JPH04299516A - レジスト除去装置 - Google Patents
レジスト除去装置Info
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- JPH04299516A JPH04299516A JP3064157A JP6415791A JPH04299516A JP H04299516 A JPH04299516 A JP H04299516A JP 3064157 A JP3064157 A JP 3064157A JP 6415791 A JP6415791 A JP 6415791A JP H04299516 A JPH04299516 A JP H04299516A
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- resist
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- oxygen gas
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を形成する
際にウエハ上のレジストをエッチングするのに用いられ
るレジスト除去装置に関するものである。
際にウエハ上のレジストをエッチングするのに用いられ
るレジスト除去装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レジスト除去装置としては、図４に示す
装置が知られている。図４において、１１は真空チャン
バー、１２はガス導入口、１３はガス排出口、１４は試
料保持台、１５は高周波電極、１６は高周波電源である
。そして、真空チャンバー１１内を真空にし、ガス導入
口１２より酸素ガスｇを導入し、高周波電極１５に高周
波を印加することにより、チャンバー１１内に酸素プラ
ズマを発生させ、試料保持台１４上のウエハａに被覆形
成したレジストをエッチングしている。
装置が知られている。図４において、１１は真空チャン
バー、１２はガス導入口、１３はガス排出口、１４は試
料保持台、１５は高周波電極、１６は高周波電源である
。そして、真空チャンバー１１内を真空にし、ガス導入
口１２より酸素ガスｇを導入し、高周波電極１５に高周
波を印加することにより、チャンバー１１内に酸素プラ
ズマを発生させ、試料保持台１４上のウエハａに被覆形
成したレジストをエッチングしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記従来の装置
によれば、ウエハａがプラズマに直接曝されて、半導体
素子等にダメージを与えるという問題があった。
によれば、ウエハａがプラズマに直接曝されて、半導体
素子等にダメージを与えるという問題があった。
【０００４】本発明はウエハ等の被処理物がプラズマに
直接曝される時間を皆無ないしは極めて短時間のものと
して半導体素子等にダメージを与えることなく、能率良
くレジスト除去処理が行える装置を提供することを目的
とする。
直接曝される時間を皆無ないしは極めて短時間のものと
して半導体素子等にダメージを与えることなく、能率良
くレジスト除去処理が行える装置を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願の第１発明のレジス
ト除去装置は、真空チャンバーと、真空チャンバー内に
配され２００℃以上の温度に保たれる試料保持台と、酸
素ガス又は酸素ガスを主成分とするガスを試料保持台上
の被処理物に吹きつけるガス供給手段とを備えたことを
特徴とする。
ト除去装置は、真空チャンバーと、真空チャンバー内に
配され２００℃以上の温度に保たれる試料保持台と、酸
素ガス又は酸素ガスを主成分とするガスを試料保持台上
の被処理物に吹きつけるガス供給手段とを備えたことを
特徴とする。
【０００６】本願の第２発明のレジスト除去装置は、第
１発明の構成に加え、放電時間が放電停止時間に比較し
て僅少である高周波放電装置を備えたことを特徴とする
。
１発明の構成に加え、放電時間が放電停止時間に比較し
て僅少である高周波放電装置を備えたことを特徴とする
。
【０００７】本願の第３発明のレジスト除去装置は、真
空チャンバーと、真空チャンバー内に配された試料保持
台と、酸素ガス又は酸素ガスを主成分とするガスを試料
保持台上の被処理物に吹きつけるガス供給手段と、間欠
的に放電する高周波放電装置と、放電中は前記被処理物
を遮蔽し、放電停止中は前記被処理物を開放するシャッ
ターとを備えたことを特徴とする。
空チャンバーと、真空チャンバー内に配された試料保持
台と、酸素ガス又は酸素ガスを主成分とするガスを試料
保持台上の被処理物に吹きつけるガス供給手段と、間欠
的に放電する高周波放電装置と、放電中は前記被処理物
を遮蔽し、放電停止中は前記被処理物を開放するシャッ
ターとを備えたことを特徴とする。
【０００８】本願の第４発明のレジスト除去装置は、第
３発明において、試料保持台が２００℃以上の温度に保
たれたものであることを特徴とする。
３発明において、試料保持台が２００℃以上の温度に保
たれたものであることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本願の第１発明によれば、試料保持台を２００
℃以上の温度に保ち、真空状態において酸素ガス又は酸
素ガスを主成分とするガスを吹きつけるだけで、プラズ
マを発生させることなく、レジスト除去処理が可能とな
る。
℃以上の温度に保ち、真空状態において酸素ガス又は酸
素ガスを主成分とするガスを吹きつけるだけで、プラズ
マを発生させることなく、レジスト除去処理が可能とな
る。
【００１０】本願の第２発明によれば、第１発明の作用
に、僅少時間高周波放電を行うという作用を加えるだけ
で、より高能率にレジスト除去が可能となる。その際の
被処理物がプラズマに曝される時間が僅少であるので、
被処理物の受けるダメージはほとんどない。
に、僅少時間高周波放電を行うという作用を加えるだけ
で、より高能率にレジスト除去が可能となる。その際の
被処理物がプラズマに曝される時間が僅少であるので、
被処理物の受けるダメージはほとんどない。
【００１１】本願の第３発明によれば、高周波放電を断
続的に行い、高周波放電を被処理物に直接曝さない状態
で、真空状態において酸素ガス又は酸素ガスを主成分と
するガスを吹きつけることにより、第１発明、第２発明
より更に高能率でレジスト除去処理を行うことができる
。その際被処理物はシャッターによってプラズマに直接
曝されるのを防止され、被処理物の受けるダメージを軽
減することができる。
続的に行い、高周波放電を被処理物に直接曝さない状態
で、真空状態において酸素ガス又は酸素ガスを主成分と
するガスを吹きつけることにより、第１発明、第２発明
より更に高能率でレジスト除去処理を行うことができる
。その際被処理物はシャッターによってプラズマに直接
曝されるのを防止され、被処理物の受けるダメージを軽
減することができる。
【００１２】本願の第４発明によれば、第３発明におい
て試料保持台を２００℃以上とすることにより、それ未
満の温度の場合に比較し、格段に高能率にレジスト除去
処理を行うことができる。
て試料保持台を２００℃以上とすることにより、それ未
満の温度の場合に比較し、格段に高能率にレジスト除去
処理を行うことができる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の第１実施例に係るレジスト除
去装置を示している。
去装置を示している。
【００１４】図１において、１は真空チャンバー、２は
真空チャンバー１の頂部に設けたガス導入口、３は真空
チャンバー１の底部に設けたガス排出口、４は真空チャ
ンバー１内に配した試料保持台、５は試料保持台４を加
熱するヒータ、６は試料保持台４の温度を調整するため
のヒータコントロール装置である。Ａはレジストが表面
に堆積形成してある被処理物（ウエハ等）であって、試
料保持台４上に載置される。ガス導入口２からは酸素ガ
ス又は酸素ガスが主成分のガスＧが真空チャンバー１内
に導入される。ガス導入口２は、試料保持台４上の被処
理物ＡにガスＧが垂直に供給されるように、その方向が
定められている。ガス排出口３は真空ポンプ（図示省略
）に接続されている。
真空チャンバー１の頂部に設けたガス導入口、３は真空
チャンバー１の底部に設けたガス排出口、４は真空チャ
ンバー１内に配した試料保持台、５は試料保持台４を加
熱するヒータ、６は試料保持台４の温度を調整するため
のヒータコントロール装置である。Ａはレジストが表面
に堆積形成してある被処理物（ウエハ等）であって、試
料保持台４上に載置される。ガス導入口２からは酸素ガ
ス又は酸素ガスが主成分のガスＧが真空チャンバー１内
に導入される。ガス導入口２は、試料保持台４上の被処
理物ＡにガスＧが垂直に供給されるように、その方向が
定められている。ガス排出口３は真空ポンプ（図示省略
）に接続されている。
【００１５】上記装置を用いて、次のような条件下でレ
ジスト処理を行った。すなわち、試料保持台４を２００
℃の一定温度とし、ガス導入口２から酸素ガスＧを１０
０ｃｍ３ 導入し、真空チャンバー１内の圧力を３００
ｍＴｏｒｒとした。被処理物Ａとしてはレジストが１μ
ｍ塗布されたウエハが用いられた。
ジスト処理を行った。すなわち、試料保持台４を２００
℃の一定温度とし、ガス導入口２から酸素ガスＧを１０
０ｃｍ３ 導入し、真空チャンバー１内の圧力を３００
ｍＴｏｒｒとした。被処理物Ａとしてはレジストが１μ
ｍ塗布されたウエハが用いられた。
【００１６】上記の条件でレジスト除去処理を行った結
果、レジストは毎分５０Åで除去された。
果、レジストは毎分５０Åで除去された。
【００１７】次に、試料保持台４を２５０℃の一定温度
とし、他の条件は同一として、レジスト除去処理を行っ
た結果、レジストは毎分７０Åで除去された。
とし、他の条件は同一として、レジスト除去処理を行っ
た結果、レジストは毎分７０Åで除去された。
【００１８】更に、試料保持台４を１５０℃の一定温度
とし、他の条件は同一として、レジスト除去処理を行っ
たが、レジストはほとんど除去されなかった。
とし、他の条件は同一として、レジスト除去処理を行っ
たが、レジストはほとんど除去されなかった。
【００１９】以上のことから、試料保持台４を２００℃
以上の温度に保ち、真空状態において酸素ガスＧを吹き
つけるだけでレジスト除去が可能であることが判明した
。
以上の温度に保ち、真空状態において酸素ガスＧを吹き
つけるだけでレジスト除去が可能であることが判明した
。
【００２０】図２は本発明の第２実施例に係るレジスト
除去装置を示している。
除去装置を示している。
【００２１】この第２実施例は、真空チャンバー１の上
部に１３．５６ＭＨｚの高周波を印加する電極７を備え
ているが、他の構成は第１実施例と同様の構成となって
いる（図２に共通符号を付し、説明を省略する。）。
部に１３．５６ＭＨｚの高周波を印加する電極７を備え
ているが、他の構成は第１実施例と同様の構成となって
いる（図２に共通符号を付し、説明を省略する。）。
【００２２】この第２実施例に示す装置を用いて、試料
保持台４を２００℃の一定温度とし、ガス導入口２から
酸素ガスＧを１００ｃｍ３ 導入し、真空チャンバー１
内の圧力を３００ｍＴｏｒｒとし、かつ電極７に対し高
周波電力２００Ｗを印加して１秒管放電させた後、３０
秒間放電を停止する動作を繰返して行うことによるレジ
スト除去処理を行った。その結果、レジストが１μｍ塗
布されたウエハ（被処理物）Ａに対して、レジストは毎
分１５０Åで除去された。
保持台４を２００℃の一定温度とし、ガス導入口２から
酸素ガスＧを１００ｃｍ３ 導入し、真空チャンバー１
内の圧力を３００ｍＴｏｒｒとし、かつ電極７に対し高
周波電力２００Ｗを印加して１秒管放電させた後、３０
秒間放電を停止する動作を繰返して行うことによるレジ
スト除去処理を行った。その結果、レジストが１μｍ塗
布されたウエハ（被処理物）Ａに対して、レジストは毎
分１５０Åで除去された。
【００２３】次に、試料保持台４を２５０℃の一定温度
とし、他の条件は同一として、レジスト除去処理を行っ
た結果、レジストは毎分２００Åで除去された。
とし、他の条件は同一として、レジスト除去処理を行っ
た結果、レジストは毎分２００Åで除去された。
【００２４】ところが、試料保持台４を１５０℃の一定
温度とし、他の条件は同一として、レジスト除去処理を
行った結果、レジストは毎分２０Åで除去されるにとど
まり、レジスト処理速度が急激に低下することが認めら
れた。
温度とし、他の条件は同一として、レジスト除去処理を
行った結果、レジストは毎分２０Åで除去されるにとど
まり、レジスト処理速度が急激に低下することが認めら
れた。
【００２５】以上のことから、試料保持台４を２００℃
以上の温度に保ち、真空状態において酸素ガスＧを吹き
つけ、かつ極めて短時間の高周波放電を行うことにより
、第１実施例の場合より高能率でレジスト除去処理を行
うことができることが判明した。
以上の温度に保ち、真空状態において酸素ガスＧを吹き
つけ、かつ極めて短時間の高周波放電を行うことにより
、第１実施例の場合より高能率でレジスト除去処理を行
うことができることが判明した。
【００２６】又試料保持台４の温度が低温（上記の場合
１５０℃）であると、高周波放電を加えても、レジスト
除去処理を能率良く行うことができないことが判明した
。
１５０℃）であると、高周波放電を加えても、レジスト
除去処理を能率良く行うことができないことが判明した
。
【００２７】図３は本発明の第３実施例に係るレジスト
除去装置を示している。
除去装置を示している。
【００２８】この第３実施例は、ガス導入口２と試料保
持台４との間に、放電中は被処理物Ａを覆って放電をさ
えぎり、放電停止中は開放状態となって被処理物Ａにガ
スＧの流れが垂直に照射されるように動作するシャッタ
ー８を備えているが、他の構成は第２実施例と基本的に
は同一の構成となっている（図３に共通符号を付し、説
明を省略する。）。前記シャッター８は、例えば回転軸
８ａの回動により、遮蔽位置と非遮蔽位置のいずれかを
とるように構成することができる。
持台４との間に、放電中は被処理物Ａを覆って放電をさ
えぎり、放電停止中は開放状態となって被処理物Ａにガ
スＧの流れが垂直に照射されるように動作するシャッタ
ー８を備えているが、他の構成は第２実施例と基本的に
は同一の構成となっている（図３に共通符号を付し、説
明を省略する。）。前記シャッター８は、例えば回転軸
８ａの回動により、遮蔽位置と非遮蔽位置のいずれかを
とるように構成することができる。
【００２９】この第３実施例に示す装置を用いて、試料
保持台４を２００℃の一定温度とし、ガス導入口２から
酸素ガスＧを１００ｃｍ３ 導入し、真空チャンバー１
内の圧力を３００ｍＴｏｒｒとし、かつ電極７に対し高
周波電力２００Ｗを印加して５秒間放電させた後、５秒
間放電を停止する動作を繰返して行うことによるレジス
ト除去処理を行った。その際シャッター８は放電中は被
処理物Ａの表面を覆い、放電停止中は被処理物Ａの表面
を開放した。
保持台４を２００℃の一定温度とし、ガス導入口２から
酸素ガスＧを１００ｃｍ３ 導入し、真空チャンバー１
内の圧力を３００ｍＴｏｒｒとし、かつ電極７に対し高
周波電力２００Ｗを印加して５秒間放電させた後、５秒
間放電を停止する動作を繰返して行うことによるレジス
ト除去処理を行った。その際シャッター８は放電中は被
処理物Ａの表面を覆い、放電停止中は被処理物Ａの表面
を開放した。
【００３０】その結果、レジストが１μｍ塗布されたウ
エハ（被処理物）Ａに対して、レジストは毎分３０００
Åで除去された。
エハ（被処理物）Ａに対して、レジストは毎分３０００
Åで除去された。
【００３１】次に、試料保持台４を２５０℃の一定温度
とし、他の条件は同一として、レジスト除去処理を行っ
た結果、レジストは毎分３５００Åで除去された。
とし、他の条件は同一として、レジスト除去処理を行っ
た結果、レジストは毎分３５００Åで除去された。
【００３２】更に、試料保持台４を１５０℃の一定温度
とし、他の条件は同一として、レジスト除去処理を行っ
た結果、レジストは毎分８００Åで除去された。
とし、他の条件は同一として、レジスト除去処理を行っ
た結果、レジストは毎分８００Åで除去された。
【００３３】以上のことから、高周波放電を断続的に行
い、シャッター８によって高周波放電を被処理物Ａに直
接曝さない状態で、真空状態において酸素ガスＧを吹き
つけることにより、第１実施例及び第２実施例の場合よ
り高能率でレジスト除去処理を行うことができることが
判明した。しかも試料保持台４を２００℃以上の温度に
保つと、低温の場合に比較して格段にレジスト処理能率
が高いことが分かった。
い、シャッター８によって高周波放電を被処理物Ａに直
接曝さない状態で、真空状態において酸素ガスＧを吹き
つけることにより、第１実施例及び第２実施例の場合よ
り高能率でレジスト除去処理を行うことができることが
判明した。しかも試料保持台４を２００℃以上の温度に
保つと、低温の場合に比較して格段にレジスト処理能率
が高いことが分かった。
【００３４】
【発明の効果】本願の第１発明によれば、酸素プラズマ
を発生させることなくレジスト除去処理が可能となり、
被処理物の半導体素子等にダメージを与えることが全く
ないという効果を奏する。
を発生させることなくレジスト除去処理が可能となり、
被処理物の半導体素子等にダメージを与えることが全く
ないという効果を奏する。
【００３５】本願の第２発明によれば、第１発明より高
能率にレジスト除去処理が可能となり、被処理物の半導
体素子等にダメージを与えることもほとんどないという
効果を奏する。
能率にレジスト除去処理が可能となり、被処理物の半導
体素子等にダメージを与えることもほとんどないという
効果を奏する。
【００３６】本願の第３発明によれば、第１発明及び第
２発明より高能率にレジスト除去処理が可能となり、被
処理物の半導体素子等に与えるダメージもほとんどない
という効果を奏する。
２発明より高能率にレジスト除去処理が可能となり、被
処理物の半導体素子等に与えるダメージもほとんどない
という効果を奏する。
【００３７】本願の第４発明によれば、最も効率良くレ
ジスト除去処理が可能となり、被処理物の半導体素子等
に与えるダメージもほとんどないという効果を奏する。
ジスト除去処理が可能となり、被処理物の半導体素子等
に与えるダメージもほとんどないという効果を奏する。
【図１】本発明の第１実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の第３実施例を示す断面図である。
【図４】従来例を示す断面図である。
１ 真空チャンバー
２ ガス導入口
３ ガス排出口
４ 試料保持台
５ ヒータ
６ ヒータコントロール装置
７ 高周波電極
８ シャッター
Ａ 被処理物
Ｇ ガス
Claims (4)
- 【請求項１】 真空チャンバーと、真空チャンバー内
に配され２００℃以上の温度に保たれる試料保持台と、
酸素ガス又は酸素ガスを主成分とするガスを試料保持台
上の被処理物に吹きつけるガス供給手段とを備えたレジ
スト除去装置。 - 【請求項２】 放電時間が放電停止時間に比較して僅
少である高周波放電装置を備えた請求項１記載のレジス
ト除去装置。 - 【請求項３】 真空チャンバーと、真空チャンバー内
に配された試料保持台と、酸素ガス又は酸素ガスを主成
分とするガスを試料保持台上の被処理物に吹きつけるガ
ス供給手段と、間欠的に放電する高周波放電装置と、放
電中は前記被処理物を遮蔽し、放電停止中は前記被処理
物を開放するシャッターとを備えたレジスト除去装置。 - 【請求項４】 試料保持台が２００℃以上の温度に保
たれたものである請求項３記載のレジスト除去装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064157A JPH04299516A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | レジスト除去装置 |
| KR1019920005155A KR960013256B1 (ko) | 1991-03-28 | 1992-03-28 | 레지스트 제거장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064157A JPH04299516A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | レジスト除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299516A true JPH04299516A (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=13249958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064157A Pending JPH04299516A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | レジスト除去装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04299516A (ja) |
| KR (1) | KR960013256B1 (ja) |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3064157A patent/JPH04299516A/ja active Pending
-
1992
- 1992-03-28 KR KR1019920005155A patent/KR960013256B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920018862A (ko) | 1992-10-22 |
| KR960013256B1 (ko) | 1996-10-02 |
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