JPH04301074A - スパッタリング用ターゲット - Google Patents
スパッタリング用ターゲットInfo
- Publication number
- JPH04301074A JPH04301074A JP8913291A JP8913291A JPH04301074A JP H04301074 A JPH04301074 A JP H04301074A JP 8913291 A JP8913291 A JP 8913291A JP 8913291 A JP8913291 A JP 8913291A JP H04301074 A JPH04301074 A JP H04301074A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- backing plate
- bonding surface
- deposits
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜形成に用いられるス
パッタリング用ターゲットに関する。
パッタリング用ターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】種々の固体物質を基板
上に薄膜状に付着させる技術としてスパッタリング法が
広く用いられている。しかし、このようなスパッタリン
グ現象により叩きだされるターゲット物質粒子のうち、
基板に付着して薄膜を形成するのは全体の一部にすぎず
、その他の粒子は装置の内壁に付着したり、ターゲット
及びそのバッキングプレート表面に再付着する。そのた
め、連続的にスパッタリングを行っていくに従って装置
内壁やターゲット及びバッキングプレート表面の付着物
が増加し、その付着物がある程度以上となると、それが
剥離し易くなる。特に、産業用インライン型スパッタリ
ング装置の場合、チャンバー隔壁の開閉を行う際に、チ
ャンバー間の差圧のために、上記した付着物が剥離して
舞い上がり、基板上に付着することがある。このような
付着物は薄膜のピンホール等の欠陥の原因となり、製品
の不良率の増加を持らすため、その発生を極力回避する
ことが望まれる。
上に薄膜状に付着させる技術としてスパッタリング法が
広く用いられている。しかし、このようなスパッタリン
グ現象により叩きだされるターゲット物質粒子のうち、
基板に付着して薄膜を形成するのは全体の一部にすぎず
、その他の粒子は装置の内壁に付着したり、ターゲット
及びそのバッキングプレート表面に再付着する。そのた
め、連続的にスパッタリングを行っていくに従って装置
内壁やターゲット及びバッキングプレート表面の付着物
が増加し、その付着物がある程度以上となると、それが
剥離し易くなる。特に、産業用インライン型スパッタリ
ング装置の場合、チャンバー隔壁の開閉を行う際に、チ
ャンバー間の差圧のために、上記した付着物が剥離して
舞い上がり、基板上に付着することがある。このような
付着物は薄膜のピンホール等の欠陥の原因となり、製品
の不良率の増加を持らすため、その発生を極力回避する
ことが望まれる。
【０００３】実際には、このような付着物の剥離が起こ
るのを防止するため、ある程度連続してスパッタリング
を行う毎に装置内及びターゲット表面のクリーニングを
行い、付着物を除去することが必要となる。この装置内
及びターゲット表面のクリーニングは真空を破る必要が
あり、その後運転を再開するための排気に要する時間を
含め、非常に非能率的な作業である。従って、生産性を
向上させるために、連続してスパッタリングを行える時
間を延長してクリーニング回数を減らすことが望まれて
いる。
るのを防止するため、ある程度連続してスパッタリング
を行う毎に装置内及びターゲット表面のクリーニングを
行い、付着物を除去することが必要となる。この装置内
及びターゲット表面のクリーニングは真空を破る必要が
あり、その後運転を再開するための排気に要する時間を
含め、非常に非能率的な作業である。従って、生産性を
向上させるために、連続してスパッタリングを行える時
間を延長してクリーニング回数を減らすことが望まれて
いる。
【０００４】本発明は、ターゲット又はターゲット及び
そのバッキングプレートに付着した粒子の剥離を抑制す
ることにより、連続スパッタリング可能時間を延長し、
生産性を著しく向上させ得るスパッタリング用ターゲッ
トを提供することを目的とする。
そのバッキングプレートに付着した粒子の剥離を抑制す
ることにより、連続スパッタリング可能時間を延長し、
生産性を著しく向上させ得るスパッタリング用ターゲッ
トを提供することを目的とする。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明はボンディング
面を除くターゲット表面の全部又は一部あるいはボンデ
ィング面を除くターゲット表面とそのバッキングプレー
トのスパッタリングの雰囲気にさらされる表面の全部又
は一部を粗面とすることにより、前記課題を達成したも
のである。
面を除くターゲット表面の全部又は一部あるいはボンデ
ィング面を除くターゲット表面とそのバッキングプレー
トのスパッタリングの雰囲気にさらされる表面の全部又
は一部を粗面とすることにより、前記課題を達成したも
のである。
【０００６】本発明におけるボンディング面とは、ター
ゲットとバッキングプレートの接合面をいい、従ってボ
ンディング面を除くターゲット表面には、ターゲット側
面あるいはマグネトロンスパッタリングにおいてはマグ
ネット形状の影響で殆どエロージョンを受けないターゲ
ット中央部等が含まれる。また、スパッタリング雰囲気
とはその中でプラズマが発生し、スパッタリング現象が
起きて製膜が行われる雰囲気をいう。また、粗面とは、
ターゲットから叩きだされて飛散する粒子を補足し得る
表面性状とすることを意味する。具体的には、ガラスビ
ーズ等、あるいは鉄粒子等によるブラスト処理により上
記粗面化が達成できる。以下に本発明を実施例に従って
説明する。
ゲットとバッキングプレートの接合面をいい、従ってボ
ンディング面を除くターゲット表面には、ターゲット側
面あるいはマグネトロンスパッタリングにおいてはマグ
ネット形状の影響で殆どエロージョンを受けないターゲ
ット中央部等が含まれる。また、スパッタリング雰囲気
とはその中でプラズマが発生し、スパッタリング現象が
起きて製膜が行われる雰囲気をいう。また、粗面とは、
ターゲットから叩きだされて飛散する粒子を補足し得る
表面性状とすることを意味する。具体的には、ガラスビ
ーズ等、あるいは鉄粒子等によるブラスト処理により上
記粗面化が達成できる。以下に本発明を実施例に従って
説明する。
【０００７】
【実施例１】Ｔａターゲット（２００ｍｍφ、厚さ６ｍ
ｍ）の中央部（５０ｍｍφ）に＃８０ガラスビーズによ
るブラスト処理を施し、中央部表面を粗面とした。この
ターゲットを用いてマグネトロンスパッタ（サイドスパ
ッタ型）試験を行ったところ、連続して３０バッチの基
板に装置のクリーニングを行うことなく製膜することが
できた。なお、比較のため、上記ブラスト処理を施さな
い同様のターゲットを用いて同様のスパッタ試験を行っ
たところ、３バッチスパッタする毎にクリーニングが必
要であった。これにより、本発明により処理したターゲ
ットは無処理のものに比べて可能バッチ数が約１０倍に
増加することが分かった。スパッタ試験終了後、ターゲ
ット中央部を調べると、ブラスト処理により粗面化した
ターゲット表面に多量の粉末の付着が認められた。これ
は粗面化された表面が粗大粒子を効果的にトラップし、
基板上へ飛散するのを防止していることを示すものであ
った。
ｍ）の中央部（５０ｍｍφ）に＃８０ガラスビーズによ
るブラスト処理を施し、中央部表面を粗面とした。この
ターゲットを用いてマグネトロンスパッタ（サイドスパ
ッタ型）試験を行ったところ、連続して３０バッチの基
板に装置のクリーニングを行うことなく製膜することが
できた。なお、比較のため、上記ブラスト処理を施さな
い同様のターゲットを用いて同様のスパッタ試験を行っ
たところ、３バッチスパッタする毎にクリーニングが必
要であった。これにより、本発明により処理したターゲ
ットは無処理のものに比べて可能バッチ数が約１０倍に
増加することが分かった。スパッタ試験終了後、ターゲ
ット中央部を調べると、ブラスト処理により粗面化した
ターゲット表面に多量の粉末の付着が認められた。これ
は粗面化された表面が粗大粒子を効果的にトラップし、
基板上へ飛散するのを防止していることを示すものであ
った。
【０００８】
【実施例２】実施例１のガラスビーズに代えて、＃３０
のＦｅショットを用いてブラストした以外は実施例１と
同様に処理し、同様なスパッタを行ったところ、連続処
理可能なバッチ数は３８となり、表面粗度がさらに大き
くなると、効果が増大することが分かる。
のＦｅショットを用いてブラストした以外は実施例１と
同様に処理し、同様なスパッタを行ったところ、連続処
理可能なバッチ数は３８となり、表面粗度がさらに大き
くなると、効果が増大することが分かる。
【０００９】
【実施例３】実施例２と同様にターゲット中央部をＦｅ
ショットブラストにより粗面とし、さらに厚さ６ｍｍの
ターゲット側面及び厚さ８ｍｍのバッキングプレート側
面を同様のブラスト処理したターゲット及びバッキング
プレートを用いて実施例１と同様のスパッタを行ったと
ころ、装置のクリーニングなしに連続して４０バッチの
基板に製膜することができた。スパッタ後のターゲット
を観察すると、ブラスト処理を施した部分に多量の付着
物が認められ、粗面化したターゲット表面が粗大粒子を
効果的にトラップしたことが分かった。
ショットブラストにより粗面とし、さらに厚さ６ｍｍの
ターゲット側面及び厚さ８ｍｍのバッキングプレート側
面を同様のブラスト処理したターゲット及びバッキング
プレートを用いて実施例１と同様のスパッタを行ったと
ころ、装置のクリーニングなしに連続して４０バッチの
基板に製膜することができた。スパッタ後のターゲット
を観察すると、ブラスト処理を施した部分に多量の付着
物が認められ、粗面化したターゲット表面が粗大粒子を
効果的にトラップしたことが分かった。
【００１０】
【発明の効果】以上のような本発明によれば、ターゲッ
ト表面あるいはターゲットとバッキングプレートの表面
の一部を粗面とするという極めて簡単な手段により、連
続してスパッタッリングし得る時間が延長され、クリー
ニングの回数を減少させることができ、生産性が著しく
向上する。
ト表面あるいはターゲットとバッキングプレートの表面
の一部を粗面とするという極めて簡単な手段により、連
続してスパッタッリングし得る時間が延長され、クリー
ニングの回数を減少させることができ、生産性が著しく
向上する。
Claims (1)
- 【請求項１】 ボンディング面を除くターゲット表面
の全部又は一部あるいはボンディング面を除くターゲッ
ト表面とそのバッキングプレートのスパッタリングの雰
囲気にさらされる表面の全部又は一部を粗面としたこと
を特徴とするスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8913291A JPH04301074A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | スパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8913291A JPH04301074A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | スパッタリング用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04301074A true JPH04301074A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=13962356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8913291A Pending JPH04301074A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | スパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04301074A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012067355A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | バッキングプレートの製造方法 |
| JP5074628B1 (ja) * | 2012-01-05 | 2012-11-14 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | インジウム製スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN104369113A (zh) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材喷砂夹具和靶材喷砂方法 |
| US9023487B2 (en) | 2011-09-21 | 2015-05-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Laminated structure and method for producing the same |
| US9139900B2 (en) | 2011-03-01 | 2015-09-22 | JX Nippon Mining Metals Corporation | Indium target and manufacturing method thereof |
| US9490108B2 (en) | 2010-09-01 | 2016-11-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium target and method for manufacturing same |
| US9761421B2 (en) | 2012-08-22 | 2017-09-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium cylindrical sputtering target and manufacturing method thereof |
| US9922807B2 (en) | 2013-07-08 | 2018-03-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and method for production thereof |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP8913291A patent/JPH04301074A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9490108B2 (en) | 2010-09-01 | 2016-11-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium target and method for manufacturing same |
| JP2012067355A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | バッキングプレートの製造方法 |
| US9139900B2 (en) | 2011-03-01 | 2015-09-22 | JX Nippon Mining Metals Corporation | Indium target and manufacturing method thereof |
| US9023487B2 (en) | 2011-09-21 | 2015-05-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Laminated structure and method for producing the same |
| JP5074628B1 (ja) * | 2012-01-05 | 2012-11-14 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | インジウム製スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2013103029A1 (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウム製スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| EP2772564A4 (en) * | 2012-01-05 | 2015-08-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | INDIUM SPUTTERTARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| US9758860B2 (en) | 2012-01-05 | 2017-09-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium sputtering target and method for manufacturing same |
| US9761421B2 (en) | 2012-08-22 | 2017-09-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium cylindrical sputtering target and manufacturing method thereof |
| US9922807B2 (en) | 2013-07-08 | 2018-03-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and method for production thereof |
| CN104369113A (zh) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材喷砂夹具和靶材喷砂方法 |
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