰極
の，できるだけ均一な焼失が達成できる，面の大きい陰
極装置を提供することである。
の，できるだけ均一な焼失が達成できる，面の大きい陰
極装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
は，電流密度又は電位を陰極板に均一に分布させるため
の手段を持つていることによつて解決される。
は，電流密度又は電位を陰極板に均一に分布させるため
の手段を持つていることによつて解決される。
【０００６】本発明には，不均一な焼失特性が陰極にお
ける電流密度の不均一な分布により引き起こされるらし
いという認識が基礎になつている。陰極自体と陰極を保
持する部分とが中実な金属部分であり，そして特に良好
な導電性を持つ，例えば銅又は銅合金又はアルミニウム
製の中間板が一般に使用されるにも拘らず，従来の装置
では不均一な電流分布が生じた。なぜならば必要とされ
る電流は一般に陰極装置の中間範囲にしか供給されなか
つたからである。しかし電流分布を均一化するための手
段が設けられる場合は，陰極の焼失特性が均一化され，
従つて被覆の品質が高まる。
ける電流密度の不均一な分布により引き起こされるらし
いという認識が基礎になつている。陰極自体と陰極を保
持する部分とが中実な金属部分であり，そして特に良好
な導電性を持つ，例えば銅又は銅合金又はアルミニウム
製の中間板が一般に使用されるにも拘らず，従来の装置
では不均一な電流分布が生じた。なぜならば必要とされ
る電流は一般に陰極装置の中間範囲にしか供給されなか
つたからである。しかし電流分布を均一化するための手
段が設けられる場合は，陰極の焼失特性が均一化され，
従つて被覆の品質が高まる。
【０００７】電流密度を均一化できる，最も簡単な可能
性の１つは，複数の給電線を使用することであり，これ
らの給電線は，陰極装置の互いに間隔を置いた種々の個
所において基板又は中間板と接続される。装置の大きさ
に応じて３つ又はそれ以上の給電線が好ましい。
性の１つは，複数の給電線を使用することであり，これ
らの給電線は，陰極装置の互いに間隔を置いた種々の個
所において基板又は中間板と接続される。装置の大きさ
に応じて３つ又はそれ以上の給電線が好ましい。
【０００８】給電線が，基板又は中間板の面上にほぼ均
一に分布された通電個所に取り付けられる場合は，特に
有利である。
一に分布された通電個所に取り付けられる場合は，特に
有利である。
【０００９】公知の陰極装置は，図面により詳細に説明
されるように，基板及び中間板から成り，この中間板は
銅，銅合金又は他の導電性金属から成りかつ冷却通路は
中間板にＵ字状又は蛇行状に延びている。ここにおいて
，本発明による成果を得るために，中間板が陰極板側に
，なるべく２ないし８ｍｍの肉厚を持つ，連続した壁を
持つており，冷却通路が基板側に配置されかつ基板によ
り区画されている場合は，特に有利である。陰極板側の
，連続した壁は，電流分布の均一化に著しく寄与し，そ
して更に，陰極板がある個所で完全に消費され又は漏れ
が生ずる場合に冷却媒体が被覆装置へ入ることを防止す
る。両方の成果は，陰極側に配置された，中間板にある
，従来普通の冷却通路では得られなかつた。しかし中間
板の良好な熱伝導性により，被覆装置の外面への冷却通
路の僅かな移動は不利でない。
されるように，基板及び中間板から成り，この中間板は
銅，銅合金又は他の導電性金属から成りかつ冷却通路は
中間板にＵ字状又は蛇行状に延びている。ここにおいて
，本発明による成果を得るために，中間板が陰極板側に
，なるべく２ないし８ｍｍの肉厚を持つ，連続した壁を
持つており，冷却通路が基板側に配置されかつ基板によ
り区画されている場合は，特に有利である。陰極板側の
，連続した壁は，電流分布の均一化に著しく寄与し，そ
して更に，陰極板がある個所で完全に消費され又は漏れ
が生ずる場合に冷却媒体が被覆装置へ入ることを防止す
る。両方の成果は，陰極側に配置された，中間板にある
，従来普通の冷却通路では得られなかつた。しかし中間
板の良好な熱伝導性により，被覆装置の外面への冷却通
路の僅かな移動は不利でない。
【００１０】通電個所の選択の際に，中間板における冷
却通路の位置を考慮に入れなければならない。これらの
通路は均一な電流分布を妨げるので，通電個所は丁度，
中間板が中実な連絡辺を持ちかつ電流の均一な分布が助
長される所に位置しなければならない。
却通路の位置を考慮に入れなければならない。これらの
通路は均一な電流分布を妨げるので，通電個所は丁度，
中間板が中実な連絡辺を持ちかつ電流の均一な分布が助
長される所に位置しなければならない。
【００１１】経験によれば，焼失は中央範囲におけるよ
り陰極の外側範囲における方が小さかつたから，通電個
所の少なくとも一部は，中間板の，冷却通路により包囲
されていない外側範囲になければならない。
り陰極の外側範囲における方が小さかつたから，通電個
所の少なくとも一部は，中間板の，冷却通路により包囲
されていない外側範囲になければならない。
【００１２】２つの長辺及び２つの短辺を持つ，ほぼ方
形の通常の陰極装置では，少なくとも１つの通電個所が
各短辺の近くに存在しなけれはならない。
形の通常の陰極装置では，少なくとも１つの通電個所が
各短辺の近くに存在しなけれはならない。
【００１３】
【実施例】図面に示されている実施例について本発明を
以下に説明する。
以下に説明する。
【００１４】装置は基板１と，良好な導電性及び熱伝導
性を持つ，なるべく銅又は銅合金製の，中間板２と，蒸
発させるべき材料，例えばチタン，から成る陰極板３と
から層をなして構成されている。陰極板３は通常のやり
方で，説明されない保持片１７及び陰極保持ねじ１５に
よつて中間板２に平面的に滑らかに接触するように取り
付けられている。中間板２は，陰極板３に接触する，連
続した壁１０を持つておりかつ基板１側において冷却通
路４により遮断されている。ここでは，冷却通路４がＵ
字状に延びておりかつ中央連絡辺９により分離されてい
る。中間仮２に密封溝７が設けられており，この密封溝
の中に密封片８が入つており，この密封片により基板１
と中間仮２との密な結合が達成される。基板１に冷却媒
体流入口５及び冷却媒体流出口６が配置されている。基
板１と中間板２は保持ねじ１１によつて互いに固定的に
結合されている。陰極装置全体は，説明されない枠１８
を介して取付けねじ１４により被覆装置の壁と漏れのな
いようにねじ止めされ得るので，陰極は被覆装置の内部
に位置している。補強リブ１６は装置全体の，必要な形
状安定性を生ぜしめる。
性を持つ，なるべく銅又は銅合金製の，中間板２と，蒸
発させるべき材料，例えばチタン，から成る陰極板３と
から層をなして構成されている。陰極板３は通常のやり
方で，説明されない保持片１７及び陰極保持ねじ１５に
よつて中間板２に平面的に滑らかに接触するように取り
付けられている。中間板２は，陰極板３に接触する，連
続した壁１０を持つておりかつ基板１側において冷却通
路４により遮断されている。ここでは，冷却通路４がＵ
字状に延びておりかつ中央連絡辺９により分離されてい
る。中間仮２に密封溝７が設けられており，この密封溝
の中に密封片８が入つており，この密封片により基板１
と中間仮２との密な結合が達成される。基板１に冷却媒
体流入口５及び冷却媒体流出口６が配置されている。基
板１と中間板２は保持ねじ１１によつて互いに固定的に
結合されている。陰極装置全体は，説明されない枠１８
を介して取付けねじ１４により被覆装置の壁と漏れのな
いようにねじ止めされ得るので，陰極は被覆装置の内部
に位置している。補強リブ１６は装置全体の，必要な形
状安定性を生ぜしめる。
【００１５】陰極装置への給電は給電線１３ａ，１３ｂ
，１３ｃ，１３ｄを介して行われ，この実施例において
これらの給電線は，組立て費用が減少されるから，保持
ねじ１１の一部に取り付けられている。しかしこれは必
要でないので，別々の取付けも選択され得る。重要なの
は，ここでは部分的に保持ねじ１１と重なる通電個所１
２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄが，装置の面上に均一に
分布されていることである。この湯合，中間板２の，連
続した壁１０が給電の際に僅かな不均一性を十分に補償
することができるにも拘らず，冷却通路の位置に関して
電流分布が付加的に考慮に入れられなければならない。 この実施例において，通電個所１２ａ，１２ｄは装置の
短辺の範囲にあり，通電個所１２ｄは，中央連絡辺９へ
の電流の導入に関して特に有利に配置されている。 通電個所１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄはすべて，中
間板２にある，（図２に破線で示された）密封溝７の外
側範囲に位置している。
，１３ｃ，１３ｄを介して行われ，この実施例において
これらの給電線は，組立て費用が減少されるから，保持
ねじ１１の一部に取り付けられている。しかしこれは必
要でないので，別々の取付けも選択され得る。重要なの
は，ここでは部分的に保持ねじ１１と重なる通電個所１
２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄが，装置の面上に均一に
分布されていることである。この湯合，中間板２の，連
続した壁１０が給電の際に僅かな不均一性を十分に補償
することができるにも拘らず，冷却通路の位置に関して
電流分布が付加的に考慮に入れられなければならない。 この実施例において，通電個所１２ａ，１２ｄは装置の
短辺の範囲にあり，通電個所１２ｄは，中央連絡辺９へ
の電流の導入に関して特に有利に配置されている。 通電個所１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄはすべて，中
間板２にある，（図２に破線で示された）密封溝７の外
側範囲に位置している。
【００１６】本発明は，蒸着被覆装置の陰極に特に適し
ているが，しかしこのような適用に限られない。
ているが，しかしこのような適用に限られない。
【図１】（図２及び４のＩ−Ｉ線に沿う）本発明による
陰極装置の縦断面図である。
陰極装置の縦断面図である。
【図２】装置の外面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う横断面図である
。
。
【図４】陰極装置の陰極面を内側から見た図である。
１ 基板
２ 中間板
３ 陰極板
４ 冷却通路
Claims (7)
- 【請求項１】 電流密度又は電位を陰極板（３）に均
一に分布させるための手段（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，
１２ｄ，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ）を持つてい
ることを特徴とする，良好な導電性及び熱伝導性を持つ
中間板（２）又は基板（１）に取り付けられた，焼失可
能な陰極板（３）を含んでおりかつ冷却通路（４）によ
り貫通されている，面の大きい陰極装置。 - 【請求項２】 電流密度を均一化するために，複数の
給電線（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ）が基板（１
）又は中間板（２）と接続されていることを特徴とする
，請求項１に記載の陰極装置。 - 【請求項３】 給電線（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１
３ｄ）が，基板（１）又は中間板（２）の面上にほぼ均
一に分布された通電個所（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１
２ｄ）に取り付けられていることを特徴とする，請求項
２に記載の陰極装置。 - 【請求項４】 中間板（２）が陰極板（３）側に連続
した壁（１０）を持つており，冷却通路（４）が基板（
１）側に配置されかつ基板（１）により区画されている
ことを特徴とする，中間板（２）が銅又は銅合金から成
りかつ冷却通路（４）が中間板（２）にＵ字状又は蛇行
状に延びている，基板（１）及び中間板（２）を持つ，
請求項１ないし３のうち１つに記載の陰極装置。 - 【請求項５】 通電個所（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，
１２ｄ）が，中間板（２）が冷却通路（４）の延び具合
を考慮に入れて電流を供給されていることを特徴とする
，請求項４に記載の陰極装置。 - 【請求項６】 通電個所（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，
１２ｄ）の少なくとも一部が，中間板（２）の，冷却通
路（４）により包囲されていない外側範囲にあることを
特徴とする，請求項５に記載の陰極装置。 - 【請求項７】 少なくとも１つの通電個所（１２ａ，
１２ｄ）が各短辺の近くに存在することを特徴とする，
陰極板（３）が２つの長辺及び２つの短辺をもつてほぼ
方形である，請求項１ないし６のうち１つに記載の陰極
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE9014857.6 | 1990-10-26 | ||
| DE9014857U DE9014857U1 (de) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Großflächige Kathodenanordnung mit gleichmäßigem Abbrandverhalten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04297570A true JPH04297570A (ja) | 1992-10-21 |
| JPH0726201B2 JPH0726201B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=6858797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3342527A Expired - Lifetime JPH0726201B2 (ja) | 1990-10-26 | 1991-10-25 | 均一な消耗特性を持つ陰極装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5203980A (ja) |
| EP (1) | EP0482541B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0726201B2 (ja) |
| AT (1) | ATE141026T1 (ja) |
| CA (1) | CA2054238A1 (ja) |
| DE (2) | DE9014857U1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4301516C2 (de) * | 1993-01-21 | 2003-02-13 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Targetkühlung mit Wanne |
| US5487822A (en) * | 1993-11-24 | 1996-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
| US5433835B1 (en) * | 1993-11-24 | 1997-05-20 | Applied Materials Inc | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
| DE4414470A1 (de) * | 1994-04-26 | 1995-11-02 | Leybold Ag | Zerstäuberkathode |
| US6033483A (en) | 1994-06-30 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Electrically insulating sealing structure and its method of use in a high vacuum physical vapor deposition apparatus |
| DE4426751A1 (de) * | 1994-07-28 | 1996-02-01 | Leybold Ag | Schwimmende Zentralbefestigung, insbesondere für großflächige Sputterkatoden |
| DE19521419C2 (de) * | 1995-06-14 | 1997-11-27 | Plasma Applikation Mbh Ges | Verdampfereinheit zur Verdampfung von Materialien im elektrischen Vakuumbogen |
| US5985115A (en) | 1997-04-11 | 1999-11-16 | Novellus Systems, Inc. | Internally cooled target assembly for magnetron sputtering |
| US6340415B1 (en) | 1998-01-05 | 2002-01-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime |
| US6103074A (en) * | 1998-02-14 | 2000-08-15 | Phygen, Inc. | Cathode arc vapor deposition method and apparatus |
| DE10126985A1 (de) * | 2001-06-05 | 2002-12-12 | Gabriel Herbert M | Anordnung zur Stromzuführung für eine Kathode einer Lichtbogen-Verdampfungsvorrichtung |
| DE10256417A1 (de) * | 2002-12-02 | 2004-06-09 | Pvt Plasma Und Vakuum Technik Gmbh | Lichtbogenverdampfungsvorrichtung |
| KR101202151B1 (ko) * | 2003-09-10 | 2012-11-15 | 외를리콘 솔라 아게, 트뤼프바흐 | 직사각형 대면적 기판 처리용 고주파 플라즈마 반응기의전압 불균일성 보상 방법 |
| DE102006008973B4 (de) * | 2006-02-23 | 2014-09-11 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Kühlbare Trägerplatte für Targets in Vakuumzerstäubungsanlagen |
| CA2577757A1 (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-16 | Sulzer Metco Ag | Target holding apparatus |
| EP1835525A1 (de) * | 2006-03-16 | 2007-09-19 | Sulzer Metco AG (Switzerland) | Targethaltevorrichtung |
| EP2074644A1 (en) * | 2006-10-03 | 2009-07-01 | Dow Global Technologies Inc. | Improved plasma electrode |
| US9153422B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-10-06 | Envaerospace, Inc. | Arc PVD plasma source and method of deposition of nanoimplanted coatings |
| CZ2015837A3 (cs) * | 2015-11-27 | 2017-03-01 | Shm, S. R. O. | Cylindrická katoda pro nanášení vrstev metodou PVD |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5497587A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-01 | Arekusandorouitsuchi Georugii | Ion plasma coating apparatus |
| JPS5651228A (en) * | 1979-10-02 | 1981-05-08 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | Adsorption and removal of ammonia |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3945911A (en) * | 1974-08-28 | 1976-03-23 | Shatterproof Glass Corporation | Cathodes for sputter-coating glass sheets or other substrates |
| CH665057A5 (de) * | 1984-07-20 | 1988-04-15 | Balzers Hochvakuum | Targetplatte fuer kathodenzerstaeubung. |
| CH664303A5 (de) * | 1985-04-03 | 1988-02-29 | Balzers Hochvakuum | Haltevorrichtung fuer targets fuer kathodenzerstaeubung. |
| EP0393344A1 (de) * | 1989-04-20 | 1990-10-24 | Balzers Aktiengesellschaft | Haltevorrichtung für Targets von Zerstäubungsquellen und Verfahren zum Festhalten eines Targets in einer Halterung |
-
1990
- 1990-10-26 DE DE9014857U patent/DE9014857U1/de not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-10-21 EP EP91117893A patent/EP0482541B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-21 AT AT91117893T patent/ATE141026T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-10-21 DE DE59108048T patent/DE59108048D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-25 CA CA002054238A patent/CA2054238A1/en not_active Abandoned
- 1991-10-25 US US07/782,151 patent/US5203980A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-25 JP JP3342527A patent/JPH0726201B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5497587A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-01 | Arekusandorouitsuchi Georugii | Ion plasma coating apparatus |
| JPS5651228A (en) * | 1979-10-02 | 1981-05-08 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | Adsorption and removal of ammonia |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE9014857U1 (de) | 1992-02-20 |
| EP0482541B1 (de) | 1996-07-31 |
| EP0482541A1 (de) | 1992-04-29 |
| DE59108048D1 (de) | 1996-09-05 |
| ATE141026T1 (de) | 1996-08-15 |
| CA2054238A1 (en) | 1992-04-27 |
| JPH0726201B2 (ja) | 1995-03-22 |
| US5203980A (en) | 1993-04-20 |
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