JPH04301218A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体の製造方法
ならびに磁気記録媒体に関し、より詳しくは超高密度磁
気記録に用いられる磁気テープあるいは磁気ディスク用
の垂直磁気異方性の優勢な金属薄膜型磁気記録媒体の製
造方法ならびに磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の高密度磁気記録の流れの中で金属
薄膜型磁気記録媒体の重要性はますます高まりつつある
。ハードディスクの分野では金属薄膜型媒体が主流とな
っており、磁気テープの分野でもＨｉ８システムのよう
に最短記録波長が０．５μｍを切る領域に移ると蒸着テ
ープが必要とされている。更なる超高密度記録（例えば
面記録密度１ｂｉｔ／μｍ２　以下）に対応するには垂
直媒体あるいは垂直磁気異方性の優勢な媒体が有力な候
補である。金属薄膜型の形態ではＣｏＣｒ薄膜，ＣｏＯ
薄膜が広く研究されている。

【０００３】Ｃｏ系の強磁性薄膜を磁性層とする磁気記
録媒体としては、例えば、　　特開昭５８−４１４４２
号公報、特開昭６２−１２１９２９公報及び特開昭６２
−２８５２２０号公報に開示されいる。それらに記載さ
れた発明は、斜め蒸着による成膜法による金属薄膜であ
り、垂直磁気異方性成分はほとんどなく高記録密度用媒
体として充分に対応できるものではなかった。また、特
開昭５９−２１４５８６号公報及び特開昭６０−２９９
４２号公報には、冷却キャンの真下に蒸発源を配し、蒸
気流規制板も対称性良く配するＣｏ−Ｏ系の垂直薄膜の
製造方法が開示されている。この方法によれば、酸素雰
囲気中でＣｏをほぼ垂直蒸着することにより、垂直磁気
異方性に優れたＣｏ−Ｏ膜を得ることができる。しかし
ながら、この方法で生産性よくロールコーターで作製す
るには、このＣｏを主体とする蒸気流の入射角度をある
一定範囲に限定することが必要であった。即ち、例えば
、垂直磁気異方性を高めようとして、入射角ー１０度〜
＋１０度に蒸気流を限定して成膜しても生産性が良くな
らず、そこで入射角の制限領域をー１０度〜＋７０度な
どと広げると磁性膜には面内異方性成分が混入し、成膜
速度は向上するものの垂直磁気異方性は劣化し、超高密
度磁気記録には不利となる。　　特開昭５９−２２２５
７７号公報及び特開平１−２１１３２２号公報には、蒸
気流規制板の配置を非対称にした蒸着方法が開示されて
いるが、成膜速度は高めることができるものの薄膜中に
面内成分が多く混入してしまい垂直磁化モードを利用す
るという観点からは余り有効な方法とはいえなかった。 また、この方法で成膜開始側の蒸気流規制板の開口を広
げようとするとさらに面内成分が多くなって電磁変換特
性が劣化してしまうという問題もあった。特開平１−１
０９５３１号公報、特開平１−２１１３２２号公報及び
特開昭６３−２８５７２５号公報には、酸素ガスを導入
する位置を規定することによって酸素ガスと金属蒸気流
との衝突による垂直特性の乱れを防止しかつ耐久性も高
めようとする試みも提案されている。しかし、この方法
においても必ずしも充分に垂直磁化成分の多い薄膜は得
られなかった。

【０００４】以上のように、従来提案されている技術で
は、生産性が良好な方法で垂直磁気異方性の大きい垂直
磁化記録用に適した磁気記録媒体を得ることができなか
った。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の従来
技術の問題点に鑑みなされたものであり、ほぼ膜面の垂
直方向に異方性を持つＣｏＯ系薄膜の生産性の高い製造
方法及び垂直磁気異方性に優れた磁気記録媒体を提供す
ることを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】発明者等は、前記本発明
の目的を達成するために、種々検討の結果、成膜時のガ
ス導入の方法，開口部の角度範囲などを特定することで
、より生産性よくほぼ垂直磁気異方性をもつＣｏＯ系薄
膜を成膜可能であることを見いだし、本発明に至ったも
のであり、その製法を選択することで特異な構造の高密
度記録用媒体として優れた特性を有したＣｏＯ系薄膜を
得ることができた。

【０００７】即ち、前記本発明の目的は、非磁性支持体
を円筒状キャンに沿わせてＣｏを主体とする蒸気流の高
入射角側から低入射角側に向けて搬送させつつ、該高入
射角側及び該低入射角側にそれぞれ設けた蒸気流規制板
で規制された開口部でＥＢ（エレクトロンビーム）加熱
で蒸発させたＣｏを主体とする蒸気流を前記非磁性支持
体上に蒸着させると共に前記高入射角近傍に酸化性ガス
を吹き付けることにより垂直磁気異方性に優れたＣｏＯ
系磁性薄膜を成膜する磁気記録媒体の製造方法により達
成される。

【０００８】本発明の方法では、規制板で規定されるＣ
ｏを主体とする蒸気流の開口部の位置が円筒状キャンに
対して、非対称に配置されているので開口部を比較的広
くとることができ、成膜速度を大きくすることができる
。そして、Ｃｏを主体とする蒸気流中に導入する酸化性
ガスを吹き付ける位置をＣｏを主体とする蒸気流の高入
射角側とすることにより、成膜されるＣｏ−Ｏの強磁性
薄膜の垂直磁化異方性を優れたものとすることができる
。特に、前記本発明の方法において、蒸気流規制板で規
定される最大入射角（θｉｎｔ）及び最小入射角（θｆ
ｉｎ）の角度範囲をそれぞれ３０乃至６０度及び−２０
度乃至２０度であって、その絶対値の関係を｜θｉｎｔ
｜＞｜θｆｉｎ｜と特定することによって、本発明の効
果をより一層有効に達成できる。

【０００９】すなわち、Ｃｏを主体とする蒸気流の最大
入射角及び最小入射角の大きさを特定の範囲に限定する
と共にその絶対値の関係を最大入射角の方を大きくする
ことによって、成膜されるＣｏ−Ｏの強磁性薄膜の垂直
磁化異方性を優れたものとすることができる。｜θｉｎ
ｔ｜及び｜θｆｉｎ｜は、余り大きいと、磁性膜中の面
内磁化成分が多くなって、優れた垂直磁気異方性とする
ことができない。また、｜θｉｎｔ｜もしくは｜θｉｎ
ｔ−θｆｉｎ｜が余り小さくなると成膜即だが低下する
ので生産性の優れた方法とすることができない。前記θ
ｉｎｔの好ましい範囲は、３０乃至６０度で、更に好ま
しくは３０乃至４５度である。また、前記θｆｉｎの好
ましい範囲は、−２０乃至２０度であって、更に好まし
くは−５乃至２０度である。

【００１０】本発明の方法によりＣｏ−Ｏ薄膜の垂直磁
気異方性が優れたものとすることができる理由は明確で
はないが、■ＣｏＯ系の初期膜上に垂直膜が準エピタキ
シー的に成長することあるいは■初期核生成時のモビリ
ティーが等価的に小さくなり斜め蒸着的効果がより薄ま
ることによるのではないかと推定される。

【００１１】本発明の方法におけるＣｏを主体とする蒸
気流中に吹き付ける酸化性ガスは、酸素を主体とするガ
スであって、酸素を少なくとも８０体積％以上含有する
ガスであって、その中に共に含有されてもよい酸素以外
のガスとしては、Ａｒ，Ｋｒ，Ｈｅ等の不活性ガスもし
くは窒素ガスである。

【００１２】さらに、本発明の方法においては、非磁性
支持体を高入射角側から低入射角側にむけて搬送させて
おり、且つ高入射角側から酸化性ガスが導入されるので
成膜初期に薄膜内に酸素が含有せしめら、磁性薄膜内部
における酸素の分布は、非磁性支持体近傍に遍在してお
り、非磁性支持体近傍に初期酸化層が形成される。そし
て、その初期酸化層は酸素含有量が２５ａｔ％以上であ
って、１００Ａ以上ある。磁性薄膜内の酸素の分布を上
記ようにするためには、酸素の導入量及び成膜速度を調
節することによりなされる。前記初期酸化層の酸素の含
有量が２５ａｔ％未満であっても、初期酸化層の厚さが
１００Ａ未満であってもその上に成長する柱状粒子は、
ほぼ垂直に成長することが難しく、本発明の目的を充分
に達成することはできない。本発明において、酸素の含
有量及び初期酸化層の厚さはＡＥＳ（オージェ電子分光
法）によって求められたものである。

【００１３】本発明においては、以上のような方法で垂
直磁気異方性に優れたＣｏ−Ｏ系の磁性薄膜を得ること
ができ、その磁性薄膜は、柱状粒子の集合体であるがそ
の柱状粒子の傾きは非磁性支持体の法線に対して０乃至
２０度の角度にあるものとすることができる。前記柱状
粒子の傾きは、０乃至１５度の範囲にあると更に望まし
い。柱状粒子の傾きが前記の範囲であることにより磁性
薄膜の垂直磁気異方性が高まり、高密度に好適な磁気記
録媒体を得ることができる。

【００１４】本発明の方法は、１図にその要部の断面を
示したロールコーター（巻取り蒸着装置）を用いること
によりなされる。真空槽１は蒸着室２と巻取り，送り出
し室３に分離されており、各々別個の排気口４，５を通
して所定の真空度まで真空引きされる。非磁性支持体７
は、送り出しロール６より送り出され、円筒状キャン８
に沿って搬送され、巻取りロール９に巻取られる。この
間、ルツボ１４中に収納された蒸着材料１５は、電子源
１６より取り出され加速された電子ビーム１７により加
熱，蒸発せしめられる。蒸気流規制版１０，１１により
特定の蒸気流１３のみを基体上にさしむけ蒸着膜を作製
する。この時、ガス導入口１２より酸化性ガスが蒸気流
１８の高入射角側に吹き付けられる。なお必要に応じて
低入射角側に設置されたガス導入口１３からも酸化性ガ
スを導入することによって磁性膜の磁気記録媒体として
望まれる他の特性を改良することもできる。前記非磁性
支持体７はこのように高入射角側から低入射角側へ、前
記円筒状キャン８に沿って搬送される。前記蒸気流１８
は前記蒸気流規制板１０，１１で切り取られ、その最大
入射角θｉｎｔ及び最小入射角θｆｉｎが２図及び３図
のように定義される。２図は、るつぼ１４の位置が円筒
状キャンからずれている場合であり、３図は、るつぼ１
４が円筒状キャンのほぼ真下に配置されている場合であ
る。

【００１５】本発明における非磁性支持体としてはＰＥ
Ｔ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチ
レンナフタレート）、ポリアラミド、ポリイミドなど　
　但し、従来の斜め蒸着法に比べ、熱負荷が大きい非磁
性支持体の熱シワ、これに伴う磁性層クラックの発生が
おこりやす。この熱負荷の大きい問題に対処するために
前記円筒状キャン８の冷却効果を高める工夫が必要であ
る。前記非磁性支持体７の表面には、磁気記録媒体の走
行性や耐久性を改良するためにスパイク構造を付与する
ための下塗り層が設けられていてもよい。

【００１６】本発明における前記蒸着材料１５はＣｏを
主体とした金属、合金であり、具体的にはＣｏ，ＣｏＮ
ｉ，ＣｏＦｅ，ＣｏＣｒ，ＣｏＮｉＦｅなどがある。但
し、合金の場合にはＣｏα相（ｈｃｐ構造）を保証する
程度の添加元素の含有量であることが必要である。また
特にＣｏ，ＣｏＮｉ（Ｎｉは３０ａｔ％以下）が望まし
い。

【００１７】前記蒸着材料１５は電子ビーム蒸着法によ
り、加熱溶解蒸発せしめられる。電子ビーム源としては
、図１のような偏向型電子銃でもよいが、大量生産には
ピアス式などの電子銃がより望ましい。従来ＣｏＯ系垂
直膜の製法では、｜θｉｎｔ｜＝｜θｆｉｎ｜となるよ
う蒸気流規制板を配し、かつ円筒状キャンの真下に蒸発
源を配する配置が多くみられた。例えば特開昭５９ー２
１５４８６　　特開昭６０ー２９９４２これはほぼ純粋
な垂直膜即ち面内等方的で磁化容易軸が膜面垂直方向に
向く、という膜を得るためには、成膜配置の対称性を良
好に保つことが必要であったためである。また、｜θｉ
ｎｔ｜＞｜θｆｉｎ｜とした提案も見られるもののこの
配置では膜に面内成分が多く混入し、垂直磁化モードの
利用という観点からは不利となる。　　また、特開昭５
９ー２２２５７７号公報及び特開平１ー２１１３２２号
公報に開示されているような磁性膜は、特にθｉｎｔが
８０〜９０度近くになると斜め蒸着膜となって垂直磁気
異方性に劣るものであった。本発明では、｜θｉｎｔ｜
＞｜θｆｉｎ｜の配置であってもガス導入方法に工夫を
施すことで、ほぼ膜面垂直方向に粒子成長し、膜面内に
も等方的な垂直磁化モードに適したＣｏＯ系蒸着膜を得
ることができる。ガス導入法についての開示は例えば特
開昭６３ー２８５７２５　　特開平１ー１０９５３２に
見られるものの、本発明の手法は以下説明するごとく異
なる。１図に記載した２つのガス導入口１２及び１３の
うち、ガス導入口１２はθｉｎｔ位置近傍に酸化性ガス
を導入せしめるものであり、この部分に一定量以上の酸
化性ガスを導入することで｜θｉｎｔ｜＞｜θｆｉｎ｜
の配置でも膜面内等方的なＣｏＯ系蒸着膜を得ることが
できる。前記ガス導入口１３からも同時にガス導入する
ことは可能である。蒸着膜の耐久性確保の観点からは蒸
着膜表面に適当な厚みの酸化物層を形成することが望ま
しく、本発明でもガス導入口１２，１３より同時に酸化
性ガスを導入しつつ成膜することがより望ましい。

【００１８】以上のようにして得られる本発明の方法に
よる媒体の構成は、以下のごときものとなる。即ち、非
磁性支持体上にはＣｏ−Ｏ系磁性薄膜が成膜され、該磁
性薄膜の前記非磁性支持体近傍には、酸素含有量が２５
ａｔ％以上で厚さが１００Ａ以上の初期酸化層があり、
その初期酸化層上にほぼ垂直に成長した柱状粒子の集合
体が形成される。ここで非磁性支持体近傍は、ＡＥＳ深
さ分析で元素分析することができる。Ｏ含有量が２５ａ
ｔ％以上の初期酸化層とは、Ｃｏの含有量が５０ａｔ％
　　酸素の含有量が５０ａｔ％を上限とし、Ｃｏの含有
量が７５ａｔ％　　酸素の含有量が２５ａｔ％を下限と
する範囲でおさえられる層を意味する。発明者の実験に
よれば、この製法で基体近傍の酸素含有量を５０ａｔ％
以上とすることはできなかった。また、下限２５ａｔ％
で本発明の効果は達成しえた。また、Ｃｏでなく合金を
用いる場合、例えばＣｏ８０Ｎｉ２０を用いる場合はこ
の表現でＣｏをＣｏ８０Ｎｉ２０などと読み替えること
が必要である。この酸素含有量２５ａｔ％以上の初期酸
化層は、厚さ１００Ａ以上あればよく、上限に関しては
制限はない。

【００１９】但し、蒸着磁性膜の厚さが５００〜５００
０Ａ、より好ましくは７５０〜２５００Ａであるので、
この層の厚みの上限はほぼ蒸着磁性層膜厚の１／２程度
である。非磁性支持体近傍にこの初期酸化層を存在せし
めると、この上に成長する柱状粒子はほぼ膜面垂直方向
に成長する。この理由は明かではないが、この現象は初
期酸化層上に斜め方向から蒸気流が飛来しても、ほぼ垂
直方向に成長するということが確認できた。本発明の製
造方法において、最大入射角θｉｎｔが大きい値である
、あるいは開口部分が広い（｜θｉｎｔーθｆｉｎ｜が
大きい）場合でも、主となる磁気記録層はほぼ垂直方向
に成長し、かつほぼ垂直方向の磁気異方性を付与され垂
直磁気記録モードに適した媒体が得られるという点であ
る。この結果、開口部分を広くとれ、生産性を向上させ
ることができる。以上のように、本発明により、超高密
度磁気記録用の磁気メディア，特に磁気テープ，磁気デ
ィスクを生産性よく製造できるものである。

【００２０】

【実施例】（実施例１）１図に要部の断面図を図示した
前記ロールコーター（巻取り蒸着装置）を使用して磁気
記録媒体の試料を作製した。前記非磁性支持体７として
は、厚さ１０μｍのＰＥＴフイルムを使用した。前記円
筒状キャンの直径は、６００ｍｍφ、円筒状キャンの中
心と前記ルツボ１４の中心の水平方向距離は２２５ｍｍ
、前記円筒状キャン８と前記ルツボ１４上面の最短距離
は１５０ｍｍ、前記蒸気流規制板１０及び１１と前記円
筒状キャン８の表面との距離は１０ｍｍ、前記ガス導入
口１２の位置はこの延長の前記円筒状キャン８上のθｉ
ｎｔ位置より１０ｍｍの部分とした。ガス導入口とキャ
ンとの最短距離は５０ｍｍとした。また、前記円筒状キ
ャン８の表面温度は５℃、前記蒸着室２の真空度は、初
期真空度で２×１０−５Ｔｏｒｒとした。前記非磁性支
持体７の搬送速度は、１８．５ｍ／分であり、最大入射
角θｉｎｔは４０度、最小入射角θｆｉｎは１０度とし
た。酸化性ガスとしては、酸素ガスを使用して、前記ガ
ス導入口１２のみより、４００ｃｃ／分の供給速度で前
記蒸気流１８に高入射角側から吹き付けた。前記蒸着材
料１５は、Ｃｏ　　９９．９９％真空溶解品であり、前
記非磁性支持体上に成膜された磁性膜の厚さは、１５０
０Ａにした。なお、蒸着時の前記蒸着室２の真空度は、
８×１０−５Ｔｏｒｒであった。得られた磁性膜の磁気
特性を振動試料式磁力計（ＶＳＭ、東英工業（株）製）
を使用して、磁性膜の垂直方向，面内長手方向，面内幅
方向の３方向につき測定した。評価した磁気特性は、Ｈ
ｃ（垂直方向の抗磁力）、Ｂｍ（最大磁束密度）、（Ｈ
ｃ（長手）／Ｈｃ（幅））であり、（Ｈｃ（長手）／Ｈ
ｃ（幅））をもって面内等方性の評価とした。さらに、
Ｈｋ（異方性磁界）を幅方向ＢＨカーブより求めた。 その結果、Ｈｃ（垂直）＝１０３０Ｏｅ（エルステッド
） Ｈｋ＝４．３ｋＯｅ、　Ｈｃ（長手）／Ｈｃ（幅）＝１
．１６ Ｂｍ＝５８００Ｇ（ガウス）であった。 また、Ｈｃの面内よりの立ち上がり方向依存性を測定し
た結果を、図４のグラフに示す。図４の横軸は面内より
の立ち上がり角度であって、縦軸は抗磁力である。磁性
膜中の酸素、Ｃｏ及びＣの含有量をＡＥＳにより元素分
析した結果が図５のグラフであり、初期酸化層の厚さは
酸素の分布曲線から１５０Ａと読み取れた。また、磁性
膜の断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で切片観察した
ところ、図６のように磁性膜を構成するＣｏ−Ｏの柱状
粒子の傾きは、ほぼ５度傾いたほぼ垂直膜出あることが
分かった。

【００２１】（実施例２）実施例１において、最大入射
角θｉｎｔを４０度、最小入射角を１０度とし、酸素ガ
スの導入量をガス導入口１２のみより９５０ｃｃ／分と
した以外は実施例１と同一の条件で磁気記録媒体の試料
を作成した。 その結果、Ｈｃ（垂直）＝１２９０Ｏｅ、Ｈｋ＝５．１
ｋＯｅ　、 Ｈｃ（長手）／Ｈｃ（幅）＝　１．０２、Ｂｍ＝４３０
０Ｇであった。 また、ＡＥＳ測定の結果が図７であり、初期酸化物層は
４００Ａであった。 （実施例３）実施例１において、最大入射角θｉｎｔを
６５度、最小入射角を２０度とし、酸素ガスの導入量を
ガス導入口１２のみより１０５０ｃｃ／分とした以外は
実施例１と同一の条件で磁気記録媒体の試料を作成した
。 その結果、Ｈｃ（垂直）＝１０５０Ｏｅ、　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　、 Ｈｃ（長手）／Ｈｃ（幅）＝　１．２３、であり、柱状
粒子の傾きは　　約１５度程度であった。 （実施例４）実施例１において、最大入射角θｉｎｔを
３０度、最小入射角を−１０度とし、酸素ガスの導入量
をガス導入口１２のみより４００ｃｃ／分とした以外は
実施例１と同一の条件で磁気記録媒体の試料を作成した
。 その結果、Ｈｃ（垂直）＝９３０Ｏｅ、Ｈｃ（長手）／
Ｈｃ（幅）＝　１．０１、であり、柱状粒子の傾きは　
　ほぼ０度であった。 （実施例５）実施例１において、最大入射角θｉｎｔを
３０度、最小入射角を−１０度とし、酸素ガスの導入量
をガス導入口１２のみより９５０ｃｃ／分とした以外は
実施例１と同一の条件で磁気記録媒体の試料を作成した
。 その結果、Ｈｃ（垂直）＝１０３０Ｏｅ、Ｈｃ（長手）
／Ｈｃ（幅）＝　１．００、であり、柱状粒子の傾きは
　　ほぼ０度であった。 （実施例６）実施例１において、最大入射角θｉｎｔを
４０度、最小入射角を１０度とし、酸素ガスの導入量を
ガス導入口１２のみより４００ｃｃ／分とし、蒸着材料
はＣｏ１００　のかわりにＣｏ８０Ｎｉ２０を用いた以
外は、実施例１と同一の条件で磁気記録媒体の試料を作
成した。 その結果、Ｈｃ（垂直）＝８８０Ｏｅ Ｈｃ（長手）／Ｈｃ（幅）＝１．１８、Ｂｍ＝５１００
Ｇであった。 （実施例７）実施例１において、最大入射角θｉｎｔを
４０度、最小入射角を１０度とし、酸素ガスの導入量を
ガス導入口１２より４００ｃｃ／分とし、ガス導入口１
３より３００ｃｃ／分の流速で蒸気流に吹き付けた。 その結果、Ｈｃ（垂直）＝１１５０Ｏｅ、Ｈｃ（長手）
／Ｈｃ（幅）＝１．１２、　Ｂｍ＝４９００Ｇであった
。

【００２２】（比較例１）実施例１において、最大入射
角θｉｎｔを４０度、最小入射角を１０度とし、酸素ガ
スの導入量をガス導入口１３のみより３００ｃｃ／分と
した以外は、実施例１と同一の条件で磁気記録媒体の試
料を作成した。 その結果、Ｈｃ（垂直）＝１０１０Ｏｅ、Ｈｋ＝２．９
ｋＯｅ、 Ｈｃ（長手）／Ｈｃ（幅）＝１．５６、Ｂｍ＝５９００
Ｇ また、Ｈｃの面内立ち上がり方向依存性を測定したとこ
ろ、図８のグラフようであった。ＡＥＳ測定では　　図
９のグラフようであり、初期酸化物層の厚さは５０Ａで
あった。また、ＴＥＭで切片観察したところ図１０のよ
うであり、柱状粒子の傾きは約３０度であった。 （比較例２）実施例１において、最大入射角θｉｎｔを
４０度、最小入射角を１０度とし、酸素ガスの導入量を
ガス導入口１３のみより４５０ｃｃ／分とした以外は、
実施例１と同一の条件で磁気記録媒体の試料を作成した
。 その結果、Ｈｃ（垂直）＝１２００Ｏｅ、Ｈｋ＝４．３
ｋＯｅ Ｈｃ（長手）／Ｈｃ（幅）＝１．６７、Ｂｍ＝４９５０
Ｇであった。 ＡＥＳ測定では　　図１１のようであり、初期酸化物層
の厚さは７０Ａであった。また磁性層傾きは約３０度で
あった。 （比較例３）実施例１において、最大入射角θｉｎｔを
４０度、最小入射角を１０度とし、酸素ガスの導入量を
ガス導入口１３のみより６００ｃｃ／分とした以外は、
実施例１と同一の条件で磁気記録媒体の試料を作成した
。 その結果、Ｈｃ（垂直）＝１４１０Ｏｅ、Ｈｃ（長手）
／Ｈｃ（幅）＝１．８５　であり、柱状粒子の傾きは、
３０度程度であった。 （比較例４）実施例１において、最大入射角θｉｎｔを
４０度、最小入射角を１０度とし、酸素ガスの導入量を
ガス導入口１２のみより２００ｃｃ／分とした以外は、
実施例１と同一の条件で磁気記録媒体の試料を作成した
。 その結果、Ｈｃ（垂直）＝５３０Ｏｅ、Ｈｋ＝１．５ｋ
Ｏｅ Ｈｃ（長手）／Ｈｃ（幅）＝１．１７、　　Ｂｍ＝８８
００Ｇ また、Ｈｃの面内立ち上がり方向依存性を測定したとこ
ろ、図１２のようであった。ＡＥＳ測定はは　　図１３
のようであり、初期酸化物層の厚さは８０Ａであった。 　　また、ＴＥＭで切片観察したところ図１４のようで
あり、磁性膜中の柱状粒子の傾きは約２５度であった。 （比較例５）実施例１において、最大入射角θｉｎｔを
２５度、最小入射角を１０度とし、酸素ガスの導入量を
ガス導入口１３のみより２００ｃｃ／分とした以外は、
実施例１と同一の条件で磁気記録媒体の試料を作成した
。 その結果、Ｈｃ（垂直）＝１２９０Ｏｅ、　　Ｈｋ＝５
．０ｋＯｅ Ｈｃ（長手）／Ｈｃ（幅）＝１．１０、Ｂｍ＝５８００
Ｇであった。 磁性層傾きは約５度であった。但し、同一磁性膜膜厚を
得るためにほぼ２倍の電子ビームパワー（電流値）が必
要であった。

【００２３】

【発明の効果】非磁性支持体を円筒状キャンに沿わせて
高入射角側から低入射角側に向けて搬送し、高入射角側
から酸化性ガスをＣｏを主体とする蒸気流に吹き付けて
成膜することにより、垂直磁気異方性に優れたＣｏＯ系
磁性薄膜を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ロールコーター（巻取り蒸着装置）の要部断面
図。

【図２】最大入射角θｉｎｔ及び最小入射角θｆｉｎの
説明する図。

【図３】最大入射角θｉｎｔ及び最小入射角θｆｉｎの
説明する図。

【図４】面内立ち上がり方向のＨｃ依存性を示すグラフ
。

【図５】磁性膜をＡＥＳ分析したときの各構成原子の分
布を示すグラフ

【図６】ＴＥＭによる磁性膜の断面図

【図７】磁性膜をＡＥＳ分析したときの各構成原子の分
布を示すグラフ

【図８】面内立ち上がり方向のＨｃ依存性を示すグラフ
。

【図９】磁性膜をＡＥＳ分析したときの各構成原子の分
布を示すグラフ

【図１０】ＴＥＭによる磁性膜の断面図

【図１１】磁性
膜をＡＥＳ分析したときの各構成原子の分布を示すグラ
フ

【図１２】面内立ち上がり方向のＨｃ依存性を示すグラ
フ。

【図１３】磁性膜をＡＥＳ分析したときの各構成原子の
分布を示すグラフ

【図１４】ＴＥＭによる磁性膜の断面図

【符号の説明】

１　　真空層 ２　　蒸着室 ３　　巻取り、送り出し室 ４　　排気口 ５　　排気口 ６　　送り出しロール ７　　非磁性支持体 ８　　円筒状キャン ９　　巻取りロール １０　　蒸気流規制板 １１　　蒸気流規制板 １２　　ガス導入口 １３　　ガス導入口 １４　　ルツボ １５　　蒸着材料 １６　　電子源 １７　　電子線 １８　　蒸気流 ２１　　最大入射角の蒸気流成分 ２２　　最小入射角の蒸気流成分 ２３　　最大入射角の蒸気流成分２１と円筒状キャン表
面との交点 ２４　　最小入射角の蒸気流成分２２と円筒状キャン表
面との交点

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　非磁性支持体を円筒状キャンに沿わせ
   てＣｏを主体とする蒸気流の高入射角側から低入射角側
   に向けて搬送させつつ、該高入射角側及び該低入射角側
   にそれぞれ設けた蒸気流規制板で規制された開口部でＥ
   Ｂ（エレクトロンビーム）加熱で蒸発させたＣｏを主体
   とする蒸気流を前記非磁性支持体上に蒸着させると共に
   前記高入射角近傍に酸化性ガスを吹き付けることにより
   垂直磁気異方性に優れたＣｏＯ系磁性薄膜を成膜する磁
   気記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】　　前記Ｃｏを主体とする蒸気流の非磁性
   支持体に対する最大入射角θｉｎｔが３０度乃至６０度
   であり、前記Ｃｏを主体とする蒸気流の非磁性支持体に
   対する最小入射角θｆｉｎがー２０度乃至２０度であっ
   て、なお且つ｜θｉｎｔ｜＞｜θｆｉｎ｜ある請求項１
   の磁気記録媒体の製造方法。
3. 【請求項３】　　非磁性支持体上にＣｏＯ系磁性薄膜を
   有する磁気記録媒体において、該非磁性支持体近傍にＯ
   含有量２５ａｔ％以上の初期酸化層が１００Ａ（オンク
   ゛ストローム）以上あり、その上に非磁性支持体の法線
   に対する角度が０乃至２０度の角度をなして成長した柱
   状粒子の集合体よりなるＣｏＯ系磁性膜を有することを
   特徴とする磁気記録媒体。