JPH04299514A - Ｘ線リソグラフィ−用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線リソグラフィ−用マスクの製造方法Info
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- JPH04299514A JPH04299514A JP3087624A JP8762491A JPH04299514A JP H04299514 A JPH04299514 A JP H04299514A JP 3087624 A JP3087624 A JP 3087624A JP 8762491 A JP8762491 A JP 8762491A JP H04299514 A JPH04299514 A JP H04299514A
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- silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線リソグラフィー用マ
スクの製造方法、特にはアルカリエッチング保護膜を均
一に形成させることによってメンブレンの収率を向上さ
せ、メンブレンの形状を所定の形状とすることができる
Ｘ線リソグラフィー用マスクの製造方法に関するもので
ある。
スクの製造方法、特にはアルカリエッチング保護膜を均
一に形成させることによってメンブレンの収率を向上さ
せ、メンブレンの形状を所定の形状とすることができる
Ｘ線リソグラフィー用マスクの製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスにおけるパターン形成の
微細化に伴なってリソグラフィー技術についてはＸ線リ
ソグラフィー技術が有望視されている。しかして、この
Ｘ線リソグラフィー用マスクは、シリコン基材の表面に
Ｘ線透過膜を設け、必要に応じこの表面にＸ線吸収体を
作成してから、この基板の反対側を削除し、この全体を
プラズマＣＶＤ法などの方法で窒化ほう素、窒化けい素
などを被覆してアルカリエッチング保護膜をつくり、こ
の保護膜の中央部分をＣＦ４ ガスでドライエッチング
してこの被膜を部分的に削除し、この削除部分にアルカ
リ液を添加してアルカリエッチングしてシリコン基板を
除去してＸ線透過膜のメンブレン化を画るという方法で
製造されている。
微細化に伴なってリソグラフィー技術についてはＸ線リ
ソグラフィー技術が有望視されている。しかして、この
Ｘ線リソグラフィー用マスクは、シリコン基材の表面に
Ｘ線透過膜を設け、必要に応じこの表面にＸ線吸収体を
作成してから、この基板の反対側を削除し、この全体を
プラズマＣＶＤ法などの方法で窒化ほう素、窒化けい素
などを被覆してアルカリエッチング保護膜をつくり、こ
の保護膜の中央部分をＣＦ４ ガスでドライエッチング
してこの被膜を部分的に削除し、この削除部分にアルカ
リ液を添加してアルカリエッチングしてシリコン基板を
除去してＸ線透過膜のメンブレン化を画るという方法で
製造されている。
【０００３】しかして、このＸ線リソグラフィーに用い
られるＸ線リソグラフィー用マスクは、Ｘ線透過膜の表
面にＸ線吸収体を所望の形状に形成したものを支持体で
補強したものとされているが、このＸ線透過膜はＸ線吸
収体を支持することからＸ線支持体（膜）あるいはＸ線
透過用メンブレンとも呼ばれている。
られるＸ線リソグラフィー用マスクは、Ｘ線透過膜の表
面にＸ線吸収体を所望の形状に形成したものを支持体で
補強したものとされているが、このＸ線透過膜はＸ線吸
収体を支持することからＸ線支持体（膜）あるいはＸ線
透過用メンブレンとも呼ばれている。
【０００４】このＸ線透過膜は一般的には窒化ほう素（
ＢＮ）、窒化けい素（Ｓｉ３ Ｎ４ ）、炭化けい素（
ＳｉＣ）などのようにＸ線吸収係数の小さい軽元素より
なる無機物の１０μｍ以下の薄膜状のものとされ、Ｘ線
吸収体は金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（
Ｔａ）などのようにＸ線吸収係数の大きい重金属よりな
る無機物からなるものとされているが、このＸ線透過膜
は薄膜状の形態を維持するために５×１０８ 〜５×１
０９ ダイン／ｃｍ２ の引張応力を有するものとする
ことが必須要件とされている。
ＢＮ）、窒化けい素（Ｓｉ３ Ｎ４ ）、炭化けい素（
ＳｉＣ）などのようにＸ線吸収係数の小さい軽元素より
なる無機物の１０μｍ以下の薄膜状のものとされ、Ｘ線
吸収体は金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（
Ｔａ）などのようにＸ線吸収係数の大きい重金属よりな
る無機物からなるものとされているが、このＸ線透過膜
は薄膜状の形態を維持するために５×１０８ 〜５×１
０９ ダイン／ｃｍ２ の引張応力を有するものとする
ことが必須要件とされている。
【０００５】しかし、このＸ線透過膜が引張応力を有す
るものであるために、Ｘ線透過膜が形成される基板はせ
ん断応力を受け、その結果この基板にはそりが発生する
。すなわち、例えば基板として結晶方位（１００）で厚
さがｔ（μｍ）の３インチのシリコンウェーハを用いて
、この基板上に引張応力が１×１０９ ダイン／ｃｍ２
で厚さが２．０μｍのＸ線透過膜を形成すると、基板
のそり量ｄ（μｍ）はｄ＝３６．５×１０５ ／ｔ２で
示されるものとなり、このそり量は基板の厚さの２乗に
反比例する。
るものであるために、Ｘ線透過膜が形成される基板はせ
ん断応力を受け、その結果この基板にはそりが発生する
。すなわち、例えば基板として結晶方位（１００）で厚
さがｔ（μｍ）の３インチのシリコンウェーハを用いて
、この基板上に引張応力が１×１０９ ダイン／ｃｍ２
で厚さが２．０μｍのＸ線透過膜を形成すると、基板
のそり量ｄ（μｍ）はｄ＝３６．５×１０５ ／ｔ２で
示されるものとなり、このそり量は基板の厚さの２乗に
反比例する。
【０００６】したがって、基板の厚さを０．５ｍｍ（５
００μｍ）とするとこのときのそり量はｄ＝１４．５μ
ｍとなり、基板の厚さを１．０ｍｍ（１，０００μｍ）
とするとこのときのそり量はｄ＝３．６μｍ、基板の厚
さを２．０ｍｍ（２，０００μｍ）とするとそのそり量
はｄ＝０．９となり、基板を厚くするとそり量が急激に
減少するが、Ｘ線リソグラフィー用マスクについては吸
収体パターンの線幅として０．２〜０．４μｍが要求さ
れるために、精度のよいマスクを得るためにはＸ線マス
クの基板はそりがなく、できるだけフラットな面を有す
ることが重要とされるので、この基板は厚さを厚くして
そりを少なくすることが有利とされる。
００μｍ）とするとこのときのそり量はｄ＝１４．５μ
ｍとなり、基板の厚さを１．０ｍｍ（１，０００μｍ）
とするとこのときのそり量はｄ＝３．６μｍ、基板の厚
さを２．０ｍｍ（２，０００μｍ）とするとそのそり量
はｄ＝０．９となり、基板を厚くするとそり量が急激に
減少するが、Ｘ線リソグラフィー用マスクについては吸
収体パターンの線幅として０．２〜０．４μｍが要求さ
れるために、精度のよいマスクを得るためにはＸ線マス
クの基板はそりがなく、できるだけフラットな面を有す
ることが重要とされるので、この基板は厚さを厚くして
そりを少なくすることが有利とされる。
【０００７】しかし、基板を厚くするとＸ線透過膜を形
成した面と反対面の所定領域を除去する工程（以下この
工程をバックエッチング工程と略記する）に長時間を要
するという不利が生じる。例えば、基板として結晶方位
（１００）のシリコン基板を用い、エッチング液として
２０％水酸化カリウム水溶液を用いる場合、９０℃での
バックエッチング工程は厚み１ｍｍのシリコン基板の場
合には８〜１０時間、厚みが２ｍｍのシリコン基板の場
合には１５〜２０時間が必要とされるし、このバックエ
ッチング工程の時間が長くなると、Ｘ線透過膜、さらに
その表面にＸ線吸収体パターンが形成されている場合に
は、このＸ線吸収体パターンの受けるダメージが増大し
、その結果歪みの発生、破損などのトラブルが発生し易
くなる。
成した面と反対面の所定領域を除去する工程（以下この
工程をバックエッチング工程と略記する）に長時間を要
するという不利が生じる。例えば、基板として結晶方位
（１００）のシリコン基板を用い、エッチング液として
２０％水酸化カリウム水溶液を用いる場合、９０℃での
バックエッチング工程は厚み１ｍｍのシリコン基板の場
合には８〜１０時間、厚みが２ｍｍのシリコン基板の場
合には１５〜２０時間が必要とされるし、このバックエ
ッチング工程の時間が長くなると、Ｘ線透過膜、さらに
その表面にＸ線吸収体パターンが形成されている場合に
は、このＸ線吸収体パターンの受けるダメージが増大し
、その結果歪みの発生、破損などのトラブルが発生し易
くなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そのため、このバック
エッチング工程の時間を短縮する目的において、バック
エッチングする領域を予じめ研削加工などの機械的加工
方法で薄くしておくという方法も考えられているが、単
に通常の研削加工を行なっただけでは加工後の表面が粗
くなるためにアルカリエッチング用の保護膜が均一に形
成されず、その結果、バックエッチング工程時にアルカ
リエッチング用保護膜の薄い部分が局所的にアルカリエ
ッチング剤によってエッチングされるためにメンブレン
が破損されたり、メンブレンの形状が所定の形状になら
ないという不利が生じる。
エッチング工程の時間を短縮する目的において、バック
エッチングする領域を予じめ研削加工などの機械的加工
方法で薄くしておくという方法も考えられているが、単
に通常の研削加工を行なっただけでは加工後の表面が粗
くなるためにアルカリエッチング用の保護膜が均一に形
成されず、その結果、バックエッチング工程時にアルカ
リエッチング用保護膜の薄い部分が局所的にアルカリエ
ッチング剤によってエッチングされるためにメンブレン
が破損されたり、メンブレンの形状が所定の形状になら
ないという不利が生じる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不利
を解決したＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法に関
するものであり、これはシリコン基板上にＸ線透過膜を
形成後、さらにはその表面にＸ線吸収体パターンを形成
後に、Ｘ線透過膜の反対面のシリコン基板の領域を除去
してＸ線リソグラフィー用マスクを製造する方法におい
て、このシリコン基板をその裏面の除去領域を含む領域
に予じめ薄膜化加工を行ない、ついでその加工表面の表
面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で１，０００Å以下と
なるように表面平坦化処理したものとすることを特徴と
するものである。
を解決したＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法に関
するものであり、これはシリコン基板上にＸ線透過膜を
形成後、さらにはその表面にＸ線吸収体パターンを形成
後に、Ｘ線透過膜の反対面のシリコン基板の領域を除去
してＸ線リソグラフィー用マスクを製造する方法におい
て、このシリコン基板をその裏面の除去領域を含む領域
に予じめ薄膜化加工を行ない、ついでその加工表面の表
面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で１，０００Å以下と
なるように表面平坦化処理したものとすることを特徴と
するものである。
【００１０】すなわち、本発明者らはアルカリエッチン
グ後におけるメンブレンの収率を向上させ、メンブレン
の形状を所定の形状とすることができるＸ線リソグラフ
ィー用マスクの製造方法を開発すべく種々検討した結果
、ここに使用する基板をその裏面の除去領域を含む領域
に予じめ薄膜化加工を施し、ついでこの加工表面の表面
粗さを中心線平均粗さが１，０００Å以下となるように
表面平坦化したものとすると、この目的が達成されるこ
とを見出して本発明を完成させた。以下にこれをさらに
詳述する。
グ後におけるメンブレンの収率を向上させ、メンブレン
の形状を所定の形状とすることができるＸ線リソグラフ
ィー用マスクの製造方法を開発すべく種々検討した結果
、ここに使用する基板をその裏面の除去領域を含む領域
に予じめ薄膜化加工を施し、ついでこの加工表面の表面
粗さを中心線平均粗さが１，０００Å以下となるように
表面平坦化したものとすると、この目的が達成されるこ
とを見出して本発明を完成させた。以下にこれをさらに
詳述する。
【００１１】
【作用】本発明はＸ線リソグラフィー用マスクの製造方
法に関するものであり、これはシリコン基板の裏面の除
去領域に予じめ薄膜化加工を行ない、この加工表面を平
坦化処理することを要旨とするものである。
法に関するものであり、これはシリコン基板の裏面の除
去領域に予じめ薄膜化加工を行ない、この加工表面を平
坦化処理することを要旨とするものである。
【００１２】本発明におけるＸ線リソグラフィー用マス
クの製造自体は、シリコン基板上に窒化ほう素、窒化け
い素、炭化けい素などからなるＸ線透過膜を形成し、そ
の表面に金、タングステン、タンタルなどからなるＸ線
吸収体を形成させたのち、Ｘ線透過膜と反対面のシリコ
ン基板の領域を研削機などを用いて薄膜化加工し、つい
でこれにアルカリエッチング保護膜を設け、この保護膜
をドライエッチングで部分的に削除し、この部分をアル
カリエッチングしてシリコンを削除してメンブレンを作
るという公知の方法で行なわれる。
クの製造自体は、シリコン基板上に窒化ほう素、窒化け
い素、炭化けい素などからなるＸ線透過膜を形成し、そ
の表面に金、タングステン、タンタルなどからなるＸ線
吸収体を形成させたのち、Ｘ線透過膜と反対面のシリコ
ン基板の領域を研削機などを用いて薄膜化加工し、つい
でこれにアルカリエッチング保護膜を設け、この保護膜
をドライエッチングで部分的に削除し、この部分をアル
カリエッチングしてシリコンを削除してメンブレンを作
るという公知の方法で行なわれる。
【００１３】しかして、ここに使用されるシリコン基板
は前記したようにＸ線透過膜の引張応力によりそりが生
じるが、このそりを少なくするということからは厚い程
有利とされるので、本発明で使用されるシリコン基板は
コスト面および取り扱いやすさということから厚さが１
ｍｍ以上、好ましくは２〜５ｍｍのものとされる。また
、このものはその表面にＸ線透過膜、Ｘ線吸収体を形成
させたのち、Ｘ線透過膜と反対面の領域が削除されるの
であるが、これが厚いとアルカリエッチングに長い時間
が必要とされるので、これは予じめ薄膜化加工される。
は前記したようにＸ線透過膜の引張応力によりそりが生
じるが、このそりを少なくするということからは厚い程
有利とされるので、本発明で使用されるシリコン基板は
コスト面および取り扱いやすさということから厚さが１
ｍｍ以上、好ましくは２〜５ｍｍのものとされる。また
、このものはその表面にＸ線透過膜、Ｘ線吸収体を形成
させたのち、Ｘ線透過膜と反対面の領域が削除されるの
であるが、これが厚いとアルカリエッチングに長い時間
が必要とされるので、これは予じめ薄膜化加工される。
【００１４】この薄膜化加工は例えは旋盤、フライス盤
、研削盤などのような公知の加工機械を用いて行えばよ
いが、これは寸法精度や仕上り面の平滑性からは研削砥
石を高速度で回転させる研削盤を用いて行なうことがよ
い。しかし、この研削は通常硬くて粒度の大きい砥粒を
用いた結合度の大きい粗目の砥石で研削されるが、これ
ではこの表面が表面粗さの大きいものとなり、このまま
ではこの面に施される窒化ほう素、窒化けい素、炭化け
い素などからなるアルカリエッチング保護膜が均一にこ
の表面を覆うようにならず、この被覆の薄い部分がアル
カリエッチング液でエッチングされて保護膜としての使
用に耐えないものとなるので、この研削面はついでこれ
を平坦化することが必要とされる。
、研削盤などのような公知の加工機械を用いて行えばよ
いが、これは寸法精度や仕上り面の平滑性からは研削砥
石を高速度で回転させる研削盤を用いて行なうことがよ
い。しかし、この研削は通常硬くて粒度の大きい砥粒を
用いた結合度の大きい粗目の砥石で研削されるが、これ
ではこの表面が表面粗さの大きいものとなり、このまま
ではこの面に施される窒化ほう素、窒化けい素、炭化け
い素などからなるアルカリエッチング保護膜が均一にこ
の表面を覆うようにならず、この被覆の薄い部分がアル
カリエッチング液でエッチングされて保護膜としての使
用に耐えないものとなるので、この研削面はついでこれ
を平坦化することが必要とされる。
【００１５】この平坦化処理は上記した薄膜化処理に使
用した研削剤に比べて柔く粒度の小さい砥粒、例えば、
粒度が７００〜２，０００の砥粒を用いた粒度の小さい
細目の砥石を用いて研削すればよいが、この平坦化処理
による表面粗さはＪＩＳ Ｂ０６０１に規定されてい
る中心線平均粗さ（Ｒａ）が１，０００Å以下、好まし
くは５００Å以下とする必要がある。
用した研削剤に比べて柔く粒度の小さい砥粒、例えば、
粒度が７００〜２，０００の砥粒を用いた粒度の小さい
細目の砥石を用いて研削すればよいが、この平坦化処理
による表面粗さはＪＩＳ Ｂ０６０１に規定されてい
る中心線平均粗さ（Ｒａ）が１，０００Å以下、好まし
くは５００Å以下とする必要がある。
【００１６】また、上記した研削剤で薄膜化処理したシ
リコン基板表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）は３，０００
〜８，０００Åであるために、この上に化学ＣＶＤ法な
どで成膜されるアルカリエッチング保護膜は不均一なも
のとなるのであるが、この平坦化処理を行なったシリコ
ン基板の表面は上記したようにその中心線平均粗さが１
，０００Å以下、特に５００Å以下とされるので、これ
はアルカリエッチング保護膜を均一なものとすることが
でき、したがってこれによればＣＦ４ によるドライエ
ッチング、アルカリエッチング液によるシリコンのエッ
チング除去を所定の通り行なうことができるので、これ
によればメンブレンを収率よく、しかも所定の形状で得
ることができるという有利性が与えられる。
リコン基板表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）は３，０００
〜８，０００Åであるために、この上に化学ＣＶＤ法な
どで成膜されるアルカリエッチング保護膜は不均一なも
のとなるのであるが、この平坦化処理を行なったシリコ
ン基板の表面は上記したようにその中心線平均粗さが１
，０００Å以下、特に５００Å以下とされるので、これ
はアルカリエッチング保護膜を均一なものとすることが
でき、したがってこれによればＣＦ４ によるドライエ
ッチング、アルカリエッチング液によるシリコンのエッ
チング除去を所定の通り行なうことができるので、これ
によればメンブレンを収率よく、しかも所定の形状で得
ることができるという有利性が与えられる。
【００１７】なお、本発明で始発材とされる厚さが１ｍ
ｍ以上、好ましくは２〜５ｍｍであるシリコン基板は上
記した薄膜化処理、平坦化処理によって薄いものとされ
る。しかし、この厚さは薄い程アルカリエッチング時間
が短縮されるけれども、このものはその強度および薄膜
化加工精度との兼ね合いから１ｍｍ以下、好ましくは０
．１〜０．５ｍｍとなるようにすればよい。
ｍ以上、好ましくは２〜５ｍｍであるシリコン基板は上
記した薄膜化処理、平坦化処理によって薄いものとされ
る。しかし、この厚さは薄い程アルカリエッチング時間
が短縮されるけれども、このものはその強度および薄膜
化加工精度との兼ね合いから１ｍｍ以下、好ましくは０
．１〜０．５ｍｍとなるようにすればよい。
【００１８】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例１〜４，比較例１〜２
直径３インチ、厚さ３ｍｍで結晶方位（１００）の両面
研磨シリコンウェーハの片面に、高周波マグネトロンス
パッター法で１．５×１０９ ダイン／ｃｍ２ の引張
強度をもつ厚さ１．０μｍの炭化けい素被覆を形成させ
た。
研磨シリコンウェーハの片面に、高周波マグネトロンス
パッター法で１．５×１０９ ダイン／ｃｍ２ の引張
強度をもつ厚さ１．０μｍの炭化けい素被覆を形成させ
た。
【００１９】また、このシリコンウェーハの反対面の中
央部分にある直径４０ｍｍの円形領域を粒度２８０番の
ダイヤモンド製砥粒よりなる砥石を用いた万能型研削盤
で研削して、深さ２．４ｍｍのざぐりを設け、さらにこ
の砥石を表１に示した粒度７００〜２，０００番のダイ
ヤモンド製砥粒よりなる砥石を用いた万能型研削盤を用
いて深さ０．１ｍｍのざぐりを設けて平坦化処理を行な
い、この加工面の中心線平均粗さ（Ｒａ）をサーフコー
ダーＳＥ−３０Ｃ（小坂研究所製商品名）で測定したと
ころ、表１に示したとおりの結果が得られた。
央部分にある直径４０ｍｍの円形領域を粒度２８０番の
ダイヤモンド製砥粒よりなる砥石を用いた万能型研削盤
で研削して、深さ２．４ｍｍのざぐりを設け、さらにこ
の砥石を表１に示した粒度７００〜２，０００番のダイ
ヤモンド製砥粒よりなる砥石を用いた万能型研削盤を用
いて深さ０．１ｍｍのざぐりを設けて平坦化処理を行な
い、この加工面の中心線平均粗さ（Ｒａ）をサーフコー
ダーＳＥ−３０Ｃ（小坂研究所製商品名）で測定したと
ころ、表１に示したとおりの結果が得られた。
【００２０】
【表１】
【００２１】ついで、この薄膜化加工、平坦化処理を行
なったシリコンウェーハの表面全体に、プラズマＣＶＤ
法によって厚さ０．５μｍの窒化ほう素膜を成膜してこ
こにアルカリエッチング保護膜を作り、この保護膜の中
央部分の２．５×２．５ｍｍの正方形領域のみをＣＦ４
ガスでドライエッチングしてこの部分の窒化ほう素膜
を除去してこの部分のシリコン面を露出させた。
なったシリコンウェーハの表面全体に、プラズマＣＶＤ
法によって厚さ０．５μｍの窒化ほう素膜を成膜してこ
こにアルカリエッチング保護膜を作り、この保護膜の中
央部分の２．５×２．５ｍｍの正方形領域のみをＣＦ４
ガスでドライエッチングしてこの部分の窒化ほう素膜
を除去してこの部分のシリコン面を露出させた。
【００２２】つぎに、この露出したシリコン面にアルカ
リエッチング液としての２０％水酸化カリウム水溶液を
注ぎ、９０℃で５時間アルカリエッチングしてシリコン
を除去し、炭化けい素のメンブレン化を行なったところ
、２．５×２．５ｍｍの正常な形状のメンブレンが得ら
れた。
リエッチング液としての２０％水酸化カリウム水溶液を
注ぎ、９０℃で５時間アルカリエッチングしてシリコン
を除去し、炭化けい素のメンブレン化を行なったところ
、２．５×２．５ｍｍの正常な形状のメンブレンが得ら
れた。
【００２３】しかし、比較のために実施例における平坦
化処理を、表１に併記した粒度５００、３６０度のダイ
ヤモンド製砥石を用いて行なったところ、この場合には
得られたシリコンウェーハ表面の中心線平均粗さ（Ｒａ
）が表１に併記したように１，２４０Å、２，１５０Å
のものとなったので、これに炭化けい素からなるアルカ
リエッチング保護膜を作ったが、これが不均一のものと
なり、ＣＦ４ ガスによるドライエッチング、アルカリ
エッチングによって得られたメンブレンは表２に示した
ようにいずれも直線部分がなく、不完全な円形状のもの
となった。
化処理を、表１に併記した粒度５００、３６０度のダイ
ヤモンド製砥石を用いて行なったところ、この場合には
得られたシリコンウェーハ表面の中心線平均粗さ（Ｒａ
）が表１に併記したように１，２４０Å、２，１５０Å
のものとなったので、これに炭化けい素からなるアルカ
リエッチング保護膜を作ったが、これが不均一のものと
なり、ＣＦ４ ガスによるドライエッチング、アルカリ
エッチングによって得られたメンブレンは表２に示した
ようにいずれも直線部分がなく、不完全な円形状のもの
となった。
【００２４】
【表２】
【００２５】
【発明の効果】本発明はＸ線リソグラフィー用マスクの
製造方法に関するものであり、これは前記したようにシ
リコン基板上にＸ線透過膜、さらにその表面にＸ線吸収
体パターンを形成後、Ｘ線透過膜と反対面のシリコン基
板の領域を除去してＸ線リソグラフィー用マスクを製造
する方法において、この基板をその裏面の除去領域を含
む領域に予じめ薄膜化加工を行ない、ついで加工表面の
表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で１，０００Å以下
となるように表面平坦化処理したものとすることを特徴
とするものである。
製造方法に関するものであり、これは前記したようにシ
リコン基板上にＸ線透過膜、さらにその表面にＸ線吸収
体パターンを形成後、Ｘ線透過膜と反対面のシリコン基
板の領域を除去してＸ線リソグラフィー用マスクを製造
する方法において、この基板をその裏面の除去領域を含
む領域に予じめ薄膜化加工を行ない、ついで加工表面の
表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で１，０００Å以下
となるように表面平坦化処理したものとすることを特徴
とするものである。
【００２６】しかして、ここに使用するシリコン板をこ
のように処理したものとすると、その裏面除去領域にお
けるシリコン基板の表面が非常に平坦なものとなり、こ
のシリコン基板に設けられるアルカリエッチング保護膜
を均一なものとすることができるので、ついでこれに引
き続いて行なわれるＣＦ４ ガスによるドライエッチン
グおよびアルカリエッチング液によるシリコンのエッチ
ング除去を所定の通り行なうことができ、したがって目
的とするメンブレンを収率よく、しかも所定の形状で得
ることができるという有利性が与えられる。
のように処理したものとすると、その裏面除去領域にお
けるシリコン基板の表面が非常に平坦なものとなり、こ
のシリコン基板に設けられるアルカリエッチング保護膜
を均一なものとすることができるので、ついでこれに引
き続いて行なわれるＣＦ４ ガスによるドライエッチン
グおよびアルカリエッチング液によるシリコンのエッチ
ング除去を所定の通り行なうことができ、したがって目
的とするメンブレンを収率よく、しかも所定の形状で得
ることができるという有利性が与えられる。
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板上にＸ線透過膜を形成後
、またさらにその表面にＸ線吸収体パターンを形成後、
Ｘ線透過膜と反対面のシリコン基板の領域を除去してＸ
線リソグラフィー用マスクを製造する方法において、こ
のシリコン基板をその裏面の除去領域を含む領域に予じ
め薄膜化加工を行ない、ついでその加工表面の表面粗さ
が中心線平均粗さ（Ｒａ）で１，０００Å以下となるよ
うに表面平坦化処理したものとすることを特徴とするＸ
線リソグラフィー用マスクの製造方法。 - 【請求項２】 シリコン基板の厚さが１．０ｍｍ以上
であり、薄膜化加工した領域の厚さが１．０ｍｍ未満で
ある請求項１に記載したＸ線リソグラフィー用マスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8762491A JP2862029B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8762491A JP2862029B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299514A true JPH04299514A (ja) | 1992-10-22 |
| JP2862029B2 JP2862029B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=13920132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8762491A Expired - Fee Related JP2862029B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2862029B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0251216A (ja) * | 1988-08-13 | 1990-02-21 | Canon Inc | Ｘ線露光用マスク |
| JPH02188909A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
| JPH02273915A (ja) * | 1989-04-15 | 1990-11-08 | Matsushita Electron Corp | Ｘ線マスクの製造方法 |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP8762491A patent/JP2862029B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0251216A (ja) * | 1988-08-13 | 1990-02-21 | Canon Inc | Ｘ線露光用マスク |
| JPH02188909A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
| JPH02273915A (ja) * | 1989-04-15 | 1990-11-08 | Matsushita Electron Corp | Ｘ線マスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2862029B2 (ja) | 1999-02-24 |
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