JPH04298806A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH04298806A JPH04298806A JP4823191A JP4823191A JPH04298806A JP H04298806 A JPH04298806 A JP H04298806A JP 4823191 A JP4823191 A JP 4823191A JP 4823191 A JP4823191 A JP 4823191A JP H04298806 A JPH04298806 A JP H04298806A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、半導体集積回路素子
と同様に、蒸着、スパッタ等の成膜技術と、写真製版、
エッチング等のリソグラフィ技術を用いて製造されてい
るものであり、高精度なヘッドが一括大量に生産できる
点に特徴がある。薄膜磁気ヘッドとしては、従来から、
磁気ギャップを素子基板面に垂直方向（膜厚方向）に形
成する垂直型と、磁気ギャップを素子基板面内に形成す
る平面型とが知られており、現在はギャップ形成の容易
さや媒体摺動に対する耐性の点から垂直型が実用化され
ている。しかし、垂直型ヘッドでは、浮上面加工や磁気
ギャップの加工を通常素子基板から切断分離後個々に行
なわねばならず、コスト上昇の一因となっていた。一方
、平面型はヘッドの媒体対向面が素子基板面となるため
、素子基板内で一括して浮上面加工等を行なうことがで
き、また磁気ギャップ深さが膜厚で決められるのでその
制御が容易な点に利点がある。
と同様に、蒸着、スパッタ等の成膜技術と、写真製版、
エッチング等のリソグラフィ技術を用いて製造されてい
るものであり、高精度なヘッドが一括大量に生産できる
点に特徴がある。薄膜磁気ヘッドとしては、従来から、
磁気ギャップを素子基板面に垂直方向（膜厚方向）に形
成する垂直型と、磁気ギャップを素子基板面内に形成す
る平面型とが知られており、現在はギャップ形成の容易
さや媒体摺動に対する耐性の点から垂直型が実用化され
ている。しかし、垂直型ヘッドでは、浮上面加工や磁気
ギャップの加工を通常素子基板から切断分離後個々に行
なわねばならず、コスト上昇の一因となっていた。一方
、平面型はヘッドの媒体対向面が素子基板面となるため
、素子基板内で一括して浮上面加工等を行なうことがで
き、また磁気ギャップ深さが膜厚で決められるのでその
制御が容易な点に利点がある。
【０００３】図３はＩＥＥＥ ＩＮＴＥＲＭＡＧ’８
９におけるＩＢＭ社の文献「Ａ ＮＥＷ ＡＰＰＲ
ＯＡＣＨ ＴＯ ＭＡＫＩＮＧ ＴＨＩＮ Ｆ
ＩＬＭ ＨＥＡＤＳＬＩＤＥＲ ＤＥＶＩＣＥ」に
示された平面型薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図であ
り、１は素子基板、２は耐摺動保護膜、３は磁気ギャッ
プ、４は下部磁気コア、５は絶縁層、６はコイル、７は
上部磁気コア、８はコイル引出導体、９は絶縁保護膜、
１０は支持基板、１１は支持基板１０内に設けられた接
続導体である。
９におけるＩＢＭ社の文献「Ａ ＮＥＷ ＡＰＰＲ
ＯＡＣＨ ＴＯ ＭＡＫＩＮＧ ＴＨＩＮ Ｆ
ＩＬＭ ＨＥＡＤＳＬＩＤＥＲ ＤＥＶＩＣＥ」に
示された平面型薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図であ
り、１は素子基板、２は耐摺動保護膜、３は磁気ギャッ
プ、４は下部磁気コア、５は絶縁層、６はコイル、７は
上部磁気コア、８はコイル引出導体、９は絶縁保護膜、
１０は支持基板、１１は支持基板１０内に設けられた接
続導体である。
【０００４】次に、このような薄膜磁気ヘッドの製造方
法について説明する。まず、素子基板１上に情報記録媒
体に対する耐摺動保護膜２及びめっき下地用金属膜を順
次形成し、またこれらの一部に磁気ギャップ３相当部分
を形成する。この磁気ギャップ３相当部分は磁気記録の
線密度を高くするために重要であり、電子ビーム露光法
によってサブミクロン幅に形成される。なお、磁気ギャ
ップ３相当部分はここで形成したレジスト（耐摺動保護
膜２）をそのまま用いるか、あるいは予め素子基板１上
にギャップ膜（通常、無機絶縁膜）を成膜しておき、こ
のレジストをマスクとしてエッチング形成する。次に、
下部磁気コア４をめっきによって形成する。このとき、
レジストまたは絶縁膜が形成された磁気ギャップ３には
磁性膜が形成されない。さらに、これらの上に順次、絶
縁層５、コイル６、上部磁気コア７及びコイル引出導体
８を成膜技術、リソグラフィ技術を用いて形成する。次
に、絶縁保護層９を積層し、コイル引出導体８の接続部
が露出するまで絶縁保護層９を研摩し、この上にこの接
続部に接続される接続導体１１とヘッド素子の支持を兼
ねた支持基板１０を接合する。なお、耐摺動保護膜２、
磁気ギャップ３、磁気コア４，７、絶縁層５、コイル６
、コイル引出導体８及び絶縁保護膜９によりヘッド素子
が構成される。次に、素子基板１をエッチング溶解除去
して磁気ギャップ３の表面を露出させ、この面に写真製
版を施し、イオンビーム等で一括面加工（ハードディス
ク用ヘッドでは浮動面加工）を施す。
法について説明する。まず、素子基板１上に情報記録媒
体に対する耐摺動保護膜２及びめっき下地用金属膜を順
次形成し、またこれらの一部に磁気ギャップ３相当部分
を形成する。この磁気ギャップ３相当部分は磁気記録の
線密度を高くするために重要であり、電子ビーム露光法
によってサブミクロン幅に形成される。なお、磁気ギャ
ップ３相当部分はここで形成したレジスト（耐摺動保護
膜２）をそのまま用いるか、あるいは予め素子基板１上
にギャップ膜（通常、無機絶縁膜）を成膜しておき、こ
のレジストをマスクとしてエッチング形成する。次に、
下部磁気コア４をめっきによって形成する。このとき、
レジストまたは絶縁膜が形成された磁気ギャップ３には
磁性膜が形成されない。さらに、これらの上に順次、絶
縁層５、コイル６、上部磁気コア７及びコイル引出導体
８を成膜技術、リソグラフィ技術を用いて形成する。次
に、絶縁保護層９を積層し、コイル引出導体８の接続部
が露出するまで絶縁保護層９を研摩し、この上にこの接
続部に接続される接続導体１１とヘッド素子の支持を兼
ねた支持基板１０を接合する。なお、耐摺動保護膜２、
磁気ギャップ３、磁気コア４，７、絶縁層５、コイル６
、コイル引出導体８及び絶縁保護膜９によりヘッド素子
が構成される。次に、素子基板１をエッチング溶解除去
して磁気ギャップ３の表面を露出させ、この面に写真製
版を施し、イオンビーム等で一括面加工（ハードディス
ク用ヘッドでは浮動面加工）を施す。
【０００５】上記した従来の製造方法によれば、平面型
ヘッドの課題であるサブミクロンギャップの形成が平坦
面に対して成されるため容易にギャップの形成をするこ
とができ、ギャップ面の平坦化が自ずと行なわれ、ヘッ
ド面加工も素子基板１毎に数百個のヘッド素子を分離す
ることなく一度に行なうことができる利点がある。
ヘッドの課題であるサブミクロンギャップの形成が平坦
面に対して成されるため容易にギャップの形成をするこ
とができ、ギャップ面の平坦化が自ずと行なわれ、ヘッ
ド面加工も素子基板１毎に数百個のヘッド素子を分離す
ることなく一度に行なうことができる利点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の製造方法においては、素子基板１がエッチング
溶解できるものに限定され、しかもエッチング溶解に時
間を要し、迅速に基板分離を行なうことができないとい
う課題があった。例えば、素子基板１に直径４インチの
Ｓｉ基板を用いた場合、強度の点から厚さ０．６ｍｍ程
度は必要であり、これを水酸化ナトリウム水溶液で溶解
分離するには数時間以上を必要とした。素子基板１の厚
さを薄くすれば溶解分離に要する時間は短縮できるが、
素子基板１の厚さを薄くすると薄膜磁気ヘッド素子形成
時の膜応力によって素子基板１が反り、写真製版に支障
を来すことになる。この反りは製版時に真空吸引固定等
の方法で強制的に修正することもできるが、反りが大き
いと素子基板１が割れることもある。又、Ｓｉ基板は通
常磁気コアに用いる磁性膜に比べて線膨張係数が小さく
（薄膜磁気ヘッドのような薄膜積層構造体では、磁性膜
と基板の線膨張係数が近いことが望ましい。）、最適な
材料とは言えない。他の基板を選ぶにしても、基板材料
がエッチング溶解できるものに限定されず、磁気的に最
適なものを選びたいという要求があった。
た従来の製造方法においては、素子基板１がエッチング
溶解できるものに限定され、しかもエッチング溶解に時
間を要し、迅速に基板分離を行なうことができないとい
う課題があった。例えば、素子基板１に直径４インチの
Ｓｉ基板を用いた場合、強度の点から厚さ０．６ｍｍ程
度は必要であり、これを水酸化ナトリウム水溶液で溶解
分離するには数時間以上を必要とした。素子基板１の厚
さを薄くすれば溶解分離に要する時間は短縮できるが、
素子基板１の厚さを薄くすると薄膜磁気ヘッド素子形成
時の膜応力によって素子基板１が反り、写真製版に支障
を来すことになる。この反りは製版時に真空吸引固定等
の方法で強制的に修正することもできるが、反りが大き
いと素子基板１が割れることもある。又、Ｓｉ基板は通
常磁気コアに用いる磁性膜に比べて線膨張係数が小さく
（薄膜磁気ヘッドのような薄膜積層構造体では、磁性膜
と基板の線膨張係数が近いことが望ましい。）、最適な
材料とは言えない。他の基板を選ぶにしても、基板材料
がエッチング溶解できるものに限定されず、磁気的に最
適なものを選びたいという要求があった。
【０００７】この発明は上記のような課題を解決するた
めに成されたものであり、素子基板を任意に選択できる
とともにヘッド素子と素子基板を迅速に分離することが
できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を得ることを目的とす
る。
めに成されたものであり、素子基板を任意に選択できる
とともにヘッド素子と素子基板を迅速に分離することが
できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を得ることを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、素子基板の裏面を粗研摩又は粗研
削し、しかる後素子基板の残部を精密研摩又は精密研削
して磁気ギャップを露出させるようにしたものである。
ヘッドの製造方法は、素子基板の裏面を粗研摩又は粗研
削し、しかる後素子基板の残部を精密研摩又は精密研削
して磁気ギャップを露出させるようにしたものである。
【０００９】又、第２の発明に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法は、素子基板の裏面を粗研摩又は粗研削し、しか
る後素子基板の残部を化学エッチングにより除去して磁
気ギャップを露出させるようにしたものである。
造方法は、素子基板の裏面を粗研摩又は粗研削し、しか
る後素子基板の残部を化学エッチングにより除去して磁
気ギャップを露出させるようにしたものである。
【００１０】さらに、第３の発明に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、素子基板上に分離層を介してヘッド素子
を形成し、素子基板の裏面を上記分離層が露出するまで
粗研摩又は粗研削し、しかる後分離層を化学エッチング
により除去してヘッド素子の磁気ギャップを露出させる
ようにしたものである。
の製造方法は、素子基板上に分離層を介してヘッド素子
を形成し、素子基板の裏面を上記分離層が露出するまで
粗研摩又は粗研削し、しかる後分離層を化学エッチング
により除去してヘッド素子の磁気ギャップを露出させる
ようにしたものである。
【００１１】
【作用】この発明においては、素子基板をヘッド素子の
磁気ギャップが露出する近傍まで機械的に粗研摩又は粗
研削した後、素子基板の残部を精密研摩又は精密研削さ
らには化学エッチングにより除去して磁気ヘッドが形成
される。又、この発明においては、素子基板上の分離層
が露出するまで粗研摩又は粗研削した後この分離層を化
学エッチングにより除去して磁気ヘッドが形成される。
磁気ギャップが露出する近傍まで機械的に粗研摩又は粗
研削した後、素子基板の残部を精密研摩又は精密研削さ
らには化学エッチングにより除去して磁気ヘッドが形成
される。又、この発明においては、素子基板上の分離層
が露出するまで粗研摩又は粗研削した後この分離層を化
学エッチングにより除去して磁気ヘッドが形成される。
【００１２】
【実施例】以下、この発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法を実施例である図面とともに説明する。図１（Ａ）
，（Ｂ） はこの発明の実施例である製造方法による磁
気ヘッドの製造過程を示す断面図である。図において、
２１は素子基板、２２は耐摺動保護膜、２３は磁気ギャ
ップ、２４は下部磁気コア、２５は絶縁層、２６はコイ
ル、２７は上部磁気コア、２８はコイル引出導体、２９
は絶縁保護膜、３０は支持基板、３１は支持基板３０内
に設けられた接続導体である。
方法を実施例である図面とともに説明する。図１（Ａ）
，（Ｂ） はこの発明の実施例である製造方法による磁
気ヘッドの製造過程を示す断面図である。図において、
２１は素子基板、２２は耐摺動保護膜、２３は磁気ギャ
ップ、２４は下部磁気コア、２５は絶縁層、２６はコイ
ル、２７は上部磁気コア、２８はコイル引出導体、２９
は絶縁保護膜、３０は支持基板、３１は支持基板３０内
に設けられた接続導体である。
【００１３】次に、製造方法について説明する。まず、
図１（Ａ） に示すように、素子基板２１上に上記した
従来方法と同様の一般的な方法により平面型薄膜磁気ヘ
ッド素子を形成し、このヘッド素子の表面を平坦化研摩
して接続部を露出させ、その上部に電気接続兼支持用の
基板３０を接着する。その後、素子基板２１の裏面をラ
ッピング等の方法により、ヘッド素子が露出する近傍（
５０〜１００μｍ）まで粗い砥粒で高速に機械的に粗研
摩又は粗研削する。
図１（Ａ） に示すように、素子基板２１上に上記した
従来方法と同様の一般的な方法により平面型薄膜磁気ヘ
ッド素子を形成し、このヘッド素子の表面を平坦化研摩
して接続部を露出させ、その上部に電気接続兼支持用の
基板３０を接着する。その後、素子基板２１の裏面をラ
ッピング等の方法により、ヘッド素子が露出する近傍（
５０〜１００μｍ）まで粗い砥粒で高速に機械的に粗研
摩又は粗研削する。
【００１４】続いて、図１（Ｂ） に示すように、素子
基板２１の裏面を細かい砥粒（例えば１μｍ以下）で精
密研摩又は研削する。このとき、通常、ヘッド露出面の
大部分を占める耐摺動保護膜２２はアルミナ膜やダイア
モンド状カーボン膜等で形成されているため、素子基板
２１の材料よりも研摩されにくく、粗研摩による研摩の
バラツキ（片研摩等）を吸収し、素子のギャップ面を露
出させることができる。なお、図１では簡単にするため
に２段階の研摩又は研削を示したが、時間短縮と精度（
研摩バラツキ）向上のためには、研摩又は研削を何段か
に分けることが有効である。
基板２１の裏面を細かい砥粒（例えば１μｍ以下）で精
密研摩又は研削する。このとき、通常、ヘッド露出面の
大部分を占める耐摺動保護膜２２はアルミナ膜やダイア
モンド状カーボン膜等で形成されているため、素子基板
２１の材料よりも研摩されにくく、粗研摩による研摩の
バラツキ（片研摩等）を吸収し、素子のギャップ面を露
出させることができる。なお、図１では簡単にするため
に２段階の研摩又は研削を示したが、時間短縮と精度（
研摩バラツキ）向上のためには、研摩又は研削を何段か
に分けることが有効である。
【００１５】上記実施例では以上のように、素子形成後
の素子基板２１の除去を基板溶解ではなく機械的な研摩
又は研削によって行なったので、素子基板２１の種類や
厚さに無関係に、例えばＳｉ基板以外のセラミック基板
やガラス基板の場合でも迅速簡単に素子基板２１を分離
することができ、素子基板２１の厚さを十分なものにす
ることができる。
の素子基板２１の除去を基板溶解ではなく機械的な研摩
又は研削によって行なったので、素子基板２１の種類や
厚さに無関係に、例えばＳｉ基板以外のセラミック基板
やガラス基板の場合でも迅速簡単に素子基板２１を分離
することができ、素子基板２１の厚さを十分なものにす
ることができる。
【００１６】実施例２
まず、図１（Ａ） に示すように、素子基板２１上に平
面型薄膜磁気ヘッド素子を形成する。この場合、磁気コ
ア２４，２７はＮｉ‐Ｆｅ膜で形成し、磁気ギャップ２
３と耐摺動保護膜２２はダイアモンド状カーボンで形成
する。次に、このヘッド素子の表面を平坦化研摩して接
続部を露出させ、その上部に電気接続兼支持用の基板３
０を接着し、その後素子基板２１の裏面をヘッド素子が
露出する近傍（５０〜１００μｍ）まで高速に機械的に
粗研摩又は粗研削する。次に、図１（Ｂ） に示すよう
に、素子基板２１の残った部分を水酸化ナトリウム水溶
液による湿式化学エッチングや気相ラジカルＣＦ４ プ
ラズマイオンによるプラズマエッチングなどの化学エッ
チングにより除去する。磁気ギャップ２３及び耐摺動保
護膜２２にダイアモンド状カーボンを用いるのは、アル
ミナ膜を用いるとＣＦ４ プラズマや水酸化ナトリウム
水溶液によってエッチングされてしまうためである。ア
ルミナ膜を用いる場合には、０．１μｍ程度の膜（例え
ばＣｕ）を設けてこの膜をＳｉエッチングのストッパ層
とし、後にこの膜を化学エッチング（例えば過硫酸アン
モニウム水溶液）によって選択的に除去すればよい。こ
の機械的研摩と化学エッチングを組合せる方法は、組合
せに制約はあるが、研摩又は研削バラツキの吸収という
点では上記実施例より有効である。
面型薄膜磁気ヘッド素子を形成する。この場合、磁気コ
ア２４，２７はＮｉ‐Ｆｅ膜で形成し、磁気ギャップ２
３と耐摺動保護膜２２はダイアモンド状カーボンで形成
する。次に、このヘッド素子の表面を平坦化研摩して接
続部を露出させ、その上部に電気接続兼支持用の基板３
０を接着し、その後素子基板２１の裏面をヘッド素子が
露出する近傍（５０〜１００μｍ）まで高速に機械的に
粗研摩又は粗研削する。次に、図１（Ｂ） に示すよう
に、素子基板２１の残った部分を水酸化ナトリウム水溶
液による湿式化学エッチングや気相ラジカルＣＦ４ プ
ラズマイオンによるプラズマエッチングなどの化学エッ
チングにより除去する。磁気ギャップ２３及び耐摺動保
護膜２２にダイアモンド状カーボンを用いるのは、アル
ミナ膜を用いるとＣＦ４ プラズマや水酸化ナトリウム
水溶液によってエッチングされてしまうためである。ア
ルミナ膜を用いる場合には、０．１μｍ程度の膜（例え
ばＣｕ）を設けてこの膜をＳｉエッチングのストッパ層
とし、後にこの膜を化学エッチング（例えば過硫酸アン
モニウム水溶液）によって選択的に除去すればよい。こ
の機械的研摩と化学エッチングを組合せる方法は、組合
せに制約はあるが、研摩又は研削バラツキの吸収という
点では上記実施例より有効である。
【００１７】実施例３
図２はこの発明による第３の実施例を示す断面図であり
、素子基板２１とヘッド素子との間にＣｕからなる分離
層３２を形成している。この例では、素子基板２１の裏
面を高速機械研摩又は研削によって分離層３２が露出す
るまで粗研摩、粗研削し、その後分離層３２を湿式化学
エッチングによりヘッド素子の構成要素を侵さずに除去
する。この場合、磁気コア２４，２７としてはＮｉ‐Ｆ
ｅを用い、磁気ギャップ２３及び耐摺動保護膜２２には
アルミナやダイアモンド状カーボン膜を用い、分離層３
２をＮＨ４ＯＨ と過硫酸アンモニウムの水溶液で他の
部分を損傷せずにエッチング溶解することができる。こ
のように、分離層３２を選択的に化学エッチングするこ
とにより、研摩バラツキを完全に吸収することができる
。
、素子基板２１とヘッド素子との間にＣｕからなる分離
層３２を形成している。この例では、素子基板２１の裏
面を高速機械研摩又は研削によって分離層３２が露出す
るまで粗研摩、粗研削し、その後分離層３２を湿式化学
エッチングによりヘッド素子の構成要素を侵さずに除去
する。この場合、磁気コア２４，２７としてはＮｉ‐Ｆ
ｅを用い、磁気ギャップ２３及び耐摺動保護膜２２には
アルミナやダイアモンド状カーボン膜を用い、分離層３
２をＮＨ４ＯＨ と過硫酸アンモニウムの水溶液で他の
部分を損傷せずにエッチング溶解することができる。こ
のように、分離層３２を選択的に化学エッチングするこ
とにより、研摩バラツキを完全に吸収することができる
。
【００１８】実施例４
まず、素子基板２１上に分離層３２を１μｍ程度形成し
、この上にヘッド素子を形成し、素子基板２１の裏面を
分離層３２が一部露出するまで高速に機械研摩又は研削
後、素子基板２１の残った部分をＣＦ４ プラズマによ
ってエッチング除去する。その後、分離層３２を湿式化
学エッチングにより、ヘッド素子構成要素を侵さずに除
去する。この場合、磁気コア２４，２７としてはＮｉ‐
Ｆｅを用いることができ、磁気ギャップ２３及び耐摺動
保護膜２２としてはアルミナやダイアモンド状カーボン
膜を用いることができる。
、この上にヘッド素子を形成し、素子基板２１の裏面を
分離層３２が一部露出するまで高速に機械研摩又は研削
後、素子基板２１の残った部分をＣＦ４ プラズマによ
ってエッチング除去する。その後、分離層３２を湿式化
学エッチングにより、ヘッド素子構成要素を侵さずに除
去する。この場合、磁気コア２４，２７としてはＮｉ‐
Ｆｅを用いることができ、磁気ギャップ２３及び耐摺動
保護膜２２としてはアルミナやダイアモンド状カーボン
膜を用いることができる。
【００１９】なお、第３及び第４の実施例では分離層３
２としてＣｕを用いたが、特にこれに限定されるもので
はなく、素子基板２１を分離するための分離層３２とし
ては、磁性膜及び耐摺動保護膜２２に対して選択的にエ
ッチングできるものであれば何でもよい。
２としてＣｕを用いたが、特にこれに限定されるもので
はなく、素子基板２１を分離するための分離層３２とし
ては、磁性膜及び耐摺動保護膜２２に対して選択的にエ
ッチングできるものであれば何でもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、素子基
板を裏面から高速に粗研摩又は粗研削し、その後精密研
摩又は精密研削さらには化学エッチングすることにより
素子ギャップ部を露出させるようにしたので、素子基板
として最適なものを選択することができ、またヘッド素
子と素子基板の分離を迅速に行なうことができる。
板を裏面から高速に粗研摩又は粗研削し、その後精密研
摩又は精密研削さらには化学エッチングすることにより
素子ギャップ部を露出させるようにしたので、素子基板
として最適なものを選択することができ、またヘッド素
子と素子基板の分離を迅速に行なうことができる。
【００２１】又、この発明によれば、素子基板上に分離
層を介してヘッド素子を形成し、素子基板を粗研摩又は
粗研削により除去した後、分離層を化学エッチングによ
り除去しており、素子基板として最適なものを選択する
ことができ、また素子基板の分離を迅速に行なうことが
できる。
層を介してヘッド素子を形成し、素子基板を粗研摩又は
粗研削により除去した後、分離層を化学エッチングによ
り除去しており、素子基板として最適なものを選択する
ことができ、また素子基板の分離を迅速に行なうことが
できる。
【図１】この発明の実施例である製造方法を説明するた
めの磁気ヘッドの構造を示す断面図である。
めの磁気ヘッドの構造を示す断面図である。
【図２】この発明の他の実施例である製造方法を説明す
るための磁気ヘッドの構造を示す断面図である。
るための磁気ヘッドの構造を示す断面図である。
【図３】従来の製造方法を説明するための磁気ヘッドの
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
２１ 素子基板
２２ 耐摺動保護膜
２３ 磁気ギャップ
２４ 下部磁気コア
２５ 絶縁層
２６ コイル
２７ 上部磁気コア
２８ コイル引出導体
２９ 絶縁保護膜
３０ 支持基板
３１ 接続導体
３２ 分離層
Claims (3)
- 【請求項１】 素子基板上にヘッド素子を形成し、ヘ
ッド素子上にヘッド素子の電気的接続と支持を行なう支
持基板を接着した後、素子基板の裏面を粗研摩又は粗研
削し、しかる後素子基板の残部を精密研摩又は精密研削
して磁気ギャップを露出させることを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 素子基板上にヘッド素子を形成し、ヘ
ッド素子上にヘッド素子の電気的接続と支持を行なう支
持基板を接着した後、素子基板の裏面を粗研摩又は粗研
削し、しかる後素子基板の残部を化学エッチングにより
除去して磁気ギャップを露出させることを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 素子基板上に分離層を介してヘッド素
子を形成し、ヘッド素子上にヘッド素子の電気的接続と
支持を行なう支持基板を接着した後、素子基板の裏面を
粗研摩又は粗研削して上記分離層を露出させ、しかる後
上記分離層を化学エッチングにより除去してヘッド素子
の磁気ギャップを露出させることを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4823191A JPH04298806A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4823191A JPH04298806A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298806A true JPH04298806A (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=12797669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4823191A Pending JPH04298806A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04298806A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2741470A1 (fr) * | 1995-11-22 | 1997-05-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique planaire et tete obtenue par ce procede |
| US6594119B1 (en) | 1995-03-01 | 2003-07-15 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head slider and electrostatic actuator for driving a head element thereof |
| US7185416B2 (en) | 2002-01-29 | 2007-03-06 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing a slider for a thin-film magnetic head |
| JP2013038415A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 薄膜電極セラミック基板及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP4823191A patent/JPH04298806A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5863450A (en) * | 1955-04-04 | 1999-01-26 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for making a plane magnetic head and magnetic head obtained by this process |
| US6594119B1 (en) | 1995-03-01 | 2003-07-15 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head slider and electrostatic actuator for driving a head element thereof |
| FR2741470A1 (fr) * | 1995-11-22 | 1997-05-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique planaire et tete obtenue par ce procede |
| EP0775997A1 (fr) * | 1995-11-22 | 1997-05-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de réalisation d'une tête magnétique planaire et tête obtenue par ce procédé |
| US7185416B2 (en) | 2002-01-29 | 2007-03-06 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing a slider for a thin-film magnetic head |
| JP2013038415A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 薄膜電極セラミック基板及びその製造方法 |
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