JPH06326030A - 半導体製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体製造方法及び製造装置Info
- Publication number
- JPH06326030A JPH06326030A JP5111614A JP11161493A JPH06326030A JP H06326030 A JPH06326030 A JP H06326030A JP 5111614 A JP5111614 A JP 5111614A JP 11161493 A JP11161493 A JP 11161493A JP H06326030 A JPH06326030 A JP H06326030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- hydrogen
- gas
- amorphous silicon
- plasma treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜推積と水素プラズマ処理の条件を最適化
し、膜質の向上を図ることができる半導体製造方法及び
製造装置を提供する。 【構成】 基板上にアモルファスシリコンアロイ膜を堆
積する工程とこのアモルファスシリコンアロイ膜にプラ
ズマ処理を施す工程とを交互に繰り返しながら堆積を行
うに当り、推積時とプラズマ処理時のプロセス条件を独
立に制御するようにした半導体の製造方法及び製造装
置。
し、膜質の向上を図ることができる半導体製造方法及び
製造装置を提供する。 【構成】 基板上にアモルファスシリコンアロイ膜を堆
積する工程とこのアモルファスシリコンアロイ膜にプラ
ズマ処理を施す工程とを交互に繰り返しながら堆積を行
うに当り、推積時とプラズマ処理時のプロセス条件を独
立に制御するようにした半導体の製造方法及び製造装
置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体の製造方法及び製
造装置に関するものである。特に、アモルファスシリコ
ンアロイを作成する半導体製造方法とその製造装置に関
するものである。
造装置に関するものである。特に、アモルファスシリコ
ンアロイを作成する半導体製造方法とその製造装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年アモルファスシリコンアロイを利用
した半導体装置の開発が盛んである。特に大面積低コス
トで生産できる太陽電池の開発や、液晶ディスプレイ用
薄膜トランジスタの開発、軽量小型に作れるファクシミ
リ用固体撮像装置の開発も盛んである。従来これらの半
導体装置に使われるアモルファスシリコンアロイ、特に
水素化アモルファスシリコンの製造方法としては、シラ
ンＳｉＨ4 またはジシランＳｉ2 Ｈ6 を成膜ガスとする
ＲＦプラズマＣＶＤ法やマイクロ波プラズマＣＶＤ法、
あるいは水素ガス存在下でＳｉターゲットをＡｒプラズ
マ中でスパッタする反応性スパッタリング法などが用い
られてきた。実験的にはこの他にも光ＣＶＤ法、ＥＣＲ
ＣＶＤ法、水素原子存在下でのＳｉの真空蒸着法、など
の報告があり、Ｓｉ2 Ｈ6 などによる熱ＣＶＤ法での成
功例もある。これらの方法により得られる水素化アモル
ファスシリコン膜はほとんど水素を１０％またはそれ以
上含む膜である。
した半導体装置の開発が盛んである。特に大面積低コス
トで生産できる太陽電池の開発や、液晶ディスプレイ用
薄膜トランジスタの開発、軽量小型に作れるファクシミ
リ用固体撮像装置の開発も盛んである。従来これらの半
導体装置に使われるアモルファスシリコンアロイ、特に
水素化アモルファスシリコンの製造方法としては、シラ
ンＳｉＨ4 またはジシランＳｉ2 Ｈ6 を成膜ガスとする
ＲＦプラズマＣＶＤ法やマイクロ波プラズマＣＶＤ法、
あるいは水素ガス存在下でＳｉターゲットをＡｒプラズ
マ中でスパッタする反応性スパッタリング法などが用い
られてきた。実験的にはこの他にも光ＣＶＤ法、ＥＣＲ
ＣＶＤ法、水素原子存在下でのＳｉの真空蒸着法、など
の報告があり、Ｓｉ2 Ｈ6 などによる熱ＣＶＤ法での成
功例もある。これらの方法により得られる水素化アモル
ファスシリコン膜はほとんど水素を１０％またはそれ以
上含む膜である。
【０００３】このような水素化アモルファスシリコン膜
の製造方法としてもっとも普及しているのはプラズマＣ
ＶＤ法で、多くの場合ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスを用
い、必要に応じて水素ガスで希釈を行い１３．５６ＭＨ
ｚまたは２．５４ＧＨｚの高周波でプラズマを発生さ
せ、プラズマにより成膜ガスを分解して反応性のある活
性種をつくり、基板上に水素化アモルファスシリコン膜
を堆積させる。推積ガスにＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 、ＢＦ3 な
どのドーピングガスを混ぜればｎ型またはｐ型の水素化
アモルファスシリコン膜を形成することができるので、
これらの膜を用いて、このようなアモルファスシリコン
デバイスを作ることができる。
の製造方法としてもっとも普及しているのはプラズマＣ
ＶＤ法で、多くの場合ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスを用
い、必要に応じて水素ガスで希釈を行い１３．５６ＭＨ
ｚまたは２．５４ＧＨｚの高周波でプラズマを発生さ
せ、プラズマにより成膜ガスを分解して反応性のある活
性種をつくり、基板上に水素化アモルファスシリコン膜
を堆積させる。推積ガスにＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 、ＢＦ3 な
どのドーピングガスを混ぜればｎ型またはｐ型の水素化
アモルファスシリコン膜を形成することができるので、
これらの膜を用いて、このようなアモルファスシリコン
デバイスを作ることができる。
【０００４】しかしながら、これらの膜では光劣化（い
わゆるｓｔａｅｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ効果）が大き
いという問題があり、これらを解決するために水素プラ
ズマ処理を繰り返す方法（たとえば応用物理学会関係連
合講演会予稿集１９９０年春季３１ａ−２Ｄ−８，３１
ａ−２Ｄ−１１，１９８８年秋季５ｐ−２Ｆ−１など）
が提案されている。
わゆるｓｔａｅｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ効果）が大き
いという問題があり、これらを解決するために水素プラ
ズマ処理を繰り返す方法（たとえば応用物理学会関係連
合講演会予稿集１９９０年春季３１ａ−２Ｄ−８，３１
ａ−２Ｄ−１１，１９８８年秋季５ｐ−２Ｆ−１など）
が提案されている。
【０００５】この成膜方法によると、時間ｔD の間水素
化アモルファスシリコン膜を堆積した後、この堆積した
膜に対して時間ｔA だけ水素プラズマ放電を行い、この
とき発生する原子状水素に暴露させる（以下水素プラズ
マ処理）という一組のステップを繰り返しながら成膜す
る。このために推積ガスをＯＮ／ＯＦＦさせて、この繰
り返しを行う方法が取られている。
化アモルファスシリコン膜を堆積した後、この堆積した
膜に対して時間ｔA だけ水素プラズマ放電を行い、この
とき発生する原子状水素に暴露させる（以下水素プラズ
マ処理）という一組のステップを繰り返しながら成膜す
る。このために推積ガスをＯＮ／ＯＦＦさせて、この繰
り返しを行う方法が取られている。
【０００６】ｔA の間、堆積膜表面は原子状水素の暴露
を受ける。この間に表面で起こっている現象のメカニズ
ムは必ずしも明らかではないが、原子状水素が堆積膜の
中へ、あるいは堆積表面を、ある程度拡散し、過剰の水
素を引き抜きつつＳｉネットワークの組み替え（構造緩
和）が起こっていると考えられる。
を受ける。この間に表面で起こっている現象のメカニズ
ムは必ずしも明らかではないが、原子状水素が堆積膜の
中へ、あるいは堆積表面を、ある程度拡散し、過剰の水
素を引き抜きつつＳｉネットワークの組み替え（構造緩
和）が起こっていると考えられる。
【０００７】まず原子状水素暴露の効果を説明する。
【０００８】図７は膜中水素濃度のｔA 依存を示す。ａ
は各サイクルでの膜厚が５０Åの場合であり、ｂは膜厚
１００Åの場合である。ｃはａと比較して原子状水素濃
度を増やした場合である（この例ではＲＦパワーを上げ
ている）。各ステップでの膜厚が１００Å以上だと原子
状水素暴露をいくら行っても構造緩和は進まなくなるこ
とが分かる。原子状水素濃度は大きいほうが、同じ膜中
水素濃度に達するのにより短い時間ですむことが分か
る。ｔD 間に堆積する膜厚は、１０Å以上１００Å以
下、望ましくは５０Å以下である必要がある。
は各サイクルでの膜厚が５０Åの場合であり、ｂは膜厚
１００Åの場合である。ｃはａと比較して原子状水素濃
度を増やした場合である（この例ではＲＦパワーを上げ
ている）。各ステップでの膜厚が１００Å以上だと原子
状水素暴露をいくら行っても構造緩和は進まなくなるこ
とが分かる。原子状水素濃度は大きいほうが、同じ膜中
水素濃度に達するのにより短い時間ですむことが分か
る。ｔD 間に堆積する膜厚は、１０Å以上１００Å以
下、望ましくは５０Å以下である必要がある。
【０００９】図８はｔD 間の堆積膜厚と膜中水素濃度の
関係を示している。原子状水素暴露時間あるいは堆積時
間を制御することで、膜中水素濃度を制御できることが
分かる。ｔD の間に堆積する水素化アモルファスシリコ
ン膜の膜厚は２原子層以上であることが望ましく、実際
上１０Å以上であることが望ましい。なぜならば堆積し
た膜が１原子層しかないとアモルファス構造を安定に保
つことができず、原子状水素暴露により結晶化が進んで
しまうからである。この原因としては原子状水素による
過度の水素の引き抜きが考えられる。堆積膜が薄く、水
素が引き抜かれすぎれば構造緩和が極度に起こり、結晶
化までいってしまう。原子状水素暴露による過度の緩和
を防ぎ、制御性良く緩和を進めるには１０Å以上の水素
化アモルファスシリコン膜の堆積が必要である。
関係を示している。原子状水素暴露時間あるいは堆積時
間を制御することで、膜中水素濃度を制御できることが
分かる。ｔD の間に堆積する水素化アモルファスシリコ
ン膜の膜厚は２原子層以上であることが望ましく、実際
上１０Å以上であることが望ましい。なぜならば堆積し
た膜が１原子層しかないとアモルファス構造を安定に保
つことができず、原子状水素暴露により結晶化が進んで
しまうからである。この原因としては原子状水素による
過度の水素の引き抜きが考えられる。堆積膜が薄く、水
素が引き抜かれすぎれば構造緩和が極度に起こり、結晶
化までいってしまう。原子状水素暴露による過度の緩和
を防ぎ、制御性良く緩和を進めるには１０Å以上の水素
化アモルファスシリコン膜の堆積が必要である。
【００１０】図９は膜中水素濃度と光学的バンドギャッ
プの関係を示す。膜中水素濃度は水素プラズマ中の原子
状水素濃度に依存する。
プの関係を示す。膜中水素濃度は水素プラズマ中の原子
状水素濃度に依存する。
【００１１】このように推積時に膜中水素を制御する、
つまり構造緩和を起こしながら、膜中水素濃度を低減す
ることにより、これが原因と考えられている膜中のウイ
ークボンドを減らすことが可能となり、これに起因する
光劣化を押えることができる。
つまり構造緩和を起こしながら、膜中水素濃度を低減す
ることにより、これが原因と考えられている膜中のウイ
ークボンドを減らすことが可能となり、これに起因する
光劣化を押えることができる。
【００１２】このような製造方法を実現するために従来
考案されている製造装置を図１０に示す。図１０におい
て３００は反応チャンバー、３０１は基板、３０２はア
ノード電極、３０３はカソード電極、３０４は基板加熱
用ヒーター、３０５は接地用端子である。３０６はマッ
チングボックス、３０７は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源
である。３０８は圧力コントロール用ゲートバルブであ
る。３０９はターボ分子ポンプ、３１０はロータリーポ
ンプである。３１１は推積ガスライン、３１２は水素ガ
スライン、３１３は捨てガスラインである。３１４、３
１５はエアーバルブである。これらのエアーバルブは制
御用シーケンサに接続され、制御される。エアーバルブ
３１４、３１５を切りかえることにより、成膜ガスのチ
ャンバーへのＯＮ／ＯＦＦを行う。推積ガスであるシラ
ンガスＳｉＨ4 のみの流れをＯＮ／ＯＦＦ制御するだけ
で水素化アモルファスシリコン膜堆積と原子状水素暴露
の両方を容易に切り替えることができる。図１１に推積
時と水素プラズマ処理時の動作を示す。水素ガス、アル
ゴンガスの流量は一定、ＲＦパワーも、成膜、水素プラ
ズマ処理を通して一定である。
考案されている製造装置を図１０に示す。図１０におい
て３００は反応チャンバー、３０１は基板、３０２はア
ノード電極、３０３はカソード電極、３０４は基板加熱
用ヒーター、３０５は接地用端子である。３０６はマッ
チングボックス、３０７は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源
である。３０８は圧力コントロール用ゲートバルブであ
る。３０９はターボ分子ポンプ、３１０はロータリーポ
ンプである。３１１は推積ガスライン、３１２は水素ガ
スライン、３１３は捨てガスラインである。３１４、３
１５はエアーバルブである。これらのエアーバルブは制
御用シーケンサに接続され、制御される。エアーバルブ
３１４、３１５を切りかえることにより、成膜ガスのチ
ャンバーへのＯＮ／ＯＦＦを行う。推積ガスであるシラ
ンガスＳｉＨ4 のみの流れをＯＮ／ＯＦＦ制御するだけ
で水素化アモルファスシリコン膜堆積と原子状水素暴露
の両方を容易に切り替えることができる。図１１に推積
時と水素プラズマ処理時の動作を示す。水素ガス、アル
ゴンガスの流量は一定、ＲＦパワーも、成膜、水素プラ
ズマ処理を通して一定である。
【００１３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、こ
の従来例の様に推積ガスのみをＯＮ／ＯＦＦさせて、推
積と水素プラズマ処理とを交互に行う場合、以下のよう
な問題があった。推積時と水素プラズマ処理時では最適
条件が一致するとは限らず、ガス流量、ガス比、ＲＦパ
ワー、圧力の合せこみをやろうと思っても、装置の制約
上できなかった。たとえば図１１に示されているよう
に、推積時の条件としては、シランガスＳｉＨ4：Ｈ
2 ：Ａｒ＝１：１：１であるが、ここでシランガスを切
るとチャンバー内の圧力は水素ガスとアルゴンガスの分
圧のみとなり、必然的に初期の半分の値になる。ここで
原子状水素の量を増やすために最適の圧力にしようと考
えて、これより高い圧力の方へもっていくとすると、現
状では流量比を変えることにより、初期条件で水素リッ
チにしなければならない。しかしながら、このとき推積
時の条件も水素リッチとなり、推積条件としては、微結
晶化しやすくなるなどの問題が起こる。またＲＦパワー
においても、水素プラズマ処理時は高パワーの方が好ま
しいが、推積時は、高パワーにすると、ポリシランが生
じたり、微結晶化しやすくなるなどの問題が起こる。そ
こで従来の条件は推積と水素プラズマの折衷案的条件と
なり、一定パワーで推積と水素プラズマ処理を行ってい
た。
の従来例の様に推積ガスのみをＯＮ／ＯＦＦさせて、推
積と水素プラズマ処理とを交互に行う場合、以下のよう
な問題があった。推積時と水素プラズマ処理時では最適
条件が一致するとは限らず、ガス流量、ガス比、ＲＦパ
ワー、圧力の合せこみをやろうと思っても、装置の制約
上できなかった。たとえば図１１に示されているよう
に、推積時の条件としては、シランガスＳｉＨ4：Ｈ
2 ：Ａｒ＝１：１：１であるが、ここでシランガスを切
るとチャンバー内の圧力は水素ガスとアルゴンガスの分
圧のみとなり、必然的に初期の半分の値になる。ここで
原子状水素の量を増やすために最適の圧力にしようと考
えて、これより高い圧力の方へもっていくとすると、現
状では流量比を変えることにより、初期条件で水素リッ
チにしなければならない。しかしながら、このとき推積
時の条件も水素リッチとなり、推積条件としては、微結
晶化しやすくなるなどの問題が起こる。またＲＦパワー
においても、水素プラズマ処理時は高パワーの方が好ま
しいが、推積時は、高パワーにすると、ポリシランが生
じたり、微結晶化しやすくなるなどの問題が起こる。そ
こで従来の条件は推積と水素プラズマの折衷案的条件と
なり、一定パワーで推積と水素プラズマ処理を行ってい
た。
【００１４】
【課題を解決する手段】上記問題点を解決するために、
基板上にアモルファスシリコンアロイ膜を堆積する工程
と、このアモルファスシリコンアロイ膜にプラズマ処理
を施す工程とを交互に繰り返しながら堆積を行う半導体
製造方法及び半導体製造装置において、推積時とプラズ
マ処理時のプロセス条件を独立に制御することを特徴と
する半導体製造方法及び半導体製造装置を提供すること
により、上記問題点を解決し、特性の優れた膜を作成す
る。
基板上にアモルファスシリコンアロイ膜を堆積する工程
と、このアモルファスシリコンアロイ膜にプラズマ処理
を施す工程とを交互に繰り返しながら堆積を行う半導体
製造方法及び半導体製造装置において、推積時とプラズ
マ処理時のプロセス条件を独立に制御することを特徴と
する半導体製造方法及び半導体製造装置を提供すること
により、上記問題点を解決し、特性の優れた膜を作成す
る。
【００１５】
【作用】上記方法による半導体製造装置では、推積時と
プラズマ処理時のプロセス条件を最適に設定することが
できる。これにより最適化された膜を得ることができ
た。
プラズマ処理時のプロセス条件を最適に設定することが
できる。これにより最適化された膜を得ることができ
た。
【００１６】
【実施例】実施例１ 図１に本発明になる半導体製造装置を示す。
【００１７】図１において１００は反応チャンバー、１
０１は基板、１０２はアノード電極、１０３はカソード
電極、１０４は基板加熱用ヒーター、１０５は接地用端
子である。１０６はマッチングボックス、１０７は１
３．５６ＭＨｚのＲＦ電源である。１０８は圧力コント
ロール用ゲートバルブである。１０９はターボ分子ポン
プ、１１０はロータリーポンプである。１１１は捨てガ
スライン、１１９は成膜用ガスライン、１２０は水素プ
ラズマ処理用ガスライン、１１５、１１６、１１７、１
１８はエアーバルブである。これらのエアーバルブは制
御用コンピューターに接続されている。１１２はターボ
分子ポンプ、１１３はロータリーポンプである。１１４
は制御用コンピューター成膜ガスであるシランガスＳｉ
Ｈ4 と水素ガスをＯＮ／ＯＦＦ制御するだけで水素化ア
モルファスシリコン膜堆積と原子状水素暴露の両方を容
易に切り替えることができる。１２１、１２３は水素ガ
スラインのバルブ、１２４、１２６はシランガスライン
のバルブ、１２７、１２９は水素ガスラインのバルブ、
１３０、１３２はアルゴンガスラインのバルブ、１３
３、１３５はホスフィンガスラインのバルブである。１
３６、１３８はジボランガスラインのバルブである。１
２２、１２５、１２８、１３１、１３４、１３７は各ラ
インのマスフローコントローラーである。
０１は基板、１０２はアノード電極、１０３はカソード
電極、１０４は基板加熱用ヒーター、１０５は接地用端
子である。１０６はマッチングボックス、１０７は１
３．５６ＭＨｚのＲＦ電源である。１０８は圧力コント
ロール用ゲートバルブである。１０９はターボ分子ポン
プ、１１０はロータリーポンプである。１１１は捨てガ
スライン、１１９は成膜用ガスライン、１２０は水素プ
ラズマ処理用ガスライン、１１５、１１６、１１７、１
１８はエアーバルブである。これらのエアーバルブは制
御用コンピューターに接続されている。１１２はターボ
分子ポンプ、１１３はロータリーポンプである。１１４
は制御用コンピューター成膜ガスであるシランガスＳｉ
Ｈ4 と水素ガスをＯＮ／ＯＦＦ制御するだけで水素化ア
モルファスシリコン膜堆積と原子状水素暴露の両方を容
易に切り替えることができる。１２１、１２３は水素ガ
スラインのバルブ、１２４、１２６はシランガスライン
のバルブ、１２７、１２９は水素ガスラインのバルブ、
１３０、１３２はアルゴンガスラインのバルブ、１３
３、１３５はホスフィンガスラインのバルブである。１
３６、１３８はジボランガスラインのバルブである。１
２２、１２５、１２８、１３１、１３４、１３７は各ラ
インのマスフローコントローラーである。
【００１８】本発明になる製造装置の動作とその作用を
述べる。一般に膜堆積時のプロセス条件としては、水素
ガス分圧が大きくなると、微結晶化が起こりやすくなる
ので、水素ガスの分圧は小さくする方が良い。その場合
シランガス分圧が減少するとそれに応じて推積速度も減
少する。それを防ぐためには、水素の流量比を一定に保
って、全体の圧力を上げれば良いが、そうするとポリシ
ランを生成し易くなる。そこで本実施例では以上のこと
を考慮に入れて、シランガス１０ｓｃｃｍ、水素ガス１
０ｓｃｃｍを流し、全体の圧力を０．１Ｔｏｒｒとし
た。ＲＦパワーについては、高いパワー密度で成膜する
と、やはり微結晶化し易くなったり、ポリシランができ
易くなったりするので避けなければならない。しかしな
がら水素プラズマ処理時には、ＲＦパワーの大きいほう
が効果の大きいことが分かっている。図７のｃは、ＲＦ
パワーのみをかえて、他の条件を一定にしたときの膜中
水素濃度のｔA 依存を示す。ＲＦパワーの大きい条件で
は、同じ膜中水素を達成するのにより短いｔA ですむこ
とが分かる。そこで本発明による方法によれば、推積時
と水素プラズマ時のＲＦパワーを独自に制御できるの
で、ここでは推積時には５ｍＷ／ｃｍ2 、水素プラズマ
処理時には２０ｍＷ／ｃｍ2 とした。こうすることによ
って、水素プラズマ処理時間を短縮することができ、全
体として推積時間を短縮することができる。これにより
膜質の改善を計りながら、しかも推積のコストダウンも
できる。水素プラズマ処理時の条件としては、アルゴン
ガスを適当に混合することにより、原子状水素を増加さ
せうることが分かっているので、混合比Ａｒ／Ｈ2 ＝１
／１として水素ガスラインにＨ2 ガス２０ｓｃｃｍ、ア
ルゴンガス２０ｓｃｃｍを流す。圧力は全体で０．１Ｔ
ｏｒｒとした。
述べる。一般に膜堆積時のプロセス条件としては、水素
ガス分圧が大きくなると、微結晶化が起こりやすくなる
ので、水素ガスの分圧は小さくする方が良い。その場合
シランガス分圧が減少するとそれに応じて推積速度も減
少する。それを防ぐためには、水素の流量比を一定に保
って、全体の圧力を上げれば良いが、そうするとポリシ
ランを生成し易くなる。そこで本実施例では以上のこと
を考慮に入れて、シランガス１０ｓｃｃｍ、水素ガス１
０ｓｃｃｍを流し、全体の圧力を０．１Ｔｏｒｒとし
た。ＲＦパワーについては、高いパワー密度で成膜する
と、やはり微結晶化し易くなったり、ポリシランができ
易くなったりするので避けなければならない。しかしな
がら水素プラズマ処理時には、ＲＦパワーの大きいほう
が効果の大きいことが分かっている。図７のｃは、ＲＦ
パワーのみをかえて、他の条件を一定にしたときの膜中
水素濃度のｔA 依存を示す。ＲＦパワーの大きい条件で
は、同じ膜中水素を達成するのにより短いｔA ですむこ
とが分かる。そこで本発明による方法によれば、推積時
と水素プラズマ時のＲＦパワーを独自に制御できるの
で、ここでは推積時には５ｍＷ／ｃｍ2 、水素プラズマ
処理時には２０ｍＷ／ｃｍ2 とした。こうすることによ
って、水素プラズマ処理時間を短縮することができ、全
体として推積時間を短縮することができる。これにより
膜質の改善を計りながら、しかも推積のコストダウンも
できる。水素プラズマ処理時の条件としては、アルゴン
ガスを適当に混合することにより、原子状水素を増加さ
せうることが分かっているので、混合比Ａｒ／Ｈ2 ＝１
／１として水素ガスラインにＨ2 ガス２０ｓｃｃｍ、ア
ルゴンガス２０ｓｃｃｍを流す。圧力は全体で０．１Ｔ
ｏｒｒとした。
【００１９】図３から分かるように推積時にはシランガ
スラインを利用し、ＲＦパワー５ｍＷ／ｃｍ2 で推積す
る。水素プラズマ処理時には水素ガスラインを利用し、
ＲＦパワー２０ｍＷ／ｃｍ2 で処理を行う。これらの切
り替えは全て制御用コンピューターで行う。シランガ
ス、水素ガス、アルゴンガスの流量比や圧力、ＲＦパワ
ーは適宜変更することができる。以上の条件での目標膜
中水素濃度は４％とした。ｔD ＝３０Å、ｔA ＝５ｓｅ
ｃで成膜をすると、推積速度は１．５Å／ｓｅｃとなっ
た。従来同様の膜中水素濃度を出す場合、推積速度は
１．０Å／ｓｅｃであったので、１．５倍の向上となっ
ている。
スラインを利用し、ＲＦパワー５ｍＷ／ｃｍ2 で推積す
る。水素プラズマ処理時には水素ガスラインを利用し、
ＲＦパワー２０ｍＷ／ｃｍ2 で処理を行う。これらの切
り替えは全て制御用コンピューターで行う。シランガ
ス、水素ガス、アルゴンガスの流量比や圧力、ＲＦパワ
ーは適宜変更することができる。以上の条件での目標膜
中水素濃度は４％とした。ｔD ＝３０Å、ｔA ＝５ｓｅ
ｃで成膜をすると、推積速度は１．５Å／ｓｅｃとなっ
た。従来同様の膜中水素濃度を出す場合、推積速度は
１．０Å／ｓｅｃであったので、１．５倍の向上となっ
ている。
【００２０】次に本発明の半導体製造装置によりイント
リンシック（ｉ型）な水素化アモルファスシリコン膜を
作成し、このｉ型膜を光電変換膜に利用した太陽電池を
作成した場合を以下に示す。太陽電池の構成は図５に示
す。
リンシック（ｉ型）な水素化アモルファスシリコン膜を
作成し、このｉ型膜を光電変換膜に利用した太陽電池を
作成した場合を以下に示す。太陽電池の構成は図５に示
す。
【００２１】ガラス基板７０１上に、Ａｌなどの金属膜
を用い下電極７０２を形成した後、チャンバー１００の
中のアノード電極上に取りつけ、ポンプ１０９、１１０
により排気し、１０-6Ｔｏｒｒとした。バルブ１２１、
１２３、１２４、１２６、１３３、１３５を開けてＳｉ
Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガスを３０ｓｃｃｍ流
し、Ｈ2 ガスで１％に希釈したＰＨ3 ガスを３０ｓｃｃ
ｍ流した。チャンバー内圧を０．５Ｔｏｒｒにして基板
温度は３００℃に設定し、１時間保持した。５０ｍＷ／
ｃｍ2 のＲＦパワーを投入し７分間放電しｎ+ 型水素化
マイクロクリスタルシリコン層を４００Å堆積した。ガ
ス供給を停止した後、チャンバー内を１０ -6Ｔｏｒｒ以
下に排気した。
を用い下電極７０２を形成した後、チャンバー１００の
中のアノード電極上に取りつけ、ポンプ１０９、１１０
により排気し、１０-6Ｔｏｒｒとした。バルブ１２１、
１２３、１２４、１２６、１３３、１３５を開けてＳｉ
Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガスを３０ｓｃｃｍ流
し、Ｈ2 ガスで１％に希釈したＰＨ3 ガスを３０ｓｃｃ
ｍ流した。チャンバー内圧を０．５Ｔｏｒｒにして基板
温度は３００℃に設定し、１時間保持した。５０ｍＷ／
ｃｍ2 のＲＦパワーを投入し７分間放電しｎ+ 型水素化
マイクロクリスタルシリコン層を４００Å堆積した。ガ
ス供給を停止した後、チャンバー内を１０ -6Ｔｏｒｒ以
下に排気した。
【００２２】次に本発明になる成膜方法で、ｉ型水素化
アモルファスシリコン膜を堆積した。エアーバルブ１１
６、１１８を閉め、１１５、１１７を開けた後、バルブ
１２１、１２３、１２４、１２６、１２７、１２９を開
けて、ＳｉＨ4 ガス１０ｓｃｃｍ、水素ガス２０ｓｃｃ
ｍを推積ガスライン１１９に、水素ガス２０ｓｃｃｍ、
アルゴンガス２０ｓｃｃｍを水素ガスライン１２０に流
した。チャンバー内圧力を０．１Ｔｏｒｒに保ち、基板
温度を３００℃に設定し、１時間保持した。エアーバル
ブの切り替えと、ＲＦ電源はすべて同期しており、制御
用コンピューターで制御プログラムを走らせ、制御して
いる。コンピューターを作動させ、成膜時のＲＦパワー
５ｍＷ／ｃｍ2 、水素プラズマ処理時のＲＦパワー２０
ｍＷ／ｃｍ2 で、放電を開始した。本例での推積時間ｔ
D は３０Åの膜厚とした。ｔA は５ｓｅｃとした。目標
の膜中水素濃度は４％とした。全ステップ数は２００回
とし、ｉ型層の全膜厚は６０００Åとした。図３に推積
のシーケンスが描かれている。推積時にはアルゴンガス
を入れなかった。水素プラズマ処理時には、水素だけで
は、切り替え時などに放電が不安定になるので、アルゴ
ンガスを入れ、放電の安定をはかった。またアルゴンガ
スを適度に混合すると（本実施例の場合Ａｒ／Ｈ2 ＝１
／１とした。）原子状水素の増加がみられるので、その
効果をも狙った。またＲＦパワーは、推積時は低めのパ
ワーとし、水素プラズマ時には高めのパワー設定とし
た。
アモルファスシリコン膜を堆積した。エアーバルブ１１
６、１１８を閉め、１１５、１１７を開けた後、バルブ
１２１、１２３、１２４、１２６、１２７、１２９を開
けて、ＳｉＨ4 ガス１０ｓｃｃｍ、水素ガス２０ｓｃｃ
ｍを推積ガスライン１１９に、水素ガス２０ｓｃｃｍ、
アルゴンガス２０ｓｃｃｍを水素ガスライン１２０に流
した。チャンバー内圧力を０．１Ｔｏｒｒに保ち、基板
温度を３００℃に設定し、１時間保持した。エアーバル
ブの切り替えと、ＲＦ電源はすべて同期しており、制御
用コンピューターで制御プログラムを走らせ、制御して
いる。コンピューターを作動させ、成膜時のＲＦパワー
５ｍＷ／ｃｍ2 、水素プラズマ処理時のＲＦパワー２０
ｍＷ／ｃｍ2 で、放電を開始した。本例での推積時間ｔ
D は３０Åの膜厚とした。ｔA は５ｓｅｃとした。目標
の膜中水素濃度は４％とした。全ステップ数は２００回
とし、ｉ型層の全膜厚は６０００Åとした。図３に推積
のシーケンスが描かれている。推積時にはアルゴンガス
を入れなかった。水素プラズマ処理時には、水素だけで
は、切り替え時などに放電が不安定になるので、アルゴ
ンガスを入れ、放電の安定をはかった。またアルゴンガ
スを適度に混合すると（本実施例の場合Ａｒ／Ｈ2 ＝１
／１とした。）原子状水素の増加がみられるので、その
効果をも狙った。またＲＦパワーは、推積時は低めのパ
ワーとし、水素プラズマ時には高めのパワー設定とし
た。
【００２３】つぎにｐ+ 型水素化マイクロクリスタルシ
リコン膜を堆積した。チャンバー内の真空度を１０-6Ｔ
ｏｒｒ以下に排気し、バルブ１２１、１２３、１２４、
１２６、１２７、１２９、１３６、１３８を開けてＳｉ
Ｈ4 ガス１ｓｃｃｍとＨ2 ガスで１％に希釈したＢ2 Ｈ
6 ガス１ｓｃｃｍとＨ2 ガス３００ｓｃｃｍを流し、チ
ャンバー内圧力を０．５Ｔｏｒｒに保ち基板温度を２０
０℃に変えた後、１時間保持した。その後ＲＦ電力を５
０ｍＷ／ｃｍ2 を投入して、プラズマ放電を５分間行
い、ｐ+ 型膜を５００Å堆積した。
リコン膜を堆積した。チャンバー内の真空度を１０-6Ｔ
ｏｒｒ以下に排気し、バルブ１２１、１２３、１２４、
１２６、１２７、１２９、１３６、１３８を開けてＳｉ
Ｈ4 ガス１ｓｃｃｍとＨ2 ガスで１％に希釈したＢ2 Ｈ
6 ガス１ｓｃｃｍとＨ2 ガス３００ｓｃｃｍを流し、チ
ャンバー内圧力を０．５Ｔｏｒｒに保ち基板温度を２０
０℃に変えた後、１時間保持した。その後ＲＦ電力を５
０ｍＷ／ｃｍ2 を投入して、プラズマ放電を５分間行
い、ｐ+ 型膜を５００Å堆積した。
【００２４】最後に、上部電極を透明導伝膜（ＩＴＯ
膜）で７００Å形成した。
膜）で７００Å形成した。
【００２５】このようにして作成したｐｉｎ型太陽電池
は、従来の方法により成膜したものに比べ、最適化され
た条件で作成することができたので、劣化の改善が実現
できた。図６にその様子を示す。ｂは従来の劣化の様
子、ａは本実施例のデバイスの劣化の様子である。条件
の最適化により、明らかに改善されていることが分か
る。さらに作成時間の短縮をはかることができた。
は、従来の方法により成膜したものに比べ、最適化され
た条件で作成することができたので、劣化の改善が実現
できた。図６にその様子を示す。ｂは従来の劣化の様
子、ａは本実施例のデバイスの劣化の様子である。条件
の最適化により、明らかに改善されていることが分か
る。さらに作成時間の短縮をはかることができた。
【００２６】本実施例では水素化アモルファスシリコン
膜についてのみ述べたが、同様の方法において、炭素、
窒素、ゲルマニウムなどの元素を含む水素化アモルファ
スシリコンアロイを作成しても、同様の効果をあげるこ
とができる。またプラズマ処理として水素プラズマ処理
ばかりでなく、Ａｒ，Ｈｅ，Ｘｅ，Ｎｅ等の希ガスを用
いたプラズマ処理、あるいはこれらの混合の処理を採用
しても本発明の効果をあげることができる。
膜についてのみ述べたが、同様の方法において、炭素、
窒素、ゲルマニウムなどの元素を含む水素化アモルファ
スシリコンアロイを作成しても、同様の効果をあげるこ
とができる。またプラズマ処理として水素プラズマ処理
ばかりでなく、Ａｒ，Ｈｅ，Ｘｅ，Ｎｅ等の希ガスを用
いたプラズマ処理、あるいはこれらの混合の処理を採用
しても本発明の効果をあげることができる。
【００２７】また本実施例ではＲＦ放電のみで原子状水
素を発生させたが、マイクロ波放電プラズマを利用し、
より効率よく原子状水素を発生させることもできる。こ
の場合水素ガスラインのチャンバーとバルブ１１７との
間にマイクロ波プラズマ発生管を取り付ける。ここで原
子状水素を発生させ、チャンバーに導入する。さらにマ
イクロ波パワーとＲＦパワーをコンピューターで制御す
る。例えば成膜時にはマイクロ波パワーを落し、必要以
上の原子状水素の発生を押え、水素プズマ処理時にはマ
イクロ波パワーを増し、十分な原子状水素を得る様にす
る。
素を発生させたが、マイクロ波放電プラズマを利用し、
より効率よく原子状水素を発生させることもできる。こ
の場合水素ガスラインのチャンバーとバルブ１１７との
間にマイクロ波プラズマ発生管を取り付ける。ここで原
子状水素を発生させ、チャンバーに導入する。さらにマ
イクロ波パワーとＲＦパワーをコンピューターで制御す
る。例えば成膜時にはマイクロ波パワーを落し、必要以
上の原子状水素の発生を押え、水素プズマ処理時にはマ
イクロ波パワーを増し、十分な原子状水素を得る様にす
る。
【００２８】実施例２ 上記実施例では、エアーバルブの開閉で制御していた
が、本実施例では、マスフローコントローラーとエアー
バルブの制御でプロセス条件を制御する。図２に本実施
例の製造装置を示す。
が、本実施例では、マスフローコントローラーとエアー
バルブの制御でプロセス条件を制御する。図２に本実施
例の製造装置を示す。
【００２９】図２において２００は反応チャンバー、２
０１は基板、２０２はアノード電極、２０３はカソード
電極、２０４は基板加熱用ヒーター、２０５は接地用端
子である。２０６はマッチングボックス、２０７は１
３．５６ＭＨｚのＲＦ電源である。２０８は圧力コント
ロール用ゲートバルブである。２０９はターボ分子ポン
プ、２１０はロータリーポンプである。２１１は成膜ガ
ス導入ラインであり、２１２は制御用コンピューターで
ある。２１３、２１６、２１９はエアーバルブである。
これらのエアーバルブは制御用コンピューターに接続さ
れ、自動制御される。２１５はシランガスラインのバル
ブ、２１８は水素ガスラインのバルブ、２２１はアルゴ
ンガスラインのバルブ、２２２、２２４はホスフィンガ
スラインのバルブである。２２５、２２７はジボランガ
スラインのバルブである。２１４、２１７、２２０、２
２３、２２６は各ラインのマスフローコントローラーで
ある。このうち２１４と２１７と２１９は自動で流量が
制御できるようになっており、その制御は制御用コンピ
ューターで行う。
０１は基板、２０２はアノード電極、２０３はカソード
電極、２０４は基板加熱用ヒーター、２０５は接地用端
子である。２０６はマッチングボックス、２０７は１
３．５６ＭＨｚのＲＦ電源である。２０８は圧力コント
ロール用ゲートバルブである。２０９はターボ分子ポン
プ、２１０はロータリーポンプである。２１１は成膜ガ
ス導入ラインであり、２１２は制御用コンピューターで
ある。２１３、２１６、２１９はエアーバルブである。
これらのエアーバルブは制御用コンピューターに接続さ
れ、自動制御される。２１５はシランガスラインのバル
ブ、２１８は水素ガスラインのバルブ、２２１はアルゴ
ンガスラインのバルブ、２２２、２２４はホスフィンガ
スラインのバルブである。２２５、２２７はジボランガ
スラインのバルブである。２１４、２１７、２２０、２
２３、２２６は各ラインのマスフローコントローラーで
ある。このうち２１４と２１７と２１９は自動で流量が
制御できるようになっており、その制御は制御用コンピ
ューターで行う。
【００３０】本実施例による動作原理は、エアーバルブ
の開閉の替わりに、シランガス、水素ガス、アルゴンガ
スの導入管は共通として、各ガスのマスフローコントロ
ーラーを制御して、プロセス条件を調整し成膜と水素プ
ラズマ処理を行うことを特徴とする。この形式であれ
ば、実施例１でのように捨てガス用のラインと排気系を
用意する必要がなく設備が簡略化される。そのため装置
上のコストを低減することができる。さらに流量も制御
できるので、プロセス条件の調整範囲が広がる。図４に
その動作の一例を示す。シラン１０ｓｃｃｍ、水素各ガ
スを成膜時１０ｓｃｃｍ、水素プラズマ時２０ｓｃｃｍ
流す。アルゴンは水素プラズマ時のみ２０ｓｃｃｍ流
す。これらの制御は予めプログラムされており、成膜時
にはこれをコンピューター上で走らせれば良い。マスフ
ローコントローラーのＯＮ／ＯＦＦと流量の制御、ＲＦ
パワーの制御を行うことができ、最適の条件を設定する
ことができる。
の開閉の替わりに、シランガス、水素ガス、アルゴンガ
スの導入管は共通として、各ガスのマスフローコントロ
ーラーを制御して、プロセス条件を調整し成膜と水素プ
ラズマ処理を行うことを特徴とする。この形式であれ
ば、実施例１でのように捨てガス用のラインと排気系を
用意する必要がなく設備が簡略化される。そのため装置
上のコストを低減することができる。さらに流量も制御
できるので、プロセス条件の調整範囲が広がる。図４に
その動作の一例を示す。シラン１０ｓｃｃｍ、水素各ガ
スを成膜時１０ｓｃｃｍ、水素プラズマ時２０ｓｃｃｍ
流す。アルゴンは水素プラズマ時のみ２０ｓｃｃｍ流
す。これらの制御は予めプログラムされており、成膜時
にはこれをコンピューター上で走らせれば良い。マスフ
ローコントローラーのＯＮ／ＯＦＦと流量の制御、ＲＦ
パワーの制御を行うことができ、最適の条件を設定する
ことができる。
【００３１】本発明になる装置により、太陽電池を作成
して評価したところ良好な特性のものが得られた。
して評価したところ良好な特性のものが得られた。
【００３２】本実施例では水素化アモルファスシリコン
膜についてのみ述べたが、同様の方法において、炭素、
窒素、ゲルマニウムなどの元素を含む水素化アモルファ
スシリコンアロイを作成しても、同様の効果をあげるこ
とができる。本実施例においてもプラズマ処理ばかりで
はなく、Ａｒ，Ｎｅ，Ｈｅ，Ｘｅ等の希ガスのプラズマ
処理、あるいはこれら混合の処理を採用しても、本発明
の効果をあげることができる。
膜についてのみ述べたが、同様の方法において、炭素、
窒素、ゲルマニウムなどの元素を含む水素化アモルファ
スシリコンアロイを作成しても、同様の効果をあげるこ
とができる。本実施例においてもプラズマ処理ばかりで
はなく、Ａｒ，Ｎｅ，Ｈｅ，Ｘｅ等の希ガスのプラズマ
処理、あるいはこれら混合の処理を採用しても、本発明
の効果をあげることができる。
【００３３】また本実施例ではＲＦ放電のみで原子状水
素を発生させたが、マイクロ波放電プラズマを利用し、
より効率よく原子状水素を発生させることもできる。こ
の場合ガスライン２１１上のチャンバーとバルブ群との
間にマイクロ波プラズマ発生管を取り付ける。ここで原
子状水素を発生させ、チャンバーに導入する。さらにマ
イクロ波パワーとＲＦパワーをコンピューターで制御す
る。例えば成膜時にはマイクロ波パワーをとめ、プラズ
マ発生管内でシランガスが分解されないようにし、水素
プズマ処理時にはマイクロ波パワーを入れ、十分な原子
状水素を得る様にする。同時にＲＦパワーも上記実施例
のようにすれば良い。
素を発生させたが、マイクロ波放電プラズマを利用し、
より効率よく原子状水素を発生させることもできる。こ
の場合ガスライン２１１上のチャンバーとバルブ群との
間にマイクロ波プラズマ発生管を取り付ける。ここで原
子状水素を発生させ、チャンバーに導入する。さらにマ
イクロ波パワーとＲＦパワーをコンピューターで制御す
る。例えば成膜時にはマイクロ波パワーをとめ、プラズ
マ発生管内でシランガスが分解されないようにし、水素
プズマ処理時にはマイクロ波パワーを入れ、十分な原子
状水素を得る様にする。同時にＲＦパワーも上記実施例
のようにすれば良い。
【００３４】
【発明の効果】以上説明してきたように、基板上に水素
化アモルファスシリコンアロイ膜を堆積する工程と、こ
のアモルファスシリコンアロイ膜にプラズマ処理を施す
工程とを交互に繰り返しながら堆積を行う半導体製造方
法及び半導体製造装置において、推積時とプラズマ処理
時のプロセス条件を独立に制御する半導体製造装置及び
製造方法を提供することにより、成膜と推積プラズマ処
理の条件を最適化し、膜質の向上を計ることができる。
化アモルファスシリコンアロイ膜を堆積する工程と、こ
のアモルファスシリコンアロイ膜にプラズマ処理を施す
工程とを交互に繰り返しながら堆積を行う半導体製造方
法及び半導体製造装置において、推積時とプラズマ処理
時のプロセス条件を独立に制御する半導体製造装置及び
製造方法を提供することにより、成膜と推積プラズマ処
理の条件を最適化し、膜質の向上を計ることができる。
【図１】本発明による第１の実施例である半導体製造装
置を示す図
置を示す図
【図２】本発明による第２の実施例である半導体製造装
置を示す図
置を示す図
【図３】本発明による第１の実施例である半導体製造装
置の動作を示す図
置の動作を示す図
【図４】本発明による第２の実施例である半導体製造装
置の動作を示す図
置の動作を示す図
【図５】本発明による方法により作成した太陽電池の構
成を示す図
成を示す図
【図６】光劣化特性を示す図
【図７】膜中水素濃度のｔA 依存を示す図
【図８】膜中水素濃度と各ステップでの推積膜厚との関
係を示す図
係を示す図
【図９】膜中濃度と光学的ワイドバンドギャップとの関
係を示す図
係を示す図
【図１０】従来例である半導体製造装置を示す図
【図１１】従来例である半導体製造装置の動作を示す図
１００，２００，３００ チャンバー １０１，２０１，３０１ 基板 １０２，２０２，３０２ アノード電極 １０３，２０３，３０３ カソード電極 １０４，２０４，３０４ 過熱用ヒーター １０５，２０５，３０５ 接地用端子 １０６，２０６，３０６ マッチングボックス １０７，２０７，３０７ ＲＦ電源 １０８，２０８，３０８ ゲートバルブ １０９，１１２，２０９，３０９，３１６ ターボ分
子ポンプ １１０，１１３，２１０，３１０，３１７ ロータリ
ーポンプ １１１，３１３ 捨てガスライン １１９，２１１，３１１ 成膜ガスライン １１５，１１６，１１７，１１８，２１３ ２１６，２１９，３１４，３１５ エアーバ
ルブ １１４，２１２ 制御用コンピューター １２１，１２３，１２４，１２６，１２７ １２９，１３０，１３２，１３３，１３５ １３６，１３８，２１５，２１８，２２１ ２２４，２２７，３１８，３２０，３２１ ３２３，３２４，３２６，３２７，３２９ ３３０，３３２ バルブ １２２，１２５，１２８，１３１，１３４ １３７，２１４，２１７，２２０，２２３ ２２６，３１９，３２２，３２５，３２８ ３３１ マスフロ
ーコントローラー ７０１ ガラス基板 ７０２ 下電極 ７０３ ｎ+ 型膜 ７０４ ｉ型膜 ７０５ ｐ+ 型膜 ７０６ 透明電極 ７０７ 上電極
子ポンプ １１０，１１３，２１０，３１０，３１７ ロータリ
ーポンプ １１１，３１３ 捨てガスライン １１９，２１１，３１１ 成膜ガスライン １１５，１１６，１１７，１１８，２１３ ２１６，２１９，３１４，３１５ エアーバ
ルブ １１４，２１２ 制御用コンピューター １２１，１２３，１２４，１２６，１２７ １２９，１３０，１３２，１３３，１３５ １３６，１３８，２１５，２１８，２２１ ２２４，２２７，３１８，３２０，３２１ ３２３，３２４，３２６，３２７，３２９ ３３０，３３２ バルブ １２２，１２５，１２８，１３１，１３４ １３７，２１４，２１７，２２０，２２３ ２２６，３１９，３２２，３２５，３２８ ３３１ マスフロ
ーコントローラー ７０１ ガラス基板 ７０２ 下電極 ７０３ ｎ+ 型膜 ７０４ ｉ型膜 ７０５ ｐ+ 型膜 ７０６ 透明電極 ７０７ 上電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山野辺 正人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に水素化アモルファスシリコンア
ロイ膜を堆積する工程と、該水素化アモルファスシリコ
ンアロイ膜に原子状水素を曝露する工程とを交互に繰り
返しながら膜堆積を行う半導体の製造方法において、膜
を堆積する工程でのプロセス条件とプラズマ処理を施す
工程でのプロセス条件を独立に制御することを特徴とす
る半導体の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体の製造方法におい
て、プラズマ処理が少なくとも水素プラズマ放電により
生成される原子状水素を膜表面に曝露する処理であるこ
とを特徴とする半導体の製造方法。 - 【請求項３】 基板上に水素化アモルファスシリコンア
ロイ膜を堆積する工程と、該水素化アモルファスシリコ
ンアロイ膜にプラズマ処理を施す工程とを交互に繰り返
しながら膜堆積を行う半導体製造方法において、膜を堆
積する工程でのプロセス条件とプラズマ処理を施す工程
でのプロセス条件とを独立に制御するための機構を兼ね
備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体製造装置におい
て、プラズマ処理が少なくとも水素プラズマ放電により
生成される原子状水素を、膜表面に曝露する処理である
ことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5111614A JPH06326030A (ja) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | 半導体製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5111614A JPH06326030A (ja) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | 半導体製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326030A true JPH06326030A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14565805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5111614A Pending JPH06326030A (ja) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | 半導体製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326030A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068663A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体結晶膜の製造方法 |
| US7779785B2 (en) | 2005-02-17 | 2010-08-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Production method for semiconductor device and substrate processing apparatus |
| WO2022158001A1 (ja) * | 2021-01-25 | 2022-07-28 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-05-13 JP JP5111614A patent/JPH06326030A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068663A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体結晶膜の製造方法 |
| US7779785B2 (en) | 2005-02-17 | 2010-08-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Production method for semiconductor device and substrate processing apparatus |
| US8039404B2 (en) | 2005-02-17 | 2011-10-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Production method for semiconductor device |
| US8105957B2 (en) | 2005-02-17 | 2012-01-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of producing semiconductor device |
| US8227346B2 (en) | 2005-02-17 | 2012-07-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of producing semiconductor device |
| WO2022158001A1 (ja) * | 2021-01-25 | 2022-07-28 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路およびその製造方法 |
| JPWO2022158001A1 (ja) * | 2021-01-25 | 2022-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1029442C (zh) | 半导体器件的制造方法和系统 | |
| JP2880322B2 (ja) | 堆積膜の形成方法 | |
| AU632241B2 (en) | Amorphous silicon solar cell and method for manufacturing the same | |
| US4343830A (en) | Method for improving the efficiency of solar cells having imperfections | |
| JPH05275346A (ja) | 非晶質シリコン膜の製造方法、非晶質窒化シリコン膜の製造方法、微結晶シリコン膜の製造方法、及び非単結晶半導体装置 | |
| JPH05136062A (ja) | 多結晶シリコン薄膜およびその低温形成法 | |
| JP2795736B2 (ja) | 堆積膜の形成方法 | |
| JPH06326030A (ja) | 半導体製造方法及び製造装置 | |
| JP2000174310A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 | |
| JPH07106611A (ja) | Ｂｓｆ型太陽電池の製造方法 | |
| JPH05166733A (ja) | 非単結晶シリコン膜の形成方法および形成装置 | |
| CN108417478B (zh) | 多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法 | |
| JP3237788B2 (ja) | 非晶質シリコン薄膜の製造方法 | |
| JP3078373B2 (ja) | 光電変換装置とその製造方法 | |
| JP3201495B2 (ja) | 非晶質シリコンの製造方法 | |
| JPH0562913A (ja) | 堆積膜の成膜方法 | |
| JPH0548130A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS59127647A (ja) | 非晶質薄膜の製法 | |
| JP3110398B2 (ja) | 微結晶シリコン膜の作製方法 | |
| JPS6348817A (ja) | エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH04299577A (ja) | タンデム型太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2896247B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JP3107424B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JPH04373122A (ja) | 薄膜半導体の製造法 | |
| JPH05343713A (ja) | 非晶質太陽電池の製造方法 |