JPH07182644A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 斜め蒸着法により形成された磁性層を有する
磁気記録媒体において、磁化容易軸を磁性層に垂直な方
向に近づけ、垂直方向の保磁力および残留磁束密度を向
上させる。 【構成】 基体上に磁性層を有し、この磁性層が、斜め
蒸着法により形成された柱状結晶粒子からなる２層以上
の強磁性金属薄膜と、隣り合う強磁性金属薄膜の間に存
在する非磁性薄膜とを有し、磁性層の飽和磁束密度Ｂs
が２０００〜４０００ Gであり、非磁性薄膜の厚さが強
磁性金属薄膜の厚さの平均値の０．１５〜０．５０倍で
あり、すべての強磁性金属薄膜の結晶成長方向がほぼ同
方向であり、各膜の結晶成長方向と基体主面とのなす角
度の平均値をθとし、磁性層の磁化容易軸の方向と基体
主面とのなす角度をＥとしたとき、Ｅ−θ＞０°である
磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、斜め蒸着法により形成
された柱状結晶粒子からなる強磁性金属薄膜を磁性層と
して有する磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録媒体には高密度化が要求
されている。Ｃｏを主体としＮｉ等を添加した合金から
なる強磁性金属薄膜は、飽和磁束密度が大きくしかも保
磁力が高く、蒸着が容易なので、高密度記録用の磁性層
として盛んに研究されている。Ｃｏ−Ｎｉ薄膜は、通
常、斜め蒸着法により形成される。斜め蒸着法は、回転
する円筒状の冷却ドラム表面に非磁性基体を添わせて搬
送しながら、定置された強磁性金属源に電子ビーム等を
照射して蒸着を行なう方法であり、大面積の膜を一度に
形成することができるので、磁気テープの製造に好適で
ある。このような斜め蒸着法により、強磁性金属薄膜を
２層以上積層して多層構造とすることが提案されている
（特開昭６１−１４５７２２号公報、特開平４−２０５
８１３号公報等）。

【０００３】斜め蒸着法において、強磁性金属が入射す
る方向と非磁性基体表面の法線とがなす角度を入射角と
呼び、通常、蒸着開始から終了まで入射角が漸減するよ
うに蒸着する。入射角が最も大きい蒸着開始時は蒸着速
度が最も低く、入射角が小さくなるにつれて蒸着速度は
急激に増加する。このため、強磁性金属薄膜中の柱状結
晶粒子は、非磁性基体側では非磁性基体表面と平行に近
く、非磁性基体表面から離れるに従って急激に立ち上が
り弧状に成長する。このような強磁性金属薄膜の磁化容
易軸の方向は、柱状結晶粒子の傾きに依存する。

【０００４】高密度記録が可能な磁気記録方法として、
垂直磁気記録法が知られている。垂直磁気記録法では、
磁性層面内方向の反磁界の影響が避けられて高密度記録
が可能となる。従来、垂直磁気記録では単磁極ヘッドを
用いることが一般的であるが、磁化容易軸を垂直から若
干傾かせることにより、リングヘッド記録ができ、特に
優れた高密度記録特性が得られることが報告されている
｛日本応用磁気学会誌vol.16,supplement,No.S1,pp51(1
992)｝。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、斜め蒸着法
により形成された磁性層を有する磁気記録媒体におい
て、磁化容易軸を磁性層に垂直な方向に近づけ、垂直方
向の保磁力および残留磁束密度を向上させることを目的
とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（７）の本発明により達成される。 （１）基体上に磁性層を有し、この磁性層が、斜め蒸着
法により形成された柱状結晶粒子からなる２層以上の強
磁性金属薄膜と、隣り合う強磁性金属薄膜の間に存在す
る非磁性薄膜とを有し、前記磁性層の飽和磁束密度Ｂs
が２０００〜４０００ Gであり、前記非磁性薄膜の厚さ
が強磁性金属薄膜の厚さの平均値の０．１５〜０．５０
倍であり、すべての強磁性金属薄膜の柱状結晶粒子の平
均成長方向がほぼ同方向であり、各強磁性金属薄膜の柱
状結晶粒子の成長方向と基体主面とのなす角度の平均値
をθ（ただし、０＜θ＜９０°）とし、磁性層の磁化容
易軸の方向と基体主面とのなす角度をＥ（ただし、０＜
Ｅ＜９０°）としたとき、Ｅ−θ＞０°であることを特
徴とする磁気記録媒体。 （２）前記強磁性金属薄膜の厚さの平均値が１２００ A
以下である上記（１）の磁気記録媒体。 （３）前記非磁性薄膜の厚さが１００ A以上である上記
（１）または（２）の磁気記録媒体。 （４）前記非磁性薄膜が前記強磁性金属薄膜に含有され
る元素の酸化物を主成分とする上記（１）〜（３）のい
ずれかの磁気記録媒体。 （５）前記強磁性金属薄膜がＣｏを主成分として含有す
る上記（１）〜（４）のいずれかの磁気記録媒体。 （６）磁性層垂直方向の保磁力（Ｈc ⊥）と磁性層面内
方向の保磁力（Ｈc // ）との比が （Ｈc ⊥）／（Ｈc //）≧１．１ である上記（１）〜（５）のいずれかの磁気記録媒体。 （７）磁性層垂直方向の残留磁束密度（Ｂr ⊥）と磁性
層面内方向の残留磁束密度（Ｂr //）との比が （Ｂr ⊥）／（Ｂr //）≧１．１ である上記（１）〜（６）のいずれかの磁気記録媒体。

【０００７】

【作用および効果】斜め蒸着法により形成された単層の
強磁性金属薄膜では、磁化容易軸の方向と基体主面との
なす角度は、反磁界のために、柱状結晶粒子の成長方向
と基体主面とのなす角度よりも小さくなる。これに対
し、結晶成長方向が同方向となるように２層の強磁性金
属薄膜を積層し、両膜の間に非磁性薄膜を設けると、両
強磁性金属薄膜間の相互作用により、磁化容易軸の向き
が垂直方向に近づく。

【０００８】本発明では、このような多層磁気記録媒体
において、非磁性薄膜の厚さを所定範囲とすることによ
り強磁性金属薄膜間の相互作用を制御し、かつ、磁性層
の飽和磁束密度Ｂs を所定範囲とすることにより反磁界
の影響を制御する。これにより、磁化容易軸を磁性層に
垂直な方向に近づけてＥ−θを上記範囲とすることがで
きるので、垂直磁気記録に適した磁気記録媒体が実現す
る。本発明の磁気記録媒体では、例えば、磁性層垂直方
向の保磁力（Ｈc ⊥）と磁性層面内方向の保磁力（Ｈc
//）との比を （Ｈc ⊥）／（Ｈc //）≧１．１ とでき、また、磁性層垂直方向の残留磁束密度（Ｂr
⊥）と磁性層面内方向の残留磁束密度（Ｂr //）との比
を （Ｂr ⊥）／（Ｂr //）≧１．１ とすることができる。

【０００９】なお、従来、斜め蒸着された強磁性金属薄
膜間に非磁性薄膜を設けることは提案されているが、磁
性層の飽和磁束密度を限定した上で所定厚さの非磁性薄
膜を設け、これにより磁化容易軸を垂直方向に近づける
という提案はなく、その示唆もない。例えば、上記した
特開昭６１−１４５７２２号公報および特開平４−２０
５８１３号公報には、それぞれ斜め蒸着により同方向に
強磁性金属薄膜を成長させた磁性層が開示されており、
強磁性金属薄膜間の非磁性薄膜についての記載はある
が、飽和磁束密度の絶対値は開示されていない。特開昭
６１−１４５７２２号公報は、磁性層の耐食性向上を目
的としており、垂直磁気記録に関する記載はない。

【００１０】特開平４−２５９９０９号公報では、斜め
蒸着法により形成された強磁性金属薄膜間の非磁性薄膜
の厚さを制御する提案がなされているが、同公報記載の
発明の目的は、長波長から短波長にわたって高い再生出
力と高いＣ／Ｎを得るためである。同公報には、磁性層
形成の際に、飽和磁化が約４５００ガウス程度になるよ
うに真空槽に酸素を導入する旨の記載がある。同公報の
実施例では、下層磁性層および上層磁性層がいずれも４
５００ガウス以上となっており、本発明とは異なる。ま
た、同公報には、すべての強磁性金属薄膜の結晶成長方
向を同じにする旨の明示はない。

【００１１】本発明において磁性層の飽和磁束密度を限
定するのは、飽和磁束密度の値によって磁性層に垂直な
方向の反磁界の強さが大きく変わるためである。従来、
磁性層面内方向の磁化を利用する面内記録媒体では、磁
性層の飽和磁束密度を大きくすることが求められてお
り、これは斜め蒸着法を用いた面内記録媒体においても
同様である。しかし、斜め蒸着法により形成された磁性
層では、飽和磁束密度が大きくなると磁化容易軸が面内
方向に近づくため、面内記録用としては高性能であって
も垂直磁気記録には不適である。

【００１２】ところで、信学技報、MR91-2,pp7(1991) に
は、「多層蒸着テープの磁気構造解析」の報告が記載さ
れている。同報告では、結晶成長方向が同じである２層
の磁性層と、これらの間の非磁性層とを有する蒸着テー
プについて磁気構造解析を行なっている。同報告第１０
ページの図８（ｂ）には、同方向積層膜モデルにおい
て、非磁性層が薄くなって層間相互作用が大きくなるほ
ど磁化容易軸が垂直に近づくことが示されている。同図
のモデルの磁性層の飽和磁束密度は４００emu/cm³ （約
５０００ G）であり、本発明とは異なる。このモデルに
おいて、層間係数ｃ｛各磁性層の厚さ／（非磁性層の厚
さ×２）｝が０、すなわち非磁性層厚さが無限大で両磁
性層間に相互作用がないときは、反磁界の影響により磁
化容易軸は面内に近い方向を向いている。そして、非磁
性層が薄くなるほど磁化容易軸は垂直方向に近づき、層
間係数ｃが約２．５のとき結晶成長方向と磁化容易軸方
向とがほぼ一致し、さらに、層間係数ｃの増加（非磁性
層厚の減少）に伴なって磁化容易軸は垂直方向に近づい
ていく。

【００１３】このように、同報告には、磁性層間に存在
する非磁性層を薄くすることにより磁化容易軸を垂直に
近づけ得ることが記載されている。しかし、これはシミ
ュレーションモデルを用いたものであり、現実の磁気記
録媒体とは大きく異なる。同報告では、磁気構造解析に
一斉回転モデルを用いており、上層磁性層と下層磁性層
との間の相互作用については、交換相互作用を無視し、
双極子相互作用だけを考慮している。しかし、現実の磁
気記録媒体では、磁性層間の交換相互作用や、同一磁性
層内の柱状結晶粒子間の相互作用の影響もあるため、同
報告にも記載されているように、シミュレーションによ
る定量的な議論は不可能である。

【００１４】これに対し本発明では、現実の磁気記録媒
体において垂直方向の磁気特性を良好とするためには、
非磁性薄膜を強磁性金属薄膜の０．１５倍以上の厚さと
する必要があることを決定した。そして、磁性層の飽和
磁束密度を４０００ G以下に抑えることにより、非磁性
薄膜を強磁性金属薄膜の０．５０倍と厚くした場合で
も、垂直方向において良好な磁気特性が得られるように
した。非磁性薄膜をこのように厚くできるということ
は、高密度記録の際に有利である。高密度記録のために
は強磁性金属薄膜１層あたりの厚さを薄くする必要があ
るが、例えば、強磁性金属薄膜を５００ A未満の厚さと
する場合、前記モデルにおいてｃ＝２．５とすれば、非
磁性薄膜の厚さが１００ Aを下回ってしまう。このよう
に薄い非磁性層を均一な厚さで形成することは極めて困
難であり、安定して量産することが難しい。特に、３層
以上の磁性層を積層する場合、磁性層１層あたりの厚さ
はさらに薄くなるため、このような問題はさらに顕著と
なる。

【００１５】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００１６】本発明の磁気記録媒体は、基体上に磁性層
を有する。磁性層は、斜め蒸着法により形成された柱状
結晶粒子からなる強磁性金属薄膜と、隣り合う強磁性金
属薄膜の間に存在する非磁性薄膜とを有する。

【００１７】磁性層中の各強磁性金属薄膜の柱状結晶粒
子の成長方向は、ほぼ同方向である。本発明において柱
状結晶粒子の成長方向がほぼ同方向であるとは、磁気ヘ
ッドの走行方向に垂直な平面を考えたとき、各膜の成長
方向が前記平面の一方の側に存在していることを意味す
る。各膜の成長方向をこのような関係とするためには、
例えば後述する斜め蒸着法を用いる場合に、蒸着時の基
体走行方向をすべて同方向とすればよい。なお、本発明
では、各膜の成長方向や、各膜形成時の強磁性金属粒子
の最大入射角や最小入射角が一致している必要はない。

【００１８】各強磁性金属薄膜の柱状結晶粒子の成長方
向と基体主面とのなす角度の平均値をθとし、磁性層の
磁化容易軸の方向と基体主面とのなす角度をＥとしたと
き、本発明ではＥ−θ＞０°、好ましくはＥ−θ＝１０
〜２２°である。ただし、０＜θ＜９０°、０＜Ｅ＜９
０°である。２２°を上回るＥ−θを得ようとすると磁
性層の飽和磁束密度を低くせざるを得ず、好ましくな
い。

【００１９】なお、柱状結晶粒子の成長方向と基体主面
とのなす角度の平均値θは、下記のようにして測定す
る。

【００２０】まず、磁気記録媒体を柱状結晶粒子の成長
方向を含む平面（通常、媒体主面に垂直で磁気ヘッドの
走行方向を含む平面である）で切断する。その断面に
は、各強磁性金属薄膜を構成する柱状結晶粒子の断面が
弧状に現われる。この断面に現われた柱状結晶粒子の側
面（隣り合う柱状結晶粒子の境界線）と基体主面とのな
す角度を、各強磁性金属薄膜毎に少なくとも柱状結晶粒
子１００個について測定し、各強磁性金属薄膜における
それらの平均値を求める。これら各平均値を、各強磁性
金属薄膜における柱状結晶粒子の成長方向と基体主面と
のなす角度とし、さらにこれらの平均を求めてθとす
る。なお、θの測定位置は強磁性金属薄膜の厚さ方向の
中間点である。

【００２１】柱状結晶粒子の成長方向は、斜め蒸着法に
おける強磁性金属粒子の入射方向に依存し、特に最小入
射角に依存する。本発明ではθの範囲は特に限定され
ず、要求される保磁力や残留磁束密度等に応じて適宜選
択すればよいが、磁性層垂直方向で高保磁力かつ高残留
磁束密度を得るためには、好ましくはθ＝３５〜６０°
とする。θが小さすぎると残留磁束密度が不十分とな
り、θが大きすぎると保磁力が不十分となる。

【００２２】磁性層の磁化容易軸の方向と基体主面との
なす角度Ｅは、ＶＳＭ等により求めることができる。

【００２３】磁性層の飽和磁束密度Ｂs は、２０００〜
４０００ G、好ましくは３０００〜４０００ Gである。
Ｂs が小さすぎると再生出力が減少し、Ｂs が大きすぎ
ると反磁界が大きくなりすぎ、磁化容易軸を垂直方向に
近づける作用を阻害する。

【００２４】強磁性金属薄膜の間に存在する非磁性薄膜
は、その両側の強磁性金属薄膜同士の磁気的相互作用を
調整する作用を有する。

【００２５】非磁性薄膜の厚さは、強磁性金属薄膜の厚
さの平均値の０．１５〜０．５０倍とする。強磁性金属
薄膜の厚さの平均値とは、磁性層中の強磁性金属薄膜の
合計厚さをその積層数で除した値である。強磁性金属薄
膜に対し非磁性金属薄膜が薄すぎると、強磁性金属薄膜
間の交換相互作用の影響が大きくなり、また、強磁性金
属薄膜に対し非磁性薄膜が厚すぎると、両側の強磁性金
属薄膜同士の相互作用が殆どなくなり、どちらの場合も
強磁性金属薄膜が単層のときと同様となって、本発明の
効果が実現しない。

【００２６】非磁性薄膜の厚さは、好ましくは１００ A
以上、より好ましくは１５０ A以上とする。非磁性薄膜
が薄すぎると、後述するように強磁性薄膜形成の際に酸
素を導入する方法で形成した場合に、均一な厚さを安定
して得ることが難しくなる。また、強磁性金属薄膜間の
交換相互作用の影響が大きくなり、磁化容易軸が磁性層
面内に近づく傾向にある。なお、非磁性薄膜の厚さは、
好ましくは３００ A以下とする。

【００２７】非磁性薄膜は、強磁性金属薄膜に含有され
る元素の酸化物を主成分とすることが好ましい。このよ
うな非磁性薄膜は、例えば、後述するような斜め蒸着法
により強磁性金属薄膜を形成する際に、成膜雰囲気中に
酸素ガスを導入する方法などにより形成することができ
る。この方法では高い生産性が得られ、また、強磁性金
属薄膜にも若干の酸素が取り込まれて保磁力が向上する
という効果もある。

【００２８】このような方法により形成された酸化物を
含有する非磁性薄膜は、強磁性金属薄膜との界面付近で
徐々に酸素濃度が変化しているが、本発明では非磁性薄
膜の厚さを以下のように規定する。すなわち、非磁性薄
膜の両側に存在する２層の強磁性金属薄膜の厚さ方向中
間点における酸素濃度の平均値をＭave とし、非磁性薄
膜の最大酸素濃度をＮmax とすると、非磁性薄膜の最大
酸素濃度点を含み（Ｎmax ＋Ｍave ）／２以上の酸素濃
度を有する領域の厚さを非磁性薄膜の厚さとする。非磁
性薄膜の最大酸素濃度Ｎmax の値に特に制限はないが、
好ましくは２０原子％以上とする。Ｎmax をこの範囲と
することにより、強磁性金属薄膜間の相互作用の調整お
よびそれによる磁化容易軸の方向の制御が容易となる。
なお、非磁性薄膜中の酸素濃度は、磁性層をエッチング
しながらオージェ分光分析等により元素分析を行なうこ
とにより測定することができる。

【００２９】本発明における非磁性薄膜は、上記したよ
うな酸化物を主成分とする薄膜に限らず、酸化物以外の
各種非磁性化合物や、あるいは非磁性金属を主成分とす
るものであってもよい。酸化物以外の各種化合物も、強
磁性金属薄膜に含有される元素の化合物であることが好
ましい。また、この場合の非磁性薄膜の厚さは、磁性層
中の窒素や炭素濃度を測定して、酸化物を主成分とする
上記非磁性薄膜の厚さ測定に準じて求めればよい。

【００３０】非磁性薄膜は、隣り合う強磁性金属薄膜の
間だけでなく、基体と最下層の強磁性金属薄膜との間
や、最上層の強磁性金属薄膜の上に存在していてもよ
い。

【００３１】強磁性金属薄膜の厚さの平均値は、１２０
０ A以下であることが好ましく、各強磁性金属薄膜の厚
さもこの範囲であることが好ましい。強磁性金属薄膜が
厚すぎると、保磁力を高くすることができず、ノイズも
増加する。なお、強磁性金属薄膜の厚さは、通常、３０
０ A以上とすることが好ましい。強磁性金属薄膜が薄す
ぎると膜厚の制御が困難になり、さらに、トータル磁化
量が小さくなるために出力が減少する。

【００３２】上記したような強磁性金属薄膜と非磁性薄
膜からなる磁性層の厚さに特に制限はないが、記録媒体
として必要な出力を得るためには、通常、１０００ A以
上とすることが好ましい。また、磁性層は、通常、２５
００ A以下とすることが好ましい。磁性層が厚すぎると
記録減磁、厚み損失が大きくなり、出力が減少する。

【００３３】強磁性金属薄膜の積層数に特に制限はな
く、磁気特性や生産性を考慮して、２層、３層あるいは
４層以上の構成を適宜選択すればよい。

【００３４】本発明では、強磁性金属薄膜はＣｏを主成
分として含有するＣｏ基合金であることが好ましく、強
磁性金属薄膜中のＣｏ含有率は、６０原子％以上である
ことが好ましい。Ｃｏ基合金としては、ＣｏおよびＮｉ
を主成分とするか、またはＣｏ、ＮｉおよびＣｒを主成
分とする合金が好ましい。

【００３５】各強磁性金属薄膜は、それぞれ斜め蒸着法
により形成される。斜め蒸着装置および方法に特に制限
はなく、通常のものを用いればよい。

【００３６】斜め蒸着法は、例えば、供給ロールから繰
り出された長尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却
ドラムの表面に添わせて送りながら、一個以上の定置金
属源から斜め蒸着をし、巻き取りロールに巻き取るもの
である。この場合、強磁性金属粒子の入射角は、蒸着初
期の最大入射角θmax から最終の最小入射角θmin まで
連続的に変化する。そして、非磁性基体表面にＣｏを主
成分とする強磁性金属の柱状結晶粒子が弧状に成長し、
整列する。磁性層を多層構成とする場合は、この工程を
繰り返して行なう。

【００３７】非磁性薄膜を形成する方法に特に制限はな
いが、成膜雰囲気中に酸素ガスを導入して蒸着を行なえ
ば、強磁性金属薄膜構成元素の酸化物を主成分とする非
磁性薄膜を極めて容易に形成することができる。

【００３８】また、この他、強磁性金属薄膜表面を酸素
ガスやそのプラズマによって表面処理する方法などによ
り、酸化物を主成分とする非磁性薄膜を形成することも
できる。

【００３９】あるいは、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｔｉ、Ｗ等の非磁性金属を主成分とする非磁性薄膜
を蒸着する工程を、強磁性金属薄膜形成後に独立して設
けてもよい。

【００４０】本発明で用いる基体は非磁性であればその
材質に特に制限はなく、強磁性金属薄膜蒸着時の熱に耐
える各種フィルム、例えばポリエチレンテレフタレート
等を用いることができる。また、特開昭６３−１０３１
５号公報に記載の各種材料が使用可能である。

【００４１】本発明で用いる基体の表面には、微小な突
起が設けられることが好ましい。磁性層は蒸着膜であり
極めて薄いため、基体表面の性状が磁性層表面に直接的
に現われる。従って、基体表面に微小な突起を設ければ
磁性層表面にも微小な突起を出現させることができる。
磁性層表面の突起は磁性層の摩擦を低下させてテープ化
したときの走行性を向上させ、また、媒体の耐久性を高
める。

【００４２】基体表面の微小な突起の性状および形成方
法は特に限定されないが、突起の配設パターンや突起形
成後の基体の表面粗さが磁性層の磁気特性、特に保磁力
に影響を与えるので、微細粒子を基体表面に配設するこ
とにより突起を設けることが好ましい。

【００４３】本発明の磁気記録媒体の磁性層上には、磁
性層の保護および耐食性向上のために公知の種々のトッ
プコート層が設けられることが好ましい。また、テープ
化したときの走行性を確保するために、非磁性基体の磁
性層と反対側には公知の種々のバックコート層が設けら
れることが好ましい。

【００４４】本発明の磁気記録媒体は、磁性層垂直方向
の磁化がなされる各種垂直磁気記録に好適である。ま
た、垂直方向の磁化成分の多い磁気記録、例えばリング
ヘッドを用いた短波長記録にも好適である。また、アナ
ログ磁気記録およびデジタル磁気記録のいずれにも好ま
しく適用可能である。

【００４５】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００４６】［実施例１］供給ロールから基体（厚さ７
μm のポリエチレンテレフタレート）を繰り出して、回
転する円筒状冷却ドラムの周面に添わせて移動させ、強
磁性金属を斜め蒸着して下層の強磁性金属薄膜を形成
し、巻き取りロールに巻き取った。次いで、基体を巻き
取りロールから供給ロールに巻き戻し、下層の強磁性金
属薄膜上に上層の強磁性金属薄膜を斜め蒸着して、磁気
記録媒体サンプルとした。上層および下層の強磁性金属
薄膜形成の際にはＡｒガスとＯ₂ ガスとの混合ガスを真
空槽内に流し、真空槽内の圧力を１０^-4Torrに保った。
混合ガスは、最小入射角付近で蒸着される部分の基体に
吹き付けるように流した。この混合ガスの吹き付けによ
り、下層と上層との界面および上層表層部に、非磁性薄
膜を形成した。

【００４７】なお、比較のために、下層の強磁性金属薄
膜形成後、巻き戻しをせずに巻き取りロールから基体を
繰り出して上層の強磁性金属薄膜を形成し、柱状結晶粒
子の平均成長方向が上層と下層とで逆方向のサンプルも
作製した。

【００４８】混合ガス中のＯ₂ ガス濃度を変えて、複数
のサンプルを作製した。

【００４９】各サンプルの上層形成および下層形成に
は、Ｃｏ９０原子％、Ｎｉ１０原子％の組成を有する強
磁性金属を用いた。

【００５０】各サンプルの上層厚さ、下層厚さ、上層厚
さと下層厚さとの平均値（ｔ_m ）、非磁性薄膜の厚さ
（ｔ_n ）、およびｔ_n ／ｔ_m を、表１に示す。非磁性薄
膜の厚さは、磁性層中の酸素濃度分布をオージェ分光分
析で測定し、この結果に基づいて前述した方法により求
めた。なお、表１では、基体を巻き戻してから上層の強
磁性金属薄膜を蒸着したサンプルを「同方向」として、
また、基体を巻き戻さずに上層の強磁性金属薄膜を蒸着
したサンプルを「逆方向」として示している。

【００５１】各サンプルについて、前述した方法により
θを測定した。柱状結晶粒子の測定数は各強磁性金属薄
膜について１００個とした。結果を表１に示す。

【００５２】各サンプルについて、磁化容易軸方向と基
体主面とのなす角度Ｅを、ＶＳＭにより求めた。角度Ｅ
およびＥ−θを表１に示す。

【００５３】各サンプルについて、磁性層のＢs 、（Ｈ
c ⊥）、（Ｈc //）、（Ｂr ⊥）、（Ｂr //）を測定
し、保磁力比（Ｈc ⊥）／（Ｈc //）および残留磁束密
度比（Ｂr ⊥）／（Ｂr //）を求めた。これらの結果を
表１に示す。なお、磁気特性測定時の最大磁界強度は１
０ kOeとした。

【００５４】また、各サンプルの電磁変換特性を測定し
た。電磁変換特性は、Ｈｉ８規格ＶＴＲのＳＯＮＹ Ｅ
Ｖ−Ｓ９００を用いて７MHz の単一信号を記録したとき
のＲＦ出力を基準テープのＲＦ出力と比較し、下記の評
価基準により判定した。Ｈｉ８規格ＶＴＲにおける７MH
z 信号は垂直磁化成分の割合が高く、磁気記録媒体の垂
直方向の電磁変換特性評価に好適である。結果を「電
特」として表１に示す。

【００５５】◎：２．０ dB ≦ＲＦ出力 ○：０ dB ≦ＲＦ出力＜２．０ dB △：−１．０ dB ≦ＲＦ出力＜０ dB ×：ＲＦ出力＜−１．０ dB

【００５６】

【表１】

【００５７】表１に示される結果から、本発明の効果が
明らかである。すなわち、飽和磁束密度Ｂs が本発明範
囲を上回るサンプルNo. １２、厚さ比ｔ_n ／ｔ_m が本発
明範囲を下回るサンプルNo. １３、逆方向蒸着のサンプ
ルNo. １４では、いずれもＥ−θがマイナスとなってお
り、保磁力比および残留磁束密度比が共に低い。これに
対し本発明サンプルでは、いずれも良好な結果が得られ
ている。

【００５８】なお、３層以上の強磁性金属薄膜を積層し
た場合でも、非磁性薄膜の厚さと磁性層の飽和磁束密度
とを所定範囲とすることにより、角度θと角度Ｅとの関
係を本発明範囲とすることができた。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体上に磁性層を有し、この磁性層が、
   斜め蒸着法により形成された柱状結晶粒子からなる２層
   以上の強磁性金属薄膜と、隣り合う強磁性金属薄膜の間
   に存在する非磁性薄膜とを有し、 前記磁性層の飽和磁束密度Ｂs が２０００〜４０００ G
   であり、 前記非磁性薄膜の厚さが強磁性金属薄膜の厚さの平均値
   の０．１５〜０．５０倍であり、 すべての強磁性金属薄膜の柱状結晶粒子の平均成長方向
   がほぼ同方向であり、各強磁性金属薄膜の柱状結晶粒子
   の成長方向と基体主面とのなす角度の平均値をθ（ただ
   し、０＜θ＜９０°）とし、磁性層の磁化容易軸の方向
   と基体主面とのなす角度をＥ（ただし、０＜Ｅ＜９０
   °）としたとき、Ｅ−θ＞０°であることを特徴とする
   磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 前記強磁性金属薄膜の厚さの平均値が１
   ２００ A以下である請求項１の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記非磁性薄膜の厚さが１００ A以上で
   ある請求項１または２の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 前記非磁性薄膜が前記強磁性金属薄膜に
   含有される元素の酸化物を主成分とする請求項１〜３の
   いずれかの磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 前記強磁性金属薄膜がＣｏを主成分とし
   て含有する請求項１〜４のいずれかの磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 磁性層垂直方向の保磁力（Ｈc ⊥）と磁
   性層面内方向の保磁力（Ｈc // ）との比が （Ｈc ⊥）／（Ｈc //）≧１．１ である請求項１〜５のいずれかの磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 磁性層垂直方向の残留磁束密度（Ｂr
   ⊥）と磁性層面内方向の残留磁束密度（Ｂr //）との比
   が （Ｂr ⊥）／（Ｂr //）≧１．１ である請求項１〜６のいずれかの磁気記録媒体。