JPH04298747A - フォトマスクの洗浄方法 - Google Patents
フォトマスクの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH04298747A JPH04298747A JP3064208A JP6420891A JPH04298747A JP H04298747 A JPH04298747 A JP H04298747A JP 3064208 A JP3064208 A JP 3064208A JP 6420891 A JP6420891 A JP 6420891A JP H04298747 A JPH04298747 A JP H04298747A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- cleaning
- ozone
- foreign matter
- pure water
- Prior art date
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- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の製造工
程で使用するフォトマスクの洗浄方法に関する。
程で使用するフォトマスクの洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造工程では縮小投影
露光法が用いられるが、この縮小投影露光法において用
いるフォトマスクの洗浄方法としては、純水，酸・アル
カリ性溶液，有機性溶液などの洗浄剤による湿式の洗浄
方法や、回転ブラシ，超音波などによる機械力及び物理
的な力による洗浄方法が広く用いられている。
露光法が用いられるが、この縮小投影露光法において用
いるフォトマスクの洗浄方法としては、純水，酸・アル
カリ性溶液，有機性溶液などの洗浄剤による湿式の洗浄
方法や、回転ブラシ，超音波などによる機械力及び物理
的な力による洗浄方法が広く用いられている。
【０００３】図５は一般的なフォトマスクの洗浄方法を
示す工程図である。まずシャワー洗浄２によりフォトマ
スク表面への吸着力の弱い異物を除去し、次で、回転ブ
ラシによるブラシ洗浄３で吸着力の強い異物を除去し、
次に純水のシャワーによってリンス４を行い、最後にイ
ソプロピルアルコール蒸気中で純水の置換乾燥５を行う
。
示す工程図である。まずシャワー洗浄２によりフォトマ
スク表面への吸着力の弱い異物を除去し、次で、回転ブ
ラシによるブラシ洗浄３で吸着力の強い異物を除去し、
次に純水のシャワーによってリンス４を行い、最後にイ
ソプロピルアルコール蒸気中で純水の置換乾燥５を行う
。
【０００４】図６は超音波を用いるフォトマスクの洗浄
方法を示す工程図ある。ブラシ洗浄３とリンス４Ａの後
、純水の槽にフォトマスクを浸漬し、超音波をかけるこ
とによる超音波洗浄６を行い、次で純水シャワーにより
リンス４Ｂを行ない、最後にイソプロピルアルコール蒸
気中で乾燥５を行う。
方法を示す工程図ある。ブラシ洗浄３とリンス４Ａの後
、純水の槽にフォトマスクを浸漬し、超音波をかけるこ
とによる超音波洗浄６を行い、次で純水シャワーにより
リンス４Ｂを行ない、最後にイソプロピルアルコール蒸
気中で乾燥５を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】通常ガラスを空気中に
放置すると空気中の水分や種々のガス等の分子がガラス
表面に吸着し、ガラス表面の性質は周囲の環境に応じて
変化する。フォトマスクの場合、使用しているほとんど
のフォトマスクの表面は疎水性を示す。前述した従来の
洗浄方法では、このようなフォトマスク表面の性質が考
慮されていない。
放置すると空気中の水分や種々のガス等の分子がガラス
表面に吸着し、ガラス表面の性質は周囲の環境に応じて
変化する。フォトマスクの場合、使用しているほとんど
のフォトマスクの表面は疎水性を示す。前述した従来の
洗浄方法では、このようなフォトマスク表面の性質が考
慮されていない。
【０００６】図７は、従来の洗浄方法を示す図４の工程
図に従って、疎水性の強いフォトマスクの洗浄を行った
時のフォトマスク表面の異物付着状態を示す図である。 図中のＡ，ＢおよびＣは、それぞれ直径が２μｍ以下，
２〜５μｍおよび５μｍ以上の異物を表わしている。図
７からわかるように、従来の洗浄方法では、洗浄効率が
悪く、完全に異物を除去するためには何回も洗浄をくり
返す必要があった。これは洗浄前に付着していた異物あ
るいはブラシ等からの異物が再付着するためである。
図に従って、疎水性の強いフォトマスクの洗浄を行った
時のフォトマスク表面の異物付着状態を示す図である。 図中のＡ，ＢおよびＣは、それぞれ直径が２μｍ以下，
２〜５μｍおよび５μｍ以上の異物を表わしている。図
７からわかるように、従来の洗浄方法では、洗浄効率が
悪く、完全に異物を除去するためには何回も洗浄をくり
返す必要があった。これは洗浄前に付着していた異物あ
るいはブラシ等からの異物が再付着するためである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスクの
洗浄方法は、湿式洗浄の前に予備洗浄としてフォトマス
クをオゾン雰囲気にさらすものである。
洗浄方法は、湿式洗浄の前に予備洗浄としてフォトマス
クをオゾン雰囲気にさらすものである。
【０００８】
【作用】湿式洗浄の前に、フォトマスクをオゾン雰囲気
にさらし、フォトマスクの表面の不純物を酸化して異物
の付着しにくい親水性に改質することにより、湿式洗浄
での洗浄効率を向上させることができる。
にさらし、フォトマスクの表面の不純物を酸化して異物
の付着しにくい親水性に改質することにより、湿式洗浄
での洗浄効率を向上させることができる。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して具体的に
説明する。図１は本発明の第１の実施例を説明するため
の工程図、図２は実施例に用いる紫外線照射装置の断面
図である。
説明する。図１は本発明の第１の実施例を説明するため
の工程図、図２は実施例に用いる紫外線照射装置の断面
図である。
【００１０】まず図２に示すように、紫外線照射装置内
にフォトマスク１１をセットし、酸化雰囲気としたのち
上下のランプ１０により紫外線を照射しオゾンを発生さ
せる。この紫外線・オゾン洗浄１を約６０秒間行い、フ
ォトマスクの表面を異物の除去されやすい親水性に改質
する。次に図１に示すように、純水シャワー洗浄２によ
り、フォトマスク表面への吸着力の弱い異物を除去する
。次に洗剤としてアンモニア水をフォトマスク面にスプ
レーしながらブラシ洗浄３を行いフォトマスクの表面へ
の吸着力の強い異物を除去する。次に純水シャワーによ
りフォトマスク表面の洗剤と異物を除去するリンス４を
行ったのち、イソプロピルアルコール蒸気槽中にフォト
マスクを７０秒置くことによりフォトマスク表面の純水
の置換乾燥５を行う。次で再び仕上げ洗浄として紫外線
・オゾン洗浄１Ａを行ない、フォトマスク表面に残存し
た異物を酸化して除去する。
にフォトマスク１１をセットし、酸化雰囲気としたのち
上下のランプ１０により紫外線を照射しオゾンを発生さ
せる。この紫外線・オゾン洗浄１を約６０秒間行い、フ
ォトマスクの表面を異物の除去されやすい親水性に改質
する。次に図１に示すように、純水シャワー洗浄２によ
り、フォトマスク表面への吸着力の弱い異物を除去する
。次に洗剤としてアンモニア水をフォトマスク面にスプ
レーしながらブラシ洗浄３を行いフォトマスクの表面へ
の吸着力の強い異物を除去する。次に純水シャワーによ
りフォトマスク表面の洗剤と異物を除去するリンス４を
行ったのち、イソプロピルアルコール蒸気槽中にフォト
マスクを７０秒置くことによりフォトマスク表面の純水
の置換乾燥５を行う。次で再び仕上げ洗浄として紫外線
・オゾン洗浄１Ａを行ない、フォトマスク表面に残存し
た異物を酸化して除去する。
【００１１】尚、図２に示した紫外線照射装置の槽は、
フォトマスクのパターン面と、クロムパターンの存在し
ないガラス面のそれぞれに対して３５ｍｍの距離から紫
外線を照射し、ランプの１８４．９ｎｍの波長をもつ光
によって槽内でオゾンを発生させるものであり、２本の
ランプ１０は合成石英性、出力４００Ｗの低圧水銀灯で
ある。
フォトマスクのパターン面と、クロムパターンの存在し
ないガラス面のそれぞれに対して３５ｍｍの距離から紫
外線を照射し、ランプの１８４．９ｎｍの波長をもつ光
によって槽内でオゾンを発生させるものであり、２本の
ランプ１０は合成石英性、出力４００Ｗの低圧水銀灯で
ある。
【００１２】図３は本実施例の洗浄方法によるフォトマ
スク表面の異物付着状態の経過を示す図である。Ａ，Ｂ
およびＣはそれぞれ直径２μｍ以下，２〜５μｍおよび
５μｍ以上の異物を表わしている。この図３からわかる
ように、本実施例によると、ブラシ洗浄３の前に紫外線
・オゾン洗浄１を行い、フォトマスクの表面を改質して
いるので、ブラシ洗浄時に従来のような異物の再付着が
ないため、洗浄効率が良く、フォトマスクの清浄化に要
する時間を短縮できる。
スク表面の異物付着状態の経過を示す図である。Ａ，Ｂ
およびＣはそれぞれ直径２μｍ以下，２〜５μｍおよび
５μｍ以上の異物を表わしている。この図３からわかる
ように、本実施例によると、ブラシ洗浄３の前に紫外線
・オゾン洗浄１を行い、フォトマスクの表面を改質して
いるので、ブラシ洗浄時に従来のような異物の再付着が
ないため、洗浄効率が良く、フォトマスクの清浄化に要
する時間を短縮できる。
【００１３】図４は本発明の第２の実施例を説明するた
めの工程図であり、超音波洗浄を併用する場合である。 まず第１の実施例と同様の紫外線・オゾン洗浄１を６０
秒間行いフォトマスクの表面を親水性に変える。次で純
水のシャワー洗浄２によりフォトマスク表面への吸着力
の弱い異物を除去したのち、周波数９５０ｋＨＺ，出力
３００Ｗの超音波洗浄６を行なう。次に純水シャワーに
よるリンス４を行った後、イソプロピルアルコールの蒸
気槽中で７０秒間の処理でフォトマスクの乾燥５を行う
。
めの工程図であり、超音波洗浄を併用する場合である。 まず第１の実施例と同様の紫外線・オゾン洗浄１を６０
秒間行いフォトマスクの表面を親水性に変える。次で純
水のシャワー洗浄２によりフォトマスク表面への吸着力
の弱い異物を除去したのち、周波数９５０ｋＨＺ，出力
３００Ｗの超音波洗浄６を行なう。次に純水シャワーに
よるリンス４を行った後、イソプロピルアルコールの蒸
気槽中で７０秒間の処理でフォトマスクの乾燥５を行う
。
【００１４】本第２の実施例の場合でも、紫外線・オゾ
ン洗浄によるフォトマスク表面の改質によって、超音波
洗浄時に異物の再付着が起こりにくくなるため、洗浄効
率は向上する。さらに、第１の実施例のようにブラシ洗
浄３を行なう必要がないので、洗浄手順の最後に、ブラ
シの削れによる異物を除去するための紫外線・オゾン洗
浄を行う必要がなくなり、洗浄手順を短縮できるという
利点がある。
ン洗浄によるフォトマスク表面の改質によって、超音波
洗浄時に異物の再付着が起こりにくくなるため、洗浄効
率は向上する。さらに、第１の実施例のようにブラシ洗
浄３を行なう必要がないので、洗浄手順の最後に、ブラ
シの削れによる異物を除去するための紫外線・オゾン洗
浄を行う必要がなくなり、洗浄手順を短縮できるという
利点がある。
【００１５】尚、上記実施例においては紫外線の照射に
よりオゾンを発生させた場合について述べたか、オゾン
発生器を用いてオゾン雰囲気としてもよい。この場合オ
ゾン雰囲気の温度を１２０〜２００℃にし、オゾンの酸
化作用の効率を上げることが望ましい。
よりオゾンを発生させた場合について述べたか、オゾン
発生器を用いてオゾン雰囲気としてもよい。この場合オ
ゾン雰囲気の温度を１２０〜２００℃にし、オゾンの酸
化作用の効率を上げることが望ましい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、フォトマ
スクをオゾン雰囲気にさらし、フォトマスクの表面を異
物の付着しにくい性質に変えた後、湿式洗浄を行うこと
により、従来の洗浄方法に較べ湿式洗浄時の異物の再付
着を抑制できるため、洗浄効率を向上させることができ
るという効果を有する。
スクをオゾン雰囲気にさらし、フォトマスクの表面を異
物の付着しにくい性質に変えた後、湿式洗浄を行うこと
により、従来の洗浄方法に較べ湿式洗浄時の異物の再付
着を抑制できるため、洗浄効率を向上させることができ
るという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための工程図
。
。
【図２】実施例に用いる紫外線照射装置の断面図。
【図３】第１の実施例の効果を説明するための異物の除
去状態を示す図。
去状態を示す図。
【図４】本発明の第２の実施例を説明するための工程図
。
。
【図５】従来のフォトマスクの洗浄方法を説明するため
の工程図。
の工程図。
【図６】従来のフォトマスクの洗浄方法を説明するため
の工程図。
の工程図。
【図７】従来例の効果を説明するための異物の除去状態
を示す図。
を示す図。
１，１Ａ 紫外線・オゾン洗浄
２ シャワー洗浄
３ ブラシ洗浄
４ リンス
５ 乾燥
６ 超音波洗浄
１０ ランプ
１１ フォトマスク
Claims (2)
- 【請求項１】 フォトマスクをオゾン雰囲気にさらし
た後湿式洗浄を行うことを特徴とするフォトマスクの洗
浄方法。 - 【請求項２】 酸素存在下でフォトマスクに紫外線を
照射しオゾンを発生させる請求項１記載のフォトマスク
の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064208A JPH04298747A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | フォトマスクの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064208A JPH04298747A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | フォトマスクの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298747A true JPH04298747A (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=13251433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064208A Pending JPH04298747A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | フォトマスクの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04298747A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60143827A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-30 | Fujitsu Ltd | 遠紫外線光による表面処理装置 |
| JPS63271938A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Hoya Corp | 硬表面の洗浄方法 |
| JPH02966A (ja) * | 1988-06-06 | 1990-01-05 | Nec Corp | レチクル洗浄装置 |
| JPH04186351A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Nec Kyushu Ltd | レチクルの洗浄方法 |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3064208A patent/JPH04298747A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60143827A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-30 | Fujitsu Ltd | 遠紫外線光による表面処理装置 |
| JPS63271938A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Hoya Corp | 硬表面の洗浄方法 |
| JPH02966A (ja) * | 1988-06-06 | 1990-01-05 | Nec Corp | レチクル洗浄装置 |
| JPH04186351A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Nec Kyushu Ltd | レチクルの洗浄方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970930 |