JPH043011B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般的にいえば磁気記録媒体の製造法
に関するものである。さらに具体的にいえば、本
発明は高い飽和保磁力、改善されたヒステレシ
ス・ループ・スクエアネス（hysteresis loop
squareness）、および高い残留磁気を含む磁気記
録性質の改善されたコバルト−燐被膜の無電解沈
着に向けられている。この観点において、本発明
の重要な一つの面は、コンピユーターの応用にお
ける使用に特に適している改善された剛性メモリ
ー・デイスクの製造において、ニツケル−燐の非
磁性被膜上へコバルト−燐の磁性被膜を無電解沈
着させる方法に関係する。

磁気記録インパルス・メモリー・デバイスはコ
ンピユーターおよびデーター処理系において広く
使用されている。これらのデバイスは一般的には
磁性物質薄膜を沈着させた基板を含んでいる。本
発明は各種担持体上で磁気記録媒体を沈着させる
応用をもつているが、大記憶容量の剛性メモリ
ー・デイスクの製造に対して特に有利な応用をも
つている。

これらのデイスクの磁気記録媒体についての必
須事項は臨界的であり、なぜならば、それらの表
面上での情報データーの読取りおよび書出しは通
常は、デイスク表面にぴつたりと近接して配置さ
れた浮動ヘツド中に支持されている磁気変換器に
よつて実施されるからである。この操作の書出し
段階において、磁気変換器は電流インパルスを両
指向性（bidirectional）磁場に変換し、その磁場
は次にコバルト−燐磁性被膜の被膜中で磁束の方
向を局部的に変える。それに相当して、操作の読
取り段階においては、磁気媒体中の磁束反転は変
換器によつて電圧出力パターンへ転換される。

剛性メモリー・デイスクは、過去においては、
アルミニウムの表面をはじめに清浄化してそれを
非磁性被膜に対して受容性にし、その上で非磁性
のニツケル含有層を無電解的に沈着させ、その非
磁性層を清浄化および活性化してそれを磁性層に
対して受容性にし、そして次いで、アンモニア含
有浴の中でコバルト含有無電解層を沈着させるこ
とによつて、通常製造されてきた。その後、その
デイスクを清浄化し、潤滑剤またはその他の保護
被膜をその磁性層上に施用した。

これらの従来法の手順はしばしば、磁気媒体か
らより高い出力電圧を得るために５マイクロイン
チより大きくさらに10マイクロインチより大きい
厚さでの磁性被膜の沈着を含む。しかし、大いに
改善された性能ははるかに薄い磁性被膜で以て得
ることができる。例えば、25000ビツト／インチ
の程度の記録密度は５マイクロインチより薄い磁
性膜で以て得ることができる。しかし、これらの
被膜の厚みの減少は磁性媒体からの出力を減ら
す。その結果、これらの磁性薄膜は300から1000
エルステツドまたはそれをこえる飽和保磁力、
6000から10000ガウスの範囲の残留磁気および改
善されたヒステレシス・ループ・スクエアネス特
性、すなわち、側面が実質上垂直であるヒステレ
シス・ループ、を含めた例外的な磁気的性質を保
有せねばならない。その上、これらの磁性被膜は
通常は、PH調節剤および浴安定剤としてアンモニ
ウムを利用する浴から生成されるので、浴自体は
PH調節の困難さ、浴の不安定性、および浴中での
アンモニアの一定的補充の必要性、を特徴とする
ものであつた。さらに、これらのアンモニア安定
化浴は有害な蒸気を発生し排気を必要とした。

本発明によると、高い飽和保磁力、改善された
ヒステレシス・ループ・スクエアネスおよび高い
残留磁気を含めた磁気記録性質が増強された高密
度磁気記憶デバイスを製造する改良方法が提供さ
れる。本発明に従つてつくられる高密度磁気記憶
デバイスは、ニツケル−燐層がピツトおよび他の
表面欠陥を実質上含まない無電解の非磁性ニツケ
ル−燐沈着工程と、それに続くコバルト−燐沈着
工程との協同で以て処理され、後者の工程におい
て、コバルト−燐沈着はコバルトイオン源、次亜
鉛燐イオン源、クエン酸イオン源、および低分子
量の浴可溶性アミノ酸を含む無電解めつき浴の中
で実施される。好ましくは、例えばナトリウムま
たはカリウムの四硼酸塩のような緩衝剤がコバル
ト−燐無電解めつき浴の中で存在する。

それゆえ、本発明の一般的目的は、コバルト−
燐磁気記録媒体を製造する新規で改良された方法
を提供することである。

本発明のもう一つの目的は、ニツケル−燐非磁
性層の上へコバルト−燐磁性層を無電解的にめつ
きして、高い飽和保磁力、改善されたヒステレシ
ス・ループ・スクエアネスおよび高い残留磁気を
含めた改善された磁気記録性質を特徴とする記録
デバイスを提供することである。

本発明のもう一つの目的は無アンモニアの改良
されたコバルト−燐沈着法を提供することであ
り、その方法は、特別な無電解のニツケル−燐沈
着法と共同的に使用して改善された磁気記録媒体
を提供するのに独得の適合性をもつている。

本発明のもう一つの目的は無電解ニツケル−燐
の非磁性層をもちその上にコバルト−燐磁性層を
無電解的に沈着させた改善された磁気記録媒体の
製造方法を提供することであり、その磁気記録媒
体は300エルステツドを実質上こえる飽和保磁力、
実質的に改善されたヒステレシス・ループ・スク
エアネスおよび高残留磁気値を特徴とするもので
ある。

本発明のもう一つの目的は、温度、時間および
PHのような作業温度のみを調節することによつて
300から1000エルステツドの選択された飽和保磁
力を特徴とするコバルト−燐層を無電解的に沈着
させる方法を提供することである。

本発明のこれらおよびその他の目的は本発明の
好ましい具体化に関する以下の説明から明らかに
なる。

一般的にいえば、本発明の化学的沈着または無
電解めつきの側面は、例えばアルミニウム・デイ
スク、あるいは例えば「マイラー」銘柄のプラス
チツク、すなわちポリ（エチレンテレフタレー
ト）のような適当なプラスチツクで構成されるデ
イスクまたはテープ、のような適当な基板の上へ
ニツケル−燐の非磁性合金を沈着させるのに特に
適している。このニツケル−燐沈着工程には、ア
ンモニアまたはアンモニア化化合物の使用を必要
としない無電解沈着法によつて、この非磁性層の
上へコバルト−燐の磁性層を後沈着させることが
続く。これらの手順は剛性メモリー・デイスクの
製造において特に有用であり、その製造方法は詳
細に述べるけれども、本発明の原理はテープ、ベ
ルト、ドラムおよびその他の基板の表面上での磁
気記録媒体の沈着を含む、広範な磁気記録媒体へ
の応用をもつていることは予測される。

本発明の一つの重要な側面は、磁性のある無電
解沈着のコバルト−燐層と、沈着時に非磁性であ
りかつ昇温下へ露出のときでも非磁性のままであ
るニツケル−燐無電解層、との独得の協調に関す
るものである。この無電解のニツケル下層はさら
に、小突起およびピツトのような欠陥を含まない
珍らしく平滑な表面を特徴とする。本発明のこの
特徴は特に重要であり、なぜならば、いかなる種
類の剛性デイスクの表面においても一万分の一イ
ンチをこえる不規則性はヘツドの破壊または欠陥
記録の原因となるからである。

無電解沈着のコバルト−燐磁性層はニツケル−
燐非磁性層と協同して、300から1000エルステツ
ドまたはそれをこえる範囲の高い飽和保磁力、88
から95％またはそれ以上の範囲のヒステレシス・
ループ・スクエアネス、および10000ガウスの程
度の高い残留磁気を特徴とする高品質記録媒体を
提供する。

本発明による剛性メモリー・デイスクの製造は
一般的には、アルミニウムデイスク表面の機械加
工、その表面から油と酸化物を除くための清浄
化、この清浄化アルミニウム基板の亜鉛めつき、
その上への特別な非磁性のニツケル−燐めつき、
好ましくは、そのニツケル−燐層の研磨および／
または面づくり、その表面のその後の清浄化と活
性化、その上へのコバルト−燐磁性層の無電解沈
着とそれに続くそのコバルト−燐表面の清浄化、
および任意的には、その上への潤滑剤または保護
被膜の施用、を含めた製造諸操作の連続的系列を
含む。これらの連続工程の各々は以下にさらに詳
しく記述する。

適当なアルミニウム基板デイスク例えば5086ア
ルミニウム合金で構成されるものを、はじめに滑
らかに機械加工し、有機溶剤で以て脱脂し、非蝕
刻性のアルミニウム清浄化剤で以て洗滌し蒸溜水
または脱イオン水で以て完全にすすぐ。代表的に
は、デイスクの清浄化は、アルミニウムデイスク
を非珪酸塩質で非蝕刻性の液状アルカリ性清浄化
剤の中に２分から３分間140〓から160〓の温度に
おいて浸漬することによつて実施される。処理し
たデイスクのすすぎは通常はデイスクを蒸溜水ま
たは脱イオン水で約30秒またはそれ以上の間スプ
レーすることによつてなされる。このアルカリ洗
滌とすすぎの工程の次には、このようにして処理
したデイスクを非蝕刻性で酸性の浸漬清浄化剤中
で処理し、アルミニウム表面が酸化物を含まない
ことを保証しかつ無電解ニツケル被膜の接着を最
大にし、それによつて被膜の防蝕性を最適化させ
る。代表的には、この酸性清浄化操作は150〓か
ら170〓の温度において実施し、浸漬時間は２分
から６分であつて、おだやかな撹拌を行なう。こ
の酸清浄化工程に続いて、蒸溜水または脱イオン
水による１回または２回のすすぎが推奨される。

これらの清浄化工程および基板調製工程の後、
アルミニウムデイスクを好ましくは亜鉛めつき処
理にかけてその上に亜鉛薄層を形成させる。適当
である亜鉛めつき法は当業熟練者にとつて明らか
であり、一般的には調製基板を適当な亜鉛めつき
浴の中で約30秒間浸して、均質で薄く（すなわ
ち、約1.5マイクロ−インチ）密な微粒状の亜鉛
沈着物を生成させ、その際、アルミニウム表面の
蝕刻は最小である。この亜鉛めつき法は非磁性・
無電解のニツケル−燐の最大接着力を保証する。

この初期の亜鉛めつき工程に続き、もし必要な
らば、その亜鉛被覆基板を蒸溜水または脱イオン
水のいずれかで以てすすぎ、次いで、デイスクを
例えば硝酸のような適当な酸の中に浸し続いて蒸
溜水または脱イオン水で以てさらにすすぐことに
よる亜鉛面の突出部除去の操作にかけ、そして次
に、そのデイスクを代表的には約70〓から90〓の
温度に保つた適当なアルカリ性亜鉛めつき浴中
で、約10秒から30秒の間、好ましくはおだやかに
撹拌しながら浸漬することにより、さらに亜鉛め
つき工程にかけて、0.25から約0.75マイクロイン
チの亜鉛層をその上につくらせる。

この亜鉛被覆基板は蒸溜水または脱イオン水で
以てさらにすすぎにかけ、続いて任意的の中和工
程によつて前記亜鉛めつき工程からの残留苛性を
すべて除去する。適当である中和工程はこのよう
に処理したデイスクを30ｇ／の重炭酸ナトリウ
ムを含み室温で保つた溶液の中で約30秒間浸漬す
ることを含む。この中和工程の次にはさらに蒸溜
水または脱イオン水で以てすすぎを行なう。

この亜鉛被覆アルミニウム基板デイスクはここ
で、非磁性のニツケル−燐層の無電解電着にすぐ
使用できる。この点に関しては、このデイスクへ
施用される非磁性無電解のニツケル−燐沈着物が
あらゆる表面欠陥を含まないことが重要である。

本発明によると、この亜鉛被覆アルミニウム基
板表面はニツケルイオン源、次亜燐酸イオン源、
例えばカルボン酸、硼酸または浴可溶性硼酸塩の
ような適当な緩衝剤、およびグルコヘプトン酸の
エステル錯体、を含有する無電解浴の中で浸漬す
る。この無電解めつき工程において利用できるグ
ルコヘプトン酸の適当なエステル錯体は、グルコ
ヘプトン酸のジボロン、タングステンおよびモリ
ブデンのエステルから成る群から選ばれるグルコ
ヘプトン酸のエステル錯体を含む。これらのエス
テル錯体は広義にはオキシ酸をポリハイドリツク
（polyhydric）酸またはアルコールと反応させる
ことによつて形成されるポリハイドリツク化合物
のエステル錯体として特徴づけることができる。
これらの目的に用いられるポリハイドリツク酸ま
たはアルコールは好ましくは分子あたり少くとも
２個のヒドロキシ基と約４個から約15個の炭素原
子とを含むカルボン酸またはアルコールである。
代表的なポリハイドリツク化合物は酒石酸、グル
コン酸、またはグルコヘプトン酸のような酸、あ
るいはマニトール、２，３−ブタンジオールある
いは１，２，３−プロパントリオールを含む。し
かし、これらの各種のポリハイドリツク化合物の
中で、カルボン酸が一般的には好ましく、特に適
当なポリハイドリツク酸はグルコヘプトン酸であ
る。

多価アルコール化合物と反応させてエステル錯
体を形成することができるオキシ酸は一般的には
硼素、タングステンおよびモリブデンのような金
属および非金属の無機酸であり、硼酸、タングス
テン酸およびモリブデン酸のようなオキシ酸を形
成する。しかし、使用できる各種オキシ酸のうち
で、モリブデン酸と硼酸は、それらがグルコヘプ
トン酸のような好ましいポリハイドリツク酸でエ
ステル化されてグルコヘプトン酸の硼素、モリブ
デンあるいはタングステンのエステルのような高
度に好ましくかつ適当であるエステル錯体を形成
するときには特別に、特に好ましい。

これらのエステル錯体はポリエステル、すなわ
ち、２モルまたは２モル以上のオキシ酸を１モル
の多価アルコール化合物と反応させることによつ
て形成されるエステル錯体、の形態にあつてもよ
く、そしてある場合にはその形態にあることが好
ましい。その種のポリエステルの代表的な例とそ
してまた特に好ましいエステル錯体の例証は２モ
ルの硼酸を１モルのグルコヘプトン酸と反応させ
ることによつて形成されるグルコヘプトン酸のジ
ボロンエステルである。

前述のタイプのニツケル−燐の無電解めつき浴
は、それらが８から12％の燐含量とそれに相当す
る92から88％のニツケル濃度とをもつ非磁性のニ
ツケル−燐沈着物を提供するので、本発明におい
て使用するのに特に適している。その上、これら
の浴は代表的には約4.1から4.8のPHにおいて代表
的には操作され、好ましくは浴は約4.7のPHで保
たれて高速のめつき速度を提供し、その間、沈着
したままで非磁性でありかつ熟成時においても磁
性とならない無電解のニツケル−燐沈着物を提供
する。

もう一つの適当な非磁性のニツケル−燐無電解
沈着物は、式Ｒ（COOH）_oの不飽和カルボン酸ま
たはそれの浴可溶性誘導体で式中においてＲが少
くとも２個の炭素原子をもつ不飽和アルキル鎖で
ありかつｎが少くとも１であるもの、および次亜
燐酸イオン源、およびニツケル源、を含む浴の中
でニツケル−燐の無電解沈着を実施することによ
つて得ることができる。適当である不飽和カルボ
ン酸はアコニツト酸、シトラコン酸、イタコン
酸、およびマレイン酸、並びにこの一般的分類に
入りそれらと類似の性質と特徴をもつその他の酸
を含む。その上、緩衝剤がこれらの別のニツケル
−燐無電解浴の中に含まれるのが好ましい。この
点に関しては、例えば酢酸−酢酸ナトリウム系、
硼酸−硼酸塩系、およびプロピオン酸−プロピオ
ン酸塩系のような慣習的モノカルボン酸誘導緩衝
系を使用してよいが、めつき速度に悪影響を及ぼ
すことなく燐沈着パーセンテージを増強させるこ
とに特に関連するニツケル−燐のこれらの別途浴
の最大効率は、緩衝剤が飽和アルキルまたは芳香
族のポリカルボン酸および／たはそれの浴溶解性
誘導体であるときに達成される。代表的には、こ
れらの別途のニツケル浴は160〓と212〓（約71℃
と100℃）の間の温度において操作される。この
方式においては、ニツケル−燐沈着物は約90％の
ニツケル濃度と約10％の燐含量をもつよう形成さ
れる。好ましくは、これらの浴は少くとも約4.1、
通常は4.5から4.8の程度のPHで操作され、それに
よつて高めつき速度並びに前述の所望の非磁性特
性を提供する。

前記のニツケル−燐めつき浴のいずれかの利用
は、亜鉛被覆アルミニウムデイスクをその浴の中
に約0.7から１ミル（約17.8から25.4マイクロメー
トル）の厚さをもつ沈着物を可能にする十分な時
間の間浸漬することによつて通常なされる。この
ようにしてめつきされたデイスクを次に研磨およ
び／または面づくりの工程にかけ、その際、ニツ
ケル−燐層は約0.2から0.5ミル（約7.6から12.2マ
イクロメートル）の厚さへ減らされる。この点に
関しては、沈着されたままのニツケル−燐無電解
層の厚さは、0.1から1.0ミルの所望の厚さをもつ
無電解ニツケル生成下層を生成させるよう研磨す
ることによつて変動が補償されるかぎり、変える
ことができる。

この研磨工程に続いて、ニツケル−燐めつきデ
イスクを約30秒間蒸溜水または脱イオン水の中で
すすぎ、次に通常はおだやかな酸またはアルカリ
の溶液による洗滌にかける。この目的のための適
当な酸は燐酸とクエン酸を含み、これらは代表的
には既知の有機湿潤剤と一緒に用いられる。しか
し、この清浄化工程は、デイスクが研磨後におい
て汚染物を事実上含まない場合には省くことがで
きる。

その後の無電解のニツケル−コバルト沈着のた
めのニツケル−燐無電解層の活性化は代表的には
酸浸漬の使用によつて代表的に達成される。例え
ば、ニツケル−燐層は塩酸の20％溶液を含む浴の
中に浸し、蒸溜水または脱イオン水で以てすす
ぎ、次に、５％硫酸溶液で以てさらに処理してデ
イスク上に存在する塩素の残留をすべて除き、続
いて蒸溜水または脱イオン水で以てさらにすす
ぐ。追加的活性剤は沃化カリウムを含む10％硫酸
あるいは１％の過酸化水素を含むスルフアミン酸
あるいは塩化物、弗化物あるいは燐酸塩のような
添加物を含む硝酸混合物、のような溶液から成つ
ていてよい。

本発明の重要な側面によると、ニツケル−燐め
つき基板は次に、適当なコバルトイオン源、次亜
燐酸イオン源、およびクエン酸イオン源および低
分子量の浴可溶性アミノ酸、からつくられる、コ
バルト−燐無電解めつき浴の中で処理する。例え
ば硼酸またはアルカリ金属の四硼酸塩、メタ硼酸
塩または五硼酸塩のような緩衝剤もまた好ましく
は含まれる。さらに必要な場合には、例えばエタ
ノールアミンのような適当な湿潤剤を浴中に組入
れてよい。

これらのコバルト浴用のコバルトカチオン源は
浴中で２価のコバルトカチオンを供給する可溶性
または半可溶性のコバルト塩はどれでも使用でき
る。適当なコバルト源の例証的な例は硫酸コバル
ト五水塩、塩化コバルトおよびクエン酸コバルト
を含む。これらの浴の中で利用されるコバルト濃
度は一般的には浴１あたり約0.01モルから約
0.1モルの範囲にある。硫酸コバルト五水塩がコ
バルト源として用いられる場合には、約５から15
ｇ／のこのコバルト塩濃度は一般的に満足でき
る結果を与え、６から10ｇ／の濃度が特に好ま
しい。

これらのコバルト−燐沈着浴の中で利用する次
亜燐酸還元剤は次亜燐酸ナトリウムまたはカリウ
ムのような浴可溶生亜燐酸源のどれであつてもよ
い。それに応じて、必要ならば、次亜燐酸または
その他の適当な次亜燐酸源を利用してよい。この
還元剤についての代表的最小濃度は浴１あたり
0.04モルほどの低さであるが、しかし、より普通
には0.05から約0.5モル／の程度の高濃度が使
用され、約0.1モル／がたいていの操作にとつ
て好ましい。次亜燐酸ナトリウムを用いる場合に
は、約５から30ｇ／のそれの浴濃度が一般的に
は満足できるものであり、約0.8から12.0ｇ／
の濃度が好ましい。

本発明の重要な側面に従うこれらのコバルト−
燐めつき浴はまた、クエン酸イオンの適当な源と
低分子量の浴可溶性アミノ酸とを含む錯化剤成分
と、緩衝剤、好ましくは硼酸塩とを含む。

適当なクエン酸イオン源はクエン酸並びにそれ
のナトリウム塩またはカリウム塩を含み、クエン
酸ナトリウム二水塩が前述の低分子量で浴可溶性
アミノ酸と協同させて使用する時に適当な錯化剤
である。一般的には、クエン酸イオン最小濃度は
コバルト源モル濃度の約３倍である。より高い濃
度のクエン酸イオンを許容できるが、それの濃度
増加は何らかの特別に有益な結果を与えるように
は見えない。クエン酸ナトリウム・二水塩を用い
る場合には、約20から100ｇ／のそれの浴濃度
が一般的に満足できるものであり、約30がら90
ｇ／の濃度が好ましい。

本発明によつて期待される低分子量の浴可溶性
アミノ酸は代表的には２個から５個の炭素原子を
含むものであり、そのうちのアルフア−アミノ酸
の形が好ましい。これらの低分子量で浴可溶性ア
ミノ酸はアルフア−アラニン、グリシン、グルタ
ミン酸モノナトリウム、セリン、スレオニンおよ
びバリンを含む。一般的には、これらのアミノ酸
の浴濃度は約0.1モルから約1.0モルの範囲にあ
り、約0.2から0.4モル／がたいていの操作にと
つて好ましい。グリシンを用いる場合には、10か
ら35ｇ／のそれの浴濃度が満足できるものであ
り、約15から30ｇ／の濃度が好ましい。

前記のとおり、本発明のコバルト−燐めつき浴
はまた、緩衝剤、好ましくは例えばアルカリ金属
の四硼酸塩、メタ硼酸塩あるいは五硼酸塩のよう
な硼酸塩を含むことが有利であり、四硼酸ナトリ
ウム・10水塩が好ましい。一般的には、緩衝剤の
濃度は所望のPH調節を達成するのに有効である量
であり、代表的には約0.01から0.1モル／の範
囲にある。四硼酸ナトリウム・10水塩を使用する
場合には、10から35ｇ／のその浴濃度を用いる
ことができ、約15から30ｇ／が一般的に好まし
い。

所望に応じて、約2.0から10ｇ／の量のモノ
−、ジ−、またはトリエタノールアミン、あるい
はその種のエタノールアミンの混合物のようなエ
タノールアミンを浴へ添加してよい。エタノール
アミンは、肝要ではないが、湿潤剤および錯化剤
として他の浴成分と一緒に機能することが有利で
ある。

コバルト−燐めつき浴は代表的には約８から
10.5のPHで保たれ、約9.4から10.のPH範囲が好ま
しく、9.8のPHが特に好ましい。それに応じて、
約160〓から185〓（71℃から84℃）の浴温が利用
でき、約176〓（80℃）が好ましい。しかし、こ
の点に関しては、これらの範囲の下および上の温
度は浴の他の條件に応じて有効に利用できる。一
般的には、１から５マイクロインチのコバルト−
燐層は本発明で以て達成できる所望の磁気記録性
質を示すコバルト−燐磁性沈着物を提供する。

コバルト−燐沈着工程に続いて、その剛性デイ
スクを次に乾燥する。コバルト−燐めつき層の変
色を避けあるいは損傷をさける適当な手段はどれ
でもこの目的に利用できる。その後、保護被膜を
施用することができる。適当な保護被膜は、フレ
オン溶剤と一緒に通常施用されるフルオロカーボ
ン、米国特許4407869に記載のタイプ無電解沈着
のニツケル−硼素沈着物、および、例えばスパツ
ター技法によつて施用できる黒鉛、を含む。これ
らの保護被膜はコバルト−燐層の酸化を妨げるよ
う作用し、そしてデイスク使用時に系に入る汚染
物との直接的接触を妨げることによつて「読取
り」ヘツドと「書出し」ヘツドに対する保護障壁
としてさらに作用する。

以下の実施令は本発明の実際において利用され
るコバルト−燐浴を例証するために提示されてい
る。

実施例 直径3.9インチで厚さが0.068インチの5086アル
ミニウム合金デイスクをまず、非蝕刻性アルカリ
性溶液を含む浴の中でおだやかに撹拌しながら清
浄化および脱脂を行ない、約160〓（71℃）の温
度において３分間保つた。デイスクはそれを脱イ
オン水で以て30秒間スプレーすることによつてす
すぎそれを非蝕刻性の酸の中で約160〓（71℃）
の温度において４分の浸漬時間で以ておだやかに
撹拌しながら浸した。このように処理したデイス
クを次に脱イオン水で以てさらにすすぎ、商業的
に入手できる亜鉛めつき溶液で以て80〓（26℃）
の温度において40秒間、おだやかに撹拌しながら
亜鉛めつきした。このようにして亜鉛めつきした
デイスクを次に脱イオン水で以てすすぎ、その上
の亜鉛層は、デイスクを60％硝酸溶液の中で浸漬
することによつて突出部を取去り、脱イオン水で
以てすすいだ。デイスクを再び亜鉛めつき用溶液
中で約80〓（26℃）の温度において20秒間おだや
かに撹拌しながら浸漬した。脱イオン水で以てさ
らにすすぎを実施し、デイスク表面を次に、水１
ガロンあたり４オンスの重炭酸ナトリウムを含む
浴の中で70〓（21℃）の温度において30秒間、デ
イスクを浸すことによつて中和工程にかけた。こ
の中和デイスクを次に脱イオン水で以てすすぎ、
190〓（88℃）の温度において、4.6のPHで保つた
ニツケル−燐無電解めつき浴の中に浸した。この
ニツケル−燐無電解浴はニツケルイオン源、次亜
鉛酸還元剤、およびグルコヘプトン酸のジボロン
エステルを含んでいた。デイスクは、800マイク
ロインチのニツケル−燐層がその上に沈着するま
でそのめつき浴中に保つたが、そのニツケル−燐
無電解層は約90％のニツケル含有量と約10％の燐
含有量とをもつていた。このデイスクを次に研磨
して約400マイクロインチの非磁性のニツケル−
燐層を提供し、脱イオン水で以てすすぎ、おだや
かなアルカリ性清浄化剤で以て清浄化し、再び脱
イオン水で以てすすいだ。このニツケル−燐層を
次に、デイスクを20％塩酸溶液中に浸すことによ
つて活性化し、脱イオン水で以てすすぎ、硫酸の
５％溶液中に浸し、次いで脱イオン水で以て再び
脱イオン水で以てすすいだ。デイスクを次に以下
の組成をもつコバルト浴の中に置いた： 硫酸コバルト（６水塩） 10.0ｇ／ 次亜燐酸ナトリウム 10.0ｇ／ 四硼酸ナトリウム（10水塩） 30.0ｇ／ クエン酸ナトリウム 90.0ｇ／ グリシン 25.0ｇ／ この浴のPHは水酸化カリウムで以て176〓（80
℃）の浴温において、9.8へ調節した。デイスク
を次に浴中に置き、その中で合計で10秒間継続的
に回転させ、厚さが３マイクロインチのコバルト
−燐層が生成した。デイスクを次に取出し、脱イ
オン水中ですすぎ、乾燥した。このようにしてめ
つきされたデイスクの飽和保磁力は450エルステ
ツドであり、すぐれた残留磁化とヒステレシス・
ループ・スクエアネスを示した。

実施例 コバルトめつき工程に至るまで実施例と同じ
方式でデイスクをつくた。このようにしてつくつ
たデイスクを次に次の組成をもつコバルトめつき
浴中へ導入した： 硫酸コバルト（６水塩） 6.0ｇ／ 次亜燐酸ナトリウム 10.0ｇ／ 四硼酸ナトリウム（10水塩） 20.0ｇ／ クエン酸ナトリウム 60.0ｇ／ グリシン 15.0ｇ／ ジエタノールアミン 5.0ｇ／ 浴のPH水準を水酸化カリウムで以て9.7へ調節
し、浴を170〓（77℃）へ維持した。デイスクを
次に浴中に置き継続的に３分間回転させて厚さ３
マイクロインチのコバルト−燐層を生成させた。
このようにしてめつきしたデイスクを次に浴から
取出し、すすいで乾燥した。このデイスクの飽和
保磁力は650エルステツドであり、すぐれた残留
磁気とすぐれたヒステレシス・ループ・スクエア
ネスを示した。

実施例 コバルトめつきの工程に至るまで実施例と同
じ方式でデイスクをつくつた。このようにしてつ
くつたデイスクを次に次の組成をもつコバルト浴
の中で浸漬した： 硫酸コバルト（６水塩） 7.0ｇ／ 次亜燐酸ナトリウム 12.0ｇ／ 四硼酸ナトリウム（10水塩） 20.0ｇ／ クエン酸ナトリウム 90.0ｇ／ グリシン 20.0ｇ／ ジエタノールアミン 5.0ｇ／ 浴のPHは水酸化カリウムで以て10.0へ158〓
（70℃）の温度において調節した。デイスクを次
に浴中に置き、継続的に３分間回転させ、それの
上で厚さ３マイクロインチのコバルト−燐無電解
沈着層を生成させた。デイスクを次に浴から取出
し、すすいで乾燥した。このデイスクは800エル
ステツドの飽和保磁力をもち、同様に高い残留磁
気とすぐれたヒステレシス・ループ・スクエアネ
スを示した。

実施例 デイスクを実施例１と同等の方式でつくり、実
施例において上述したのと同等のコバルトめつ
き浴の中に導入したが、ただし、15.0ｇ／のス
レオニンを15ｇ／のグリシンに置きかえた。操
作條件と工程は次に実施例で示したのと同じ方
式で実施し、得られたデイスクは、試験の結果、
737エルステツドの飽和保磁力と高い残留磁気お
よびすぐれたヒステレシス・ループ・スクエアネ
スを示した。

実施例 デイスクを実施例と同じ方式でつくり、実施
例において上述したのと同等のコバルトめつき
浴の中へ導入したが、ただし、15.0ｇ／のセリ
ンを15.0ｇ／のグリシンに置換えた。操作條件
と工程は次に実施例で示したのと同じ方式で実
施し、得られたデイスクは試験の結果、669の飽
和保磁力と高い残留磁気およびすぐれたヒステレ
シス・ループ・スクエアネスを示した。

実施例 デイスクを実施例と同等の方式でつくり、実
施例において上述したのと同等コバルト浴の中
へ導入したが、ただし、15.0ｇ／のアルフア−
アラニンを15.0ｇ／のグリシンに置換えた。操
作條件と工程は次に実施例で示したのと同じ方
式で実施し、得られたデイスクは試験の結果、
303エルステツドの飽和保磁力と高い残留磁気お
よびすぐれたヒステレシス・ループ・スクエアネ
スを示した。

実施例 デイスクを実施例１と同じ方式でつくり、実施
例で上述したのと同等のコバルトめつき浴の中
へ入れたが、ただし、15.0ｇ／のバリンを15.0
ｇ／のグリシンに置換えた。操作條件と工程を
次に実施例で述べたのと同じ方式で実施し、得
られたデイスクは、試験の結果、707エルステツ
ドの飽和保磁力と高い残留磁気およびすぐれたヒ
ステレシス・ループ・スクエアネスを示した。

実施例 デイスクを実施例と同じ方式でつくり、実施
例において上述したのと同等のコバルトめつき
浴の中に入れたが、ただし、15.0ｇ／のグルタ
シン酸モノナトリウムを15.0ｇ／のグリシンに
置換えた。操作條件と工程は実施例で述べた同
じ方式で実施し、得られたデイスクは試験の結
果、631エルステツドの飽和保磁力と高い残留磁
気およびすぐれたヒステレシス・ループ・スクエ
アネスを示した。

実施例 実施例に記載の5086アルミニウム合金デイス
クを同様に脱イオン水の中で清浄化し脱脂および
すすぎを行なつた。すすいだデイスクを次に10容
積％の燐酸の中で80〓（27℃）において30秒間浸
し、次に脱イオン水中で最終のすすぎを行なつ
た。新たにすすいだデイスクを直ちに実施例に
記載のニツケル−燐無電解めつき浴の中に入れ、
800マイクロインチの厚さまでめつきし、脱イオ
ン水中ですすぎ、乾燥した。次にそれを所望の表
面仕上げまで研磨した。この研磨したニツケル−
燐合金めつきデイスクを次に蒸溜水で以てすす
ぎ、実施例で説明したとおりに活性化し、実施
例と同じ組成の無電解コバルト溶液中で160〓
（71℃）において、３分間絶えず回転させてめつ
きした。最終的な無電解のコバルト−燐の厚さは
３マイクロインチであつた。このすすいで乾燥し
たデイスクは790エルステツドの飽和保磁力をも
つていた。残留磁気とヒステレシス・ループ・ス
クエアネスはすぐれていた。

実施例 デイスクを実施例で述べた同等の方式でつく
り、実施例で述べた同等のコバルトめつき浴の
中に入れたが、ただし、硼酸塩化合物を浴へ添加
しなかつた。操作條件と工程は次に実施例で述
べた同じ方式で実施し、得られたデイスクは試験
の結果、僅かに300エルステツドの飽和保磁力と
0.67のヒステレシス・ループ・スクエアネスを示
した。

実施例 厚さ0.003インチで８インチ平方のマイラープ
ラスチツクをおだやかなアルカリ性清浄化剤の中
で150〓（65℃）において３分間清浄化し、流れ
る脱イオン水中ですすぎ、濃クロム酸溶液の中で
180〓（88℃）において60秒間浸すことによつて
蝕刻した。この蝕刻マイラーを次に流れる脱イオ
ン水中で室温においてすすぎ、過剰のクロム酸を
除いた。すすぎの後、マイラーを160〓（71℃）
で60秒間の3Nの水酸化ナトリウム溶液の中に浸
して残留する痕跡の六価クロムを除き、続いて脱
イオン水中ですすいで水酸化ナトリウムを除い
た。すすぎの後、マイラーシートを商業的な第一
錫イオン感応化溶液（sensitizing solution）の
中で30秒間感応化し、脱イオン水中ですすぎ、パ
ラジウムイオン触媒溶液の中ですべて室温におい
て浸し、次に最終の脱イオン水のすすぎを行な
い、その後、実施例で述べた同等のニツケル−
燐無電解めつき浴の中に浸漬した。この無電解ニ
ツケル浴中の浸漬時間は188〓（87℃）において
３分であつた。めつきしたプラスチツクシートは
無電解ニツケル浴から取出して室温で脱イオン水
中においてすすぎ、次に３分間、実施例と組成
および操作條件が同等のコバルト−燐無電解めつ
き溶液の中に浸した。めつきされたプラスチツク
シートを次に浴から取出し、すすいで乾燥した。
このめつきマイラーシートからつくつたデイスク
は800エルステツドの飽和保磁力をもち、同じく、
高い残留磁気とすぐれたヒステレシス・ループ・
スクエアネスを示した。

実施例 5086アルミニウム合金デイスクを実施例と同
等の予備処理と無電解ニツケルめつきにかけた
が、ただし、めつき後の表面仕上げを無電解コバ
ルト−燐合金の沈着前にニツケル−燐沈着物へ施
こした。その代り、無電解のニツケル−燐をめつ
き後直ちに、デイスクを浴から取出し、脱イオン
水中ですすぎ、実施例で述べたのと同じ無電解
コバルト浴の中に置いた。めつき時間と條件は同
等であつた。コバルト−燐層の最終の厚みは３マ
イクロインチであつた。このようにしてめつきし
たデイスクの飽和保磁力はすすぎと乾燥の後、
430エルステツドであつた。すぐれた残磁気とヒ
ステレシス・ループ・スクエアネスを示した。

上記明細書は本発明の各種具体化を詳細に述べ
ているが、それらの修正は本発明の精神と範囲か
ら外れることなくなし得ることが予想される。従
つて、特許請求の範囲に示すとおりの制約のみが
本発明に課せられるべきである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁気記録性質が改善された高密度磁気記憶デ
   バイスの製造方法であつて、 そのデバイス用の基板表面を清浄化して油およ
   び酸化物が実質的に存在しない基板表面を準備
   し； その表面上で非磁性ニツケル−燐層を無電解的
   に沈着させ；そして、 上記ニツケル−燐層上にコバルト−燐層を無電
   解的に沈着させ、その無電解コバルト−燐沈着を
   コバルトイオン源、次亜燐酸イオン源、およびク
   エン酸イオン源と低分子量の浴可溶性アミノ酸源
   との各々の有効量を含む錯化剤成分、を含有する
   浴中で実施する； 各工程を含む方法。 ２ 油および酸化物を実質上含まない基板表面を
   亜鉛めつきして、上記の非磁性ニツケル−燐層を
   無電解沈着させる前に、金属亜鉛薄層を沈着させ
   ることを含む、特許請求の範囲第１項に記載の方
   法。 ３ 上記のコバルト−燐浴が緩衝剤を含む、特許
   請求の範囲第１項に記載の方法。 ４ 上記の緩衝剤が硼酸塩である、特許請求の範
   囲第３項に記載の方法。 ５ 上記緩衝剤が硼酸、カルボン酸、およびアル
   カリ金属の四硼酸塩、メタ硼酸塩および五硼酸塩
   から成る群から選ばれる、特許請求の範囲第３項
   に記載の方法。 ６ 上記緩衝剤がアルカリ金属四硼酸塩である、
   特許請求の範囲第３項に記載の方法。 ７ 上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸が２から
   ５個の炭素原子を含む、特許請求の範囲第１項に
   記載の方法。 ８ 上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸がアルフ
   ア−アミノ酸である、特許請求の範囲第７項に記
   載の方法。 ９ 上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸がアルフ
   ア−アラニン、グリシン、グルタミン酸モノナト
   リウム、セリン、スレオニンおよびバリンから成
   る群から選ばれる、特許請求の範囲第７項に記載
   の方法。 １０ 上記のコバルト−燐無電解めつき浴を８か
   ら10.5のPHに保つ、特許請求の範囲第１項に記載
   の方法。 １１ 上記のコバルト−燐浴を9.6から10.0のPH
   に保つ、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １２ 上記のニツケル−燐無電解沈着をグルコヘ
   プトン酸のエステル錯体を含む浴の中で実施す
   る、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １３ 上記のグルコヘプトン酸エステル錯体がグ
   ルコヘプトン酸のジボロン、タングステン、およ
   びモリブデンのエステルから成る群から選ばれ
   る、特許請求の範囲第１２項に記載の方法。 １４ 上記のニツケル−燐浴を4.1から4.9のPHに
   保つ、特許請求の範囲第１２項に記載の方法。 １５ 上記のニツケル−燐めつき基板を機械的に
   研磨し、その上に存在する酸化物をすべて除去
   し、コバルト−燐層の無電解沈着に先立つて活性
   化する、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １６ 磁気記録性質が改善された剛性の高密度磁
   気記憶デイスクの製造方法であつて、 上記デイスク用のアルミニウム基板デイスクの
   表面を清浄化してその上に存在する油と酸化物と
   のすべてを除去し； そのデイスク上にニツケル−燐非磁性層を無電
   解的に沈着させ、そのニツケル−燐層がいかなる
   表面欠陥も実質上含まず；そして、 上記ニツケル−燐層上にコバルト−燐磁性層を
   無電解的に沈着させ、その無電解的のコバルト−
   燐沈着をコバルトイオン源、次亜燐酸イオン源、
   硼酸塩緩衝剤、および、クエン酸イオン源と低分
   子量の浴可溶性アミノ酸源との各々の有効量を含
   む錯化剤成分、を含む浴中で実施する； 各工程を含む方法。 １７ 上記のニツケル−燐非磁性層を無電解沈着
   させる前に、上記の清浄化アルミニウム基板デイ
   スク表面に亜鉛めつきしてその上に金属亜鉛薄層
   を施用することを含む、特許請求の範囲第１６項
   に記載の方法。 １８ 上記緩衝剤が硼酸、カルボン酸、およびア
   ルカリ金属の四硼酸塩、メタ硼酸塩、および五硼
   酸塩、から成る群から選ばれる、特許請求の範囲
   第１６項に記載の方法。 １９ 上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸が２か
   ら５個の炭素原子を含む、特許請求の範囲第１６
   項に記載の方法。 ２０ 上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸がアル
   フア−アミノ酸である、特許請求の範囲第１６項
   に記載の方法。 ２１ 上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸がアル
   フア−アラニン、グリシン、グルタミン酸モノナ
   トリウム、セリン、スレオニンおよびバリンから
   成る群から選ばれる、特許請求の範囲第１６項に
   記載の方法。 ２２ 上記のコバルト−燐無電解めつき浴を８か
   ら10.5のPHに保つ、特許請求の範囲第１６項に記
   載の方法。 ２３ 上記のコバルト−燐浴を9.4から9.6のPHに
   保つ、特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２４ 上記のニツケル−燐の非磁性層を、グルコ
   ヘプトン酸のエステル錯体を含む浴中で、上記亜
   鉛層表面上に沈着させる、特許請求の範囲第１６
   項に記載の方法。 ２５ 上記のニツケル−燐浴を4.1から4.9のPHに
   保つ、特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２６ 上記のニツケル−燐めつき基板を機械的に
   研磨し、その上に存在するすべての酸化物を除去
   するよう清浄化し、コバルト−燐層の無電解沈着
   の前に活性化する、特許請求の範囲第１６項に記
   載の方法。 ２７ 上記のニツケル−燐層を0.1から2.0ミルの
   厚さに研磨し、次いで、コバルト−燐の無電解沈
   着の前に、酸性溶液との接触によつて活性化す
   る、特許請求の範囲第２６項に記載の方法。 ２８ 上記のニツケル−燐層を0.3から0.5ミルの
   厚さに研磨し、次いで、コバルト−燐の無電解沈
   着の前に、酸性溶液との接触によつて活性化す
   る、特許請求の範囲第２６項に記載の方法。 ２９ 潤滑剤−保護被膜を上記コバルト−燐層へ
   施用する、特許請求の範囲第１６項に記載の方
   法。 ３０ 磁気記録性質が改善された高密度磁気記憶
   デバイスの製造方法であつて、 上記デバイス用の基板の表面を清浄化して油お
   よび酸化物を実質的に含まない基板表面を準備
   し； この清浄化基板表面に亜鉛めつきして金属亜鉛
   の薄層を施用し； この亜鉛層上にニツケル−燐非磁性層を無電解
   的に沈着させ、このニツケル−燐層が表面欠陥を
   含まないものであり；そして、 このニツケル−燐層の上にコバルト−燐磁性層
   を無電解的に沈着させ、このコバルト−燐無電解
   沈着をコバルトイオン源、次亜燐酸イオン源、お
   よび、クエン酸イオン源と低分子量の浴可溶性ア
   ミノ酸源との有効量を含む錯化剤成分、を含む浴
   中で実施する； 各工程を含む方法。 ３１ コバルト−燐浴が緩衝剤を含む、特許請求
   の範囲第３０項に記載の方法。 ３２ 上記緩衝剤が硼酸塩である、特許請求の範
   囲第３０項に記載の方法。 ３３ 上記緩衝剤が硼酸、カルボン酸、およびア
   ルカリ金属の四硼酸塩、メタ硼酸塩および五硼酸
   塩から成る群から選ばれる、特許請求の範囲第３
   １項に記載の方法。 ３４ 上記緩衝剤がアルカリ金属四硼酸塩であ
   る、特許請求の範囲第３１項に記載の方法。 ３５ 上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸が２か
   ら５個の炭素原子を含む、特許請求の範囲第３０
   項に記載の方法。 ３６ 上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸がアル
   フア−アミノ酸である、特許請求の範囲第３５項
   に記載の方法。 ３７ 上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸がアル
   フア−アラニン、グリシン、グルタミン酸モノナ
   トリウム、セリン、スレオニンおよびバリンから
   成る群から選ばれる、特許請求の範囲第３５項に
   記載の方法。 ３８ 上記のコバルト−燐無電解めつき浴を８か
   ら10.5のPHに保つ、特許請求の範囲第３０項に記
   載の方法。 ３９ 上記のコバルト−燐浴を9.6から10.0のPH
   に保つ、特許請求の範囲第３０項に記載の方法。 ４０ 上記のニツケル−燐無電解沈着をグルコヘ
   プトン酸のエステル錯体を含む浴中で実施する、
   特許請求の範囲第３０項に記載の方法。 ４１ グルコヘプトン酸の上記エステル錯体がグ
   ルコヘプトン酸のジボロン、タングステンおよび
   モリブデンのエステルから成る群から選ばれる、
   特許請求の範囲第４０項に記載の方法。 ４２ 上記のニツケル−燐浴を4.1から4.9のPHに
   保つ、特許請求の範囲第４１項に記載の方法。 ４３ 上記のニツケル−燐めつき基板を機械的に
   研磨し、その上に存在するすべての酸化物を除く
   よう清浄化し、そして、コバルト−燐層の無電解
   沈着に先立つて活性化する、特許請求の範囲第３
   ０項に記載の方法。 ４４ 高い保磁度、高い残留磁気および改善され
   たヒステレシス・ループ・スクエアネスを含む磁
   気記録性質が改善された剛性の高密度磁気記憶デ
   イスクの製造方法であつて、 アルミニウム基板デイスクの表面を清浄化して
   油および酸化物を実質的に含まない基板表面を準
   備し； その清浄化基板表面に亜鉛めつきして金属亜鉛
   薄層を施用し； その亜鉛層上でニツケル−燐非磁性層を無電解
   的に沈着させ、そのニツケル−燐層が0.1から2.0
   ミルの厚さをもち、そのニツケル−燐層は表面欠
   陥を実質的に含まずかつ4.1から4.9のPHに保つた
   ニツケル−燐浴中で上記亜鉛表面上に沈着された
   ものであり； 上記ニツケル−燐被膜を機械的に研磨して0.1
   から2.0ミルの実質上均一の総体的厚みを与え； そのニツケル−燐層を清浄化してその表面上の
   酸化物およびその他の汚染物のすべてを除き； 上記ニツケル−燐層を活性化してその後のコバ
   ルト−燐無電解沈着物に対する受容性を改善し；
   そして、 このニツケル−燐層上にコバルト−燐磁性層を
   無電解的に沈着させ、この無電解のコバルト−燐
   沈着をコバルトイオン源、次亜燐酸イオン源、硼
   酸塩緩衝剤、および、クエン酸イオン源と炭素原
   子数が２から５個の低分子量の浴可溶性アミノ酸
   源の各々の有効量を含む錯化剤成分、を含有する
   浴中で実施し、このコバルト−燐沈着を8.0から
   10.5のPHに保つた浴中て実施し；そして、 上記のコバルト−燐層の上で潤滑剤−保護被膜
   をその後施用する； 各工程を含む方法。 ４５ 上記コバルト−燐浴を9.4から10.0のPHに
   保つ、特許請求の範囲第４４項に記載の方法。 ４６ 上記のニツケル−燐無電解沈着をグルコヘ
   プトン酸のエステル錯体を含む浴中で実施する、
   特許請求の範囲第４４項に記載の方法。 ４７ 上記グルコヘプトン酸エスエル錯体がグル
   コヘプトン酸のジボロン、タングステン、および
   モリブデンのエステルから成る群から選ばれる、
   特許請求の範囲第４６項に記載の方法。 ４８ 上記の無電解ニツケル−燐浴が式 Ｒ（COOH）_oの不飽和カルボン酸あるいはそれ
   らの浴可溶性誘導体を含み、式中Ｒは少くとも２
   個の炭素原子をもつ不飽和アルキル鎖であり、ｎ
   は少くとも１であり、上記の浴がまたいかなる硫
   黄成分も実質上含まずかつ硫黄の最高酸化状態よ
   り低い酸化状態をもつ、特許請求の範囲第４４項
   に記載の方法。