JPH04298041A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04298041A JPH04298041A JP6230891A JP6230891A JPH04298041A JP H04298041 A JPH04298041 A JP H04298041A JP 6230891 A JP6230891 A JP 6230891A JP 6230891 A JP6230891 A JP 6230891A JP H04298041 A JPH04298041 A JP H04298041A
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- JP
- Japan
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- film
- insulating film
- etched
- etching
- resist mask
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り，特に被エッチング膜（配線膜等）のエッチング後
に生ずる腐食を防止する方法に関する。
係り，特に被エッチング膜（配線膜等）のエッチング後
に生ずる腐食を防止する方法に関する。
【０００２】半導体装置の微細化に伴い，その製造工程
の一つであるエッチングがウエットからドライに変わっ
てから，エッチング後のアルミニウム（Ａｌ）系配線の
腐食を防止することが要求されている。
の一つであるエッチングがウエットからドライに変わっ
てから，エッチング後のアルミニウム（Ａｌ）系配線の
腐食を防止することが要求されている。
【０００３】本発明はこの要求に対応した製造方法とし
て利用することができる。
て利用することができる。
【０００４】
【従来の技術】ドライエッチング後の配線の腐食は，例
えば，配線の側壁に残留する塩素と大気中の水分との反
応で生ずる反応生成物によって起こる。
えば，配線の側壁に残留する塩素と大気中の水分との反
応で生ずる反応生成物によって起こる。
【０００５】このような配線の腐食を防止する従来方法
として次のようなものがあった。 ■ ドライエッチング後，直ちに，現像液，硝酸，ア
ンモニア，アルコール等を用いてウエット処理を行う。 ■ インラインでレジスト剥離（ウエット処理の一つ
）を行う。 ■ 配線を覆ってフッ素系のパッシベーション膜を形
成する。
として次のようなものがあった。 ■ ドライエッチング後，直ちに，現像液，硝酸，ア
ンモニア，アルコール等を用いてウエット処理を行う。 ■ インラインでレジスト剥離（ウエット処理の一つ
）を行う。 ■ 配線を覆ってフッ素系のパッシベーション膜を形
成する。
【０００６】この内，■，■はウエット処理によりドラ
イエッチング後の残留塩素を除去するものであるが，完
全な処理は困難であった。上記■はパッシベーション膜
により大気中の水分との遮断を行うものであるが，十分
な効果は得られなかった。
イエッチング後の残留塩素を除去するものであるが，完
全な処理は困難であった。上記■はパッシベーション膜
により大気中の水分との遮断を行うものであるが，十分
な効果は得られなかった。
【０００７】以上のように，いずれの腐食防止方法も完
全なものではなかった。
全なものではなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では，湿度や
温度等の不安定要素のわずかの変動に対しても腐食が発
生するという問題が生じていた。
温度等の不安定要素のわずかの変動に対しても腐食が発
生するという問題が生じていた。
【０００９】本発明は湿度や温度等の不安定要素の変動
に対しても配線に腐食が発生しないような製造方法の提
供を目的とする。
に対しても配線に腐食が発生しないような製造方法の提
供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，半導
体基板（５） 上に被エッチング膜（１） 及び絶縁膜
（２） を順次被着し，該絶縁膜（２） 上にレジスト
マスク（６） を形成し，該レジストマスクをエッチン
グマスクにして該絶縁膜（２） 及び該被エッチング膜
（１） をドライエッチングする工程と，次いで，レジ
ストマスク（６） を除去し，該絶縁膜（２） に対し
イオンスパッタエッチングを行い，スパッタされた該絶
縁膜（２） を該被エッチング膜（１） の側面に再付
着させて側壁堆積膜（３）を形成する工程を有する半導
体装置の製造方法により達成される。
体基板（５） 上に被エッチング膜（１） 及び絶縁膜
（２） を順次被着し，該絶縁膜（２） 上にレジスト
マスク（６） を形成し，該レジストマスクをエッチン
グマスクにして該絶縁膜（２） 及び該被エッチング膜
（１） をドライエッチングする工程と，次いで，レジ
ストマスク（６） を除去し，該絶縁膜（２） に対し
イオンスパッタエッチングを行い，スパッタされた該絶
縁膜（２） を該被エッチング膜（１） の側面に再付
着させて側壁堆積膜（３）を形成する工程を有する半導
体装置の製造方法により達成される。
【００１１】
【作用】図１ （Ａ）〜（Ｃ） は本発明の原理説明図
である。 図１（Ａ） はエッチング前の断面図である。
である。 図１（Ａ） はエッチング前の断面図である。
【００１２】図において，１は被エッチング膜，２は絶
縁膜，４は層間絶縁膜，５は半導体基板，６はレジスト
マスクである。半導体基板５上に，層間絶縁膜４，被エ
ッチング膜１，絶縁膜２を順次積層し，絶縁膜２上にレ
ジストマスク６を形成し，これをエッチングマスクにし
て絶縁膜２及び被エッチング膜１をドライエッチングし
てパターンを形成する。
縁膜，４は層間絶縁膜，５は半導体基板，６はレジスト
マスクである。半導体基板５上に，層間絶縁膜４，被エ
ッチング膜１，絶縁膜２を順次積層し，絶縁膜２上にレ
ジストマスク６を形成し，これをエッチングマスクにし
て絶縁膜２及び被エッチング膜１をドライエッチングし
てパターンを形成する。
【００１３】図１（Ｂ） はエッチング後の断面図であ
る。 図において，レジストマスク６を剥離する。図１（Ｃ）
において，基板表面をイオンスパッタエッチングして
，スパッタされた絶縁膜２が被エッチング膜１の側面に
再付着して側壁堆積膜３を形成する。
る。 図において，レジストマスク６を剥離する。図１（Ｃ）
において，基板表面をイオンスパッタエッチングして
，スパッタされた絶縁膜２が被エッチング膜１の側面に
再付着して側壁堆積膜３を形成する。
【００１４】本発明は，この側壁堆積膜３とエッチング
後に残留した絶縁膜２が側壁を含めて被エッチング膜全
体を覆い，大気中の水分と残留塩素とを遮断して被エッ
チング膜の腐食の発生を防止するものである。
後に残留した絶縁膜２が側壁を含めて被エッチング膜全
体を覆い，大気中の水分と残留塩素とを遮断して被エッ
チング膜の腐食の発生を防止するものである。
【００１５】
【実施例】図１を用いて実施例を説明する。図１（Ａ）
において，半導体基板としシリコン（Ｓｉ）基板５上
に，層間絶縁膜として気相成長（ＣＶＤ） による厚さ
４０００Åの二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜４，被エッ
チング膜として厚さ５０００〜１００００ Åのアルミ
ニウム（Ａｌ）膜（またはＡｌ合金膜） １，絶縁膜と
して厚さ４０００ÅＣＶＤ ＳｉＯ２膜２を順次積層し
，ＣＶＤ ＳｉＯ２膜２上に厚さ ２．０μｍのレジス
トマスク６を形成し，これをエッチングマスクにしてＣ
ＶＤ ＳｉＯ２膜２及びＡｌ膜１をドライエッチングし
てパターンを形成する。
において，半導体基板としシリコン（Ｓｉ）基板５上
に，層間絶縁膜として気相成長（ＣＶＤ） による厚さ
４０００Åの二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜４，被エッ
チング膜として厚さ５０００〜１００００ Åのアルミ
ニウム（Ａｌ）膜（またはＡｌ合金膜） １，絶縁膜と
して厚さ４０００ÅＣＶＤ ＳｉＯ２膜２を順次積層し
，ＣＶＤ ＳｉＯ２膜２上に厚さ ２．０μｍのレジス
トマスク６を形成し，これをエッチングマスクにしてＣ
ＶＤ ＳｉＯ２膜２及びＡｌ膜１をドライエッチングし
てパターンを形成する。
【００１６】エッチャは異方性エッチングができる反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ） 装置や電子サイクロト
ロン共鳴（ＥＣＲ） エッチング装置等を用いる。ドラ
イエッチングの条件は， 例えば以下のようである。
性イオンエッチング（ＲＩＥ） 装置や電子サイクロト
ロン共鳴（ＥＣＲ） エッチング装置等を用いる。ドラ
イエッチングの条件は， 例えば以下のようである。
【００１７】ＳｉＯ２のエッチング条件反応ガス：
ＣＦ４／ＣＨＦ３ ガス圧力： ０．３ Ｔｏｒｒ ＲＦ 電力： ６００ Ｗ Ａｌのエッチング条件 反応ガス： ＢＣｌ３／ＳｉＣｌ４／Ｃｌ２ガス圧力
： ０．１ Ｔｏｒｒ ＲＦ 電力： ３００ Ｗ 図１（Ｂ） はドライエッチング後の断面図である。
ＣＦ４／ＣＨＦ３ ガス圧力： ０．３ Ｔｏｒｒ ＲＦ 電力： ６００ Ｗ Ａｌのエッチング条件 反応ガス： ＢＣｌ３／ＳｉＣｌ４／Ｃｌ２ガス圧力
： ０．１ Ｔｏｒｒ ＲＦ 電力： ３００ Ｗ 図１（Ｂ） はドライエッチング後の断面図である。
【００１８】図において，インラインで，レジストマス
ク６を剥離する。図１（Ｃ） において，ＣＶＤ Ｓｉ
Ｏ２膜２に対してイオンスパッタエッチングを行う。こ
の際，スパッタされたＣＶＤ ＳｉＯ２膜２がＡｌ膜１
の側面に再付着して側壁堆積膜３が形成される。
ク６を剥離する。図１（Ｃ） において，ＣＶＤ Ｓｉ
Ｏ２膜２に対してイオンスパッタエッチングを行う。こ
の際，スパッタされたＣＶＤ ＳｉＯ２膜２がＡｌ膜１
の側面に再付着して側壁堆積膜３が形成される。
【００１９】イオンスパッタエッチングの条件の一例は
以下のようである。 イオン種： Ａｒ， Ｘｅ ガス圧力： ０．１ Ｔｏｒｒ ＲＦ 電圧： ８００ Ｗ 以上の実施例の結果， 付加的な効果として， 配線形
成後に絶縁膜形成時の加熱によって配線に生ずる突起の
発生を防止できる。
以下のようである。 イオン種： Ａｒ， Ｘｅ ガス圧力： ０．１ Ｔｏｒｒ ＲＦ 電圧： ８００ Ｗ 以上の実施例の結果， 付加的な効果として， 配線形
成後に絶縁膜形成時の加熱によって配線に生ずる突起の
発生を防止できる。
【００２０】
【発明の効果】湿度や温度等の不安定要素が変動しても
配線の腐食発生を完全に防止した製造方法が得られた。
配線の腐食発生を完全に防止した製造方法が得られた。
【００２１】この結果，半導体装置の信頼性の向上に寄
与することができた。
与することができた。
【図１】 本発明の原理説明図
１ 被エッチング膜でＡｌ膜
２ 絶縁膜でＣＶＤ ＳｉＯ２膜
３ 側壁堆積膜
４ 層間絶縁膜でＣＶＤ ＳｉＯ２膜５ 半導体基
板でＳｉ基板 ６ レジストマスク
板でＳｉ基板 ６ レジストマスク
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板（５） 上に被エッチング
膜（１） 及び絶縁膜（２） を順次被着し，該絶縁膜
（２） 上にレジストマスク（６） を形成し，該レジ
ストマスクをエッチングマスクにして該絶縁膜（２）
及び該被エッチング膜（１） をドライエッチングする
工程と，次いで，レジストマスク（６） を除去し，該
絶縁膜（２） に対しイオンスパッタエッチングを行い
，スパッタされた該絶縁膜（２） を該被エッチング膜
（１） の側面に再付着させて側壁堆積膜（３）を形成
する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6230891A JPH04298041A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6230891A JPH04298041A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298041A true JPH04298041A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=13196379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6230891A Withdrawn JPH04298041A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04298041A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5417799A (en) * | 1993-09-20 | 1995-05-23 | Hughes Aircraft Company | Reactive ion etching of gratings and cross gratings structures |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP6230891A patent/JPH04298041A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5417799A (en) * | 1993-09-20 | 1995-05-23 | Hughes Aircraft Company | Reactive ion etching of gratings and cross gratings structures |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |