JPS61270813A - 分子線エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
分子線エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS61270813A JPS61270813A JP60112398A JP11239885A JPS61270813A JP S61270813 A JPS61270813 A JP S61270813A JP 60112398 A JP60112398 A JP 60112398A JP 11239885 A JP11239885 A JP 11239885A JP S61270813 A JPS61270813 A JP S61270813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- growth
- molecular beam
- growth chamber
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は分子線エピタキシャル成長装置に関し、さら
に詳細にいえば、基板上に厚さ並びに種類の異なる層を
交互に、周期的に積層して、マイクロ波素子、或は発光
・受光素子として使用する単結晶ａ膜周期構造を形成す
ることができる分子線エピタキシャル成長装置に関する
。
に詳細にいえば、基板上に厚さ並びに種類の異なる層を
交互に、周期的に積層して、マイクロ波素子、或は発光
・受光素子として使用する単結晶ａ膜周期構造を形成す
ることができる分子線エピタキシャル成長装置に関する
。
〈従来の技術〉
従来から、化合物半導体デバイス、特に光デバイスの製
法として、薄い一様な層の成長、成分元素組成比の制御
の容易さからエピタキシャル成長方法が′一般的に利用
されている。なかでも、最近特に注目されている技術と
して、分子線エビタキシャル成長方法（以下、ＭＢＥ成
長法と略称する）が知られており、例えばＷ、 Ｔ、
Ｔｓａｎｇにより日経エレクトロニクス陽３Ｇ８，１６
３ （１９８３）において、ＭＢＥ成長法並びに薄膜周
期構造を利用したデバイスが詳細に説明されている。
法として、薄い一様な層の成長、成分元素組成比の制御
の容易さからエピタキシャル成長方法が′一般的に利用
されている。なかでも、最近特に注目されている技術と
して、分子線エビタキシャル成長方法（以下、ＭＢＥ成
長法と略称する）が知られており、例えばＷ、 Ｔ、
Ｔｓａｎｇにより日経エレクトロニクス陽３Ｇ８，１６
３ （１９８３）において、ＭＢＥ成長法並びに薄膜周
期構造を利用したデバイスが詳細に説明されている。
このＭＢＥ成長法に従えば、発光部に厚さ数１０Ａ〜数
１００Ａ程度の種類の異なる超薄膜層をアロイ・クラス
タの形成なしに交互に、周期的に積層することにより、
第５図に示すような多重量子井戸型レーザを製造するこ
とが１４能となる。尚、図において（Ａ）はｐ型ＧａＡ
Ｓ、（Ｂ）はｐ型Ｇａ Ａｔ −Ａｓ、（Ｃ）はノ
ンドープＱａｘ （１ｘ） Ａｓウェル、（Ｄ）はノンドープＧａｘＡ１（１−ｘ）
Ａｓバリア、（Ｅ）はｎ型Ｑａ Ａｌ （１−ｘ）
Ａｓ １（Ｆ）はｎ型Ｑａ ＡＳである。
１００Ａ程度の種類の異なる超薄膜層をアロイ・クラス
タの形成なしに交互に、周期的に積層することにより、
第５図に示すような多重量子井戸型レーザを製造するこ
とが１４能となる。尚、図において（Ａ）はｐ型ＧａＡ
Ｓ、（Ｂ）はｐ型Ｇａ Ａｔ −Ａｓ、（Ｃ）はノ
ンドープＱａｘ （１ｘ） Ａｓウェル、（Ｄ）はノンドープＧａｘＡ１（１−ｘ）
Ａｓバリア、（Ｅ）はｎ型Ｑａ Ａｌ （１−ｘ）
Ａｓ １（Ｆ）はｎ型Ｑａ ＡＳである。
従来の■−ｖ族化合物半導体薄膜周期構造形成のための
ＭＢＥ成長法においては、例えば第６図に示すように、
成長室（２１）内において基板ホルダ（２５）上に基板
を保持し、かつ保持位置が、両セル（２２）（２３）の
中心軸が交差する位置に設定されている。そして、両セ
ル（ｉ２）（２３）に収納されている原料（２２ａ）（
２３ａ）から蒸発した原料の分子線の、基板（２０に対
する照射を制御するためのセルシャッタ（２２ｂ）（２
３ｂ）が上記両セル（２２）（２３）に取付けられてお
り、セルシャッタ（２２ｂＨ２３ｂ）を交互に所定の周
期で開閉することにより、選択的に一方の原料の分子線
を基板（２４）に照射し、基板（２４）上に種類が異な
る化合物半導体薄膜を交互に周期的に形成することがで
きる（特開昭５７−４７１６０号、および特開昭５７−
１１８９９号公報看照）。
ＭＢＥ成長法においては、例えば第６図に示すように、
成長室（２１）内において基板ホルダ（２５）上に基板
を保持し、かつ保持位置が、両セル（２２）（２３）の
中心軸が交差する位置に設定されている。そして、両セ
ル（ｉ２）（２３）に収納されている原料（２２ａ）（
２３ａ）から蒸発した原料の分子線の、基板（２０に対
する照射を制御するためのセルシャッタ（２２ｂ）（２
３ｂ）が上記両セル（２２）（２３）に取付けられてお
り、セルシャッタ（２２ｂＨ２３ｂ）を交互に所定の周
期で開閉することにより、選択的に一方の原料の分子線
を基板（２４）に照射し、基板（２４）上に種類が異な
る化合物半導体薄膜を交互に周期的に形成することがで
きる（特開昭５７−４７１６０号、および特開昭５７−
１１８９９号公報看照）。
着発明が解決しようとする問題点〉
上記のＭＢＥ成長法では、一方のセルシャッタが開いて
いる間は、他方のセルシャッタが閏じられていることに
なるが、一般に■−ｖ族化合物半導体をＭＢＥ成長させ
る場合、原料セル（２２）（２３）は通常７００〜１０
００℃の高温度に加熱されている。このため、セルシャ
ッタ（２２ｂ）（２３ｂ）が閉じられている間に原料が
加熱されて不純ガスを発生することになり、不純ガスが
成長している薄膜内に取込まれた場合には、ａｍの電気
特性が著しく劣化することになる。さらに、上記不純ガ
スの発生の問題とは別に、セルシャッタ（２２ｂ）（２
３ｂ）を閉じることによりセル温度自体が影響を受け、
その結果として再度セルシャッタ（２２ｂ） （２３ｂ
）を開いた際に原料分子線強度のオーバーシュートを引
起こし、化合物半導体薄膜の膜厚制御並びに混晶の場合
の膜組成の制御を困難にするので、薄膜周期構造を形成
する際の周期性が低下することになる。
いる間は、他方のセルシャッタが閏じられていることに
なるが、一般に■−ｖ族化合物半導体をＭＢＥ成長させ
る場合、原料セル（２２）（２３）は通常７００〜１０
００℃の高温度に加熱されている。このため、セルシャ
ッタ（２２ｂ）（２３ｂ）が閉じられている間に原料が
加熱されて不純ガスを発生することになり、不純ガスが
成長している薄膜内に取込まれた場合には、ａｍの電気
特性が著しく劣化することになる。さらに、上記不純ガ
スの発生の問題とは別に、セルシャッタ（２２ｂ）（２
３ｂ）を閉じることによりセル温度自体が影響を受け、
その結果として再度セルシャッタ（２２ｂ） （２３ｂ
）を開いた際に原料分子線強度のオーバーシュートを引
起こし、化合物半導体薄膜の膜厚制御並びに混晶の場合
の膜組成の制御を困難にするので、薄膜周期構造を形成
する際の周期性が低下することになる。
また、通常の成長速度で単原子層或は２原子層といった
極めて薄い半導体層を成長させるためには、セルシャッ
タ（２２ｂ） （２３ｂ）の開放時間を著しく短くする
必要があるが、セルシャッタ（２２ｂ）（２３ｂ）の機
械的精度を考慮すると、開放時間誤差が大きくなり、一
定周期の薄膜を成長させることは困難になる。
極めて薄い半導体層を成長させるためには、セルシャッ
タ（２２ｂ） （２３ｂ）の開放時間を著しく短くする
必要があるが、セルシャッタ（２２ｂ）（２３ｂ）の機
械的精度を考慮すると、開放時間誤差が大きくなり、一
定周期の薄膜を成長させることは困難になる。
このような問題点を解消するために、セルシャッタを省
略、して、原料の飛行線を分離するための仕切り板、お
よびマスク板を不動状に取付けるこ。
略、して、原料の飛行線を分離するための仕切り板、お
よびマスク板を不動状に取付けるこ。
とにより、成長室内を複数の隔室に画成することが考え
られるが、各隔室においては、互に異なる原料からの分
子線が照射されるのみであり、超格子構造のみしか成長
させることができず、混晶結晶は全く成長させることが
できない。
られるが、各隔室においては、互に異なる原料からの分
子線が照射されるのみであり、超格子構造のみしか成長
させることができず、混晶結晶は全く成長させることが
できない。
したがって、例えば、第６図に示すように、ＩｎＰから
なる基板上に直接１ｎＡｓとＧａＡＳの超格子構造を成
長させようとすれば、ＩｎＰ基板表面の凹凸の影響によ
り、第７図に示すように、Ｉｎ Ａｓ −Ｇａ ＡＳ超
格子のＸ線回°折半値幅が広く（〜１ＧＧＧ”） 、結
晶性が悪いものしか得られないという不都合が発生する
ことになる。
なる基板上に直接１ｎＡｓとＧａＡＳの超格子構造を成
長させようとすれば、ＩｎＰ基板表面の凹凸の影響によ
り、第７図に示すように、Ｉｎ Ａｓ −Ｇａ ＡＳ超
格子のＸ線回°折半値幅が広く（〜１ＧＧＧ”） 、結
晶性が悪いものしか得られないという不都合が発生する
ことになる。
この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、
セルシャッタの開閉に伴なって生ずる不都合を解消でき
るとともに、化合物半導体４ｗＪ膜の成長、および混晶
膜の成長を簡単に、かつ迅速に切替えることができる分
子線エピタキシャル成長装置を提供することを目的とし
ている。
セルシャッタの開閉に伴なって生ずる不都合を解消でき
るとともに、化合物半導体４ｗＪ膜の成長、および混晶
膜の成長を簡単に、かつ迅速に切替えることができる分
子線エピタキシャル成長装置を提供することを目的とし
ている。
く問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するための、この発明の分子線エピタ
キシャル成長装置は、各原料の基板に対する飛行軌跡を
分離する仕切り板と、所定位置に基板まで到達する原料
の飛行を許容するスリットを形成したマスクとを、上記
成長室外部に取付けられた回転導入部に連結している。
キシャル成長装置は、各原料の基板に対する飛行軌跡を
分離する仕切り板と、所定位置に基板まで到達する原料
の飛行を許容するスリットを形成したマスクとを、上記
成長室外部に取付けられた回転導入部に連結している。
但し、上記仕切り板、およびマスクとしては、基板中央
部に対応する位置と、基板から全く離隔した位置とのＩ
Ｎを移動可能に回転導入部と接続されていることが好ま
しく、また、上記基板としては、基板の表面と垂直な軸
を中心として回転可能に支持されていることが好ましい
。
部に対応する位置と、基板から全く離隔した位置とのＩ
Ｎを移動可能に回転導入部と接続されていることが好ま
しく、また、上記基板としては、基板の表面と垂直な軸
を中心として回転可能に支持されていることが好ましい
。
く作用〉
上記の構成の分子線エピタキシャル成長装置であれば、
回転導入部により仕切り板、およびマスクを回転させる
ことにより、その回転位置に対応させて、仕切り板によ
り各原料からの分子線を確実に分離して、マスクのスリ
ットを通して分子線を基板に照射することにより化合物
半導体ｉＷｗＡの成長を行なわせることができる状態と
、各原料からの分子線を分離することなく基板に照射す
ることにより混晶膜の成長を行なわせることができる状
態とを選択することができる。そして、この選択は、回
転導入部により仕切り板、およびマスクを回転させるの
みで行なうことができ、成長室内部を高真空に保持した
ままで、短時間で選択を完了することができる。
回転導入部により仕切り板、およびマスクを回転させる
ことにより、その回転位置に対応させて、仕切り板によ
り各原料からの分子線を確実に分離して、マスクのスリ
ットを通して分子線を基板に照射することにより化合物
半導体ｉＷｗＡの成長を行なわせることができる状態と
、各原料からの分子線を分離することなく基板に照射す
ることにより混晶膜の成長を行なわせることができる状
態とを選択することができる。そして、この選択は、回
転導入部により仕切り板、およびマスクを回転させるの
みで行なうことができ、成長室内部を高真空に保持した
ままで、短時間で選択を完了することができる。
特に、上記仕切り板、およびマスクを、基板中央部に対
応する位置と、基板から全く離隔した位置との間を移動
可能に回転導入部と接続した場合には、上記化合物半導
体薄膜の成長、および混晶膜の成長の選択を確実に行な
わせることができて好ましく、また、上記基板を、基板
の表面と垂直な軸を中心として回転可能に支持した場合
には、化合物半導体薄膜、および混晶の膜を極めて一様
に基板上に形成することができ、膜厚を薄くした場合で
も上記一様性は何ら阻害されないという利点を有するこ
とになる。
応する位置と、基板から全く離隔した位置との間を移動
可能に回転導入部と接続した場合には、上記化合物半導
体薄膜の成長、および混晶膜の成長の選択を確実に行な
わせることができて好ましく、また、上記基板を、基板
の表面と垂直な軸を中心として回転可能に支持した場合
には、化合物半導体薄膜、および混晶の膜を極めて一様
に基板上に形成することができ、膜厚を薄くした場合で
も上記一様性は何ら阻害されないという利点を有するこ
とになる。
〈実施例〉
以下、実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。
第１図はＭＢＥ成長装置の内部を上から見た概略図、第
２図はＭＢＥ成長装置の内部機構を示す概略斜視図であ
り、成長室（１）の側壁所定位置にそれぞれ■族第１原
料（２ａ）、■族第２原料（３ａ）を格納するセル（２
１（３］を形成しているとともに、両セル（２） ＋３
）の中心軸が交差する位置に、基板ホルダ（５）により
基板（４）を回転可能に保持し、さらに成長室（１）の
内部における■族分子線相互の混合を防止するための仕
切り板（６）、および基板（４）に対する分子線の照射
領域を規制するマスク板（力を、一体内に回動可能に取
付けている。
２図はＭＢＥ成長装置の内部機構を示す概略斜視図であ
り、成長室（１）の側壁所定位置にそれぞれ■族第１原
料（２ａ）、■族第２原料（３ａ）を格納するセル（２
１（３］を形成しているとともに、両セル（２） ＋３
）の中心軸が交差する位置に、基板ホルダ（５）により
基板（４）を回転可能に保持し、さらに成長室（１）の
内部における■族分子線相互の混合を防止するための仕
切り板（６）、および基板（４）に対する分子線の照射
領域を規制するマスク板（力を、一体内に回動可能に取
付けている。
さらに詳細に説明すると、成長室（１）の所定位置に取
付けたフランジ（８）に対して回転可能に回転導入端子
（９）を取付けているとともに・、成長室（１）の内部
に位置する支持棒□□□を、上記フランジ（８）を気密
的に貫通させて回転導入端子（９）に連結している。
付けたフランジ（８）に対して回転可能に回転導入端子
（９）を取付けているとともに・、成長室（１）の内部
に位置する支持棒□□□を、上記フランジ（８）を気密
的に貫通させて回転導入端子（９）に連結している。
上記支持棒■は、先端寄り部がほぼ弧状に湾曲形成され
たものであり、弧状湾曲部に、成長室（１）の側壁に向
かって延びる仕切り板（６）、および基板（４）と正対
し得るマスク板（′７）を一体内に取付けている。
たものであり、弧状湾曲部に、成長室（１）の側壁に向
かって延びる仕切り板（６）、および基板（４）と正対
し得るマスク板（′７）を一体内に取付けている。
そして、上記マスク板（７）には、仕切り板（６）を挟
んで各セル（２） ＋３１の中心軸と正対する位置に、
基板（４）を所定の中心角度で扇状に露呈させることが
できるスリット（γａ）（γｂ）を形成している。この
スリット（７ａ）（７ｂ）は、開口面積が固定されたも
のとして示されているが、マスク板（７）を２枚重ねた
構成とすることにより、開口面積を変化させることがで
きるものとすることもできる。また、上記基板（４）と
マスク板（刀との間隔は２ＲＩＱ１以内に設定されてい
る。
んで各セル（２） ＋３１の中心軸と正対する位置に、
基板（４）を所定の中心角度で扇状に露呈させることが
できるスリット（γａ）（γｂ）を形成している。この
スリット（７ａ）（７ｂ）は、開口面積が固定されたも
のとして示されているが、マスク板（７）を２枚重ねた
構成とすることにより、開口面積を変化させることがで
きるものとすることもできる。また、上記基板（４）と
マスク板（刀との間隔は２ＲＩＱ１以内に設定されてい
る。
以上の構成であれば、回転導入端子（９）を介して支持
棒□□□とともに仕切り板（６）、およびマスク板（刀
を回動させることにより、仕切り板（６）、およびマス
ク板（力を基板（４）から全く離隔した状態とすれば、
セル＋２） （３）に格納された■族第１原料（２ａ）
、■族第２原料（３ａ）からの分子線が同時に基板（４
）に照射されて、混晶の結晶の成長を行なうことができ
る。
棒□□□とともに仕切り板（６）、およびマスク板（刀
を回動させることにより、仕切り板（６）、およびマス
ク板（力を基板（４）から全く離隔した状態とすれば、
セル＋２） （３）に格納された■族第１原料（２ａ）
、■族第２原料（３ａ）からの分子線が同時に基板（４
）に照射されて、混晶の結晶の成長を行なうことができ
る。
また、仕切り板（６）、およびマスク板（７）を基板（
４）の中央部に対応する状態とすれば、セル（２） （
３］に格納された■族第１原料（２ａ）、■族第２原料
（３ａ）からの分子線が、互に分離された状態で基板（
４）に照射されて、超格子構造の半導体薄膜の成長を行
なうことができる。
４）の中央部に対応する状態とすれば、セル（２） （
３］に格納された■族第１原料（２ａ）、■族第２原料
（３ａ）からの分子線が、互に分離された状態で基板（
４）に照射されて、超格子構造の半導体薄膜の成長を行
なうことができる。
そして、上記の各成長動作の切替は、成長室（１）内の
高真空状態を保持させたままで行なうことができ、実質
的に瞬時に切替が行なえることになる。
高真空状態を保持させたままで行なうことができ、実質
的に瞬時に切替が行なえることになる。
したがって、例えば、ｌｎＰ基板上にｉｎ ＡＳ−Ｇａ
ＡＳ超格子を成長させる場合には、先ず、仕切り板（
６）、およびマスク板（７）を基板（４）から全く離隔
した状態とすることにより、セル（２） ［３１に格納
された■液筒１原料（２ａ）、■液筒２原料（３ａ）か
らの分子線を同時にＩｎＰの基板（４）に照射して、Ｉ
ｎ Ｇａ −ＡＳの混晶の成長を行ない（セｘ
（１ｘ） ル（２） ＋３）に格納する原料を適宜選択することに
より、Ａ Ｉ Ｉ ｎ （１−ｘ） Ａｓ等の混晶
を成長させてもよい）、次いで仕切り板（６）、および
マスク板（７）を基板（４）の中央部に対応する状態と
することにより、セル（２１（３１に格納された■液筒
１原料（２ａ）、■液筒２原料（３ａ）からの分子線を
、互に分離された状態で基板（４）に照射して、上記混
晶膜（１１）の上にＩｎＡＳ −Ｇａ Ａｓ超格子構造
の半導体薄膜（１２）の成長を行なうことができる（第
３図参照）。
ＡＳ超格子を成長させる場合には、先ず、仕切り板（
６）、およびマスク板（７）を基板（４）から全く離隔
した状態とすることにより、セル（２） ［３１に格納
された■液筒１原料（２ａ）、■液筒２原料（３ａ）か
らの分子線を同時にＩｎＰの基板（４）に照射して、Ｉ
ｎ Ｇａ −ＡＳの混晶の成長を行ない（セｘ
（１ｘ） ル（２） ＋３）に格納する原料を適宜選択することに
より、Ａ Ｉ Ｉ ｎ （１−ｘ） Ａｓ等の混晶
を成長させてもよい）、次いで仕切り板（６）、および
マスク板（７）を基板（４）の中央部に対応する状態と
することにより、セル（２１（３１に格納された■液筒
１原料（２ａ）、■液筒２原料（３ａ）からの分子線を
、互に分離された状態で基板（４）に照射して、上記混
晶膜（１１）の上にＩｎＡＳ −Ｇａ Ａｓ超格子構造
の半導体薄膜（１２）の成長を行なうことができる（第
３図参照）。
このようにして得られた超格子構造の半導体薄膜（１２
）のＸ線回折半値幅は狭く（〜４０”） （第４図参
照）、周期性、および結晶性が、基板（４）の上に直接
超格子構造の半導体薄膜を成長させた場合と比較して、
著しく向上した。これは、ＩｎＰの基板（４）の表面の
凹凸が、混晶膜（１１）を形成することにより平滑化さ
れ、この平滑面の上にＩｎ Ａｓ−Ｑａ ＡＳ超格子が
形成されたことに基いている。
）のＸ線回折半値幅は狭く（〜４０”） （第４図参
照）、周期性、および結晶性が、基板（４）の上に直接
超格子構造の半導体薄膜を成長させた場合と比較して、
著しく向上した。これは、ＩｎＰの基板（４）の表面の
凹凸が、混晶膜（１１）を形成することにより平滑化さ
れ、この平滑面の上にＩｎ Ａｓ−Ｑａ ＡＳ超格子が
形成されたことに基いている。
尚、この発明は上記の実施例に限定されるものではなく
、例えば、薄膜周期構造の形成に必要なセルの数に対応
させて２個以上の仕切り板（６）を回動可能に取付ける
ことが可能である他、仕切り板（６）を基板（４）の中
央部に対応する位置に回動させた状態で、２種類の半導
体層を形成させるために必要な■族、およびＶ族原料を
備えた複数のセルをそれぞれ仕切り板（６）の両側に取
付けることにより種々の半導体薄膜周期構造を形成する
ことが可能であり、その他、この発明の要旨を変更しな
し・範 １囲内において種々の設計変更を施す
ことが可能である。
、例えば、薄膜周期構造の形成に必要なセルの数に対応
させて２個以上の仕切り板（６）を回動可能に取付ける
ことが可能である他、仕切り板（６）を基板（４）の中
央部に対応する位置に回動させた状態で、２種類の半導
体層を形成させるために必要な■族、およびＶ族原料を
備えた複数のセルをそれぞれ仕切り板（６）の両側に取
付けることにより種々の半導体薄膜周期構造を形成する
ことが可能であり、その他、この発明の要旨を変更しな
し・範 １囲内において種々の設計変更を施す
ことが可能である。
〈発明の効果〉
以上のようにこの発明は、仕切り板とマスク板とを成長
室外部に取付け゛た回転導入部と連結しているので、成
長室内部における高真空を保持させたままで、分子線相
互の混合を防止して化合物半導体薄膜を成長させる状態
と、分子線を混合さぽて混晶膜を成長させる状態とを、
成長室内部の高真空を保持させた状態で、簡単に、かつ
迅速に切替えることができるという特有の効果を奏する
。
室外部に取付け゛た回転導入部と連結しているので、成
長室内部における高真空を保持させたままで、分子線相
互の混合を防止して化合物半導体薄膜を成長させる状態
と、分子線を混合さぽて混晶膜を成長させる状態とを、
成長室内部の高真空を保持させた状態で、簡単に、かつ
迅速に切替えることができるという特有の効果を奏する
。
第１図はＭ８Ｅ成長装置の内部を上から見た概略図、
第２図はＭＢＥ成長装置の内部機構を示す概略斜視図、
第３図は基板上の混晶膜、および半導体薄膜を形成した
状態を示す縦断面図、 第４図は第３図の素子のＸ線回折データを示す図、 第５図は多重量子井戸型レーザを示す概略図、第６図は
従来のＭＢＥ成長装置を示す概略図、第７図は基板上に
直接超格子構造を成長させた状態を示す縦断面図、 第８図は第７図の素子のＸ線回折データを示す図。 （１）−・・成長室、（２） （３）・・・セル、（２
ａ）・・・■液筒１原料、（３ａ）・・・■液筒２原料
、（４）・・・基板、（６）・・・仕切り板、（力・・
・マス°り板、（７ａ）（７ｂ）・・・スリット、（９
）・・・回転導入端子特許出願人 住友電気工業株式
会社 第５図 第７図 第６図 第８図 回折角
状態を示す縦断面図、 第４図は第３図の素子のＸ線回折データを示す図、 第５図は多重量子井戸型レーザを示す概略図、第６図は
従来のＭＢＥ成長装置を示す概略図、第７図は基板上に
直接超格子構造を成長させた状態を示す縦断面図、 第８図は第７図の素子のＸ線回折データを示す図。 （１）−・・成長室、（２） （３）・・・セル、（２
ａ）・・・■液筒１原料、（３ａ）・・・■液筒２原料
、（４）・・・基板、（６）・・・仕切り板、（力・・
・マス°り板、（７ａ）（７ｂ）・・・スリット、（９
）・・・回転導入端子特許出願人 住友電気工業株式
会社 第５図 第７図 第６図 第８図 回折角
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高真空下に維持された成長室内でセル 内に収納された複数種類の原料を所定方 向に飛行させ、上記成長室内に支持され た基板表面に上記原料を付着させ、成長 させる分子線エピタキシャル成長装置で あって、各原料の基板に対する飛行軌跡 を分離する仕切り板と、所定位置に基板 まで到達する原料の飛行を許容するスリ ットを形成したマスクとを、上記成長室 外部に取付けられた回転導入部に連結し たことを特徴とする分子線エピタキシャ ル成長装置。 ２、仕切り板、およびマスクが、基板中央 部に対応する位置と、基板から全く離隔 した位置との間を移動可能に回転導入部 と連結されたものである上記特許請求の 範囲第１項記載の分子線エピタキシャル 成長装置。 ３、基板が、基板の表面と垂直な軸を中心 として回転可能に支持されている上記特 許請求の範囲第１項記載の分子線エピタ キシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112398A JPS61270813A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112398A JPS61270813A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270813A true JPS61270813A (ja) | 1986-12-01 |
Family
ID=14585659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60112398A Pending JPS61270813A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61270813A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224321A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 分子線エピタキシ−装置 |
| JPS63224319A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 分子線エピタキシ−装置 |
| JP2011032511A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hitachi Zosen Corp | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107550A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Fujitsu Ltd | Molecular beam crystal growing process |
| JPS5844776A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-15 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池の製造装置 |
| JPS58197272A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Toshiba Corp | スパツタリング装置 |
| JPS60152022A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP60112398A patent/JPS61270813A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56107550A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Fujitsu Ltd | Molecular beam crystal growing process |
| JPS5844776A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-15 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池の製造装置 |
| JPS58197272A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Toshiba Corp | スパツタリング装置 |
| JPS60152022A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224321A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 分子線エピタキシ−装置 |
| JPS63224319A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 分子線エピタキシ−装置 |
| JP2011032511A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hitachi Zosen Corp | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900002687B1 (ko) | Mbe법에 의한 기판에 격자 정합시키는 4원 또는 5원 흔정 반도체의 성장방법 | |
| JPS61270813A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH0831741A (ja) | Ｋセル型蒸着源 | |
| JPS6247840B2 (ja) | ||
| JPS6247839B2 (ja) | ||
| JPH0476217B2 (ja) | ||
| JPH09118590A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法及びその装置 | |
| JPH06326295A (ja) | ビーム強度可変シャッター、それを用いた超格子の作製方法およびドーピング方法 | |
| JPS61288414A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH01235233A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JPS63120412A (ja) | 化合物半導体結晶製造装置 | |
| JPS63137415A (ja) | 単結晶薄膜の形成方法 | |
| JPH01235234A (ja) | 分子線エピタキシャル成長装置 | |
| JP2612467B2 (ja) | 異種構造薄膜同時成長装置 | |
| JPH0144680B2 (ja) | ||
| JP2556271B2 (ja) | 分子線エピタキシャル成長法 | |
| JPS6247838B2 (ja) | ||
| JPH04216616A (ja) | 分子線エピタキシャル成長薄膜結晶の伝導型制御方法及び当該制御方法を使用する分子線エピタキシャル装置 | |
| JPH0264093A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法 | |
| Yanka et al. | A novel technique for the MBE growth of twin-free HgCdTe | |
| JPS60100422A (ja) | 単結晶薄膜周期構造を形成するためのｍｂｅ成長方法 | |
| JPH01184915A (ja) | 分子線エピタキシャル成長装置 | |
| Kita et al. | Epitaxial growth of BaO and SrO with new crystal structures using mass-separated low-energy O+ beams | |
| JPS6313322A (ja) | 単結晶薄膜形成方法 | |
| JPS60152022A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長装置 |