JPH0430004B2 - - Google Patents
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- JPH0430004B2 JPH0430004B2 JP56177484A JP17748481A JPH0430004B2 JP H0430004 B2 JPH0430004 B2 JP H0430004B2 JP 56177484 A JP56177484 A JP 56177484A JP 17748481 A JP17748481 A JP 17748481A JP H0430004 B2 JPH0430004 B2 JP H0430004B2
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- Japan
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- electrode
- liquid crystal
- thin film
- mim
- crystal display
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は非線型スイツチング素子を形成して表
示特性を改良したマトリクス型液晶表示装置に関
する。
示特性を改良したマトリクス型液晶表示装置に関
する。
［従来技術］
従来、表示装置に用いられる非線型素子として
は、特開昭52−149090や特開昭55−161273におい
て述べられている金属−絶縁体−金属（Ｍ＝etal−
Ｉ＝nsulator−Ｍ＝tal略してMIM）構造を有する非
線型素子以下MIMと呼ぶ）は素子構成が簡単で
あるため、他の非線型素にくらべ製造工程が短か
く素子設計も容易であるといつた利点を有してい
る。
は、特開昭52−149090や特開昭55−161273におい
て述べられている金属−絶縁体−金属（Ｍ＝etal−
Ｉ＝nsulator−Ｍ＝tal略してMIM）構造を有する非
線型素子以下MIMと呼ぶ）は素子構成が簡単で
あるため、他の非線型素にくらべ製造工程が短か
く素子設計も容易であるといつた利点を有してい
る。
このMIM素子はトンネル効果、シヨツトキ効
果あるいはプール・フレンケル効果などによつて
電流が流れると考えられ第１図に示すように非線
型な電圧−電流特性を示す。
果あるいはプール・フレンケル効果などによつて
電流が流れると考えられ第１図に示すように非線
型な電圧−電流特性を示す。
絶縁体としてはAl，Ta，Nb，Ti，Si，Mo，
Ｗ，Hf等の酸化物、あるいは窒素をドープした
前記金属の酸化物、カルコゲナイドガラス等の無
機材料、さらにはポリイミド樹脂等の有機材料も
使用することができる。
Ｗ，Hf等の酸化物、あるいは窒素をドープした
前記金属の酸化物、カルコゲナイドガラス等の無
機材料、さらにはポリイミド樹脂等の有機材料も
使用することができる。
前記絶縁膜を金属でサンドイツチすればMIM
構造になり、この金属として前記金属及びNi，
Cr，Auあるいはそれらの合金等を用いることが
できる。
構造になり、この金属として前記金属及びNi，
Cr，Auあるいはそれらの合金等を用いることが
できる。
MIM素子に電圧を印加した場合、絶縁膜の厚
さによつて伝導機構が異なり50〜100Åではトン
ネル効果、100〜1000Åではシヨツトキ効果及び
プール・フレンケル効果が優位を占めると言われ
ている。本発明の目的である液晶表示装置と
MIM素子の組合せでは液晶の駆動方法との兼ね
合いからプール・フレンケル効果を示す領域を利
用するのが望ましいと思われ、その領域では電圧
−電流特性はプール・フレンケル式 Ｉ＝KV exp（β√） (1) 〔(1)式中Ｉは電流、Ｖは印加電流、ｋ、βはそれ
ぞれ電流の流れ易さと非線型性を表わす比例定数
を示す。〕 で表わされる。
さによつて伝導機構が異なり50〜100Åではトン
ネル効果、100〜1000Åではシヨツトキ効果及び
プール・フレンケル効果が優位を占めると言われ
ている。本発明の目的である液晶表示装置と
MIM素子の組合せでは液晶の駆動方法との兼ね
合いからプール・フレンケル効果を示す領域を利
用するのが望ましいと思われ、その領域では電圧
−電流特性はプール・フレンケル式 Ｉ＝KV exp（β√） (1) 〔(1)式中Ｉは電流、Ｖは印加電流、ｋ、βはそれ
ぞれ電流の流れ易さと非線型性を表わす比例定数
を示す。〕 で表わされる。
このMIM素子を組込んだ液晶表示装置を、通
常のマトリクス型液晶表示装置の駆動に用いられ
ている電圧平均化法で駆動すると、MIM素子の
非線型性によつて実際に液晶に印加されるON／
OFF実効値比が、電圧平均化法自体のON／OFF
実効値比よりも大きくなり、より多析のマトリク
ス駆動が可能となる。MIM素子を液晶表示装置
と組合せた場合、一画素分の等価回路は第２図に
示すように容量分CMIMと非線型抵抗分RMIM
とが並列になつたMIM素子１と、容量CL0と抵
抗分RLCとが並列になつた液晶部分２が直列に
接続されていると考えることができる。
常のマトリクス型液晶表示装置の駆動に用いられ
ている電圧平均化法で駆動すると、MIM素子の
非線型性によつて実際に液晶に印加されるON／
OFF実効値比が、電圧平均化法自体のON／OFF
実効値比よりも大きくなり、より多析のマトリク
ス駆動が可能となる。MIM素子を液晶表示装置
と組合せた場合、一画素分の等価回路は第２図に
示すように容量分CMIMと非線型抵抗分RMIM
とが並列になつたMIM素子１と、容量CL0と抵
抗分RLCとが並列になつた液晶部分２が直列に
接続されていると考えることができる。
そしてこの両端に電圧を印加するわけであるが
実際に液晶部分２に印加される実効電圧はMIM
素子１の時定数、液晶部分２の時定数及びMIM
素子１の容量分CMIMと液晶部分２の容量分
CLCとの比CLC／CMIMとの組合せで定まり、
液晶部分２の時定数及びCLC／CMIMの値が大
きく、MIM素子１の時定数が適当な値の時実効
電圧は最も大きくなる、もち論、MIM素子１の
非線型性が大きい程マトリクス駆動の桁数は多く
とれるようになる。
実際に液晶部分２に印加される実効電圧はMIM
素子１の時定数、液晶部分２の時定数及びMIM
素子１の容量分CMIMと液晶部分２の容量分
CLCとの比CLC／CMIMとの組合せで定まり、
液晶部分２の時定数及びCLC／CMIMの値が大
きく、MIM素子１の時定数が適当な値の時実効
電圧は最も大きくなる、もち論、MIM素子１の
非線型性が大きい程マトリクス駆動の桁数は多く
とれるようになる。
ここで従来のMIM素子の構造を説明すると、
例えば第３図及び第４図に示すように、ガラス基
板３を酸化膜４で被覆しエツチストツプとした後
金属薄膜５を形成、所望の形状に金属薄膜５をパ
ターニングした後表面に絶縁体薄膜６を形成す
る。さらに金属薄膜をつけてパターニングし
MIM素子の対向電極７とする。この時MIM素子
の面積は金属電極５と対向電極７が互いに重なり
合う部分の面積となる。液晶表示装置とするには
次に透明導電膜により画素電極８を形成し、表面
に液晶配向層を形成して一定の間隔を保たせた対
向基板でセルとなし、その間隔に液晶を封入し偏
光板を貼り付けてTN液晶表示装置とする。
例えば第３図及び第４図に示すように、ガラス基
板３を酸化膜４で被覆しエツチストツプとした後
金属薄膜５を形成、所望の形状に金属薄膜５をパ
ターニングした後表面に絶縁体薄膜６を形成す
る。さらに金属薄膜をつけてパターニングし
MIM素子の対向電極７とする。この時MIM素子
の面積は金属電極５と対向電極７が互いに重なり
合う部分の面積となる。液晶表示装置とするには
次に透明導電膜により画素電極８を形成し、表面
に液晶配向層を形成して一定の間隔を保たせた対
向基板でセルとなし、その間隔に液晶を封入し偏
光板を貼り付けてTN液晶表示装置とする。
［従来技術における問題点］
このような構造のMIM素子を用いてマトリク
ス型液晶表示装置の作ろうとすると、従来マトリ
クス型液晶表示装置では0.3〜0.5mmピツチの画素
寸法が多く使われており、このような寸法の画素
に合せたMIM素子の寸法は３〜6μm角といつた
寸法になる。現状のフオトリングラフ技術ではこ
の３〜6μm角という寸法領域はLSIとVLSIの境
界領域であり、さらにマトリクス型の表示装置と
いうことでその表示部寸法は５〜10cmという大き
さになりかなり面積部分にサブミクロン領域の寸
法を持つ素子を形成する必要が生じかなりの困難
を伴う。またさらに微小寸法の画素を持つマトリ
クス型液晶表示装置を作ろうとする場合には完全
にVLSI用技術を用いなけれざならずコスト上望
ましくない。
ス型液晶表示装置の作ろうとすると、従来マトリ
クス型液晶表示装置では0.3〜0.5mmピツチの画素
寸法が多く使われており、このような寸法の画素
に合せたMIM素子の寸法は３〜6μm角といつた
寸法になる。現状のフオトリングラフ技術ではこ
の３〜6μm角という寸法領域はLSIとVLSIの境
界領域であり、さらにマトリクス型の表示装置と
いうことでその表示部寸法は５〜10cmという大き
さになりかなり面積部分にサブミクロン領域の寸
法を持つ素子を形成する必要が生じかなりの困難
を伴う。またさらに微小寸法の画素を持つマトリ
クス型液晶表示装置を作ろうとする場合には完全
にVLSI用技術を用いなけれざならずコスト上望
ましくない。
一方、MIM素子製造時の寸法上の問題の他に
従来のMIM素子の製造方法では完全に対称な素
子を得ることが非常に困難で、絶縁体として用い
る酸化膜の不均一性や金属ー酸化膜界面の不揃い
のために、MIM素子に印加される電圧の極性が
変るとＶ−Ｉ特性が変化するという非対称性を有
しており、このような非対称な特性を持つMIM
素子を通して対称な交番波形で液晶を駆動すると
液晶に非対称な交番波形が印加されるようになり
直流分が残つて液晶表示装置の寿命を著しく損な
う。
従来のMIM素子の製造方法では完全に対称な素
子を得ることが非常に困難で、絶縁体として用い
る酸化膜の不均一性や金属ー酸化膜界面の不揃い
のために、MIM素子に印加される電圧の極性が
変るとＶ−Ｉ特性が変化するという非対称性を有
しており、このような非対称な特性を持つMIM
素子を通して対称な交番波形で液晶を駆動すると
液晶に非対称な交番波形が印加されるようになり
直流分が残つて液晶表示装置の寿命を著しく損な
う。
本発明は上記問題点を克復したものであり、金
属電極の側部を用いて非線型素子を形成すること
によつて、画素に対する素子の容量比を最小とす
ることができかつ２つの非線型素子を直列接続す
ることにより対称な特性を有するスイツチング素
子を形成することができる。
属電極の側部を用いて非線型素子を形成すること
によつて、画素に対する素子の容量比を最小とす
ることができかつ２つの非線型素子を直列接続す
ることにより対称な特性を有するスイツチング素
子を形成することができる。
［実施例］
以下、実施例によつて本発明を説明する。
実施例 １
パイレツクスガラス基板９上にIn2O3，SnO2、
ITO（In2O3＋SnO2）あるいはNiCr／Au薄膜等の
透明導電膜で画素電極１０を形成する。→第５図
ａ 次に1000〜10000Å厚のタンタル薄膜を形成し
所定の形状にパターニングした後表面を酸化して
リード部及びMIM素子の一方の金属電極１１と
絶縁膜１２を形成する。→第５図ｂ タンタルのパターニングの際CF4ガスO2ガスを
５〜50％混合してプラズマエツチすることにより
タンタルのテーパーエツチを行なう。
ITO（In2O3＋SnO2）あるいはNiCr／Au薄膜等の
透明導電膜で画素電極１０を形成する。→第５図
ａ 次に1000〜10000Å厚のタンタル薄膜を形成し
所定の形状にパターニングした後表面を酸化して
リード部及びMIM素子の一方の金属電極１１と
絶縁膜１２を形成する。→第５図ｂ タンタルのパターニングの際CF4ガスO2ガスを
５〜50％混合してプラズマエツチすることにより
タンタルのテーパーエツチを行なう。
次に全面に1500〜7000Åの酸化亜鉛薄膜層１３
及び約１〜2μm厚のポジ型レジスト層１４を形成
する。→第５図ｃ この状態でパイレツクスガラス基板９の裏面、
即ちポジ型レジスト層１４の反対側から露光を行
なうとリード部及びMIM素子の一方の金属電極
１１のタンタル部がマスクの役割を果し、現像す
ると第５図ｄの様にレジスト１４が残る。
及び約１〜2μm厚のポジ型レジスト層１４を形成
する。→第５図ｃ この状態でパイレツクスガラス基板９の裏面、
即ちポジ型レジスト層１４の反対側から露光を行
なうとリード部及びMIM素子の一方の金属電極
１１のタンタル部がマスクの役割を果し、現像す
ると第５図ｄの様にレジスト１４が残る。
次に酸化亜鉛薄膜層１３をエツチングし第５図
ｅの様にする。この時、酸化亜鉛薄膜層１３のエ
ツチング条件をコントロールしてサイドエツチ量
を1000〜10000Åとする。
ｅの様にする。この時、酸化亜鉛薄膜層１３のエ
ツチング条件をコントロールしてサイドエツチ量
を1000〜10000Åとする。
次に1000〜10000Åの厚さNiCr／Au薄膜１５
を形成する。第５図ｆこの時、リード部及び
MIM素子の一方の金属電極１１と絶縁膜１２の
テーパー部におけるステツプカバレツジが良くな
る方法（例えば自公転形基板取付治具を用いて蒸
着したり、スパツタリングを用いたりする）を用
いると良い。
を形成する。第５図ｆこの時、リード部及び
MIM素子の一方の金属電極１１と絶縁膜１２の
テーパー部におけるステツプカバレツジが良くな
る方法（例えば自公転形基板取付治具を用いて蒸
着したり、スパツタリングを用いたりする）を用
いると良い。
次に酸化亜鉛薄報層１３の残留部を除去するこ
とにより、その上層のレジスト１４及びNiCr／
Au薄膜１５も除去して第５図ｇの状態にする。
とにより、その上層のレジスト１４及びNiCr／
Au薄膜１５も除去して第５図ｇの状態にする。
次に、NiCr／Au薄膜１５の不要部分を除去し
てMIM素子を完成させると共に画電極１０を露
出させる。→第５図ｈ この時、完成したMIM素子及び画素電極１０
の平面配置図の一例を示すと第６図の様になる。
てMIM素子を完成させると共に画電極１０を露
出させる。→第５図ｈ この時、完成したMIM素子及び画素電極１０
の平面配置図の一例を示すと第６図の様になる。
MIM素子の面積は絶縁膜１２のテーパー部の
長さと対光電極のNiCr／Au薄膜１５の幅で決定
される。
長さと対光電極のNiCr／Au薄膜１５の幅で決定
される。
即ち、第５図ｈに示す如く、非線型素子として
の第１のMIM素子は、金属配線電極１１の側部
と絶縁膜１２と接続電極である薄膜１５の一方の
側部とで形成され、第２のMIM素子は、接続電
極１５の他方の側部と絶縁膜１２′と島状金属電
極１２′とで形成される。
の第１のMIM素子は、金属配線電極１１の側部
と絶縁膜１２と接続電極である薄膜１５の一方の
側部とで形成され、第２のMIM素子は、接続電
極１５の他方の側部と絶縁膜１２′と島状金属電
極１２′とで形成される。
第７図は、本実施例のMIM素子を有する液晶
表示装置の断面図を示す。
表示装置の断面図を示す。
このMIM素子及び画素電極１５を形成したパ
イレツクスガラス基板９表面にポリイミド樹脂を
塗布、焼成し綿布でラビングすることによつて液
晶配向処理を施す。別にストライブ状の透明電極
１６を形成し、ポリイミド樹脂とラビングによつ
て液晶配向処理を施したパイレツクスガラス対向
基板１７を用意し、５〜20μmの間隔を保つて接
着し液晶１８を封入する。この時、液晶分子が上
下の基板９，１７間で焼く90度ねじられる様ラビ
ングしておく。この液晶セルの外側に偏光軸を液
晶の配向状態に合わせて偏光板１９，２０を配置
しTN型液晶表示装置とする。
イレツクスガラス基板９表面にポリイミド樹脂を
塗布、焼成し綿布でラビングすることによつて液
晶配向処理を施す。別にストライブ状の透明電極
１６を形成し、ポリイミド樹脂とラビングによつ
て液晶配向処理を施したパイレツクスガラス対向
基板１７を用意し、５〜20μmの間隔を保つて接
着し液晶１８を封入する。この時、液晶分子が上
下の基板９，１７間で焼く90度ねじられる様ラビ
ングしておく。この液晶セルの外側に偏光軸を液
晶の配向状態に合わせて偏光板１９，２０を配置
しTN型液晶表示装置とする。
第８図は、非線型スイツチング素子を有するマ
トリクス型液晶表示装置の等価回路図である。即
ち、双方向性ダイオードとして働く２つのMIM
素子の組み合せ８１と画素部分の液晶を誘導体と
したコンデンサ８２がＸ方向配線８３とＹ方向配
線８４の間に直列接続されている。この１画素の
組合せがＸ方向及びＹ方向に所定数だけ繰返さ
れ、Ｘ−Ｙマトリクス状に配列されている。
トリクス型液晶表示装置の等価回路図である。即
ち、双方向性ダイオードとして働く２つのMIM
素子の組み合せ８１と画素部分の液晶を誘導体と
したコンデンサ８２がＸ方向配線８３とＹ方向配
線８４の間に直列接続されている。この１画素の
組合せがＸ方向及びＹ方向に所定数だけ繰返さ
れ、Ｘ−Ｙマトリクス状に配列されている。
実施例 ２
実施例１とほぼ同様の製造工程であるが酸化膜
の形成工程において、第９図ａに示す様にガラス
基板２１上に画素電極２２とリード部及びMIM
素子の一方の金属電極２３を形成した後、全面に
Taをスパツタリングした後400〜500℃の酸素中
で熱酸化を行なつて全面に酸化膜２４を形成す
る。さらに実施例１と同様の工程でMIM素子を
完成させ第９図ｂの様にする。
の形成工程において、第９図ａに示す様にガラス
基板２１上に画素電極２２とリード部及びMIM
素子の一方の金属電極２３を形成した後、全面に
Taをスパツタリングした後400〜500℃の酸素中
で熱酸化を行なつて全面に酸化膜２４を形成す
る。さらに実施例１と同様の工程でMIM素子を
完成させ第９図ｂの様にする。
以上実施例について説明を行なつたが本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、例えば基
板に関してはパイレツクスガラスに限らずソーダ
ライムガラス等、通常の液晶表示装置に用いられ
る材料あら何でも用いることができる。
上記実施例に限定されるものではなく、例えば基
板に関してはパイレツクスガラスに限らずソーダ
ライムガラス等、通常の液晶表示装置に用いられ
る材料あら何でも用いることができる。
又、絶縁膜の形成法についても金属薄膜を形成
させてから、陽極酸化、熱酸化、プラズマ酸化あ
るいは酸素イオンの打込み等各種の酸化法を用い
ることができる。又、酸化物や有機材料を直接ス
パツタリング、CVD、プラズマCVD、電子ビー
ム蒸着、誘導加熱蒸着、イオンビーム蒸着、塗布
法等各種の膜形成技術を用いることができる。
させてから、陽極酸化、熱酸化、プラズマ酸化あ
るいは酸素イオンの打込み等各種の酸化法を用い
ることができる。又、酸化物や有機材料を直接ス
パツタリング、CVD、プラズマCVD、電子ビー
ム蒸着、誘導加熱蒸着、イオンビーム蒸着、塗布
法等各種の膜形成技術を用いることができる。
さらに、実施中で述べた酸化亜鉛薄膜について
も、露光時に光線を透過し、フオトレジスト、絶
縁体膜及び基板材質と選択的にエツチングが可能
な材質ならば何を用いても良く、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム、窒化ケイ素等の無機材料や
ポリイミド樹脂等の有機材料を用いることも可能
である。実施例１に従つて第５図におけるリード
部及びMIM素子の一方の電極１１となるタルタ
ルを、3000Å、絶縁膜１２として上記タルタルを
陽極酸化して300Åの酸化膜を形成した。酸化亜
鉛薄膜１３のサイドエツチ量を3000Åとして2500
ÅのNiCr／Au薄膜をつけてMIM素子を形成し
た。NiCr／Au薄膜によるMIM素子の他の一方
の電極１５の幅を30μmとし300μm角の画素電極
と組合せマトリクス型液晶表示装置を作り、Vth
＝1.5Vrms，Vsat＝2.0Vrmsの液晶を封入し、1/
５バイアス、512分の１デユーテイの電圧平均化法
で駆動を行なつたところ、12〜15VP−Ｐの電圧
範囲でON：90％以上、OFF：10％以下のコント
ラストが得られた。
も、露光時に光線を透過し、フオトレジスト、絶
縁体膜及び基板材質と選択的にエツチングが可能
な材質ならば何を用いても良く、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム、窒化ケイ素等の無機材料や
ポリイミド樹脂等の有機材料を用いることも可能
である。実施例１に従つて第５図におけるリード
部及びMIM素子の一方の電極１１となるタルタ
ルを、3000Å、絶縁膜１２として上記タルタルを
陽極酸化して300Åの酸化膜を形成した。酸化亜
鉛薄膜１３のサイドエツチ量を3000Åとして2500
ÅのNiCr／Au薄膜をつけてMIM素子を形成し
た。NiCr／Au薄膜によるMIM素子の他の一方
の電極１５の幅を30μmとし300μm角の画素電極
と組合せマトリクス型液晶表示装置を作り、Vth
＝1.5Vrms，Vsat＝2.0Vrmsの液晶を封入し、1/
５バイアス、512分の１デユーテイの電圧平均化法
で駆動を行なつたところ、12〜15VP−Ｐの電圧
範囲でON：90％以上、OFF：10％以下のコント
ラストが得られた。
［効果］
上述の如く本発明は、一対の基板内に液晶が封
入され、該基板上に配置された画素電極、該画素
電極に隣接して配置されてなる配線電極、該配線
電極と同一金属でなり該画素電極に電気的に接続
されてなる島状金属電極該配線電極及び該島状金
属電極を被覆してなる絶縁薄膜、該配線電極と該
島状金属電極とを絶縁薄膜を介して接続する接続
電極を有し、該配線電極側部と該絶縁薄膜と該接
続電極の一方の側部とにより第１非線型素子部が
形成され、該接続電極の他方の側部と該絶縁薄膜
と該島状金属電極の側部とにより第２非線型素子
部が形成され、該第１非線型素子部と該第２非線
型素子部とは直列に接続されてなるようにしたか
ら、非線型素子の形成面積を最小とすることがで
きるので、従来に比し画素電極に比べ極めて微小
な非線型スイツチ素子を２つ直列に形成できる。
従つて、画素数が増大し、画素面積が小さくなつ
ても、十分なON／OFF比のコントラストが得ら
れ交流信号に対して対称な応答を得ることができ
る効果を有する。
入され、該基板上に配置された画素電極、該画素
電極に隣接して配置されてなる配線電極、該配線
電極と同一金属でなり該画素電極に電気的に接続
されてなる島状金属電極該配線電極及び該島状金
属電極を被覆してなる絶縁薄膜、該配線電極と該
島状金属電極とを絶縁薄膜を介して接続する接続
電極を有し、該配線電極側部と該絶縁薄膜と該接
続電極の一方の側部とにより第１非線型素子部が
形成され、該接続電極の他方の側部と該絶縁薄膜
と該島状金属電極の側部とにより第２非線型素子
部が形成され、該第１非線型素子部と該第２非線
型素子部とは直列に接続されてなるようにしたか
ら、非線型素子の形成面積を最小とすることがで
きるので、従来に比し画素電極に比べ極めて微小
な非線型スイツチ素子を２つ直列に形成できる。
従つて、画素数が増大し、画素面積が小さくなつ
ても、十分なON／OFF比のコントラストが得ら
れ交流信号に対して対称な応答を得ることができ
る効果を有する。
第１図はMIM素子の非線型特性を示す。第２
図はMIM素子と液晶を組合せた場合の等価回路
を示す。第３図は従来のMIM素子の断面及び見
取り図、第４図は同じく従来のMIM素子と一画
素の配置を示す平面図である。第５図は本発明に
おけるMIM素子の製造工程の説明図である。第
６図は本発明実施例１による液晶表示装置一画素
分の平面図であり第７図はその液晶表示装置の断
面図である。第８図は実施例１のマトリクス型液
晶表示装置の等価回路である。第９図は実施例２
における製造工程を説明する図である。
図はMIM素子と液晶を組合せた場合の等価回路
を示す。第３図は従来のMIM素子の断面及び見
取り図、第４図は同じく従来のMIM素子と一画
素の配置を示す平面図である。第５図は本発明に
おけるMIM素子の製造工程の説明図である。第
６図は本発明実施例１による液晶表示装置一画素
分の平面図であり第７図はその液晶表示装置の断
面図である。第８図は実施例１のマトリクス型液
晶表示装置の等価回路である。第９図は実施例２
における製造工程を説明する図である。
Claims (1)
- １ 一対の基板内に液晶が封入され、該基板上に
配置された画素電極、該画素電極に隣接して配置
されてなる配線電極、該配線電極と同一金属でな
り該画素電極に電気的に接続されてなる島状金属
電極、該配線電極及び該島状電極を被覆してなる
絶縁薄膜、該配線電極と該島状金属電極とを絶縁
薄膜を介して接続する接続電極を有し、該配線電
極側部と該絶縁薄膜と該接続電極の一方の側部と
により第１非線型素子部が形成され、該接続電極
の他方の側部と該絶縁薄膜と該島状金属電極の側
部とにより第２非線型素子部が形成され、該第１
非線型素子部と該第２非線素子部とは直列に接続
されてなることを特徴とする液晶表示電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177484A JPS5879281A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | マトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177484A JPS5879281A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | マトリクス型液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088319A Division JPS63113425A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | マトリクス型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5879281A JPS5879281A (ja) | 1983-05-13 |
| JPH0430004B2 true JPH0430004B2 (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=16031708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56177484A Granted JPS5879281A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | マトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5879281A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1121489A (en) * | 1979-05-30 | 1982-04-06 | Northern Telecom Limited | Lcds (liquid crystal displays) controlled by mims (metal-insulator-metal) devices |
-
1981
- 1981-11-05 JP JP56177484A patent/JPS5879281A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5879281A (ja) | 1983-05-13 |
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