JPS5879281A - マトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
マトリクス型液晶表示装置Info
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- JPS5879281A JPS5879281A JP56177484A JP17748481A JPS5879281A JP S5879281 A JPS5879281 A JP S5879281A JP 56177484 A JP56177484 A JP 56177484A JP 17748481 A JP17748481 A JP 17748481A JP S5879281 A JPS5879281 A JP S5879281A
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- thin film
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶を用いた表示装ｆＫ関する。
さらに詳しくは液晶表示装置に非線型素子を組合せ表示
特性を改良しかマトリクス型液晶表示装＃ＫＨする。
特性を改良しかマトリクス型液晶表示装＃ＫＨする。
近年、液晶表示装着の応用が進み、その消費電力の少な
いことあるいは表示部が薄型化出来るなどの利点を生か
して腕時計、電卓などの他に小型電子機器用の表示装置
として大量に用いられるようになった。
いことあるいは表示部が薄型化出来るなどの利点を生か
して腕時計、電卓などの他に小型電子機器用の表示装置
として大量に用いられるようになった。
この液晶表示装置Ｉｔ５応用分野をさらに虻げるために
は表示容量の脣伏が必要であるノ１従来のＴＮ型液晶表
示装曾では電圧−コントラスト特性の立上りがあま抄急
峻でないため、マルチブレツク−の桁数を増すと非選択
点および半選択点と選択点とに印加される実効電圧に差
が少なくなつてタロストークを生じるため数士桁の多桁
駆動が限界で多つた。このような欠点な遊行るための一
方法として非線型素子あるいはスイッチング素子を液晶
表示装置に組合訃たマ） ＋１クス型の装置が考えられ
アモルファスシリコンやポリシリコンあるいは化合物半
導体などを用いた’ｒＦＴやダイオード、酸化亜鉛など
を用いｔバリスタを用いるなど種々の検討が６されてき
た。
は表示容量の脣伏が必要であるノ１従来のＴＮ型液晶表
示装曾では電圧−コントラスト特性の立上りがあま抄急
峻でないため、マルチブレツク−の桁数を増すと非選択
点および半選択点と選択点とに印加される実効電圧に差
が少なくなつてタロストークを生じるため数士桁の多桁
駆動が限界で多つた。このような欠点な遊行るための一
方法として非線型素子あるいはスイッチング素子を液晶
表示装置に組合訃たマ） ＋１クス型の装置が考えられ
アモルファスシリコンやポリシリコンあるいは化合物半
導体などを用いた’ｒＦＴやダイオード、酸化亜鉛など
を用いｔバリスタを用いるなど種々の検討が６されてき
た。
このような非線型素子の中で特開昭５２−１４９０９０
や特開昭５５−１６１２７！５において述べられている
金属−絶縁体−金属（Ｍｓｔａｌ −Ｘｎａｕｌａｔｏ
ｒ −Ｍｓｔａｌ略してＭＩＭ）構造を有する非線が素
子（以下ＭＩＭ素子と呼ぶ）は素子構成が簡単であるた
め、他の非線型素子にくらべ製造工ＩＩが短かく素子設
計も容易であるをいった利点を有している・ このＭＩＭ素子はトンネル効果、シ冒ットキ効未あるい
はブール・フレンケル効果などくよって電流が流れると
考えられ第１図に示すように非線型な電圧−Ｗ流善性を
示す。
や特開昭５５−１６１２７！５において述べられている
金属−絶縁体−金属（Ｍｓｔａｌ −Ｘｎａｕｌａｔｏ
ｒ −Ｍｓｔａｌ略してＭＩＭ）構造を有する非線が素
子（以下ＭＩＭ素子と呼ぶ）は素子構成が簡単であるた
め、他の非線型素子にくらべ製造工ＩＩが短かく素子設
計も容易であるをいった利点を有している・ このＭＩＭ素子はトンネル効果、シ冒ットキ効未あるい
はブール・フレンケル効果などくよって電流が流れると
考えられ第１図に示すように非線型な電圧−Ｗ流善性を
示す。
絶縁体りしてけＡ７ 、 Ｔａ 、 Ｎｂ 、 Ｔｉ
、 ８１ 、 Ｍｏ 、 Ｗ 。
、 ８１ 、 Ｍｏ 、 Ｗ 。
Ｈｔ＠の酸什物、あるいけ窒素をドープした前記金属の
酸化物、カルコゲナイドガラス岬の無接材料、さらＫけ
ポリイミド樹脂岬の有機材料も使用することができる。
酸化物、カルコゲナイドガラス岬の無接材料、さらＫけ
ポリイミド樹脂岬の有機材料も使用することができる。
前記絶縁臆を金属でサンドイッチすればＭＴＭ構造にな
り、この金属としては前記金属及びＮｉ。
り、この金属としては前記金属及びＮｉ。
Ｃｒ、＾Ｕあるいはそれらの合金郷を用いることかで
−”る。
−”る。
ＭＩＭ素子に電圧を印加した場′合、絶縁膜の厚さによ
って伝導機構赤異な＃）５０〜１００λ ではドア＊ル
効果、１ｏｏ〜１０００大ではシ冒ットキ効果及びプー
ル・フレンケル効果が優位を占めると言われている０本
発明の目、的であ本液晶表示装置とＭ工Ｍ素子の組合せ
では液晶の駆動方法との兼ね合いからブー＾・フレンヶ
ル効果を示す領域を利用するのが望ましいと思われ、そ
の領域では電圧−電流特性はプール会フレンケル丈 工＝ ｋＶ ｅｘｐ（βＪ’Ｖ ）
（１）で表わされる。
って伝導機構赤異な＃）５０〜１００λ ではドア＊ル
効果、１ｏｏ〜１０００大ではシ冒ットキ効果及びプー
ル・フレンケル効果が優位を占めると言われている０本
発明の目、的であ本液晶表示装置とＭ工Ｍ素子の組合せ
では液晶の駆動方法との兼ね合いからブー＾・フレンヶ
ル効果を示す領域を利用するのが望ましいと思われ、そ
の領域では電圧−電流特性はプール会フレンケル丈 工＝ ｋＶ ｅｘｐ（βＪ’Ｖ ）
（１）で表わされる。
このＭＩＭ素子を組込んだ液晶表示装置を、通常のマト
リクス型液晶表示装置の駆動に用いられている電圧平均
化法で駆動すると、讐ＩＭ素子の非線型性によって実際
に液晶に印加されるＯ Ｎ１０ｆｆ実効値比が、電圧平
均化法自体のＯＮ１０ ＦＦ実効値比よりも大−〈な９
、より多桁のマトリタヌ駆動が可能となる１Ｍ工Ｖ素子
を液晶表示装置と組合せた場合、一画素分の等価回路は
第２図に示すように容量分Ｑ ＭＩＭと非鎗型抵抗分Ｒ
ＭＩＩＭ とが並列になったＭ工Ｍ素子１と、容量０
ＬＩ） と抵抗分Ｒ−とが並列になった液晶部分２が
直列に接続されていると考えると２ができる。
リクス型液晶表示装置の駆動に用いられている電圧平均
化法で駆動すると、讐ＩＭ素子の非線型性によって実際
に液晶に印加されるＯ Ｎ１０ｆｆ実効値比が、電圧平
均化法自体のＯＮ１０ ＦＦ実効値比よりも大−〈な９
、より多桁のマトリタヌ駆動が可能となる１Ｍ工Ｖ素子
を液晶表示装置と組合せた場合、一画素分の等価回路は
第２図に示すように容量分Ｑ ＭＩＭと非鎗型抵抗分Ｒ
ＭＩＩＭ とが並列になったＭ工Ｍ素子１と、容量０
ＬＩ） と抵抗分Ｒ−とが並列になった液晶部分２が
直列に接続されていると考えると２ができる。
そしてこの両端に電圧を印加するわＨであるが実際に液
晶部分２に印加される実効電圧は・λ（ＴＭ素子１０時
定数、液晶部分２０時定数及びＭＩＭ素子１の容量分Ｑ
Ｍ！Ｍと液晶１分２の容量分ＱＬＯとの比Ｏ・Ｌ Ｏ／
Ｑ Ｍ ＩＭとの組合せで定まり、液晶部分２の時定数
及びＯＬＯ／ＣＭＩＭの値が太き（、ＭＵＭ素子１０時
定数が適当な値の時実効電圧は最も大きくなる。もち論
１Ｍ工Ｍ素子１の非線型性が大きい程マトリクス駆動の
桁数は多くとれるようＫなる。
晶部分２に印加される実効電圧は・λ（ＴＭ素子１０時
定数、液晶部分２０時定数及びＭＩＭ素子１の容量分Ｑ
Ｍ！Ｍと液晶１分２の容量分ＱＬＯとの比Ｏ・Ｌ Ｏ／
Ｑ Ｍ ＩＭとの組合せで定まり、液晶部分２の時定数
及びＯＬＯ／ＣＭＩＭの値が太き（、ＭＵＭ素子１０時
定数が適当な値の時実効電圧は最も大きくなる。もち論
１Ｍ工Ｍ素子１の非線型性が大きい程マトリクス駆動の
桁数は多くとれるようＫなる。
ここで従来のＭ″工Ｍ素子の構造を砦明すると、例えば
第３図及び第４図に示すように、ガラス基板３を酸化膜
４で被覆しエッチストップとした後金薦薄膜５を形成、
所望の形状和金属薄膜５をパターニングした後表面に絶
縁体薄嗅６を形成する。
第３図及び第４図に示すように、ガラス基板３を酸化膜
４で被覆しエッチストップとした後金薦薄膜５を形成、
所望の形状和金属薄膜５をパターニングした後表面に絶
縁体薄嗅６を形成する。
さらに金属薄膜をつ叶てパターニングしＭＩＭ素子の対
向電接７とする。この時ＭＩＭ素子のＬｉｉ積は金属電
標５と対向電極７が互いに重な９合う部分の面積となる
。液晶表示装置とするには次に透明導電極により画素電
極８を廖成し、表面に液晶配向層を形成して一定？間隙
を保たせた対向基板でセルとなし、その間ｌ！Ｉに液晶
を封入し偏光板を貼り付けてＴＮＮ液晶表示クツする。
向電接７とする。この時ＭＩＭ素子のＬｉｉ積は金属電
標５と対向電極７が互いに重な９合う部分の面積となる
。液晶表示装置とするには次に透明導電極により画素電
極８を廖成し、表面に液晶配向層を形成して一定？間隙
を保たせた対向基板でセルとなし、その間ｌ！Ｉに液晶
を封入し偏光板を貼り付けてＴＮＮ液晶表示クツする。
このような構造のＭＩＭ素子＋１−用いてマトリクヌ型
液晶表示装ｆｌｔ作ろらｈすると、従来マトリクス型液
晶表示装νではα３〜α５閣ピツチの画素寸法が多く使
わわておシ、このような寸法の画素に合せたＭＩＭ索子
の寸法は３〜６ｓｒｎｐといっｔ寸法になる。現状のフ
ォトリングラフ接衝ではこの３〜６ｐｒｎ角２いう寸法
領域けＬ８工とＶＬＳＩの境界領域であり、さらにマト
リクス層の表示装置ということでその表示部寸法は５〜
１０薗という大きさＫなシかなシの面積部分忙すプ−り
”７ｅ城の寸法を持つ素子を形成する必讐が年しかなり
の困難を伴り、またさらに微小寸法の画素を持つ！トリ
クス型液晶表示装曾を作ろうとする場合には完全ＫＶＬ
ＢＶＬＳＩ術を用いなければならずコスト上望ましくな
い。
液晶表示装ｆｌｔ作ろらｈすると、従来マトリクス型液
晶表示装νではα３〜α５閣ピツチの画素寸法が多く使
わわておシ、このような寸法の画素に合せたＭＩＭ索子
の寸法は３〜６ｓｒｎｐといっｔ寸法になる。現状のフ
ォトリングラフ接衝ではこの３〜６ｐｒｎ角２いう寸法
領域けＬ８工とＶＬＳＩの境界領域であり、さらにマト
リクス層の表示装置ということでその表示部寸法は５〜
１０薗という大きさＫなシかなシの面積部分忙すプ−り
”７ｅ城の寸法を持つ素子を形成する必讐が年しかなり
の困難を伴り、またさらに微小寸法の画素を持つ！トリ
クス型液晶表示装曾を作ろうとする場合には完全ＫＶＬ
ＢＶＬＳＩ術を用いなければならずコスト上望ましくな
い。
一方、ＭＩＭ素子製造時の寸法上の問題の他に従来のＭ
ＩＭ素子の制逆方法では資金に対称な素子を得ることが
非常に困難で、絶縁体として用いる酸化膜の不拘−性中
金澗一酸化膜界面の不揃いのために１ＭＩＭｌｌ子に印
加される電圧の極性が賛ろとｖ−ｒ特性が変化するとい
う非対称性を有しており、このような非対称な特性を持
つνＩＭ素子を通して対称な交番波形で液晶を駆動する
と液晶に非対称な交番波形が印加されるようＫなり直流
分が残って液晶表示装置の寿命を著しく損なう。
ＩＭ素子の制逆方法では資金に対称な素子を得ることが
非常に困難で、絶縁体として用いる酸化膜の不拘−性中
金澗一酸化膜界面の不揃いのために１ＭＩＭｌｌ子に印
加される電圧の極性が賛ろとｖ−ｒ特性が変化するとい
う非対称性を有しており、このような非対称な特性を持
つνＩＭ素子を通して対称な交番波形で液晶を駆動する
と液晶に非対称な交番波形が印加されるようＫなり直流
分が残って液晶表示装置の寿命を著しく損なう。
本発明は新規なＭＴＭ素子の製造方法を考案することＫ
より微ｌ凡面積のＭｒＭ素子を得ると同時に該ＭＩＭ素
子を２個用い、互いに非対称性を打消す方向に直列接続
して対称なＶ−１特性を得て液晶表示装置の寿命を長く
するものである。
より微ｌ凡面積のＭｒＭ素子を得ると同時に該ＭＩＭ素
子を２個用い、互いに非対称性を打消す方向に直列接続
して対称なＶ−１特性を得て液晶表示装置の寿命を長く
するものである。
以下、実施例によって本発明を説明する。
実施例１
パイレックスガラス基板９上１ｃ Ｉｎ、Ｏ，、８ｎＯ
，。
，。
工Ｔｏ（工ｎ、０．＋ Ｂｎ０２＞あるいＦｉＮｉ Ｏ
ｒ／ＡＵ薄膜等の透明導電膜で画素電極１ｏを形成する
。→第５図←） 次Ｋ １０（１０〜１００００ＪＩ厚のタンタル宵寝を
形威し所定の形状にパターニングした後麦面を酸化して
リード部及びＭＩＭ素子の一方の金属電極１１と馳締＠
１２を形成する。→第５図６） タンタルのパターニングの際Ｃ１ガヌに伽ガスを５〜５
〇−混合してプラズマエッチすることＫよ抄タンタルの
テーパーエッチを行なう。
ｒ／ＡＵ薄膜等の透明導電膜で画素電極１ｏを形成する
。→第５図←） 次Ｋ １０（１０〜１００００ＪＩ厚のタンタル宵寝を
形威し所定の形状にパターニングした後麦面を酸化して
リード部及びＭＩＭ素子の一方の金属電極１１と馳締＠
１２を形成する。→第５図６） タンタルのパターニングの際Ｃ１ガヌに伽ガスを５〜５
〇−混合してプラズマエッチすることＫよ抄タンタルの
テーパーエッチを行なう。
次に全面Ｋ １５Ｑｎ〜ｙａｎｏ Ｘの酸化亜鉛薄膜層
１３及び約１〜２７１ｍ厚のポジ型レジスト層１４を形
−する、→第５図（ｃｌ この状態でパイレックスガラス基板９の裏面、即ちポジ
型レジスト層１４０反対個から露光を行なうとリード部
及びＭ工Ｍ素子の一方の金属電極１１のタンタル部がマ
スクの役割を果し、現惨すると第５図（ａ）の様にレジ
スト１４が残る。
１３及び約１〜２７１ｍ厚のポジ型レジスト層１４を形
−する、→第５図（ｃｌ この状態でパイレックスガラス基板９の裏面、即ちポジ
型レジスト層１４０反対個から露光を行なうとリード部
及びＭ工Ｍ素子の一方の金属電極１１のタンタル部がマ
スクの役割を果し、現惨すると第５図（ａ）の様にレジ
スト１４が残る。
次に酸化亜鉛薄膜層１５をエツチングし第５図（・）の
様にする。この時、酸化亜鉛薄膜層１３のエツチング条
件をコントロールしてサイドエッチ量を１０００〜１ｏ
ｏｏｏＸとする。
様にする。この時、酸化亜鉛薄膜層１３のエツチング条
件をコントロールしてサイドエッチ量を１０００〜１ｏ
ｏｏｏＸとする。
次Ｋ １０００〜１ｏｏｏｏＫの岸さＫ Ｎｉ Ｏｒ／
＾Ｕ薄膜１５を形成する。→第５図（ｔ） この時、
リード部及びＭＸＭ素子の一方の金属電極１１と絶縁膜
１２のテーパーＩｔ ［ｂ ｔ−ｒるステップカバレッ
ジが皇くなる方法（例えば自公転形基板取付治具を用い
て蒸着した抄、スパッタリングを用いた抄する）を用い
ると幽い。
＾Ｕ薄膜１５を形成する。→第５図（ｔ） この時、
リード部及びＭＸＭ素子の一方の金属電極１１と絶縁膜
１２のテーパーＩｔ ［ｂ ｔ−ｒるステップカバレッ
ジが皇くなる方法（例えば自公転形基板取付治具を用い
て蒸着した抄、スパッタリングを用いた抄する）を用い
ると幽い。
次に酸化亜鉛薄ＩＩＩＩ層１３の残留部を除去すること
によ抄、その上層のレジスト１４及びＮｉ０ｒ／＾Ｕ薄
膜１５ｓｌ除去して第５回顧の状態にする０次に、Ｍｉ
Ｏｒ／Ａｕ薄膜１５の不要部分を除去してＭＩＭ素子を
完成させるき共に、１ｉｉｉ素電極１０を露出させる、
→第５図（ｈ） この時、完成したＭＩＭ素子及び画素電極１０の平面配
曾図の一例を示すと第６図の様になる。
によ抄、その上層のレジスト１４及びＮｉ０ｒ／＾Ｕ薄
膜１５ｓｌ除去して第５回顧の状態にする０次に、Ｍｉ
Ｏｒ／Ａｕ薄膜１５の不要部分を除去してＭＩＭ素子を
完成させるき共に、１ｉｉｉ素電極１０を露出させる、
→第５図（ｈ） この時、完成したＭＩＭ素子及び画素電極１０の平面配
曾図の一例を示すと第６図の様になる。
ＭＩＭ素子の面積は絶縁膜１２のテーパ一部の長さと対
向電極のｔＪｉｏｒ／−ｕ薄膜１５の幅で決定される。
向電極のｔＪｉｏｒ／−ｕ薄膜１５の幅で決定される。
このＩＩＩＭ素子及び画素１１５を形成したパイレック
スガラス基板９ｅ面にポリイミド樹脂を塗布・焼成し綿
布でラビングするこをＫよって液晶配向処理を施す、別
にストライブ状の透明［１６を形成し、ポリイミド樹脂
とラビングによって液晶Ｖ向処理を施したパイレックス
ガラス対肉１＃板１７を用意Ｌ１５〜２０μｍの間隙を
保って接着し液晶１８を刺入する。この時、液晶分子が
上下の基板９．１７間で約９０１１ｒねｌｏられる様ラ
ビングしておく。この液晶セルの外側に偏光軸を液晶の
Ｖ白状ｓＫ合わせて偏光板１９．２０を１雪しＴＮ型液
晶表示装装置する。→第７図 以上の様にして作ったマドＩＪクス型液晶表示装馨の岬
価回路は第８図の様になる。
スガラス基板９ｅ面にポリイミド樹脂を塗布・焼成し綿
布でラビングするこをＫよって液晶配向処理を施す、別
にストライブ状の透明［１６を形成し、ポリイミド樹脂
とラビングによって液晶Ｖ向処理を施したパイレックス
ガラス対肉１＃板１７を用意Ｌ１５〜２０μｍの間隙を
保って接着し液晶１８を刺入する。この時、液晶分子が
上下の基板９．１７間で約９０１１ｒねｌｏられる様ラ
ビングしておく。この液晶セルの外側に偏光軸を液晶の
Ｖ白状ｓＫ合わせて偏光板１９．２０を１雪しＴＮ型液
晶表示装装置する。→第７図 以上の様にして作ったマドＩＪクス型液晶表示装馨の岬
価回路は第８図の様になる。
東施例２
実施例１とはは同様の製造Ｔｓであるが酸化膜の形成工
ｓ！において、鮪９図（ａ） Ｋ示す様にガラス基板２
１上に画素電極２２とリード部及びＭＩＭ素子の一方の
金属ＩＦ極２３を彩度した後、全面にＴａをスパッタリ
ングした後４００〜５００ ”Ｃの酸素中で熱酸化を行
なって全面に酸化膜２４を形成する。
ｓ！において、鮪９図（ａ） Ｋ示す様にガラス基板２
１上に画素電極２２とリード部及びＭＩＭ素子の一方の
金属ＩＦ極２３を彩度した後、全面にＴａをスパッタリ
ングした後４００〜５００ ”Ｃの酸素中で熱酸化を行
なって全面に酸化膜２４を形成する。
さらＫｌｌ施例１と同様の工程でＭＩＭ素子を完成させ
第９図（ｂ）の様和する。
第９図（ｂ）の様和する。
以上実鰺例についてｌＩＦ明を行なったが本発明は上記
実施例ＶｃｔｌＦ！′定される屯のではなく、−１えば
基板に関してはパイレックスガラスに限らずソーダライ
ムガラス郷、通常の液晶表示装＃に用いられる材料なら
何でも用いることがで創る。
実施例ＶｃｔｌＦ！′定される屯のではなく、−１えば
基板に関してはパイレックスガラスに限らずソーダライ
ムガラス郷、通常の液晶表示装＃に用いられる材料なら
何でも用いることがで創る。
ヌ、絶ＩＩ＃膜の形成法忙ついても金属薄膜を形成させ
てから、陽極酸化、熱酸化、プラズマ酸化あるいは酸素
イオンの打込入等各種の酸化法を甲いることかで−る。
てから、陽極酸化、熱酸化、プラズマ酸化あるいは酸素
イオンの打込入等各種の酸化法を甲いることかで−る。
又、酸化物や有機材料を直接スパッタリング、ＯＶＤ、
プラズマｃｖｎ、１子ビーム蒸着、誘導加熱蒸着、イオ
ンビーム蒸着、塗布法擲各種の膜形成技術を用いること
かで−る。
プラズマｃｖｎ、１子ビーム蒸着、誘導加熱蒸着、イオ
ンビーム蒸着、塗布法擲各種の膜形成技術を用いること
かで−る。
さらに、実施例中で述べた酸化亜鉛薄膜についても、廁
光時Ｗ光線を透過し、フォトレジスト、絶縁体験及び基
板材質２選択的にエツチングが可能な材賀ならば何を用
いても＊＜、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、９化
ケイ素岬の無機材料やポリイミド樹脂等の有機材料を用
いることも可能である。
光時Ｗ光線を透過し、フォトレジスト、絶縁体験及び基
板材質２選択的にエツチングが可能な材賀ならば何を用
いても＊＜、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、９化
ケイ素岬の無機材料やポリイミド樹脂等の有機材料を用
いることも可能である。
実施例１に従って第５図におＨるリード部及びＭＩＭ素
子の一方の電極１１となるタンタルを、５ｏｏＯＸ、絶
縁膜１２として上記タンタルを□陽極酸化して３００λ
の酸化膜を形膚した。酸化亜鉛薄膜Ｃｒ／＾Ｕ薄膜をつ
けＭＩＭ素子を形１ｉ！ Ｌ ｆ 、 Ｎｉ Ｃｊｒ／
Ａｕ薄膜によるＶ工Ｍ素子の他の一方の電極１５０幅を
３０ｍｍとじ３００ ｓ ｍ角の画素ｗｖＩｉと組合せ
マトリクス型液晶表示装冒を作１．ｖｔｈ−ｔｓｖｒｍ
ｅ 、 Ｖｓａｔ ＝ ２． ＯＶｒｍｅの液晶を封
入し、１１５バイ１ヌ、５１２分の１デ纂−ティの電圧
平均化法で駆動を行なったところ、１２〜Ｌ５Ｖｈ−ｐ
の電圧範囲で０Ｎ３９０−以上、ＯＦＦ ： １０嗟以
下のマントラストが得られた。
子の一方の電極１１となるタンタルを、５ｏｏＯＸ、絶
縁膜１２として上記タンタルを□陽極酸化して３００λ
の酸化膜を形膚した。酸化亜鉛薄膜Ｃｒ／＾Ｕ薄膜をつ
けＭＩＭ素子を形１ｉ！ Ｌ ｆ 、 Ｎｉ Ｃｊｒ／
Ａｕ薄膜によるＶ工Ｍ素子の他の一方の電極１５０幅を
３０ｍｍとじ３００ ｓ ｍ角の画素ｗｖＩｉと組合せ
マトリクス型液晶表示装冒を作１．ｖｔｈ−ｔｓｖｒｍ
ｅ 、 Ｖｓａｔ ＝ ２． ＯＶｒｍｅの液晶を封
入し、１１５バイ１ヌ、５１２分の１デ纂−ティの電圧
平均化法で駆動を行なったところ、１２〜Ｌ５Ｖｈ−ｐ
の電圧範囲で０Ｎ３９０−以上、ＯＦＦ ： １０嗟以
下のマントラストが得られた。
以上説明した様に本発明和よれば、フォトリングラフ工
程で数１０μｍｓ度のパターン精度の工程を用いてもセ
ルファライン効果によって微小面積のＭＩＭ素子を得る
ことかで−１しかもＭ工Ｍ素子１個の場合の極性差を持
ったＶ−Ｘ轡性を２個のＭ工Ｍ素子で極性差が無い様に
修正することが可能で液晶表示装置の寿命を長くするこ
とができる。従って将来、さらに微細パターンの大型マ
トリタス液晶表示−雪、が必要にｔｒった場合でも、高
ｎｖなマヌクアライナを使用する必要が無くなり製造コ
スト上有利となる。
程で数１０μｍｓ度のパターン精度の工程を用いてもセ
ルファライン効果によって微小面積のＭＩＭ素子を得る
ことかで−１しかもＭ工Ｍ素子１個の場合の極性差を持
ったＶ−Ｘ轡性を２個のＭ工Ｍ素子で極性差が無い様に
修正することが可能で液晶表示装置の寿命を長くするこ
とができる。従って将来、さらに微細パターンの大型マ
トリタス液晶表示−雪、が必要にｔｒった場合でも、高
ｎｖなマヌクアライナを使用する必要が無くなり製造コ
スト上有利となる。
第１図はｌｌ工Ｍ素子の非ｌｓｍＩ！Ｉｉ性を示す。
第２図はＭ工Ｍ素子と液晶を組合せた場合の郷価回路を
示す。 第５図は従来のＭＩＭ素子の断面及び見取図◎第４図は
同じ〈従来のＭＩＭ素子と一画素の配りを示す平面図で
ある。 第５図は本発明にシけるＭＩＭ素子の製造工程の覗、引
回である。 第６！ｌｌＩは本発明実施例１による液晶表示装置一画
素分の平面図でＴｏ艶第７図はその液晶表示装置の断面
図である。 第８図は実施例１のマトリクス型液晶表示装置の郷価回
路である。 第９図は実施例２における製造工程を説明する図である
。 以 上山願人 株式会社
−訪精工、嚢 第１図 第２図 第３図 第４図 （Ｊン 第５図 第５図 第６図 第８図 （ｂ）
示す。 第５図は従来のＭＩＭ素子の断面及び見取図◎第４図は
同じ〈従来のＭＩＭ素子と一画素の配りを示す平面図で
ある。 第５図は本発明にシけるＭＩＭ素子の製造工程の覗、引
回である。 第６！ｌｌＩは本発明実施例１による液晶表示装置一画
素分の平面図でＴｏ艶第７図はその液晶表示装置の断面
図である。 第８図は実施例１のマトリクス型液晶表示装置の郷価回
路である。 第９図は実施例２における製造工程を説明する図である
。 以 上山願人 株式会社
−訪精工、嚢 第１図 第２図 第３図 第４図 （Ｊン 第５図 第５図 第６図 第８図 （ｂ）
Claims (3)
- （１） 複数の表示画素を有し、該表示画素の各々に
金属−絶級体一金属（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ
−Ｍｅｔａｌ略してＭＩＭ）構造を有する非ｔ＊ｍ素
子（以下ＭＩＭ素子と呼ぶ）を結合した賃トリクス型液
晶表示ｍｔにシいて、皺輩、ｘＭ素子が透明基板への透
明導電性薄膜の形成及びバターニング、金属薄膜の形成
及びバターニング、絶縁体薄膜の形成、透明薄膜の形成
、ポジ形フオ）Ｌ／ジヌト層の形成、透明基板裏面から
の露光、感光しｔフォトレジスト部の除去、透明薄膜不
要部の除去、金属薄膜の形成、前述の透明薄膜不要部゛
の除去工１で残った透明薄膜及びその上面のフォトレジ
スト及び金属薄膜の除去、さらに残つた２層目の金属薄
膜のバタ□」ユングなる工ＩＩＫて完成されることを特
徴をするマトリクス型液晶表示装置。 - （２）−１示画素に対し二僻のＭＩＭ素子が接続されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマト
リクス型液晶表示装置・ - （３）二個のＭＩＭ素子が互いに逆方向に直列襞間され
ていることを４１１１１とする特許請求の範囲第２項記
載のマトリクス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177484A JPS5879281A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | マトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177484A JPS5879281A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | マトリクス型液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088319A Division JPS63113425A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | マトリクス型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5879281A true JPS5879281A (ja) | 1983-05-13 |
| JPH0430004B2 JPH0430004B2 (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=16031708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56177484A Granted JPS5879281A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | マトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5879281A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55161273A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-15 | Northern Telecom Ltd | Liquid crystal display unit and producing same |
-
1981
- 1981-11-05 JP JP56177484A patent/JPS5879281A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55161273A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-15 | Northern Telecom Ltd | Liquid crystal display unit and producing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0430004B2 (ja) | 1992-05-20 |
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