JPH04299577A - タンデム型太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
タンデム型太陽電池及びその製造方法Info
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- JPH04299577A JPH04299577A JP3085748A JP8574891A JPH04299577A JP H04299577 A JPH04299577 A JP H04299577A JP 3085748 A JP3085748 A JP 3085748A JP 8574891 A JP8574891 A JP 8574891A JP H04299577 A JPH04299577 A JP H04299577A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池、及びその製
造方法に関するものであり、特に、非単結晶シリコンを
半導体層として用いたタンデム型太陽電池とその製造方
法に関するものである。
造方法に関するものであり、特に、非単結晶シリコンを
半導体層として用いたタンデム型太陽電池とその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、非単結晶シリコン（水素化アモル
ファスシリコン等）を用いた半導体装置の開発が盛んで
ある。特に大面積のものを低コストで生産できる太陽電
池の開発が勢力的に行われている。
ファスシリコン等）を用いた半導体装置の開発が盛んで
ある。特に大面積のものを低コストで生産できる太陽電
池の開発が勢力的に行われている。
【０００３】たとえば、これらの半導体装置に使われる
水素化アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと略記
）の堆積方法としては、ＳｉＨ４ またはＳｉＨ６ を
成膜ガスとするＲＦプラズマＣＶＤ法やマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ法、あるいは水素ガス存在下でＳｉターゲッ
トをＡｒプラズマ中でスパッタする反応性スパッタリン
グ法などが用いられてきた。また更に実験的には、この
他にも光ＣＶＤ法、ＥＣＲＣＶＤ法、水素原子存在下で
のＳｉの真空蒸着法、などの報告があり、Ｓｉ２ Ｈ６
などによる熱ＣＶＤ法での成功例もある。これらの方
法により得られるほとんどのａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、水素を
１０％、またはそれ以上含む膜である。
水素化アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと略記
）の堆積方法としては、ＳｉＨ４ またはＳｉＨ６ を
成膜ガスとするＲＦプラズマＣＶＤ法やマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ法、あるいは水素ガス存在下でＳｉターゲッ
トをＡｒプラズマ中でスパッタする反応性スパッタリン
グ法などが用いられてきた。また更に実験的には、この
他にも光ＣＶＤ法、ＥＣＲＣＶＤ法、水素原子存在下で
のＳｉの真空蒸着法、などの報告があり、Ｓｉ２ Ｈ６
などによる熱ＣＶＤ法での成功例もある。これらの方
法により得られるほとんどのａ−Ｓｉ：Ｈ膜は、水素を
１０％、またはそれ以上含む膜である。
【０００４】このようなａ−Ｓｉ：Ｈ膜の堆積方法とし
て、もっとも普及しているのはプラズマＣＶＤ法である
。この方法では、多くの場合ＳｉＨ４ 、Ｓｉ２ Ｈ６
ガスを用い、必要に応じて水素ガスで希釈を行い、１
３．５ＭＨｚまたは２．５４ＧＨｚの高周波でプラズマ
を発生させ、プラズマにより成膜ガスを分解して反応性
のある活性種をつくり、基板上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜を堆積
させる。成膜ガスにＰＨ３ 、Ｂ２ Ｈ６ 、ＢＦ３
などのドーピングガスを混ぜれば、ｎ型またはｐ型のａ
−Ｓｉ：Ｈ膜を形成することができるので、これらの膜
を用いて種々の非単結晶シリコンデバイスを作ることが
できる。またＣＨ４ などのガスを更に利用することに
よって、ワイドギャップ材としての水素化アモルファス
シリコンカーバイド等を作ることも可能である。また適
当な条件を選べば、これらの成膜方法でマイクロクリス
タルシリコン（以下μ−ｃＳｉと略記）を作ることもで
きる。
て、もっとも普及しているのはプラズマＣＶＤ法である
。この方法では、多くの場合ＳｉＨ４ 、Ｓｉ２ Ｈ６
ガスを用い、必要に応じて水素ガスで希釈を行い、１
３．５ＭＨｚまたは２．５４ＧＨｚの高周波でプラズマ
を発生させ、プラズマにより成膜ガスを分解して反応性
のある活性種をつくり、基板上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜を堆積
させる。成膜ガスにＰＨ３ 、Ｂ２ Ｈ６ 、ＢＦ３
などのドーピングガスを混ぜれば、ｎ型またはｐ型のａ
−Ｓｉ：Ｈ膜を形成することができるので、これらの膜
を用いて種々の非単結晶シリコンデバイスを作ることが
できる。またＣＨ４ などのガスを更に利用することに
よって、ワイドギャップ材としての水素化アモルファス
シリコンカーバイド等を作ることも可能である。また適
当な条件を選べば、これらの成膜方法でマイクロクリス
タルシリコン（以下μ−ｃＳｉと略記）を作ることもで
きる。
【０００５】これらの非単結晶を用いていくつかの太陽
電池セルを積み重ねることにより、タンデム型太陽電池
を作る試みもされている。これは光に対するスペクトル
感度の異なる、つまり光学的バンドギャップの異なるｉ
層（イントリンシックな水素化アモルファスシリコンば
かりではなく、ドーピングを行っていない水素化アモル
ファスシリコンカーバイト等の合金、また水素化アモル
ファスシリコンを含む水素化アモルファスシリコン合金
（以下ａ−Ｓｉｘ Ｇｅｙ Ｃｚ Ｎｌ ：（０＜ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦１≦１）と記す）等
を含む）を用いた太陽電池セルを積層させ、広い波長域
でのスペクトル感度を向上させ、光電変換効率を高める
ものである。
電池セルを積み重ねることにより、タンデム型太陽電池
を作る試みもされている。これは光に対するスペクトル
感度の異なる、つまり光学的バンドギャップの異なるｉ
層（イントリンシックな水素化アモルファスシリコンば
かりではなく、ドーピングを行っていない水素化アモル
ファスシリコンカーバイト等の合金、また水素化アモル
ファスシリコンを含む水素化アモルファスシリコン合金
（以下ａ−Ｓｉｘ Ｇｅｙ Ｃｚ Ｎｌ ：（０＜ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦１≦１）と記す）等
を含む）を用いた太陽電池セルを積層させ、広い波長域
でのスペクトル感度を向上させ、光電変換効率を高める
ものである。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、従
来のこのようなタンデム型太陽電池には以下のような解
決すべき課題があった。
来のこのようなタンデム型太陽電池には以下のような解
決すべき課題があった。
【０００７】すなわち、いくつかの太陽電池セルを積み
重ねることによりスペクトル感度は改善されるが、光吸
収の大きい光入射側セルでの光劣化が大きく、全体とし
ての特性の劣化を引き起こすという問題があった。
重ねることによりスペクトル感度は改善されるが、光吸
収の大きい光入射側セルでの光劣化が大きく、全体とし
ての特性の劣化を引き起こすという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】前述の光劣化の
主たる要因は、膜中に存在する水素によって作り出され
るウイークボンドと考えられ、この膜中水素濃度をうま
く制御しつつ減少させることにより光劣化を抑えること
ができることが分かっている。
主たる要因は、膜中に存在する水素によって作り出され
るウイークボンドと考えられ、この膜中水素濃度をうま
く制御しつつ減少させることにより光劣化を抑えること
ができることが分かっている。
【０００９】そこで、本発明は前述の課題を解決するた
めの手段として、以下のタンデム型太陽電池及びその製
造方法を提供するものである。
めの手段として、以下のタンデム型太陽電池及びその製
造方法を提供するものである。
【００１０】すなわち、ｐｉｎ型構造を具備する非単結
晶シリコン太陽電池セルを積層したタンデム型太陽電池
において、光入射側に位置する第ｍ（１≦ｍ）セルのｉ
層の光学的バンドギャップを第ｍセルの光入射側と反対
側に位置する第ｍ＋１セルの光学的バンドギャップより
も広く保ち、かつ第ｍセルの膜中水素濃度を第ｍセル＋
１セルの膜中水素濃度よりも少なくすることにより、光
吸収の大きなセルでは光劣化を少なくすることができる
。
晶シリコン太陽電池セルを積層したタンデム型太陽電池
において、光入射側に位置する第ｍ（１≦ｍ）セルのｉ
層の光学的バンドギャップを第ｍセルの光入射側と反対
側に位置する第ｍ＋１セルの光学的バンドギャップより
も広く保ち、かつ第ｍセルの膜中水素濃度を第ｍセル＋
１セルの膜中水素濃度よりも少なくすることにより、光
吸収の大きなセルでは光劣化を少なくすることができる
。
【００１１】さらにａ−Ｓｉｘ Ｇｅｙ Ｃｚ Ｎｌ
：（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦１≦１
）を用いることにより、所望の光学的バンドギャップを
設計することができるので、膜中水素濃度低減による光
学的バンドギャップの狭小化を補うことができる。
：（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦１≦１
）を用いることにより、所望の光学的バンドギャップを
設計することができるので、膜中水素濃度低減による光
学的バンドギャップの狭小化を補うことができる。
【００１２】さらにこれらのｉ層として、基板上に非単
結晶シリコン層を堆積する工程と、該非単結晶シリコン
層に水素プラズマを照射する工程とを交互に繰り返しな
がら堆積を行い、該堆積時間、あるいは水素プラズマ照
射時間を、少なくとも一部の回数のステップで各ステッ
プ毎に変化させて成膜することにより、膜中水素濃度を
制御することができ、しかも既存の欠陥を直しつつ余分
の水素を取り去ることができるので、従来の成膜に比べ
て最終膜の欠陥を減らすことができる。
結晶シリコン層を堆積する工程と、該非単結晶シリコン
層に水素プラズマを照射する工程とを交互に繰り返しな
がら堆積を行い、該堆積時間、あるいは水素プラズマ照
射時間を、少なくとも一部の回数のステップで各ステッ
プ毎に変化させて成膜することにより、膜中水素濃度を
制御することができ、しかも既存の欠陥を直しつつ余分
の水素を取り去ることができるので、従来の成膜に比べ
て最終膜の欠陥を減らすことができる。
【００１３】
【実施例】（実施例１）図１は、本発明になる成膜方法
を用いてイントリンシックな水素化アモルファスシリコ
ン層と、水素化アモルファスシリコンカーバイド層を形
成し、２層に積層したタンデム型太陽電池の実施例を示
す概略断面図である。
を用いてイントリンシックな水素化アモルファスシリコ
ン層と、水素化アモルファスシリコンカーバイド層を形
成し、２層に積層したタンデム型太陽電池の実施例を示
す概略断面図である。
【００１４】同図において、１０１はガラス基板、１０
２は下電極、１０３は第２セルのｎ型層、１０４は第２
セルのｉ型層、１０５は第２セルのｐ型層、１０６は第
１セルのｎ型層、１０７は第１セルのｉ型層、１０８は
第１セルのｐ型層、１０９は透明電極、１１０は上電極
である。
２は下電極、１０３は第２セルのｎ型層、１０４は第２
セルのｉ型層、１０５は第２セルのｐ型層、１０６は第
１セルのｎ型層、１０７は第１セルのｉ型層、１０８は
第１セルのｐ型層、１０９は透明電極、１１０は上電極
である。
【００１５】また図２は、実施例のバンドプロファイル
を示した模式図である。図に示されるように、光入射側
の第１セルのｉ層の光学的バンドギャップは、光入射側
と反対側に位置する第２セルのｉ層の光学的バンドギャ
ップに比較して広いことがわかる。
を示した模式図である。図に示されるように、光入射側
の第１セルのｉ層の光学的バンドギャップは、光入射側
と反対側に位置する第２セルのｉ層の光学的バンドギャ
ップに比較して広いことがわかる。
【００１６】また図３は、実施例の膜中水素濃度の深さ
方向のプロファイルであり、図に示されるように光入射
側の第１セルの水素濃度のほうが、光入射側と反対側に
位置する第２セルの水素濃度よりも低くなっている。
方向のプロファイルであり、図に示されるように光入射
側の第１セルの水素濃度のほうが、光入射側と反対側に
位置する第２セルの水素濃度よりも低くなっている。
【００１７】本実施例のタンデム型太陽電池では、短波
長側の光を第１のセルでより多く吸収し、長波長側の光
は第２のセルでより多く吸収するようにしてある。
長側の光を第１のセルでより多く吸収し、長波長側の光
は第２のセルでより多く吸収するようにしてある。
【００１８】このような特性を持つ、本発明のタンデム
型太陽電池を作成するための、本発明によるｉ型層１０
４及び１０７の成膜方法について、以下に説明する。
型太陽電池を作成するための、本発明によるｉ型層１０
４及び１０７の成膜方法について、以下に説明する。
【００１９】図５は、本発明のｉ型層の成膜方法を説明
するための図である。本発明の方法では、時間ｔＤ の
間ａ−Ｓｉ：Ｈ層を堆積した後、この堆積した膜に対し
て時間ｔＡ だけ水素プラズマ照射をするという一組の
ステップを繰り返しながら成膜を行なう。また本発明で
は、この堆積時間ｔＤ 、水素プラズマ照射時間ｔＡ
を各ステップ毎に変化させ成膜させる。
するための図である。本発明の方法では、時間ｔＤ の
間ａ−Ｓｉ：Ｈ層を堆積した後、この堆積した膜に対し
て時間ｔＡ だけ水素プラズマ照射をするという一組の
ステップを繰り返しながら成膜を行なう。また本発明で
は、この堆積時間ｔＤ 、水素プラズマ照射時間ｔＡ
を各ステップ毎に変化させ成膜させる。
【００２０】これにより、Ｓｉネットワークの組み替え
を行なうことができる。これは、堆積時間ｔＤ の間に
堆積した堆積膜表面は、水素プラズマ照射時間ｔＡ の
間、水素プラズマ照射を受けるのであるが、この時、水
素プラズマ中の原子状水素が堆積膜の中、あるいは堆積
膜表面を、ある程度拡散しつつ過剰の水素を引き抜き、
Ｓｉネットワークの組み替えが起こっていると考えられ
る。
を行なうことができる。これは、堆積時間ｔＤ の間に
堆積した堆積膜表面は、水素プラズマ照射時間ｔＡ の
間、水素プラズマ照射を受けるのであるが、この時、水
素プラズマ中の原子状水素が堆積膜の中、あるいは堆積
膜表面を、ある程度拡散しつつ過剰の水素を引き抜き、
Ｓｉネットワークの組み替えが起こっていると考えられ
る。
【００２１】図６は、その時の水素プラズマの効果を説
明するための図であり、堆積時間ｔＤ 、水素プラズマ
照射時間ｔＡ を一定に保って成膜した場合の、膜中水
素濃度と基板温度ＴＳ との関係を示している。同図に
示されるように、水素プラズマ照射時間ｔＡ を十分長
く取った場合（ｂ）のｉ層の膜中水素濃度は、通常のＧ
Ｄ法（ａ）によるものの水素濃度よりも全体的に低い水
素濃度となっている。このように、水素プラズマ照射を
十分行ないながら堆積を行なう方法の方が、膜中水素濃
度を低くすることができる。
明するための図であり、堆積時間ｔＤ 、水素プラズマ
照射時間ｔＡ を一定に保って成膜した場合の、膜中水
素濃度と基板温度ＴＳ との関係を示している。同図に
示されるように、水素プラズマ照射時間ｔＡ を十分長
く取った場合（ｂ）のｉ層の膜中水素濃度は、通常のＧ
Ｄ法（ａ）によるものの水素濃度よりも全体的に低い水
素濃度となっている。このように、水素プラズマ照射を
十分行ないながら堆積を行なう方法の方が、膜中水素濃
度を低くすることができる。
【００２２】図７は、膜中水素濃度の水素プラズマ照射
時間ｔＡ 依存を示す。ａは各ステップでの膜厚が５０
Åの場合であり、ｂは膜厚１００Åの場合である。各ス
テップでの膜厚が１００Å以上だと水素プラズマ照射を
いくら行っても、水素引き抜き効果は現われにくく、水
素濃度は低下せず、構造緩和は進まなくなることが分か
る。
時間ｔＡ 依存を示す。ａは各ステップでの膜厚が５０
Åの場合であり、ｂは膜厚１００Åの場合である。各ス
テップでの膜厚が１００Å以上だと水素プラズマ照射を
いくら行っても、水素引き抜き効果は現われにくく、水
素濃度は低下せず、構造緩和は進まなくなることが分か
る。
【００２３】また、堆積時間ｔＤ の間に堆積するａ−
Ｓｉ：Ｈの膜厚は２原子層以上であることが望ましく、
実際上は１０Å以上であることが望ましい。これは、も
し新しく堆積した層が１原子層しかないと、アモルファ
ス構造を安定に保つことができず、水素プラズマ照射に
より結晶化が進んでしまう。この原因としては、原子状
水素による水素の引き抜きが引き金となって過度のネッ
トワーク組み替えが起こると考えられる。水素プラズマ
照射による過度のネットワーク組み替えを防ぎ、制御性
良く水素引き抜きを進めるには、１０Å以上のａ−Ｓｉ
：Ｈ層の堆積が必要である。（ただし、μ−ｃＳｉを積
極的に利用する場合はこの限りではない。）したがって
、堆積時間ｔＤ 間に堆積する膜厚は、前述したように
１０Å以上１００Å以下、望ましくは５０Å以下である
必要がある。
Ｓｉ：Ｈの膜厚は２原子層以上であることが望ましく、
実際上は１０Å以上であることが望ましい。これは、も
し新しく堆積した層が１原子層しかないと、アモルファ
ス構造を安定に保つことができず、水素プラズマ照射に
より結晶化が進んでしまう。この原因としては、原子状
水素による水素の引き抜きが引き金となって過度のネッ
トワーク組み替えが起こると考えられる。水素プラズマ
照射による過度のネットワーク組み替えを防ぎ、制御性
良く水素引き抜きを進めるには、１０Å以上のａ−Ｓｉ
：Ｈ層の堆積が必要である。（ただし、μ−ｃＳｉを積
極的に利用する場合はこの限りではない。）したがって
、堆積時間ｔＤ 間に堆積する膜厚は、前述したように
１０Å以上１００Å以下、望ましくは５０Å以下である
必要がある。
【００２４】図８は、堆積時間ｔＤ 間の積層膜厚と膜
中水素濃度との関係を示している。堆積時間ｔＤ 間の
堆積膜厚が５０Å以上になると、水素プラズマ照射の効
果が低下し、水素プラズマ照射をしても水素濃度が低く
ならないことが分かる。
中水素濃度との関係を示している。堆積時間ｔＤ 間の
堆積膜厚が５０Å以上になると、水素プラズマ照射の効
果が低下し、水素プラズマ照射をしても水素濃度が低く
ならないことが分かる。
【００２５】従って、図７、８から堆積時間ｔＤ 、水
素プラズマ照射時間ｔＡ を制御することで、膜中水素
濃度を制御できることが分かる。
素プラズマ照射時間ｔＡ を制御することで、膜中水素
濃度を制御できることが分かる。
【００２６】図９は、本発明の成膜方法で作成したａ−
Ｓｉ：Ｈ層での膜中水素濃度と光学的バンドギャップと
の関係を示す図である。
Ｓｉ：Ｈ層での膜中水素濃度と光学的バンドギャップと
の関係を示す図である。
【００２７】このようにして膜中水素濃度を制御する場
合、上に述べたようにＳｉネットワークをうまく作りな
がら膜を形成しているので、膜中欠陥は少なく、光感度
等の膜質は従来のものより優れている。
合、上に述べたようにＳｉネットワークをうまく作りな
がら膜を形成しているので、膜中欠陥は少なく、光感度
等の膜質は従来のものより優れている。
【００２８】しかも膜中水素濃度を減らしたこれらの膜
では、光劣化も低減する。これは膜中水素濃度を減らし
たために、この水素に起因するウイークボンドが減った
ためと思われる。
では、光劣化も低減する。これは膜中水素濃度を減らし
たために、この水素に起因するウイークボンドが減った
ためと思われる。
【００２９】図４は、本発明を実現するための成膜装置
の一例を示す概略構成図である。
の一例を示す概略構成図である。
【００３０】図４において、４００は反応チャンバー、
４０１は基板、４０３はアノード電極、４０２はカソー
ド電極、４０４は基板加熱用ヒーター、４０５は接地用
端子、４０６はマッチングボックス、４０７は１３．５
６ＭＨｚのＲＦ電源、、４０８および、４１４は排気管
、４０９および４１５は排気ポンプ、４１０は水素ガス
導入管、４１１、および４１２は成膜ガス導入管、４１
３は三方バルブ、４２０、４３０、４４０、４５０、４
６０、４２２、４３２、４４２、４５２および４６２は
バルブ、４２１、４３１、４４１、４５１、および４６
１はマスフローコントローラーを示す。成膜ガス導入管
４１１には三方バルブ４１３が取りつけられており、三
方バルブ４１３を切りかえることにより、成膜ガスのＯ
Ｎ／ＯＦＦを行う。水素（Ｈ２ ）は４６２側から、シ
ラン（ＳｉＨ４ ）は４２２側から、ジボラン（Ｂ２
Ｈ６ ）は４３２側から、ホスフィン（ＰＨ３ ）は４
４２側から、メタン（ＣＨ４ ）は４５２側から導入す
る。
４０１は基板、４０３はアノード電極、４０２はカソー
ド電極、４０４は基板加熱用ヒーター、４０５は接地用
端子、４０６はマッチングボックス、４０７は１３．５
６ＭＨｚのＲＦ電源、、４０８および、４１４は排気管
、４０９および４１５は排気ポンプ、４１０は水素ガス
導入管、４１１、および４１２は成膜ガス導入管、４１
３は三方バルブ、４２０、４３０、４４０、４５０、４
６０、４２２、４３２、４４２、４５２および４６２は
バルブ、４２１、４３１、４４１、４５１、および４６
１はマスフローコントローラーを示す。成膜ガス導入管
４１１には三方バルブ４１３が取りつけられており、三
方バルブ４１３を切りかえることにより、成膜ガスのＯ
Ｎ／ＯＦＦを行う。水素（Ｈ２ ）は４６２側から、シ
ラン（ＳｉＨ４ ）は４２２側から、ジボラン（Ｂ２
Ｈ６ ）は４３２側から、ホスフィン（ＰＨ３ ）は４
４２側から、メタン（ＣＨ４ ）は４５２側から導入す
る。
【００３１】この装置では、水素は常時流している。ま
たａ−Ｓｉ：Ｈ膜堆積時の成膜ガスであるＳｉＨ４ 、
あるいはＳｉ２ Ｈ６ のみの流れをＯＮ／ＯＦＦ制御
するだけでａ−Ｓｉ：Ｈ膜堆積と水素プラズマ照射の両
方を容易に切り替えることができる。成膜ガスの水素ガ
スに対する割合を下げすぎると水素プラズマ照射時に結
晶化が起きやすくなるので、成膜ガス濃度は１０％以上
、できれば２０％以上水素希釈とする方が良い。（ただ
し、μ−ｃＳｉを積極的に利用する場合はこの限りでは
ない。 この場合、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を堆積する工程と水素プラズ
マを照射する工程の両方で切れめなくプラズマをたてて
おくことも可能であり、このようにすればプラズマ発生
期の膜質の悪い膜の堆積を防止することができる。この
場合プラズマ安定化のためにＡｒを添加することも好ま
しい。）次に本発明の成膜方法により作成したｉ層を有
する図１に示すタンデム型太陽電池の製造工程例を、図
４の製造装置を参照しながら以下に示す。
たａ−Ｓｉ：Ｈ膜堆積時の成膜ガスであるＳｉＨ４ 、
あるいはＳｉ２ Ｈ６ のみの流れをＯＮ／ＯＦＦ制御
するだけでａ−Ｓｉ：Ｈ膜堆積と水素プラズマ照射の両
方を容易に切り替えることができる。成膜ガスの水素ガ
スに対する割合を下げすぎると水素プラズマ照射時に結
晶化が起きやすくなるので、成膜ガス濃度は１０％以上
、できれば２０％以上水素希釈とする方が良い。（ただ
し、μ−ｃＳｉを積極的に利用する場合はこの限りでは
ない。 この場合、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を堆積する工程と水素プラズ
マを照射する工程の両方で切れめなくプラズマをたてて
おくことも可能であり、このようにすればプラズマ発生
期の膜質の悪い膜の堆積を防止することができる。この
場合プラズマ安定化のためにＡｒを添加することも好ま
しい。）次に本発明の成膜方法により作成したｉ層を有
する図１に示すタンデム型太陽電池の製造工程例を、図
４の製造装置を参照しながら以下に示す。
【００３２】まず、表面を研磨したガラス基板１０１上
にＡｌなどの金属膜を用い下電極１０２を形成した後、
反応チャンバー４００の中のカソード４０２に取りつけ
、排気ポンプ４０９により十分排気し、１０−６ｔｏｒ
ｒとした。基板温度は３００℃とした。
にＡｌなどの金属膜を用い下電極１０２を形成した後、
反応チャンバー４００の中のカソード４０２に取りつけ
、排気ポンプ４０９により十分排気し、１０−６ｔｏｒ
ｒとした。基板温度は３００℃とした。
【００３３】次にＳｉＨ４ ガスを３０ｓｃｃｍ流し、
Ｈ２ ガスを３０ｓｃｃｍ流し、Ｈ２ ガスで１％に希
釈したＰＨ３ ガスを３０ｓｃｃｍ流した。チャンバー
内圧を１．０ｔｏｒｒにして１０ＷのＲＦパワーを投入
し、３分間放電し第２セルのｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層１０３
を４００Å堆積した。ガス供給を停止した後、チャンバ
ー内を１０−６ｔｏｒｒ以下に排気した。
Ｈ２ ガスを３０ｓｃｃｍ流し、Ｈ２ ガスで１％に希
釈したＰＨ３ ガスを３０ｓｃｃｍ流した。チャンバー
内圧を１．０ｔｏｒｒにして１０ＷのＲＦパワーを投入
し、３分間放電し第２セルのｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層１０３
を４００Å堆積した。ガス供給を停止した後、チャンバ
ー内を１０−６ｔｏｒｒ以下に排気した。
【００３４】次に本発明になる成膜方法で第２セルのｉ
型ａ−Ｓｉ層１０４を堆積する。基板温度は３００℃の
ままとした。
型ａ−Ｓｉ層１０４を堆積する。基板温度は３００℃の
ままとした。
【００３５】まずＨ２ ガス３０ｓｃｃｍを反応チャン
バー４００に流した。三方バルブ４１３を成膜ガス導入
管４１１と排気管４１４とを接続するようにした後、バ
ルブ４２０及び４２２を開けて、ＳｉＨ４ ガス３０ｓ
ｃｃｍを成膜ガス導入管４１１に流した。この状態でＲ
Ｆ電力２０Ｗを投入し水素プラズマ放電を開始した。
バー４００に流した。三方バルブ４１３を成膜ガス導入
管４１１と排気管４１４とを接続するようにした後、バ
ルブ４２０及び４２２を開けて、ＳｉＨ４ ガス３０ｓ
ｃｃｍを成膜ガス導入管４１１に流した。この状態でＲ
Ｆ電力２０Ｗを投入し水素プラズマ放電を開始した。
【００３６】つぎに三方バルブ４１３を切り替えること
により、成膜（堆積）と水素プラズマ照射とを１ステッ
プとして繰り返す。本例での成膜時間（堆積時間）ｔＤ
は４０秒で一定とし、この時の膜厚は５０Åとした。 全ステップ数は１２０回とし、ｉ型層１０４の膜厚は６
０００Åとした。また水素プラズマ照射時間ｔＡ は、
第１、２ステップは５秒、第３、４ステップは４秒、第
５、６ステップは３秒、第７、８ステップは２秒、第９
ステップから第１１２ステップまでは１秒で固定した。 第１１３、１１４ステップは２秒、第１１５、１１６ス
テップは３秒、第１１７、１１８ステップは４秒、第１
１９、１２０ステップは５秒とした。この時の膜中水素
濃度は中央部で１０％であった。またこの部分での光学
的バンドギャップは１．７ｅＶであった。このようにｔ
Ａ を設定すると、通常の方法による成膜では欠陥の発
生しやすい界面部分で欠陥の発生を抑えることができる
。 実際の成膜時にはコンピュータで三方バルブの開閉を制
御した。
により、成膜（堆積）と水素プラズマ照射とを１ステッ
プとして繰り返す。本例での成膜時間（堆積時間）ｔＤ
は４０秒で一定とし、この時の膜厚は５０Åとした。 全ステップ数は１２０回とし、ｉ型層１０４の膜厚は６
０００Åとした。また水素プラズマ照射時間ｔＡ は、
第１、２ステップは５秒、第３、４ステップは４秒、第
５、６ステップは３秒、第７、８ステップは２秒、第９
ステップから第１１２ステップまでは１秒で固定した。 第１１３、１１４ステップは２秒、第１１５、１１６ス
テップは３秒、第１１７、１１８ステップは４秒、第１
１９、１２０ステップは５秒とした。この時の膜中水素
濃度は中央部で１０％であった。またこの部分での光学
的バンドギャップは１．７ｅＶであった。このようにｔ
Ａ を設定すると、通常の方法による成膜では欠陥の発
生しやすい界面部分で欠陥の発生を抑えることができる
。 実際の成膜時にはコンピュータで三方バルブの開閉を制
御した。
【００３７】つぎに第２セルのｐ型ａ−Ｓｉ層１０５を
堆積した。チャンバー４００内の真空度を１０−６ｔｏ
ｒｒ以下に排気し、基板温度を２５０℃に変えた後、Ｓ
ｉＨ４ガス３０ｓｃｃｍとＨ２ ガスで１％に希釈した
Ｂ２ Ｈ６ ガス３０ｓｃｃｍとを流し、ＲＦ電力４０
Ｗを投入して、プラズマ放電を５分間行い、ｐ型層１０
５を５００Å堆積した。
堆積した。チャンバー４００内の真空度を１０−６ｔｏ
ｒｒ以下に排気し、基板温度を２５０℃に変えた後、Ｓ
ｉＨ４ガス３０ｓｃｃｍとＨ２ ガスで１％に希釈した
Ｂ２ Ｈ６ ガス３０ｓｃｃｍとを流し、ＲＦ電力４０
Ｗを投入して、プラズマ放電を５分間行い、ｐ型層１０
５を５００Å堆積した。
【００３８】つぎに第１セルを形成した。基板温度は３
００℃とした。ＳｉＨ４ ガスを３０ｓｃｃｍ流し、Ｈ
２ ガスを３０ｓｃｃｍ流し、Ｈ２ ガスで１％に希釈
したＰＨ３ガスを３０ｓｃｃｍ流した。チャンバー内圧
を１．０ｔｏｒｒにして１０ＷのＲＦパワーを投入し、
３分間放電し、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層１０６を４００Å堆
積した。
００℃とした。ＳｉＨ４ ガスを３０ｓｃｃｍ流し、Ｈ
２ ガスを３０ｓｃｃｍ流し、Ｈ２ ガスで１％に希釈
したＰＨ３ガスを３０ｓｃｃｍ流した。チャンバー内圧
を１．０ｔｏｒｒにして１０ＷのＲＦパワーを投入し、
３分間放電し、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層１０６を４００Å堆
積した。
【００３９】次に本発明になる成膜方法で、ｉ型アモル
ファスシリコンカーバイド層１０７を堆積するため、三
方バルブ４１３を、成膜ガス導入管４１１と排気管４１
４とを接続するようにした後、バルブ４２０、４２２、
４５０、４５２を開けて、ＳｉＨ４ ガス３０ｓｃｃｍ
と、ＣＨ４ ガス２０ｓｃｃｍを導入管４１１に流した
。 チャンバー内圧力を０．５ｔｏｒｒに保ち、基板温度は
３００℃とした。この状態でＲＦ電力８０Ｗを投入し、
水素プラズマ放電を開始した。
ファスシリコンカーバイド層１０７を堆積するため、三
方バルブ４１３を、成膜ガス導入管４１１と排気管４１
４とを接続するようにした後、バルブ４２０、４２２、
４５０、４５２を開けて、ＳｉＨ４ ガス３０ｓｃｃｍ
と、ＣＨ４ ガス２０ｓｃｃｍを導入管４１１に流した
。 チャンバー内圧力を０．５ｔｏｒｒに保ち、基板温度は
３００℃とした。この状態でＲＦ電力８０Ｗを投入し、
水素プラズマ放電を開始した。
【００４０】つぎに三方バルブ４１３を切り替えること
により、成膜と水素プラズマ照射とを１ステップとして
繰り返す。本例での成膜時間（堆積時間）ｔＤ は２０
秒で一定とし、この時の膜厚は２０Åとした。全ステッ
プ数は３００回とし、ｉ型層１０７の膜厚は６０００Å
とした。また水素プラズマ照射時間ｔＡ は、第１ステ
ップから第３０ステップまでは３０秒、第３１ステップ
から第６０ステップまでは３１秒、第６１ステップから
第９０ステップまでは３２秒、第９１ステップから第１
００ステップまでは３３秒、第１０１ステップから第１
３０ステップまでは３４秒、第１３１ステップから第１
６０ステップまでは３５秒、第１６１ステップから第１
９０ステップまでは３６秒、第１９１ステップから第２
００ステップまでは３７秒、第２０１ステップから第２
３０ステップまでは３８秒、第２３１ステップから第２
６０ステップまでは３９秒、第２６１ステップから第２
９０ステップまでは４０秒、第２９１ステップから第３
００ステップまでは４１秒とした。実際の成膜時にはコ
ンピュータで三方バルブの開閉を制御した。初期膜の光
学的バンドギャップは２．０ｅＶであり、この時の膜中
水素濃度は６％であった。このようにｔＡ を設定する
と、光の吸収が強くて欠陥の発生しやすい表面部分で欠
陥の発生を抑えることができる。
により、成膜と水素プラズマ照射とを１ステップとして
繰り返す。本例での成膜時間（堆積時間）ｔＤ は２０
秒で一定とし、この時の膜厚は２０Åとした。全ステッ
プ数は３００回とし、ｉ型層１０７の膜厚は６０００Å
とした。また水素プラズマ照射時間ｔＡ は、第１ステ
ップから第３０ステップまでは３０秒、第３１ステップ
から第６０ステップまでは３１秒、第６１ステップから
第９０ステップまでは３２秒、第９１ステップから第１
００ステップまでは３３秒、第１０１ステップから第１
３０ステップまでは３４秒、第１３１ステップから第１
６０ステップまでは３５秒、第１６１ステップから第１
９０ステップまでは３６秒、第１９１ステップから第２
００ステップまでは３７秒、第２０１ステップから第２
３０ステップまでは３８秒、第２３１ステップから第２
６０ステップまでは３９秒、第２６１ステップから第２
９０ステップまでは４０秒、第２９１ステップから第３
００ステップまでは４１秒とした。実際の成膜時にはコ
ンピュータで三方バルブの開閉を制御した。初期膜の光
学的バンドギャップは２．０ｅＶであり、この時の膜中
水素濃度は６％であった。このようにｔＡ を設定する
と、光の吸収が強くて欠陥の発生しやすい表面部分で欠
陥の発生を抑えることができる。
【００４１】次にｐ型アモルファスシリコンカーバイド
層１０８を堆積する。三方バルブ４１３を成膜ガス導入
管４１１と排気管４１４とを接続するようにした後、バ
ルブ４２０、４２２、４３０、４３２、４５０、４５２
を開けて、ＳｉＨ４ ガス３０ｓｃｃｍと、ＣＨ４ ガ
ス２０ｓｃｃｍと、Ｈ２ ガスで１％に希釈したＢ２
Ｈ６ ガス３０ｓｃｃｍを導入管４１１に流した。チャ
ンバー内圧力を０．５ｔｏｒｒに保ち、基板温度は３０
０℃とした。この状態でＲＦ電力８０Ｗを投入し、水素
プラズマ放電を開始した。
層１０８を堆積する。三方バルブ４１３を成膜ガス導入
管４１１と排気管４１４とを接続するようにした後、バ
ルブ４２０、４２２、４３０、４３２、４５０、４５２
を開けて、ＳｉＨ４ ガス３０ｓｃｃｍと、ＣＨ４ ガ
ス２０ｓｃｃｍと、Ｈ２ ガスで１％に希釈したＢ２
Ｈ６ ガス３０ｓｃｃｍを導入管４１１に流した。チャ
ンバー内圧力を０．５ｔｏｒｒに保ち、基板温度は３０
０℃とした。この状態でＲＦ電力８０Ｗを投入し、水素
プラズマ放電を開始した。
【００４２】つぎに三方バルブ４１３を切り替えること
なく成膜した。この条件で成膜した単膜のｐ型層１０８
の光学的バンドギャップは２．００ｅＶであった。
なく成膜した。この条件で成膜した単膜のｐ型層１０８
の光学的バンドギャップは２．００ｅＶであった。
【００４３】最後に上部電極１０９を透明導伝膜（ＩＴ
Ｏ膜）で７００Å形成した。
Ｏ膜）で７００Å形成した。
【００４４】このようにして作成したタンデム型太陽電
池は、光感度、特に短波長側の光感度が向上し、更にｉ
層中の水素を低減したので、光劣化、特に第１セルでの
光劣化を低減することができ、全体の効率を上げること
ができた。しかも本発明の成膜方法では、効率よく、膜
中の欠陥を増やすことなく膜中の水素を低減できるので
各セルでの光感度も向上している。
池は、光感度、特に短波長側の光感度が向上し、更にｉ
層中の水素を低減したので、光劣化、特に第１セルでの
光劣化を低減することができ、全体の効率を上げること
ができた。しかも本発明の成膜方法では、効率よく、膜
中の欠陥を増やすことなく膜中の水素を低減できるので
各セルでの光感度も向上している。
【００４５】また本実施例では第１、第２セルのｉ層を
共に本発明の成膜方法により成膜したが、第２セルのみ
を本発明の成膜方法により成膜しても良い。
共に本発明の成膜方法により成膜したが、第２セルのみ
を本発明の成膜方法により成膜しても良い。
【００４６】またタンデムの構成は２段のみならず、そ
れ以上の段数のものでも太陽光のスペクトル分布に合わ
せた最適の設計を行えば本発明を適用して同様の効果を
得ることができる。
れ以上の段数のものでも太陽光のスペクトル分布に合わ
せた最適の設計を行えば本発明を適用して同様の効果を
得ることができる。
【００４７】また本発明では水素化アモルファスシリコ
ンのみについて述べたが、ｉ層にマイクロクリスタルシ
リコン（μ−ｃＳｉ）を利用する場合も同様な効果を出
すことができる。
ンのみについて述べたが、ｉ層にマイクロクリスタルシ
リコン（μ−ｃＳｉ）を利用する場合も同様な効果を出
すことができる。
【００４８】また本実施例では、ｉ層に水素化アモルフ
ァスシリコンと水素化アモルファスシリコンカーバイド
を用いたが、各セル間の光学的バンドギャップを設計す
るために、水素化アモルファスシリコンゲルマニウム、
水素化アモルファスシリコンナイトライドを用いること
もでき、あるいは水素化アモルファスシリコンを含む水
素化アモルファスシリコン合金ａ−Ｓｉｘ ＧｅｙＣｚ
Ｎｌ ：Ｈ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、
０≦１≦１）を用いることにより、各セル間の光学的バ
ンドギャップの設計が容易となる。更に３元系の合金等
を適宜組み合わせて用いることもできる。
ァスシリコンと水素化アモルファスシリコンカーバイド
を用いたが、各セル間の光学的バンドギャップを設計す
るために、水素化アモルファスシリコンゲルマニウム、
水素化アモルファスシリコンナイトライドを用いること
もでき、あるいは水素化アモルファスシリコンを含む水
素化アモルファスシリコン合金ａ−Ｓｉｘ ＧｅｙＣｚ
Ｎｌ ：Ｈ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、
０≦１≦１）を用いることにより、各セル間の光学的バ
ンドギャップの設計が容易となる。更に３元系の合金等
を適宜組み合わせて用いることもできる。
【００４９】また水素プラズマ照射の方法としては、原
子状水素を効率良く発生するものであれば良く、容量結
合型あるいは誘導結合型の高周波グロー放電を利用する
こともできる。すなわち、基板上に積層したａ−Ｓｉ：
Ｈ膜を基板ごと水素ガスのグロー放電中に置くか、プラ
ズマの近くに置くことにより、原子状水素をａ−Ｓｉ：
Ｈ膜に供給することができる。この他マイクロ波プラズ
マにより原子状水素を発生させてａ−Ｓｉ：Ｈ表面に拡
散させる方法や、ＥＣＲプラズマにより原子状水素を発
生させる方法もある。ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を堆積する方法と
してプラズマＣＶＤ法を採用すれば、水素プラズマも同
一の方法で発生させることができ、極めて容易に本発明
の成膜方法を実現できる。
子状水素を効率良く発生するものであれば良く、容量結
合型あるいは誘導結合型の高周波グロー放電を利用する
こともできる。すなわち、基板上に積層したａ−Ｓｉ：
Ｈ膜を基板ごと水素ガスのグロー放電中に置くか、プラ
ズマの近くに置くことにより、原子状水素をａ−Ｓｉ：
Ｈ膜に供給することができる。この他マイクロ波プラズ
マにより原子状水素を発生させてａ−Ｓｉ：Ｈ表面に拡
散させる方法や、ＥＣＲプラズマにより原子状水素を発
生させる方法もある。ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を堆積する方法と
してプラズマＣＶＤ法を採用すれば、水素プラズマも同
一の方法で発生させることができ、極めて容易に本発明
の成膜方法を実現できる。
【００５０】
【発明の効果】ｐｉｎ型構造を具備する非単結晶シリコ
ン太陽電池セルを積層したタンデム型太陽電池において
、光入射側に位置する第ｍ（１≦ｍ）セルのｉ層の光学
的バンドギャップを第ｍセルの光入射側と反対側に位置
する第ｍ＋１セルの光学的バンドギャップよりも広く保
ち、かつ第ｍセルの膜中水素濃度を第ｍセル＋１セルの
膜中水素濃度よりも少なくすることにより光吸収の大き
なセルでは光劣化を少なくすることができる。
ン太陽電池セルを積層したタンデム型太陽電池において
、光入射側に位置する第ｍ（１≦ｍ）セルのｉ層の光学
的バンドギャップを第ｍセルの光入射側と反対側に位置
する第ｍ＋１セルの光学的バンドギャップよりも広く保
ち、かつ第ｍセルの膜中水素濃度を第ｍセル＋１セルの
膜中水素濃度よりも少なくすることにより光吸収の大き
なセルでは光劣化を少なくすることができる。
【００５１】さらにａ−Ｓｉｘ Ｇｅｙ Ｃｚ Ｎｌ
：（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦１≦１
）を用いることにより、所望の光学的バンドギャップを
設計することができるので、膜中水素濃度低減による光
学的バンドギャップの狭小化を補うことができる。
：（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦１≦１
）を用いることにより、所望の光学的バンドギャップを
設計することができるので、膜中水素濃度低減による光
学的バンドギャップの狭小化を補うことができる。
【００５２】さらにこれらのｉ層を基板上に非単結晶シ
リコン層を堆積する工程と、該非単結晶シリコン層に水
素プラズマを照射する工程とを交互に繰り返しながら堆
積を行い、該堆積時間及び水素プラズマ照射時間の少な
くとも一方を各ステップ毎に変化させ成膜することによ
り、膜中水素濃度を制御することができ、しかも既存の
欠陥を直しつつ余分の水素を取り去るので従来の成膜に
比べて最終膜の欠陥を減らすことができる。
リコン層を堆積する工程と、該非単結晶シリコン層に水
素プラズマを照射する工程とを交互に繰り返しながら堆
積を行い、該堆積時間及び水素プラズマ照射時間の少な
くとも一方を各ステップ毎に変化させ成膜することによ
り、膜中水素濃度を制御することができ、しかも既存の
欠陥を直しつつ余分の水素を取り去るので従来の成膜に
比べて最終膜の欠陥を減らすことができる。
【００５３】これにより光劣化の低減された、最適化さ
れたタンデム型太陽電池を得ることができた。
れたタンデム型太陽電池を得ることができた。
【図１】本発明になる成膜方法により作成したタンデム
型太陽電池の構成を示した概略断面図である。
型太陽電池の構成を示した概略断面図である。
【図２】本実施例のバンドプロファイルを示す図。
【図３】本実施例の膜中水素濃度のプロファイルを示す
図。
図。
【図４】本発明のタンデム型太陽電池を作成するのに好
的な成膜装置を示す。
的な成膜装置を示す。
【図５】本発明になる成膜方法の説明図である。
【図６】基板温度と膜中水素濃度の関係を、本発明によ
る場合と通常のＧＤ法による場合を比較した図である。
る場合と通常のＧＤ法による場合を比較した図である。
【図７】膜中水素濃度と水素プラズマ照射時間ｔＡ と
の関係を示す図。
の関係を示す図。
【図８】膜中水素濃度と各ステップでの成膜膜厚との関
係を示す図。
係を示す図。
【図９】バンドギャップと膜中水素濃度の関係を示す図
。
。
１０１ ガラス基板
１０２ 下電極
１０３、１０６ ｎ型層
１０４、１０７ ｉ型層
１０５、１０８ ｐ型層
１０９ 透明電極
１１０ 上電極
Claims (6)
- 【請求項１】 ｐｉｎ型構造を具備する複数の非単結
晶シリコン太陽電池セルを積層したタンデム型太陽電池
において、光入射側に位置する第ｍ（１≦ｍ）セルのｉ
層の光学的バンドギャップを、前記第ｍセルの光入射側
と反対側に位置する第ｍ＋１セルのｉ層の光学的バンド
ギャップよりも広く保ち、かつ前記第ｍセルのｉ層の膜
中水素濃度を前記第ｍ＋１セルのｉ層の膜中水素濃度よ
りも低くしたことを特徴とするタンデム型太陽電池。 - 【請求項２】 前記ｉ層に、水素化アモルファスシリ
コンを含む水素化アモルファスシリコン合金ａ−Ｓｉｘ
Ｇｅｙ Ｃｚ Ｎｌ ：Ｈ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１
、０≦ｚ≦１、０≦１≦１）を用いることを特徴とする
請求項１に記載のタンデム型太陽電池。 - 【請求項３】 請求項１に記載のタンデム型太陽電池
の製造方法において、ｉ層として、基板上に非単結晶シ
リコン層を堆積後、該非単結晶シリコン層に水素プラズ
マを照射する工程を１ステップとして、複数の該ステッ
プを繰り返しながら成膜を行い、少なくとも一部の前記
ステップにおいて、前記水素プラズマの照射時間を前記
ステップ毎に変化させたことを特徴とするタンデム型太
陽電池の製造方法。 - 【請求項４】 少なくとも一部の前記ステップにおい
て、前記堆積する時間を前記ステップ毎に変化させたこ
とを特徴とする請求項３に記載のタンデム型太陽電池の
製造方法。 - 【請求項５】 少なくとも一部の前記ステップにおい
て、前記堆積する時間及び前記水素プラズマを照射する
時間を、前記ステップ毎に変化させたことを特徴とする
請求項３に記載のタンデム型太陽電池の製造方法。 - 【請求項６】 前記ｉ層に、水素化アモルファスシリ
コンを含む水素化アモルファスシリコン合金ａ−Ｓｉｘ
Ｇｅｙ Ｃｚ Ｎｌ ：Ｈ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１
ａ−Ｓｉｘ Ｇｅｙ Ｃｚ Ｎｌ ：Ｈ（０＜ｘ≦１、
０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦１≦１）を用いることを
特徴とする請求項３に記載のタンデム型太陽電池の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3085748A JPH04299577A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | タンデム型太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3085748A JPH04299577A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | タンデム型太陽電池及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299577A true JPH04299577A (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=13867476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3085748A Pending JPH04299577A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | タンデム型太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04299577A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011148924A1 (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
| JP2012522404A (ja) * | 2009-06-10 | 2012-09-20 | シンシリコン・コーポレーション | 光起電モジュール、及び複数半導体層スタックを有する光起電モジュールを製造する方法 |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP3085748A patent/JPH04299577A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012522404A (ja) * | 2009-06-10 | 2012-09-20 | シンシリコン・コーポレーション | 光起電モジュール、及び複数半導体層スタックを有する光起電モジュールを製造する方法 |
| JP2012523716A (ja) * | 2009-06-10 | 2012-10-04 | シンシリコン・コーポレーション | 光起電モジュール、及び、複数半導体層スタックを有する光起電モジュールの製造方法 |
| WO2011148924A1 (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
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