JPH02188909A - Ｘ線露光マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光マスクの製造方法Info
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- JPH02188909A JPH02188909A JP1007751A JP775189A JPH02188909A JP H02188909 A JPH02188909 A JP H02188909A JP 1007751 A JP1007751 A JP 1007751A JP 775189 A JP775189 A JP 775189A JP H02188909 A JPH02188909 A JP H02188909A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｘ線吸収材料からなるパターンの支持膜、即ち、メンブ
レン（ｍｅｍｂ ｒ ａ ｎ ｅ）としてＳｉＣ膜を用
いたＸ線露光マスクを製造する方法の改良に関し、 Ｘ線吸収材料からなる高精度のパターンが得られ、また
、パターン内にＸ線吸収材料の残渣が存在しないように
することを目的とし、 シリコン基板上にメンブレンとなる多結晶又は単結晶の
ＳｉＣ膜を成長させる工程と、次いで、有機物質膜を形
成してからエッチ・バックする、或いは、鏡面研摩する
、或いは、不活性ガスでエツチングしつつアモルファス
炭素膜を形成する、或いは、スパッタリングを行う、或
いは、ガラス膜を形成し、そして、シリコン基板の裏面
にリングを接着してから該ガラス膜をエツチングして除
去する、或いは、低融点ガラス膜を形成し且つその溶融
軟化を行う、或いは、前記溶融軟化後の低融点ガラス膜
とＳｉＣ膜とが同エツチング速度になる条件でエツチン
グを行う等して平坦化を行う工程と、その後、Ｘ線吸収
材料からなるマスク・パターンを形成する工程が含まれ
てなるよう構成する。
レン（ｍｅｍｂ ｒ ａ ｎ ｅ）としてＳｉＣ膜を用
いたＸ線露光マスクを製造する方法の改良に関し、 Ｘ線吸収材料からなる高精度のパターンが得られ、また
、パターン内にＸ線吸収材料の残渣が存在しないように
することを目的とし、 シリコン基板上にメンブレンとなる多結晶又は単結晶の
ＳｉＣ膜を成長させる工程と、次いで、有機物質膜を形
成してからエッチ・バックする、或いは、鏡面研摩する
、或いは、不活性ガスでエツチングしつつアモルファス
炭素膜を形成する、或いは、スパッタリングを行う、或
いは、ガラス膜を形成し、そして、シリコン基板の裏面
にリングを接着してから該ガラス膜をエツチングして除
去する、或いは、低融点ガラス膜を形成し且つその溶融
軟化を行う、或いは、前記溶融軟化後の低融点ガラス膜
とＳｉＣ膜とが同エツチング速度になる条件でエツチン
グを行う等して平坦化を行う工程と、その後、Ｘ線吸収
材料からなるマスク・パターンを形成する工程が含まれ
てなるよう構成する。
本発明は、Ｘ線吸収材料からなるパターンの支持膜、即
ち、メンブレンとしてＳｉＣ膜を用いたＸ線露光マスク
を製造する方法の改良に関する。
ち、メンブレンとしてＳｉＣ膜を用いたＸ線露光マスク
を製造する方法の改良に関する。
一般に、Ｘ線露光マスクに於けるメンブレンとしては、
高ヤング率、高引っ張り応力、高い光学的透明度、高い
放射線耐性、滑らかな表面などが要求されている。
高ヤング率、高引っ張り応力、高い光学的透明度、高い
放射線耐性、滑らかな表面などが要求されている。
現在、ＳｉＣは該諸要求に応え得る最も実用性が高い物
質と考えられている。
質と考えられている。
従って、更に微細なパターンをもつ半導体装置を製造す
るには、ＳｉＣからなるメンブレンを有する良好なＸ線
露光マスクを実現させることが急務である。
るには、ＳｉＣからなるメンブレンを有する良好なＸ線
露光マスクを実現させることが急務である。
従来、Ｘ線露光マスクに於けるメンブレンの構成材料と
しては、ＢＮ、ＢＮＣ，Ｓ ｉＮ、Ｓ ｔ。
しては、ＢＮ、ＢＮＣ，Ｓ ｉＮ、Ｓ ｔ。
ＳｉＣなどが知られているが、高ヤング率（例えば３〜
４ Ｘ １０Ｉ２（ｄ ｙ ｎ／ｃ＠” ）以上）、高
放射線耐性（例えばｌ ００ （ＭＪ／ｃ＋＋＋３）以
上）などの物性値からＳｉＣが最有力とされている。
４ Ｘ １０Ｉ２（ｄ ｙ ｎ／ｃ＠” ）以上）、高
放射線耐性（例えばｌ ００ （ＭＪ／ｃ＋＋＋３）以
上）などの物性値からＳｉＣが最有力とされている。
そのＳｉＣ膜は、通常、温度７００（’Ｃ）乃至１３８
０（”Ｃ）の高温の下で実施される化学気相堆積（ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐ。
０（”Ｃ）の高温の下で実施される化学気相堆積（ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐ。
５ｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法で成長した多結晶或いは単結
晶のものが良く、それよりも低温の例えばプラズマＣＶ
Ｄ法やＥＣＲ（ｅｌｅｃｔｒｏｎｊｃ ｃｙｃｌｏｔ
ｒｏｎ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）ＣＶＤ法で成長したア
モルファスのものは表面が鏡面になるものの、放射線耐
性が低いなど前記要求を満たすことが難しい。
晶のものが良く、それよりも低温の例えばプラズマＣＶ
Ｄ法やＥＣＲ（ｅｌｅｃｔｒｏｎｊｃ ｃｙｃｌｏｔ
ｒｏｎ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）ＣＶＤ法で成長したア
モルファスのものは表面が鏡面になるものの、放射線耐
性が低いなど前記要求を満たすことが難しい。
前記したＳｉＣからなるメンブレンを用いてＸ線露光マ
スクを製造する場合、まず、高温ＣＶＤ法を適用するこ
とに依り、単結晶Ｓｉ基板上に例えば多結晶のＳｉＣ膜
を例えば２〔μｍ〕乃至３〔μｍ〕程度に厚く成長させ
なければならない。
スクを製造する場合、まず、高温ＣＶＤ法を適用するこ
とに依り、単結晶Ｓｉ基板上に例えば多結晶のＳｉＣ膜
を例えば２〔μｍ〕乃至３〔μｍ〕程度に厚く成長させ
なければならない。
然しながら、ＳｔとＳｉＣとのミスフィツトや熱膨張差
に起因し、完全に無欠陥で且つ鏡面を有するＳｉＣ膜を
前記のような厚さに成膜することはできず、約０．１
（μｍ）から０．２ Ｃμｍ）程度の凹凸が存在する
ものになってしまう。
に起因し、完全に無欠陥で且つ鏡面を有するＳｉＣ膜を
前記のような厚さに成膜することはできず、約０．１
（μｍ）から０．２ Ｃμｍ）程度の凹凸が存在する
ものになってしまう。
通常、ＳｉＣ膜の上にはＴａやＡｕなどのＸｖＡ吸収材
料膜が形成され、それを選択的にエツチングしてマスク
・パターンを形成している。
料膜が形成され、それを選択的にエツチングしてマスク
・パターンを形成している。
Ｘ線露光マスクを用いて形成される半導体装置に於ける
パターンは線幅が約０． １ Ｃμｍ〕から０．２〔
μｍ〕程度を目標にしている。従って、それを形成する
為のマスク・パターンを得ようとする場合に、そのマス
ク・パターンを形成するメンブレンに同程度の大きさを
もつ凹凸が存在したのでは、マスク・パターンが高精度
に形成できる筈がなく、そのエツジはギザギザなものに
なってしまう。
パターンは線幅が約０． １ Ｃμｍ〕から０．２〔
μｍ〕程度を目標にしている。従って、それを形成する
為のマスク・パターンを得ようとする場合に、そのマス
ク・パターンを形成するメンブレンに同程度の大きさを
もつ凹凸が存在したのでは、マスク・パターンが高精度
に形成できる筈がなく、そのエツジはギザギザなものに
なってしまう。
また、前記のような問題もさることながら、本発明者ら
の実験に依ると原因不明の更に大きな問題が発生してい
ることが判った。
の実験に依ると原因不明の更に大きな問題が発生してい
ることが判った。
即ち、前記凹凸が存在するＳｉＣ膜の上に、例えば、Ｔ
ａからなるＸ線吸収材料膜を形成し、それをバターニン
グすると、凹凸の凸になっている頂面にＴａが残ってし
まうことである。
ａからなるＸ線吸収材料膜を形成し、それをバターニン
グすると、凹凸の凸になっている頂面にＴａが残ってし
まうことである。
通常、凹凸がある下地に被膜を形成し、該被膜の除去を
行った場合、凹の部分に被膜の一部が残渣として存在す
ることは考えられるが、ＳｉＣからなるメンブレンの場
合は逆であって、凹の部分には残渣が存在しない。
行った場合、凹の部分に被膜の一部が残渣として存在す
ることは考えられるが、ＳｉＣからなるメンブレンの場
合は逆であって、凹の部分には残渣が存在しない。
従って、ＴａからなるＸ線吸収材料膜のバターニングを
行うと、それが存在してはならない部分に点々として残
留しているのが視認され、これでは、Ｘ線露光マスクと
して使用することはできない。
行うと、それが存在してはならない部分に点々として残
留しているのが視認され、これでは、Ｘ線露光マスクと
して使用することはできない。
本発明は、Ｘ線吸収材料からなる高精度のパターンが得
られ、また、パターン内にＸ線吸収材料の残渣が存在し
ないようにする。
られ、また、パターン内にＸ線吸収材料の残渣が存在し
ないようにする。
本発明に依るＸ線露光マスクの製造方法に於いては、シ
リコン基板（例えばシリコン基板１）上にメンブレンと
なる多結晶或いは単結晶のＳｉＣ膜（例えばＳｉＣ膜２
）を成長させる工程と、次いで、 （ａｌ 該ＳｉＣ膜上に有機物質膜（例えばノボラッ
ク系フォト・レジスト膜）を形成して平坦化する工程と
、次いで、該有機物質膜の表面から全面エツチングを行
ってＳｉＣ膜の表面を平坦化する工程と、その後、該Ｓ
ｉＣ膜上にＸ線吸収材料からなるマスク・パターンを形
成する工程とが含まれているか、 或いは、 （ｂ） 該ＳｉＣ膜の表面を鏡面研摩して平坦化する
工程と、その後、該ＳｉＣ膜上にＸ線吸収材料からなる
マスク・パターンを形成する工程とが含まれているか、 或いは、 （Ｃ） 不活性ガス（例えばＡｒ）と炭化水素（例え
ば（ｌＯ〔％）ＣＨ４）との混合ガスを用いプラズマ処
理を行って前記ＳｉＣ膜表面のエッチングを行いつつア
モルファス炭素膜を成長させ平坦化する工程と、その後
、該アモルファス炭素膜上にＸ線吸収材料からなるマス
ク・パターンを形成する工程とが含まれているか、或い
は、 （ｄ） 該ＳｉＣ膜表面のスパッタリングを行って平
坦化する工程と、その後、該ＳｉＣ膜上にＸ線吸収材料
からなるマスク・パターンを形成する工程とが含まれて
いるか、 或いは、 ＋ｉｌｌ 該ＳｉＣ膜上にガラス膜（例えばＳ ｉ
Ｏ２、ＰＳＧ、ＳＯＧ等からなる膜）を形成する工程と
、次いで、シリコン基板の裏面にリング（例えばリング
４）を接着する工程と、次いで、前記ＳｉＣ膜上のガラ
ス膜をエツチングし前記リングを接着する工程などで被
着された表面の粒子をリフト・オフして平坦化する工程
と、その後、前記ＳｉＣ膜上にＸｖＡ吸収材料からなる
マスク・パターンを形成する工程とが含まれているか、 或いは、 ｍ 該ＳｉＣ膜上に低融点ガラス膜（例えばＰＳＧ膜
或いはＢＰＳＧ膜）を形成する工程と、次いで、熱処理
を加え前記低融点ガラス膜を溶融軟化させて表面を平坦
化する工程と、その後、該低融点ガラス膜上にＸ線吸収
材料からなるマスク・パターンを形成する工程とが含ま
れているか、 或いは、 （ｇｌ 該ＳｉＣ膜上に低融点ガラス膜を形成する工
程と、次いで、熱処理を加え前記低融点ガラス膜を熔融
軟化させて表面を平坦化する工程と、次いで、該低融点
ガラス膜と前記ＳｉＣ膜とが同エツチング速度となる条
件でエツチングを行って該ＳｉＣ膜を表出させる工程と
、その後、該ＳｉＣ膜上にＸ線吸収材料からなるマスク
・パターンを形成する工程とが含まれているか、の何れ
かの手段を採る。
リコン基板（例えばシリコン基板１）上にメンブレンと
なる多結晶或いは単結晶のＳｉＣ膜（例えばＳｉＣ膜２
）を成長させる工程と、次いで、 （ａｌ 該ＳｉＣ膜上に有機物質膜（例えばノボラッ
ク系フォト・レジスト膜）を形成して平坦化する工程と
、次いで、該有機物質膜の表面から全面エツチングを行
ってＳｉＣ膜の表面を平坦化する工程と、その後、該Ｓ
ｉＣ膜上にＸ線吸収材料からなるマスク・パターンを形
成する工程とが含まれているか、 或いは、 （ｂ） 該ＳｉＣ膜の表面を鏡面研摩して平坦化する
工程と、その後、該ＳｉＣ膜上にＸ線吸収材料からなる
マスク・パターンを形成する工程とが含まれているか、 或いは、 （Ｃ） 不活性ガス（例えばＡｒ）と炭化水素（例え
ば（ｌＯ〔％）ＣＨ４）との混合ガスを用いプラズマ処
理を行って前記ＳｉＣ膜表面のエッチングを行いつつア
モルファス炭素膜を成長させ平坦化する工程と、その後
、該アモルファス炭素膜上にＸ線吸収材料からなるマス
ク・パターンを形成する工程とが含まれているか、或い
は、 （ｄ） 該ＳｉＣ膜表面のスパッタリングを行って平
坦化する工程と、その後、該ＳｉＣ膜上にＸ線吸収材料
からなるマスク・パターンを形成する工程とが含まれて
いるか、 或いは、 ＋ｉｌｌ 該ＳｉＣ膜上にガラス膜（例えばＳ ｉ
Ｏ２、ＰＳＧ、ＳＯＧ等からなる膜）を形成する工程と
、次いで、シリコン基板の裏面にリング（例えばリング
４）を接着する工程と、次いで、前記ＳｉＣ膜上のガラ
ス膜をエツチングし前記リングを接着する工程などで被
着された表面の粒子をリフト・オフして平坦化する工程
と、その後、前記ＳｉＣ膜上にＸｖＡ吸収材料からなる
マスク・パターンを形成する工程とが含まれているか、 或いは、 ｍ 該ＳｉＣ膜上に低融点ガラス膜（例えばＰＳＧ膜
或いはＢＰＳＧ膜）を形成する工程と、次いで、熱処理
を加え前記低融点ガラス膜を溶融軟化させて表面を平坦
化する工程と、その後、該低融点ガラス膜上にＸ線吸収
材料からなるマスク・パターンを形成する工程とが含ま
れているか、 或いは、 （ｇｌ 該ＳｉＣ膜上に低融点ガラス膜を形成する工
程と、次いで、熱処理を加え前記低融点ガラス膜を熔融
軟化させて表面を平坦化する工程と、次いで、該低融点
ガラス膜と前記ＳｉＣ膜とが同エツチング速度となる条
件でエツチングを行って該ＳｉＣ膜を表出させる工程と
、その後、該ＳｉＣ膜上にＸ線吸収材料からなるマスク
・パターンを形成する工程とが含まれているか、の何れ
かの手段を採る。
前記手段を採ることに依り、本来、表面に凹凸が存在す
る多結晶或いは単結晶のＳｉＣ膜をメンブレンとして採
用したものでありながら、Ｘ線吸収材料からなるマスク
・パターンを形成すべき下地は鏡面のように平坦であり
、従って、形成されたマスク・パターンの精度は大変に
高く、また、パターン内にｘｂｉ吸収材料の残渣が存在
することは皆無である。
る多結晶或いは単結晶のＳｉＣ膜をメンブレンとして採
用したものでありながら、Ｘ線吸収材料からなるマスク
・パターンを形成すべき下地は鏡面のように平坦であり
、従って、形成されたマスク・パターンの精度は大変に
高く、また、パターン内にｘｂｉ吸収材料の残渣が存在
することは皆無である。
その１
（１） 温度を７００（’Ｃ）から１０００（’Ｃ）
とする高温ＣＶＤ法を適用することに依り、Ｓｉ半導体
基板上に厚さ例えば２ 〔μｍ〕程度のＳｉＣ膜を成長
させる。
とする高温ＣＶＤ法を適用することに依り、Ｓｉ半導体
基板上に厚さ例えば２ 〔μｍ〕程度のＳｉＣ膜を成長
させる。
この場合、
供給ガス： Ｓ ｉ ＨＣＩ１３或いはＳ ｉ Ｈ２Ｃ
１２十Ｃ３Ｈ８或いは０２Ｈ２ 希釈ガス二Ｈ２ とし、成長装置としては、コールド・ウオール型（誘導
加熱）或いはホット・ウオール（ランプ加熱）の何れで
も良い。
１２十Ｃ３Ｈ８或いは０２Ｈ２ 希釈ガス二Ｈ２ とし、成長装置としては、コールド・ウオール型（誘導
加熱）或いはホット・ウオール（ランプ加熱）の何れで
も良い。
このようにして得られたＳｉＣ膜に於ける平均のグレイ
ン・サイズは０．２〔μｍ〕前後であり、表面にも同程
度の荒れ、即ち、凹凸が存在する。
ン・サイズは０．２〔μｍ〕前後であり、表面にも同程
度の荒れ、即ち、凹凸が存在する。
（２）スピン・コート法を適用することに依り、厚さ例
えば０．５ 〔μｍ〕程度のノボラック系フォト・レジ
スト膜を形成して表面の平坦化を行う。
えば０．５ 〔μｍ〕程度のノボラック系フォト・レジ
スト膜を形成して表面の平坦化を行う。
（３）エツチング・ガスをｃｘ２＋ｃｃ１４の混合ガス
とするドライ・エツチング法を適用して等速エツチング
を行ってＳｉＣ膜の平坦化を行う。
とするドライ・エツチング法を適用して等速エツチング
を行ってＳｉＣ膜の平坦化を行う。
これでＳｉＣ膜の表面は荒れが０．０２Ｃμｍ〕程度以
下の鏡面になる。
下の鏡面になる。
前記のようにして鏡面仕上げしたＳｉＣ膜をメンブレン
とし、その上にＴａ膜からなるマスク・パターンを形成
したところ、線幅０．５ 〔μｍ〕以下、例えば、線幅
０．２〔μｍ〕程度のパターンで充分に高い精度が得ら
れ、また、Ｔａの残渣も存在しなかった。尚、ＴａをＷ
に代替しても同結果が得られる。
とし、その上にＴａ膜からなるマスク・パターンを形成
したところ、線幅０．５ 〔μｍ〕以下、例えば、線幅
０．２〔μｍ〕程度のパターンで充分に高い精度が得ら
れ、また、Ｔａの残渣も存在しなかった。尚、ＴａをＷ
に代替しても同結果が得られる。
その２
前記実施例その１の工程＋１）が終わった後、Ｓｉウェ
ハを鏡面研摩する際の技術を適用し、ＳｉＣ膜表面の機
械的研摩を行ったところ、実施例その１と同様な結果を
得ることができた。
ハを鏡面研摩する際の技術を適用し、ＳｉＣ膜表面の機
械的研摩を行ったところ、実施例その１と同様な結果を
得ることができた。
その３
第１図乃至第４図は本発明一実施例を解説する為の工程
要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図を表し、
以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図を表し、
以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
第１図参照
（１） （１）１）オフ・アクシスＳｉ基板１をコー
ルド・ウオールＣＶＤ装置にセットし、温度：１０００
（’Ｃ） 圧カニ２００〜４００ （Ｐａ） ガス： Ｓ ｉ ＨＣｌ ３ ／ Ｃ３Ｈ１３／ Ｈ２
として厚さ約２〔μｍ〕程度のＳｉＣ膜２を成長させる
。
ルド・ウオールＣＶＤ装置にセットし、温度：１０００
（’Ｃ） 圧カニ２００〜４００ （Ｐａ） ガス： Ｓ ｉ ＨＣｌ ３ ／ Ｃ３Ｈ１３／ Ｈ２
として厚さ約２〔μｍ〕程度のＳｉＣ膜２を成長させる
。
第２図参照
＋２）ＳｉＣ膜２を形成したＳｉ基板１をカソード・カ
ップル形式のプラズマ処理装置（ＣＶＤ装置或いはエツ
チング装置）内にセットし、温度：１００（’ｃ） ガス：Ａｒ／（１０（％）”）ＣＨ４）圧カニ０．１５
（Ｔｏｒｒ） 高周波比カニ０．３［Ｗ／口２〕 として処理すると、ＳｉＣ膜２の表面には、厚さ約０．
２〔μｍ〕程度のアモルファス炭素膜３が生成され、完
全に平坦化されて鏡面性は検出不可能な程度のレベルと
なった。
ップル形式のプラズマ処理装置（ＣＶＤ装置或いはエツ
チング装置）内にセットし、温度：１００（’ｃ） ガス：Ａｒ／（１０（％）”）ＣＨ４）圧カニ０．１５
（Ｔｏｒｒ） 高周波比カニ０．３［Ｗ／口２〕 として処理すると、ＳｉＣ膜２の表面には、厚さ約０．
２〔μｍ〕程度のアモルファス炭素膜３が生成され、完
全に平坦化されて鏡面性は検出不可能な程度のレベルと
なった。
この工程を現象の面で見ると、Ａｒイオンに依るエツチ
ングでＳｉＣ膜２の鏡面化が進行すると共にアモルファ
ス炭素が凹所に被着されて完全な平坦化が行われもので
ある。
ングでＳｉＣ膜２の鏡面化が進行すると共にアモルファ
ス炭素が凹所に被着されて完全な平坦化が行われもので
ある。
第３図参照
（３） Ｓｉ基板１の裏面に耐熱性高珪酸ガラス（例え
ばパイレックス：商標名）或いはＳｉＣセラミックから
なるリング４を接着する。
ばパイレックス：商標名）或いはＳｉＣセラミックから
なるリング４を接着する。
（４）Ｓｉ基板１の裏面からＳｉＣ膜２の裏面に達する
エツチングを行う。
エツチングを行う。
この工程を経ることに依ってＳｉ基板１は周辺のみリン
グ状に残る。図では、このＳｉリングを記号１′で指示
しである。
グ状に残る。図では、このＳｉリングを記号１′で指示
しである。
第４図参照
（５） 例えば、スパッタリング法を適用することに
依り、厚さが約１ 〔μｍ〕程度であるＴａ膜を形成す
る。
依り、厚さが約１ 〔μｍ〕程度であるＴａ膜を形成す
る。
（６） 電子ビーム・リソグラフィ技術を適用するこ
とに依り、Ｔａ膜のパターニングを行ってマスク・パタ
ーン５を形成する。
とに依り、Ｔａ膜のパターニングを行ってマスク・パタ
ーン５を形成する。
その４
前記実施例その３の工程＋１）が終わった後、Ｓｉ基板
１をＥＣＲ−ＣＶＤ装置内にセットし、温度：１００（
’Ｃ） ガフ！、：Ａｒ／（１０（％））ＣＨ４）圧カニ５Ｘｌ
Ｏ−’（Ｔｏｒｒ） 基板バイアス：１００（Ｖ〕以上 時間：２〜３〔分〕間 として処理すると、実施例その３と同じ結果を得ること
ができた。
１をＥＣＲ−ＣＶＤ装置内にセットし、温度：１００（
’Ｃ） ガフ！、：Ａｒ／（１０（％））ＣＨ４）圧カニ５Ｘｌ
Ｏ−’（Ｔｏｒｒ） 基板バイアス：１００（Ｖ〕以上 時間：２〜３〔分〕間 として処理すると、実施例その３と同じ結果を得ること
ができた。
前記実施例その３及びその４に於いて形成したアモルフ
ァス炭素膜の屈折率は２．６、光学的基礎吸収端は１．
８ （ｅＶ）であり、光学的及び放射線耐性には問題が
なく、また、ＨＦ／ＨＮＯ３或いはＫＯＨなどに対して
も安定であるからプロセス面での問題もない。
ァス炭素膜の屈折率は２．６、光学的基礎吸収端は１．
８ （ｅＶ）であり、光学的及び放射線耐性には問題が
なく、また、ＨＦ／ＨＮＯ３或いはＫＯＨなどに対して
も安定であるからプロセス面での問題もない。
その５
＋１） （１）１）オフ・アクシスＳｉ基板をコール
ド・ウオールＣＶＤ装置（誘導加熱）にセ・ノドし、 温度：８５０（’Ｃ）〜１０００（’Ｃ）圧カニ２（Ｔ
ｏｒｒ：１ ガス： Ｓ ｉ ＨＣＩｌ ３ ／ Ｃ３ＨＢ ／ Ｈ
２時間：８０〔分〕 として厚さ約２〔μｍ〕程度のＳｉＣ膜を成長させる。
ド・ウオールＣＶＤ装置（誘導加熱）にセ・ノドし、 温度：８５０（’Ｃ）〜１０００（’Ｃ）圧カニ２（Ｔ
ｏｒｒ：１ ガス： Ｓ ｉ ＨＣＩｌ ３ ／ Ｃ３ＨＢ ／ Ｈ
２時間：８０〔分〕 として厚さ約２〔μｍ〕程度のＳｉＣ膜を成長させる。
（２３ＳｉＣ膜を形成したＳｉ基板を反応性イオン・エ
ツチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｔｏｎ ｅｔｃｈｉ
ｎｇ：ＲＩＥ）装置内にセットし、スパッタリング・ガ
ス：Ａｒ 圧カニ０．１ （Ｔｏｒｒ） 放電比カニ２００（Ｗ） 時間：１０〔分〕 としてスパッタリング処理すると、ＳｉＣ膜の表面は、
完全に平坦化されて鏡面性は凹凸検出不可能な程度のレ
ベルとなった。
ツチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｔｏｎ ｅｔｃｈｉ
ｎｇ：ＲＩＥ）装置内にセットし、スパッタリング・ガ
ス：Ａｒ 圧カニ０．１ （Ｔｏｒｒ） 放電比カニ２００（Ｗ） 時間：１０〔分〕 としてスパッタリング処理すると、ＳｉＣ膜の表面は、
完全に平坦化されて鏡面性は凹凸検出不可能な程度のレ
ベルとなった。
（３）Ｓｉ基板の裏面に耐熱性高珪酸ガラスからなるリ
ングを接着する。
ングを接着する。
ｆ４）Ｓｉ基板の裏面からＳｉＣ膜の裏面に達するエツ
チングを行う。
チングを行う。
このエツチングは、例えば、ＨＦ ／ ＨＮ Ｏ３／
ＣＨ３ＣＯＯＨをエッチャントとするウェット・エツチ
ング法を適用して実施する。
ＣＨ３ＣＯＯＨをエッチャントとするウェット・エツチ
ング法を適用して実施する。
この工程を経ることに依ってＳｔ基板は周辺のみリング
状に残る。
状に残る。
（５） スパックリング法を適用することに依り、厚
さが約０．８ （μｍ） 〜１．２ （μｍ）程度
であるＴａ膜を形成する。
さが約０．８ （μｍ） 〜１．２ （μｍ）程度
であるＴａ膜を形成する。
（６）電子ビーム・リソグラフィ技術を適用することに
依り、Ｔａ膜のパターニングを行ってマスク・パターン
を形成する。尚、この場合のエツチングは、反応ガスを
Ｃａｘ ／ ＣＣ１４とするＲＩＥ法を通用して良い。
依り、Ｔａ膜のパターニングを行ってマスク・パターン
を形成する。尚、この場合のエツチングは、反応ガスを
Ｃａｘ ／ ＣＣ１４とするＲＩＥ法を通用して良い。
この実施例で採用している原理はスパッタリングの角度
依存性である。即ち、Ａｒなどのイオンが表面に入射し
、それに依ってスパッタリングが行われる場合、そのス
パッタリング・イールドはイオンの入射角度に依存して
変化する。入射角度が４５″のとき、そのスパッタリン
グ・イールドは最大限に達し、それを中心として対象的
に現象する。この現象を利用すれば、ピラミッド形状を
なすＳｉＣ膜表面の凹凸は、そのスパッタリング角度依
存性に起因して徐々に減少し、平坦化が可能になるので
ある。
依存性である。即ち、Ａｒなどのイオンが表面に入射し
、それに依ってスパッタリングが行われる場合、そのス
パッタリング・イールドはイオンの入射角度に依存して
変化する。入射角度が４５″のとき、そのスパッタリン
グ・イールドは最大限に達し、それを中心として対象的
に現象する。この現象を利用すれば、ピラミッド形状を
なすＳｉＣ膜表面の凹凸は、そのスパッタリング角度依
存性に起因して徐々に減少し、平坦化が可能になるので
ある。
第５図はエツチング・レートのスパッタリング角度依存
性を表す線図であり、横軸にスパッタリング角度を、縦
軸にエツチング・レートをそれぞれ採っである。
性を表す線図であり、横軸にスパッタリング角度を、縦
軸にエツチング・レートをそれぞれ採っである。
図示された特性線に依れば前記した現象を明瞭に看取す
ることができる。
ることができる。
その６
第６図及び第７図は本発明一実施例を解説する為の工程
要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図を表し、
以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、第１図乃
至第４図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか
或いは同じ意味を持つものとする。
要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図を表し、
以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、第１図乃
至第４図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか
或いは同じ意味を持つものとする。
第６図参照
（１）Ｓｉ基板１上に厚さ約２ （μｍ）程度のＳｉＣ
膜２を成長させる。
膜２を成長させる。
（２１ＳｉＣ膜２上にＳ ｉ Ｏ２或いは燐珪酸ガラス
（ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ：Ｐ
ｓＧ）或いはＳＯＧ （ｓｐ ｉｎ ｏｎｇｌａｓｓ
）などからなる層間膜６を厚さ例えば５００〔人） 〜
２．Ｏ（μｍ）程度の範囲で形成する。尚、この眉間膜
６の形成は、成長或いは塗布の何れに依っても良く、ま
た、必要に応じてベーキングを行って良い。
（ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ：Ｐ
ｓＧ）或いはＳＯＧ （ｓｐ ｉｎ ｏｎｇｌａｓｓ
）などからなる層間膜６を厚さ例えば５００〔人） 〜
２．Ｏ（μｍ）程度の範囲で形成する。尚、この眉間膜
６の形成は、成長或いは塗布の何れに依っても良く、ま
た、必要に応じてベーキングを行って良い。
（３）Ｓｉ基板１の裏面に耐熱性高珪酸ガラス（例えば
パイレックス：商標名）或いはＳｉＣセラミンクからな
るリング４を接着する。
パイレックス：商標名）或いはＳｉＣセラミンクからな
るリング４を接着する。
（４）Ｓｉ基板１の裏面からＳｉＣ膜２の裏面に達する
エツチングを行って、Ｓｉ基板１をリング状にする。
エツチングを行って、Ｓｉ基板１をリング状にする。
＜５１ＲＩＢ法を適用することに依り、層間膜６に於け
る表面から深さ方向に一部、或いは、全部をエツチング
して除去する。尚、図では、一部を除去した場合を表し
である。
る表面から深さ方向に一部、或いは、全部をエツチング
して除去する。尚、図では、一部を除去した場合を表し
である。
このエツチングに依って、リング４の接着工程などで表
面に付着した不要な粒子（塵）はリフト・オフされてし
まう。
面に付着した不要な粒子（塵）はリフト・オフされてし
まう。
（６） スパッタリング法を適用することに依り、厚
さが約１．０ 〔μｍ〕程度であるＴａ膜５′を形成す
る。
さが約１．０ 〔μｍ〕程度であるＴａ膜５′を形成す
る。
第７図参照
（７） 電子ビーム・リソグラフィ技術を適用するこ
とに依り、Ｔａ膜のパターニングを行ってマスク・パタ
ーン５を形成する。
とに依り、Ｔａ膜のパターニングを行ってマスク・パタ
ーン５を形成する。
また、図示例では、層間膜４の一部が残っているので、
マスク・パターン５をマスクにしてエツチングを行い、
マスク・パターン５と同じパターンにする。
マスク・パターン５をマスクにしてエツチングを行い、
マスク・パターン５と同じパターンにする。
この実施例に依ると、ＳｉＣ膜２を形成した段階で、そ
の表面はＳ ｉ０２膜などの層間Ｍ６で保護されるから
、リング４の接着工程などで被着されて後の加工に悪影
響を及ぼす粒子などは眉間膜６のエツチングで除去され
てしまい、後に形成されるＴａからなるマスク・パター
ンの精度を向上させるのに有効であり、また、層間膜６
にＳＯＧなどを用いた場合には、ＳｉＣ膜２の凹凸を除
去する効果もある。
の表面はＳ ｉ０２膜などの層間Ｍ６で保護されるから
、リング４の接着工程などで被着されて後の加工に悪影
響を及ぼす粒子などは眉間膜６のエツチングで除去され
てしまい、後に形成されるＴａからなるマスク・パター
ンの精度を向上させるのに有効であり、また、層間膜６
にＳＯＧなどを用いた場合には、ＳｉＣ膜２の凹凸を除
去する効果もある。
その７
第８図乃至第１２図は本発明一実施例を解説する為の工
程要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図を表し
、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
程要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図を表し
、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
第８図参照
（１）Ｓｉ基板１をコールド・ウオールＣＶＤ装置にセ
ットし、 温度：１０００（’ｃ） 圧カニ２００〜４００ （Ｐａ） ガス： Ｓ ｉ ＨＣ１ｓ ／ Ｃ３Ｈｅ ／ Ｈ２と
して厚さ約２〔μｍ〕程度のβ−３ｔＣ膜２を成長させ
る。
ットし、 温度：１０００（’ｃ） 圧カニ２００〜４００ （Ｐａ） ガス： Ｓ ｉ ＨＣ１ｓ ／ Ｃ３Ｈｅ ／ Ｈ２と
して厚さ約２〔μｍ〕程度のβ−３ｔＣ膜２を成長させ
る。
第９図参照
（２１ＣＶＤ法を適用することに依り、８重量〔％〕Ｐ
のＰＳＧ膜７を厚さ例えば０．５ （μｒｎ）程度に成
長させる。
のＰＳＧ膜７を厚さ例えば０．５ （μｒｎ）程度に成
長させる。
ここで形成したＰＳＧ膜７は４重量〔％〕Ｂ及び５重量
計％〕Ｐの硼珪酸ガラス（ｂｏｒ。
計％〕Ｐの硼珪酸ガラス（ｂｏｒ。
ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ：ＢＰ
ＳＧ）に代替することができる。
ＳＧ）に代替することができる。
（３）窒素雰囲気中で温度９００（’Ｃ）〜１０５０Ｃ
”Ｃ）程度として熱処理し、ＰＳＧ膜７の溶融軟化を行
う。
”Ｃ）程度として熱処理し、ＰＳＧ膜７の溶融軟化を行
う。
この処理に依って、ＳｉＣ膜２の表面に存在する約０．
１〔μｍ〕程度の凹凸は、ＰＳＧ膜７の表面では完全に
補償されて鏡面となる。
１〔μｍ〕程度の凹凸は、ＰＳＧ膜７の表面では完全に
補償されて鏡面となる。
第１０図参照
（４１Ｓｉ基板ｌの裏面に例えばセラミックからなるリ
ング４を例えばエポキシ樹脂などを用いて接着する。
ング４を例えばエポキシ樹脂などを用いて接着する。
第１）図参照
（５） エッチャントを例えばＨＦ ／ ＨＮ Ｏ３
／ ＣＨ５００Ｈ混合液とするウェット・エツチング法
を適用することに依り、メンブレンとして作用する領域
に於けるＳｉ基板１の裏面からＳｉＣ膜２の裏面に達す
るエツチングを行う。尚、この加工を行うに際しては、
表面が前記エッチャントで侵されないように保護膜を形
成しておく必要がある。
／ ＣＨ５００Ｈ混合液とするウェット・エツチング法
を適用することに依り、メンブレンとして作用する領域
に於けるＳｉ基板１の裏面からＳｉＣ膜２の裏面に達す
るエツチングを行う。尚、この加工を行うに際しては、
表面が前記エッチャントで侵されないように保護膜を形
成しておく必要がある。
この工程を経ることに依ってＳｉ基板１は周辺のみリン
グ状に残る。図では、このＳｔリングを記号１′で指示
しである。
グ状に残る。図では、このＳｔリングを記号１′で指示
しである。
第１２図参照
（６） スパッタリング法を適用することに依り、Ｐ
ＳＧ膜７の上に厚さが約１ 〔μｍ〕程度であるＴａ膜
を形成する。
ＳＧ膜７の上に厚さが約１ 〔μｍ〕程度であるＴａ膜
を形成する。
（７）電子ビーム・リソグラフィ技術を適用することに
依り、Ｔａ膜のバターニングを行ってマスク・パターン
５を形成する。
依り、Ｔａ膜のバターニングを行ってマスク・パターン
５を形成する。
この場合、レジストとして、通常の電子線レジスト、例
えばポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ
ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ： ＰＭＭＡ）を、また、Ｔ
ａのエツチングを行うにはＣｌ ２ ／ ＣＣｌ ４を
エツチング・ガスとするＲＩＥ法を適用して良い。
えばポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ
ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ： ＰＭＭＡ）を、また、Ｔ
ａのエツチングを行うにはＣｌ ２ ／ ＣＣｌ ４を
エツチング・ガスとするＲＩＥ法を適用して良い。
その８
（１） 実施例その７に於ける工程（４）の後、エツ
チング・ガスをＣＦ４＋０２とするＲＩＥ法を適用する
ことに依り、ＰＳＧとＳｉＣとの同エツチング速度条件
でエッチ・バックを行い、ＰＳＧ膜７を除去すると共に
ＳｉＣ膜２の表面に於ける凹凸も除去して鏡面にする。
チング・ガスをＣＦ４＋０２とするＲＩＥ法を適用する
ことに依り、ＰＳＧとＳｉＣとの同エツチング速度条件
でエッチ・バックを行い、ＰＳＧ膜７を除去すると共に
ＳｉＣ膜２の表面に於ける凹凸も除去して鏡面にする。
前記実施例その７及びその８に依っても、他の実施例と
同じ効果が得られる。
同じ効果が得られる。
本発明に依るＸ線露光マスクの製造方法に於いては、メ
ンブレンとなる多結晶又は単結晶のＳｉＣ膜を成長させ
る工程と、次いで、有機物質膜を形成してからエッチ・
バックする、或いは、鏡面研摩する、或いは、不活性ガ
スでエツチングしつつアモルファス炭素膜を形成する、
或いは、スパッタリングを行う、或いは、ガラス膜を形
成し、そして、シリコン基板の裏面にリングを接着して
から該ガラス膜をエツチングして除去する、或いは、低
融点ガラス膜を形成し且つその溶融軟化を行う、或いは
、前記溶融軟化後の低融点ガラス膜とＳｉＣ膜とが同エ
ツチング速度になる条件でエツチングを行う等して平坦
化を行う工程と、その後、Ｘ線吸収材料からなるマスク
・パターンを形成する工程が含まれている。
ンブレンとなる多結晶又は単結晶のＳｉＣ膜を成長させ
る工程と、次いで、有機物質膜を形成してからエッチ・
バックする、或いは、鏡面研摩する、或いは、不活性ガ
スでエツチングしつつアモルファス炭素膜を形成する、
或いは、スパッタリングを行う、或いは、ガラス膜を形
成し、そして、シリコン基板の裏面にリングを接着して
から該ガラス膜をエツチングして除去する、或いは、低
融点ガラス膜を形成し且つその溶融軟化を行う、或いは
、前記溶融軟化後の低融点ガラス膜とＳｉＣ膜とが同エ
ツチング速度になる条件でエツチングを行う等して平坦
化を行う工程と、その後、Ｘ線吸収材料からなるマスク
・パターンを形成する工程が含まれている。
前記構成を採ることに依り、本来、表面に凹凸が存在す
る多結晶或いは単結晶のＳｉＣ膜をメンブレンとして採
用したものでありながら、Ｘ、ｖｌ吸収材料からなるマ
スク・パターンを形成すべき下地は鏡面のように平坦で
あり、従って、形成されたマスク・パターンの精度は大
変に高く、また、パターン内にＸｖＡ吸収材料の残渣が
存在することは皆無である。
る多結晶或いは単結晶のＳｉＣ膜をメンブレンとして採
用したものでありながら、Ｘ、ｖｌ吸収材料からなるマ
スク・パターンを形成すべき下地は鏡面のように平坦で
あり、従って、形成されたマスク・パターンの精度は大
変に高く、また、パターン内にＸｖＡ吸収材料の残渣が
存在することは皆無である。
第１図乃至第４図は本発明一実施例を説明する為の工程
要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図、第５図
はエツチング・レートのスパッタリング角度依存性を説
明する為の線図、第６図及び第７図は本発明一実施例を
説明する為の工程要所に於けるＸ線露光マスクの要部切
断側面図、第８図乃至第１２図は本発明一実施例を説明
する為の工程要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側
面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はＳｉ基板、２はＳｉＣ膜、３はアモル
ファス炭素膜、４はリング、５はマスク・パターン、５
′はＴａ膜、６は層間膜、７はＰＳＧ膜をそれぞれ示し
ている。 特許出願人 冨士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − Ｘ線露光マスクの要部切断側面図 Ｘ線露光マスクの要部切断側面図 Ｘ線露光マスクの要部切断側面図 第２図 第４図 ３゜ 、１．５ ６０ ７５ スパッタリング角度〔度〕 エツチングルートのスパッタリング角度依存性を説明す
る為の線図 第５図 第６図 第７図
要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図、第５図
はエツチング・レートのスパッタリング角度依存性を説
明する為の線図、第６図及び第７図は本発明一実施例を
説明する為の工程要所に於けるＸ線露光マスクの要部切
断側面図、第８図乃至第１２図は本発明一実施例を説明
する為の工程要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側
面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はＳｉ基板、２はＳｉＣ膜、３はアモル
ファス炭素膜、４はリング、５はマスク・パターン、５
′はＴａ膜、６は層間膜、７はＰＳＧ膜をそれぞれ示し
ている。 特許出願人 冨士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − Ｘ線露光マスクの要部切断側面図 Ｘ線露光マスクの要部切断側面図 Ｘ線露光マスクの要部切断側面図 第２図 第４図 ３゜ 、１．５ ６０ ７５ スパッタリング角度〔度〕 エツチングルートのスパッタリング角度依存性を説明す
る為の線図 第５図 第６図 第７図
Claims (7)
- （１）シリコン基板上にメンブレンとなる多結晶成いは
単結晶のＳｉＣ膜を成長させる工程と、次いで、該Ｓｉ
Ｃ膜上に有機物質膜を形成して平坦化する工程と、 次いで、該有機物質膜の表面から全面エッチングを行っ
てＳｉＣ膜の表面を平坦化する工程と、 その後、該ＳｉＣ膜上にＸ線吸収材料からなるマスク・
パターンを形成する工程と が含まれてなることを特徴とするＸ線露光マスクの製造
方法。 - （２）シリコン基板上にメンブレンとなる多結晶或いは
単結晶のＳｉＣ膜を成長させる工程と、次いで、該Ｓｉ
Ｃ膜の表面を鏡面研摩して平坦化する工程と、 その後、該ＳｉＣ膜上にＸ線吸収材料からなるマスク・
パターンを形成する工程と が含まれてなることを特徴とするＸ線露光マスクの製造
方法。 - （３）シリコン基板上にメンブレンとなる多結晶或いは
単結晶のＳｉＣ膜を成長させる工程と、次いで、不活性
ガスと炭化水素との混合ガスを用いプラズマ処理を行っ
て前記ＳｉＣ膜表面のエッチングを行いつつアモルファ
ス炭素膜を成長させ平坦化する工程と、 その後、該アモルファス炭素膜上にＸ線吸収材料からな
るマスク・パターンを形成する工程と が含まれてなることを特徴とするＸ線露光マスクの製造
方法。 - （４）シリコン基板上にメンブレンとなる多結晶或いは
単結晶のＳｉＣ膜を成長させる工程と、次いで、該Ｓｉ
Ｃ膜表面のスパッタリングを行って平坦化する工程と、 その後、該ＳｉＣ膜上にＸ線吸収材料からなるマスク・
パターンを形成する工程と が含まれてなることを特徴とするＸ線露光マスクの製造
方法。 - （５）シリコン基板上にメンブレンとなる多結晶或いは
単結晶のＳｉＣ膜を成長させる工程と、次いで、該Ｓｉ
Ｃ膜上にガラス膜を形成する工程と、 次いで、シリコン基板の裏面にリングを接着する工程と
、 次いで、前記ＳｉＣ膜上のガラス膜をエッチングし前記
リングを接着する工程などで被着された表面の粒子をリ
フト・オフして平坦化する工程と、 その後、前記ＳｉＣ膜上にＸ線吸収材料からなるマスク
・パターンを形成する工程と が含まれてなることを特徴とするＸ線露光マスクの製造
方法。 - （６）シリコン基板上にメンブレンとなる多結晶或いは
単結晶のＳｉＣ膜を成長させる工程と、次いで、該Ｓｉ
Ｃ膜上に低融点ガラス膜を形成する工程と、 次いで、熱処理を加え前記低融点ガラス膜を溶融軟化さ
せて表面を平坦化する工程と、 その後、該低融点ガラス膜上にＸ線吸収材料からなるマ
スク・パターンを形成する工程とが含まれてなることを
特徴とするＸ線露光マスクの製造方法。 - （７）シリコン基板上にメンブレンとなる多結晶或いは
単結晶のＳｉＣ膜を成長させる工程と、次いで、該Ｓｉ
Ｃ膜上に低融点ガラス膜を形成する工程と、 次いで、熱処理を加え前記低融点ガラス膜を溶融軟化さ
せて表面を平坦化する工程と、 次いで、該低融点ガラス膜と前記ＳｉＣ膜とが同エッチ
ング速度となる条件でエッチングを行って該ＳｉＣ膜を
表出させる工程と、 その後、該ＳｉＣ膜上にＸ線吸収材料からなるマスク・
パターンを形成する工程と が含まれてなることを特徴とするＸ線露光マスクの製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1007751A JPH0775219B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
| US07/466,939 US5178977A (en) | 1989-01-18 | 1990-01-18 | Manufacturing method of an X-ray exposure mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1007751A JPH0775219B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02188909A true JPH02188909A (ja) | 1990-07-25 |
| JPH0775219B2 JPH0775219B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=11674400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1007751A Expired - Fee Related JPH0775219B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5178977A (ja) |
| JP (1) | JPH0775219B2 (ja) |
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- 1989-01-18 JP JP1007751A patent/JPH0775219B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04299514A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5178977A (en) | 1993-01-12 |
| JPH0775219B2 (ja) | 1995-08-09 |
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