JPH04186351A - レチクルの洗浄方法 - Google Patents
レチクルの洗浄方法Info
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- JPH04186351A JPH04186351A JP2316964A JP31696490A JPH04186351A JP H04186351 A JPH04186351 A JP H04186351A JP 2316964 A JP2316964 A JP 2316964A JP 31696490 A JP31696490 A JP 31696490A JP H04186351 A JPH04186351 A JP H04186351A
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- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程に用いるレチクルの洗浄
方法に関する。
方法に関する。
従来のレチクルの洗浄方法は洗浄液を流しながら一定方
向に回転をつづける洗浄ブラシにレチクルの表面が触れ
る様にしながらレチクルを上下に移動させ、レチクル表
面を洗浄していた。
向に回転をつづける洗浄ブラシにレチクルの表面が触れ
る様にしながらレチクルを上下に移動させ、レチクル表
面を洗浄していた。
従来のレチクルの洗浄方法は、洗浄ブラシにより、レチ
クルの表面に付着した塵埃、汚れを物理的に除去させよ
うとするものであるが、微小なごみでは、ブラシが一定
方向に回転している為、レチクルのクローム面のパター
ンエツジの片側にごみがトラップされて除去されない場
合や、有機物では、レチクル表面が捩水状態である為、
洗浄液とのなじみが悪くなり、完全には除去されない場
合があるなど、レチクル表面の清浄度が充分でないとい
う問題点があった。その為、この様なレチクルを使用し
て半導体基板上に投影縮小露光した場合には、形成され
たパターンには、パターンショートなどの欠陥を生じて
半導体装置の歩留や信頼性が低下するという問題点があ
った。
クルの表面に付着した塵埃、汚れを物理的に除去させよ
うとするものであるが、微小なごみでは、ブラシが一定
方向に回転している為、レチクルのクローム面のパター
ンエツジの片側にごみがトラップされて除去されない場
合や、有機物では、レチクル表面が捩水状態である為、
洗浄液とのなじみが悪くなり、完全には除去されない場
合があるなど、レチクル表面の清浄度が充分でないとい
う問題点があった。その為、この様なレチクルを使用し
て半導体基板上に投影縮小露光した場合には、形成され
たパターンには、パターンショートなどの欠陥を生じて
半導体装置の歩留や信頼性が低下するという問題点があ
った。
本発明の目的は、レチクルの洗浄度を向上させるレチク
ルの洗浄方法を提供することにある。
ルの洗浄方法を提供することにある。
本発明のレチクル洗浄方法は、洗浄液を流しなから洗浄
ブラシによりレチクル表面を洗浄し塵埃や汚れを除去す
る工程を有するレチクルの洗浄方法に於いて、前記レチ
クルの表面及び裏面に紫外線を照射する工程を含んで構
成される。
ブラシによりレチクル表面を洗浄し塵埃や汚れを除去す
る工程を有するレチクルの洗浄方法に於いて、前記レチ
クルの表面及び裏面に紫外線を照射する工程を含んで構
成される。
・、実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図である。
第１図に示すように、レチクルアーム４に支持されたレ
チクル３はまず前処理として紫外線照射ボックス１４中
に取り込まれ、紫外線ランプ６にて一定時間照射される
。この間、紫外線照射ボックス１４内は０３が発生する
ので排気管１３で、０３の排気を行なう。次に、レチク
ル３は、レチクル洗浄ボックス１５内に移され、洗浄液
１１をレチクル３の表面に流しながら、洗浄ブラシ２を
回転させてレチクルの表面をこすり、且つレチクルアー
ム４を上下させてレチクル３の表面を洗浄した後純水を
流しながら洗浄ブラシ２でこすり洗浄液１を除去する。
チクル３はまず前処理として紫外線照射ボックス１４中
に取り込まれ、紫外線ランプ６にて一定時間照射される
。この間、紫外線照射ボックス１４内は０３が発生する
ので排気管１３で、０３の排気を行なう。次に、レチク
ル３は、レチクル洗浄ボックス１５内に移され、洗浄液
１１をレチクル３の表面に流しながら、洗浄ブラシ２を
回転させてレチクルの表面をこすり、且つレチクルアー
ム４を上下させてレチクル３の表面を洗浄した後純水を
流しながら洗浄ブラシ２でこすり洗浄液１を除去する。
次に、レチクル３は、乾燥ボックス１２内に移され、ア
ルコール蒸気にてし千クル３の表面の水分を取り去り表
面の乾燥を行なう。
ルコール蒸気にてし千クル３の表面の水分を取り去り表
面の乾燥を行なう。
以上説明したように本発明は、洗浄に先立ちレチクル表
面を紫外線照射することにより、撥水性を示していた表
面は、化学的に有機物か分解されて、親水性となり、洗
浄液とのなじみか向上し、パターンエツジ部に付着して
いた塵埃を容易に除去することができるようになった。
面を紫外線照射することにより、撥水性を示していた表
面は、化学的に有機物か分解されて、親水性となり、洗
浄液とのなじみか向上し、パターンエツジ部に付着して
いた塵埃を容易に除去することができるようになった。
同時に前に述べた様に油汚れも分解することができる。
これらを効果に加え、物理的に洗浄ブラシを用いレチク
ル表面を洗浄処理をほどこすことによる相乗効果でレチ
クル表面の清浄度を向上させることができるという効果
を有する。これらの効果により半導体基板上に投影縮小
露光されるパターンの欠陥を低減することができ、ＩＣ
の歩留や品質を向上させることができる。
ル表面を洗浄処理をほどこすことによる相乗効果でレチ
クル表面の清浄度を向上させることができるという効果
を有する。これらの効果により半導体基板上に投影縮小
露光されるパターンの欠陥を低減することができ、ＩＣ
の歩留や品質を向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図である９
１・・・洗浄液、２・・・洗浄ブラシ、３・・・レチク
ル、４・・・レチクル運搬アーム、５・・・洗浄液排出
管、６・・・紫外線ランプ、７・・・純水、８・・・ヒ
ータ、９・・・アルコール、１０・・・アルコール排出
管、１１・・・冷却管、１２・・・乾燥ボックス、１３
・・・排気管、１４・・・紫外線照射ボックス、１５・
・・レチクル洗浄ボックス。 代理人 弁理士 内 原 音 月 １ 図
ル、４・・・レチクル運搬アーム、５・・・洗浄液排出
管、６・・・紫外線ランプ、７・・・純水、８・・・ヒ
ータ、９・・・アルコール、１０・・・アルコール排出
管、１１・・・冷却管、１２・・・乾燥ボックス、１３
・・・排気管、１４・・・紫外線照射ボックス、１５・
・・レチクル洗浄ボックス。 代理人 弁理士 内 原 音 月 １ 図
Claims (1)
- 洗浄液を流しながら洗浄ブラシによりレチクル表面を洗
浄し塵埃や汚れを除去する工程を有するレチクルの洗浄
方法に於いて、前記レチクルの表面及び裏面に紫外線を
照射する工程を含むことを特徴とするレチクルの洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2316964A JPH04186351A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | レチクルの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2316964A JPH04186351A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | レチクルの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186351A true JPH04186351A (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=18082903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2316964A Pending JPH04186351A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | レチクルの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04186351A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04298747A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-22 | Nec Corp | フォトマスクの洗浄方法 |
| JP2012211951A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク関連基板の洗浄方法及び洗浄装置 |
| CN114798599A (zh) * | 2022-04-15 | 2022-07-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 掩模版清洗设备和掩模版清洗方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63249146A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | マスク洗浄装置 |
| JPS63271938A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Hoya Corp | 硬表面の洗浄方法 |
| JPS649618A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-12 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Pattern formation |
| JPH02966A (ja) * | 1988-06-06 | 1990-01-05 | Nec Corp | レチクル洗浄装置 |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP2316964A patent/JPH04186351A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63249146A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | マスク洗浄装置 |
| JPS63271938A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Hoya Corp | 硬表面の洗浄方法 |
| JPS649618A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-12 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Pattern formation |
| JPH02966A (ja) * | 1988-06-06 | 1990-01-05 | Nec Corp | レチクル洗浄装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04298747A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-22 | Nec Corp | フォトマスクの洗浄方法 |
| JP2012211951A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク関連基板の洗浄方法及び洗浄装置 |
| CN114798599A (zh) * | 2022-04-15 | 2022-07-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 掩模版清洗设备和掩模版清洗方法 |
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