JPH04298021A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04298021A JPH04298021A JP10632591A JP10632591A JPH04298021A JP H04298021 A JPH04298021 A JP H04298021A JP 10632591 A JP10632591 A JP 10632591A JP 10632591 A JP10632591 A JP 10632591A JP H04298021 A JPH04298021 A JP H04298021A
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- JP
- Japan
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- cell
- shutter plate
- molecular beam
- raw material
- magnet
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体製造装置に関し
、特に分子線エピタキシャル成長装置（ＭＢＥ装置）に
関するものである。
、特に分子線エピタキシャル成長装置（ＭＢＥ装置）に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の分子線エピタキシャル成長
装置のセル及びシャッタの位置関係を示す要部断面図で
あり、図において、１はセルのシャッタ板、２は上記シ
ャッタ板１を開閉するための回転軸、３は上記シャッタ
板１と回転軸２を結合するための支持棒、４は原料を入
れるセルであり、５は上記セル４を温度制御するための
ヒータである。
装置のセル及びシャッタの位置関係を示す要部断面図で
あり、図において、１はセルのシャッタ板、２は上記シ
ャッタ板１を開閉するための回転軸、３は上記シャッタ
板１と回転軸２を結合するための支持棒、４は原料を入
れるセルであり、５は上記セル４を温度制御するための
ヒータである。
【０００３】次に動作について説明する。成長前後にお
いて、図示しない成長室内の所定の場所にてセル４は配
置され、ヒータ５によって加熱されており、原料の分子
線がセル４の開口部より射出している。セル４中の原料
からの分子線が不必要な時は、図２に示すようにセル４
の開口部にシャッタ板１を位置させてセル４から分子線
が射出しないようにする。
いて、図示しない成長室内の所定の場所にてセル４は配
置され、ヒータ５によって加熱されており、原料の分子
線がセル４の開口部より射出している。セル４中の原料
からの分子線が不必要な時は、図２に示すようにセル４
の開口部にシャッタ板１を位置させてセル４から分子線
が射出しないようにする。
【０００４】また、セル４中の原料からの分子線が必要
なときには回転軸２を回転させることにより、シャッタ
板１をセル４の開口部からの分子線の射出を妨げない所
に位置させて、図示しない被処理ウエハに照射する。
なときには回転軸２を回転させることにより、シャッタ
板１をセル４の開口部からの分子線の射出を妨げない所
に位置させて、図示しない被処理ウエハに照射する。
【０００５】ところで上記シャッタ板１は、セル４中の
原料からの分子線が不必要なときはセル４中の原料が成
長室の真空度に及ぼす影響が少なくなるように、セル４
との間隔は１０ｍｍ程度以下まで接近させられている。 従って、シャッタ板１を閉じた状態においてセル４中の
原料の温度は、シャッタ板１による熱線の反射や輻射の
影響を受けた状態でヒータ５の温度制御により一定に保
たれるようになっている。
原料からの分子線が不必要なときはセル４中の原料が成
長室の真空度に及ぼす影響が少なくなるように、セル４
との間隔は１０ｍｍ程度以下まで接近させられている。 従って、シャッタ板１を閉じた状態においてセル４中の
原料の温度は、シャッタ板１による熱線の反射や輻射の
影響を受けた状態でヒータ５の温度制御により一定に保
たれるようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上のように構成されているので、シャッタ板１を開
けた直後、セル４に対するシャッタ板１による熱線の反
射や輻射が突然なくなりヒータ５による温度制御が追随
できず、セル４中の原料の温度が一時的に急激に低下す
ることとなる。このためシャッタ板１を開いた直後の分
子線の射出強度が変動する。従って、例えば複数のセル
により被処理ウエハ上に化合物を成長する場合、膜厚方
向にその組成比が変動するという問題点があった。
は以上のように構成されているので、シャッタ板１を開
けた直後、セル４に対するシャッタ板１による熱線の反
射や輻射が突然なくなりヒータ５による温度制御が追随
できず、セル４中の原料の温度が一時的に急激に低下す
ることとなる。このためシャッタ板１を開いた直後の分
子線の射出強度が変動する。従って、例えば複数のセル
により被処理ウエハ上に化合物を成長する場合、膜厚方
向にその組成比が変動するという問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、セル４の原料からの分子線が不
必要なときには、セル４中の原料が成長室の真空度に及
ぼす影響がほとんどなく、かつシャッタ板１を開いた直
後のセル４中の原料の温度変動が起こらない半導体製造
装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、セル４の原料からの分子線が不
必要なときには、セル４中の原料が成長室の真空度に及
ぼす影響がほとんどなく、かつシャッタ板１を開いた直
後のセル４中の原料の温度変動が起こらない半導体製造
装置を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、分子線エピタキシャル装置において、シャッ
タをその回転軸方向に移動可能とし、セルとシャッタ板
との間隔を可変とするようにしたものである。
造装置は、分子線エピタキシャル装置において、シャッ
タをその回転軸方向に移動可能とし、セルとシャッタ板
との間隔を可変とするようにしたものである。
【０００９】
【作用】この発明によれば、シャッタをその回転軸方向
に移動可能とし、セル中の原料からの分子線が不必要な
ときはシャッタ板とセルの間隔を小さくし、またセル中
の原料からの分子線が必要なときにはシャッタを開く前
にシャッタ板とセルとの距離を大きくして、セルに対す
るシャッタ板による熱線の反射や輻射による影響がなく
セル中の温度が安定した後、シャッタ板を開くようにし
たため、分子線が不必要なときの成長室の真空度に影響
を与えることなく、また分子線射出開始時のシャッタを
開いた後のセル中の原料の温度変動がなくなる。
に移動可能とし、セル中の原料からの分子線が不必要な
ときはシャッタ板とセルの間隔を小さくし、またセル中
の原料からの分子線が必要なときにはシャッタを開く前
にシャッタ板とセルとの距離を大きくして、セルに対す
るシャッタ板による熱線の反射や輻射による影響がなく
セル中の温度が安定した後、シャッタ板を開くようにし
たため、分子線が不必要なときの成長室の真空度に影響
を与えることなく、また分子線射出開始時のシャッタを
開いた後のセル中の原料の温度変動がなくなる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図２と同一符号は同一または相当部分を示し、６
は成長室外部から回転軸２の動作を制御するために回転
軸２に固定されたマグネット、７は成長室外部より磁力
により上記回転軸に固定されたマグネット６に力を及ぼ
し回転軸２を制御するためのマグネットである。なお図
中のａ，ｂの添え字はそれぞれ各構成部が分子線が不必
要なとき、及び必要なときに位置したときのものを表す
記号である。
する。図２と同一符号は同一または相当部分を示し、６
は成長室外部から回転軸２の動作を制御するために回転
軸２に固定されたマグネット、７は成長室外部より磁力
により上記回転軸に固定されたマグネット６に力を及ぼ
し回転軸２を制御するためのマグネットである。なお図
中のａ，ｂの添え字はそれぞれ各構成部が分子線が不必
要なとき、及び必要なときに位置したときのものを表す
記号である。
【００１１】次に動作について説明する。セル４中の原
料からの分子線が不必要な時は、図１に示すように実線
で示すマグネット７ａの位置とし、セル４の開口部数ｍ
ｍの所に実線で示すシャッタ板１ａを位置させ、セル４
中の原料が成長室の真空度に及ぼす影響が少なくなるよ
うにする。
料からの分子線が不必要な時は、図１に示すように実線
で示すマグネット７ａの位置とし、セル４の開口部数ｍ
ｍの所に実線で示すシャッタ板１ａを位置させ、セル４
中の原料が成長室の真空度に及ぼす影響が少なくなるよ
うにする。
【００１２】一方、セル４中の原料からの分子線が必要
なときには、この状態のシャッタ板１ａを開く前に、マ
グネット７ａを点線で示すマグネット７ｂの位置にする
ことにより、シャッタ板１ａを移動させて、シャッタ板
とセル４の間隔が数ｃｍとな点線で示すシャッタ板１ｂ
の位置にして、シャッタ板による熱線の反射や輻射によ
る影響がない状態でセル４中の原料の温度が安定した後
、シャッタ板１ｂを回転軸２ｂを回転させて開くように
する。
なときには、この状態のシャッタ板１ａを開く前に、マ
グネット７ａを点線で示すマグネット７ｂの位置にする
ことにより、シャッタ板１ａを移動させて、シャッタ板
とセル４の間隔が数ｃｍとな点線で示すシャッタ板１ｂ
の位置にして、シャッタ板による熱線の反射や輻射によ
る影響がない状態でセル４中の原料の温度が安定した後
、シャッタ板１ｂを回転軸２ｂを回転させて開くように
する。
【００１３】このように本実施例によれば、シャッタ板
１を開閉させる回転軸にマグネット６を取付け、これと
対向するようにして外部に取付けられたマグネット７を
配置してマグネットカップリング機構を用いて、回転軸
２を直線運動させるようにし、分子線が必要なときには
、シャッタ板１を直線運動させてセル４から離間させた
後、回転軸２を回転させてセル４の開口部をオープンさ
せるようにしたから、セル４に対するシャッタ板１の熱
線の反射や輻射が徐々になくなり、このためヒータ５に
てセル４の温度制御を追随でき、セル４中の原料の温度
が急激に低下することがなくなる。従って、例えば複数
のセルにより被処理ウエハ上に化合物を成長する場合の
も、膜厚方向にその組成比が変動するという問題が発生
することがなく、安定した結晶成長を行なうことができ
る。
１を開閉させる回転軸にマグネット６を取付け、これと
対向するようにして外部に取付けられたマグネット７を
配置してマグネットカップリング機構を用いて、回転軸
２を直線運動させるようにし、分子線が必要なときには
、シャッタ板１を直線運動させてセル４から離間させた
後、回転軸２を回転させてセル４の開口部をオープンさ
せるようにしたから、セル４に対するシャッタ板１の熱
線の反射や輻射が徐々になくなり、このためヒータ５に
てセル４の温度制御を追随でき、セル４中の原料の温度
が急激に低下することがなくなる。従って、例えば複数
のセルにより被処理ウエハ上に化合物を成長する場合の
も、膜厚方向にその組成比が変動するという問題が発生
することがなく、安定した結晶成長を行なうことができ
る。
【００１４】なお上記実施例ではマグネットカップリン
グ式の機構によりシャッタ板１の直線運動制御を行った
が、他の方法で制御してもかまわない。
グ式の機構によりシャッタ板１の直線運動制御を行った
が、他の方法で制御してもかまわない。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体製
造装置によれば、シャッタ板をその回転軸方向に移動可
能とする直線移動手段を設け、分子線材料を収容するセ
ルとシャッタ板との間隔を可変とするようにしたから、
分子線射出開始時のシャッタを開いた後のセル中の原料
の温度変動がなくなり、その結果、膜厚方向に組成変動
のない結晶成長を安定して行なうことができるという効
果がある。
造装置によれば、シャッタ板をその回転軸方向に移動可
能とする直線移動手段を設け、分子線材料を収容するセ
ルとシャッタ板との間隔を可変とするようにしたから、
分子線射出開始時のシャッタを開いた後のセル中の原料
の温度変動がなくなり、その結果、膜厚方向に組成変動
のない結晶成長を安定して行なうことができるという効
果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体製造装置を示
す断面側面図である。
す断面側面図である。
【図２】従来の半導体製造装置を示す断面側面図である
。
。
１ セルのシャッタ板
２ 回転軸
３ 支持棒
４ セル
５ ヒータ
６ マグネット
７ マグネット
Claims (1)
- 【請求項１】 セルに収容した分子線材料を加熱して
分子線を射出して結晶成長を行なう半導体製造装置にお
いて、回転軸に保持され、セル開口部近傍にて該開口部
を開閉するシャッタ板と、該シャッタ板を回転軸方向に
直線移動させる直線移動手段とを設け、上記セルとシャ
ッタ板との間隔を可変とするようにしたことを特徴とす
る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10632591A JPH04298021A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10632591A JPH04298021A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298021A true JPH04298021A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=14430768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10632591A Pending JPH04298021A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04298021A (ja) |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP10632591A patent/JPH04298021A/ja active Pending
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