JPH04301352A - 低圧水銀放電灯 - Google Patents
低圧水銀放電灯Info
- Publication number
- JPH04301352A JPH04301352A JP6693191A JP6693191A JPH04301352A JP H04301352 A JPH04301352 A JP H04301352A JP 6693191 A JP6693191 A JP 6693191A JP 6693191 A JP6693191 A JP 6693191A JP H04301352 A JPH04301352 A JP H04301352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mercury
- ultraviolet rays
- arc tube
- discharge lamp
- pressure
- Prior art date
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- Pending
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- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外線光化学反応用の
光源等に使用される低圧水銀放電灯に関する。
光源等に使用される低圧水銀放電灯に関する。
【0002】
【従来の技術】紫外線を透過する石英ガラス等からなる
発光管の両端に電極を封装するとともに、この発光管内
に水銀および希ガスを封入し、上記電極への通電により
この発光管内で放電を発生させ、水銀原子を電離および
励起させることによりこの水銀の共鳴線185nmおよ
び254nmを主体とする紫外線を放射するようにした
低圧水銀蒸気放電灯は、光化学反応装置等の紫外線光源
として使用されている。
発光管の両端に電極を封装するとともに、この発光管内
に水銀および希ガスを封入し、上記電極への通電により
この発光管内で放電を発生させ、水銀原子を電離および
励起させることによりこの水銀の共鳴線185nmおよ
び254nmを主体とする紫外線を放射するようにした
低圧水銀蒸気放電灯は、光化学反応装置等の紫外線光源
として使用されている。
【0003】すなわち、上記低圧水銀蒸気放電灯は、例
えば光CVD(ChemicalVapor Dep
osition)法によるSi薄膜の合成、レジストの
光硬化および光アッシングあるいは光洗浄等を始めとす
る半導体製造関連などにおいては欠くことのできない紫
外線光源であり、また、水の浄化、減菌処理や食肉の殺
菌処理などにおいても短波長の紫外線を照射する光源と
して広く普及している。
えば光CVD(ChemicalVapor Dep
osition)法によるSi薄膜の合成、レジストの
光硬化および光アッシングあるいは光洗浄等を始めとす
る半導体製造関連などにおいては欠くことのできない紫
外線光源であり、また、水の浄化、減菌処理や食肉の殺
菌処理などにおいても短波長の紫外線を照射する光源と
して広く普及している。
【0004】ところで最近では、上記光化学処理の高速
処理が要請されつつあり、低圧水銀放電灯から放射され
る紫外線出力の向上が要求されている。
処理が要請されつつあり、低圧水銀放電灯から放射され
る紫外線出力の向上が要求されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の低圧水銀蒸気放
電灯は、アーク入力が5W/cm程度であり、ランプ容
量は500W程度である。この場合、発光管は内径が2
4mm程度の断面円形をなしており(断面積=約4.5
cm2 )、放電電流は7A(電流密度1.6A/cm
2 )の仕様であった。
電灯は、アーク入力が5W/cm程度であり、ランプ容
量は500W程度である。この場合、発光管は内径が2
4mm程度の断面円形をなしており(断面積=約4.5
cm2 )、放電電流は7A(電流密度1.6A/cm
2 )の仕様であった。
【0006】このような低圧水銀放電灯において紫外線
出力を増加しようとすると、放電電流を増す必要がある
が、従来の場合、図2の破線で示す特性Aのように、電
流密度が1.6A/cm2 以下の場合は放電電流の増
加に伴ってランプ入力が増し、紫外線出力が増大するが
、電流密度が1.6〜2A/cm2 の領域では出力は
最大になって飽和状態に達し、さらに2A/cm2 を
超えるとランプ入力が増加するにも拘らず紫外線出力は
低下する。
出力を増加しようとすると、放電電流を増す必要がある
が、従来の場合、図2の破線で示す特性Aのように、電
流密度が1.6A/cm2 以下の場合は放電電流の増
加に伴ってランプ入力が増し、紫外線出力が増大するが
、電流密度が1.6〜2A/cm2 の領域では出力は
最大になって飽和状態に達し、さらに2A/cm2 を
超えるとランプ入力が増加するにも拘らず紫外線出力は
低下する。
【0007】この原因は定かでないが、放電路に流れる
電流を増した場合にはアーク中の電流密度が増し、気化
している水銀原子が過剰に電離され、このため発光に寄
与する励起原子が不足するためと考えられる。
電流を増した場合にはアーク中の電流密度が増し、気化
している水銀原子が過剰に電離され、このため発光に寄
与する励起原子が不足するためと考えられる。
【0008】そして、励起原子の量を補うには水銀蒸気
圧を高める必要があるが、水銀蒸気圧が高くなると、2
54nm紫外線の自己吸収が発生し、せっかく発光した
254nm紫外線がアーク中の水銀蒸気に吸収されてし
まい、紫外線出力が低下することは広く知られている。
圧を高める必要があるが、水銀蒸気圧が高くなると、2
54nm紫外線の自己吸収が発生し、せっかく発光した
254nm紫外線がアーク中の水銀蒸気に吸収されてし
まい、紫外線出力が低下することは広く知られている。
【0009】本発明はこのような事情にもとづきなされ
たもので、その目的とするのは、紫外線の自己吸収作用
が少なくて、紫外線出力を高めることができる低圧水銀
放電灯を提供しようとするものである。
たもので、その目的とするのは、紫外線の自己吸収作用
が少なくて、紫外線出力を高めることができる低圧水銀
放電灯を提供しようとするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光管の両端
部に電極を封装するとともに、この発光管内に水銀およ
び希ガスを封入し、電流密度が1〜6A/cm2 の範
囲で点灯される低圧水銀放電灯において、上記発光管の
少なくとも放電空間の断面形状は非円形にしたことを特
徴とする。
部に電極を封装するとともに、この発光管内に水銀およ
び希ガスを封入し、電流密度が1〜6A/cm2 の範
囲で点灯される低圧水銀放電灯において、上記発光管の
少なくとも放電空間の断面形状は非円形にしたことを特
徴とする。
【0011】
【作用】本発明によれば、発光管の放電空間の断面形状
を非円形にしたので、発光管内の水銀蒸気層の光学的厚
みが減少し、つまり水銀蒸気による紫外線の自己吸収が
抑制されることから、従来では飽和領域を超えるとされ
る範囲まで電流密度を増した場合でも紫外線出力が向上
するものと考えられる。
を非円形にしたので、発光管内の水銀蒸気層の光学的厚
みが減少し、つまり水銀蒸気による紫外線の自己吸収が
抑制されることから、従来では飽和領域を超えるとされ
る範囲まで電流密度を増した場合でも紫外線出力が向上
するものと考えられる。
【0012】
【実施例】以下本発明について、図1および図2に示す
一実施例にもとづき説明する。図1において1は低圧水
銀放電灯であり、この放電灯1は略U字形に屈曲された
合成石英からなる発光管2を備えている。
一実施例にもとづき説明する。図1において1は低圧水
銀放電灯であり、この放電灯1は略U字形に屈曲された
合成石英からなる発光管2を備えている。
【0013】発光管2の両端部にはステム3、3が封着
されており、これらステム3、3にはそれぞれ陽極4お
よび熱陰極5が支持されている。各陽極4は熱陰極5よ
りも放電空間の前方に配置されており、この陽極4は円
形コイルまたは円筒あるいは環状板により形成されてい
るとともに熱陰極5はフィラメントコイルにより形成さ
れている。
されており、これらステム3、3にはそれぞれ陽極4お
よび熱陰極5が支持されている。各陽極4は熱陰極5よ
りも放電空間の前方に配置されており、この陽極4は円
形コイルまたは円筒あるいは環状板により形成されてい
るとともに熱陰極5はフィラメントコイルにより形成さ
れている。
【0014】上記発光管2は断面が非円形、例えば図1
の(b)図に示すように略偏平四角な形状をなしており
、短辺xと長辺yとの比x/yは0.2〜0.8程度に
形成されている。本実施例では、短辺xが15mm、長
辺yが30mmでこの発光管2の断面積は従来と略同様
に約4.5cm2 程度とされている。
の(b)図に示すように略偏平四角な形状をなしており
、短辺xと長辺yとの比x/yは0.2〜0.8程度に
形成されている。本実施例では、短辺xが15mm、長
辺yが30mmでこの発光管2の断面積は従来と略同様
に約4.5cm2 程度とされている。
【0015】発光管2には、水銀とアルゴン等の希ガス
が封入されている。この場合、水銀の蒸気圧は点灯中に
0.7〜13Pa、アルゴンガスの封入圧は点灯中に1
3〜133Paとなるように封入してある。
が封入されている。この場合、水銀の蒸気圧は点灯中に
0.7〜13Pa、アルゴンガスの封入圧は点灯中に1
3〜133Paとなるように封入してある。
【0016】この低圧水銀放電灯1は、点灯回路装置1
0を介して交流電源に接続されている。点灯回路装置1
0は例えば昇圧トランス11およびヒータトランス12
、12を有し、上記昇圧トランス11は、ランプ1の陽
極4、4に接続されているとともに、ヒータトランス1
2、12はそれぞれ熱陰極4、4に接続されている。 このため、熱陰極4、4は常に発熱して熱電子を放出す
るようになっている。
0を介して交流電源に接続されている。点灯回路装置1
0は例えば昇圧トランス11およびヒータトランス12
、12を有し、上記昇圧トランス11は、ランプ1の陽
極4、4に接続されているとともに、ヒータトランス1
2、12はそれぞれ熱陰極4、4に接続されている。 このため、熱陰極4、4は常に発熱して熱電子を放出す
るようになっている。
【0017】なお、13、13はダイオードである。
【0018】前記点灯回路装置10は、たとえば商用電
源を低圧水銀放電灯1に対して入力500Wを供給する
ようになっており、これにより低圧水銀放電灯1は放電
中7Aの放電電流が流れ、電流密度が1〜6A/cm2
となるようにしてある。
源を低圧水銀放電灯1に対して入力500Wを供給する
ようになっており、これにより低圧水銀放電灯1は放電
中7Aの放電電流が流れ、電流密度が1〜6A/cm2
となるようにしてある。
【0019】また、放電電流の尖頭値はその実効値の1
.2倍以下となるように設定されている。これは、電流
密度が1A/cm2 以上の高電流密度で点灯される低
圧水銀放電灯は、上記放電電流の尖頭値をその実効値の
1.2倍以下となるようにすると紫外線出力が増大する
ことを本発明者らが確認したことによる。
.2倍以下となるように設定されている。これは、電流
密度が1A/cm2 以上の高電流密度で点灯される低
圧水銀放電灯は、上記放電電流の尖頭値をその実効値の
1.2倍以下となるようにすると紫外線出力が増大する
ことを本発明者らが確認したことによる。
【0020】このような構成の低圧水銀放電灯1におい
ては、点灯回路装置10を通じて電源から500Wの電
力が付与されると、熱陰極5、5はヒータトランス12
、12を介して交流電源に接続されているので、これら
陰極5、5が常に発熱して熱電子を放出している。そし
て、昇圧トランス11から電力が各陽極4および熱陰極
5間に与えられる。
ては、点灯回路装置10を通じて電源から500Wの電
力が付与されると、熱陰極5、5はヒータトランス12
、12を介して交流電源に接続されているので、これら
陰極5、5が常に発熱して熱電子を放出している。そし
て、昇圧トランス11から電力が各陽極4および熱陰極
5間に与えられる。
【0021】このため、低圧水銀放電灯1は、一端側の
陽極4と他端側の熱陰極5との間に半波電流が流れ、こ
れらの間で放電が生じ、次に一端側の熱陰極5と他端側
の陽極4との間に逆の半波電流が流れ、これらの間で放
電が発生する。このように極性の反転毎に各陽極4と熱
陰極5が交互に放電を繰り返して点灯を継続する。
陽極4と他端側の熱陰極5との間に半波電流が流れ、こ
れらの間で放電が生じ、次に一端側の熱陰極5と他端側
の陽極4との間に逆の半波電流が流れ、これらの間で放
電が発生する。このように極性の反転毎に各陽極4と熱
陰極5が交互に放電を繰り返して点灯を継続する。
【0022】このような放電により水銀主体の蒸気が励
起され、このため水銀の共鳴線185nmおよび254
nmを始めとする短波長紫外線領域の光が放射されるよ
うになる。
起され、このため水銀の共鳴線185nmおよび254
nmを始めとする短波長紫外線領域の光が放射されるよ
うになる。
【0023】このような低圧水銀放電灯においては、発
光管バルブ2の偏平な面が被照射面に向かうように、つ
まり図1の(b)図で矢印方向の照射を有効に利用する
にして用いる。このようなランプの場合、発光管バルブ
2の断面形状を偏平な四角としたので、放電空間も偏平
四角となり、水銀蒸気層の厚みが減少する。このため水
銀蒸気層による紫外線の吸収が抑制され、光学的障害が
減少する。したがって、水銀蒸気圧を増しても紫外線の
自己吸収が少ないから、電流密度を増やして紫外線出力
を高くすることができる。
光管バルブ2の偏平な面が被照射面に向かうように、つ
まり図1の(b)図で矢印方向の照射を有効に利用する
にして用いる。このようなランプの場合、発光管バルブ
2の断面形状を偏平な四角としたので、放電空間も偏平
四角となり、水銀蒸気層の厚みが減少する。このため水
銀蒸気層による紫外線の吸収が抑制され、光学的障害が
減少する。したがって、水銀蒸気圧を増しても紫外線の
自己吸収が少ないから、電流密度を増やして紫外線出力
を高くすることができる。
【0024】つまり、放電路に流れる電流を増してアー
ク中の電流密度を従来よりも増加させると、気化してい
る水銀原子が過剰に電離され、このため発光に寄与する
励起原子が不足するが、電流密度が増加されることに伴
って水銀蒸気圧が高くなり、水銀原子量が補われるから
励起が活発に進められ、185nmおよび254nmの
紫外線出力が増す。
ク中の電流密度を従来よりも増加させると、気化してい
る水銀原子が過剰に電離され、このため発光に寄与する
励起原子が不足するが、電流密度が増加されることに伴
って水銀蒸気圧が高くなり、水銀原子量が補われるから
励起が活発に進められ、185nmおよび254nmの
紫外線出力が増す。
【0025】また、偏平をなす広い面が被照射面に対向
するので、広い発光面を有効に利用することができ、紫
外線の照射量が増す。
するので、広い発光面を有効に利用することができ、紫
外線の照射量が増す。
【0026】上記の効果は実験によっても確かめられて
おり、図2の実線で示す特性Bが上記実施例の場合であ
る。この特性Bでは、電流密度が1.6A/cm2 か
ら6A/cm2 までは放電電流の増加に伴ってランプ
入力が増し、紫外線出力が増大する。したがって、従来
の特性Aに比べて、電流密度を増加させて紫外線出力を
大幅に向上させることができることが確認される。
おり、図2の実線で示す特性Bが上記実施例の場合であ
る。この特性Bでは、電流密度が1.6A/cm2 か
ら6A/cm2 までは放電電流の増加に伴ってランプ
入力が増し、紫外線出力が増大する。したがって、従来
の特性Aに比べて、電流密度を増加させて紫外線出力を
大幅に向上させることができることが確認される。
【0027】電流密度を一層増加させる場合は、電極の
飛散などを防止するために電極、特に陽極の熱容量を増
大することが好ましいが、この場合においては、例えば
図3に示すように、ステム3の周囲に取着された金属筒
6を介して陽極4を支持するようにしてもよい。
飛散などを防止するために電極、特に陽極の熱容量を増
大することが好ましいが、この場合においては、例えば
図3に示すように、ステム3の周囲に取着された金属筒
6を介して陽極4を支持するようにしてもよい。
【0028】なお、図1に示す発光管2は、U字形の屈
曲部が略角形に形成されているが、このような構造の発
光管は1本の長尺なガラスチューブを折り曲げて成形す
るのが難しく、ましてや石英ガラスの場合は一層困難で
ある。そこで、図4に示すような製造方法を採用すれば
よい。
曲部が略角形に形成されているが、このような構造の発
光管は1本の長尺なガラスチューブを折り曲げて成形す
るのが難しく、ましてや石英ガラスの場合は一層困難で
ある。そこで、図4に示すような製造方法を採用すれば
よい。
【0029】すなわち、図4の(a)図では、石英ガラ
スからなる断面偏平な石英ガラスチューブを3つのパー
ツ2a、2b、2cに切断する。この切断線は45°と
する。このように切断された3つのパーツ2a、2b、
2cを図4の(b)図で示すように、各切断線を突合わ
せて対向させる。この場合、両側のパーツ2a、2cは
中央のパーツ2bに対して略直角となるように配置する
。これらパーツ2a、2b、2cの各突合わせ面をバー
ナ20…などで加熱し、溶接する。
スからなる断面偏平な石英ガラスチューブを3つのパー
ツ2a、2b、2cに切断する。この切断線は45°と
する。このように切断された3つのパーツ2a、2b、
2cを図4の(b)図で示すように、各切断線を突合わ
せて対向させる。この場合、両側のパーツ2a、2cは
中央のパーツ2bに対して略直角となるように配置する
。これらパーツ2a、2b、2cの各突合わせ面をバー
ナ20…などで加熱し、溶接する。
【0030】これにより図1に示す形状の発光管2を容
易に作ることができる。
易に作ることができる。
【0031】なお、本発明は上記実施例に制約されるも
のではない。
のではない。
【0032】つまり、上記実施例の発光管2は断面が偏
平な四角形状としたが、本発明はこれに限らず、例えば
図5に示すような断面形状でも可能である。
平な四角形状としたが、本発明はこれに限らず、例えば
図5に示すような断面形状でも可能である。
【0033】すなわち、図5の(a)図は断面楕円形の
バルブ30の例、図5の(b)図は断面つづみ形バルブ
40の例、図5の(c)図は断面十文字形バルブ50、
図5の(d)図は断面三放射形バルブ60の場合である
。
バルブ30の例、図5の(b)図は断面つづみ形バルブ
40の例、図5の(c)図は断面十文字形バルブ50、
図5の(d)図は断面三放射形バルブ60の場合である
。
【0034】特に図5の(c)図および図5の(d)図
に示す形状の場合は、液中に浸漬して光化学反応を促す
光源とした使用する場合に、表面積が増して反応処理液
の接触面積が増大するので、処理性能が高くなる。
に示す形状の場合は、液中に浸漬して光化学反応を促す
光源とした使用する場合に、表面積が増して反応処理液
の接触面積が増大するので、処理性能が高くなる。
【0035】また、発光管の管軸方向の断面についても
、例えば図5の(e)に示すように、発光管の端部70
を円筒形状にし、放電空間80を非円形形状にすれば、
電極の封止を良好に行うことができるので好ましい。ま
たさらに、この場合において、同図に示すように、一方
の照射面が平面となるように、放電空間80の発光管軸
と発光管端部の中心軸とを偏位させるようにすれば、発
光管を例えば冷却ブロック等の他の構体に当接させて強
制冷却させる場合に好適である。
、例えば図5の(e)に示すように、発光管の端部70
を円筒形状にし、放電空間80を非円形形状にすれば、
電極の封止を良好に行うことができるので好ましい。ま
たさらに、この場合において、同図に示すように、一方
の照射面が平面となるように、放電空間80の発光管軸
と発光管端部の中心軸とを偏位させるようにすれば、発
光管を例えば冷却ブロック等の他の構体に当接させて強
制冷却させる場合に好適である。
【0036】また上記実施例では、U字形のランプを使
用したが、ランプの形状はW字形や円環形などのような
屈曲形ランプおよび直管形ランプであってもよい。
用したが、ランプの形状はW字形や円環形などのような
屈曲形ランプおよび直管形ランプであってもよい。
【0037】さらに、ランプは両端にそれぞれ陰極と陽
極を備え、極性の反転毎にこれら陰極と陽極が互の放電
するものには限らない。
極を備え、極性の反転毎にこれら陰極と陽極が互の放電
するものには限らない。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、発
光管の断面形状を非円形にしたため、発光管内の水銀蒸
気層の光学的厚みが減少し、水銀蒸気による紫外線の自
己吸収が抑制されることから、従来では飽和領域を超え
るとされる範囲まで電流密度を増した場合でも紫外線出
力が向上する。
光管の断面形状を非円形にしたため、発光管内の水銀蒸
気層の光学的厚みが減少し、水銀蒸気による紫外線の自
己吸収が抑制されることから、従来では飽和領域を超え
るとされる範囲まで電流密度を増した場合でも紫外線出
力が向上する。
【図1】本発明の一実施例を示し、(a)図は低圧水銀
放電灯の点灯構造を示す構成図、(b)図は(a)図中
I−I線の断面図。
放電灯の点灯構造を示す構成図、(b)図は(a)図中
I−I線の断面図。
【図2】紫外線出力を示す特性図。
【図3】本発明の他の実施例の陽極支持構造を示す図、
【図4】発光管の製造方法の一例を示し、(a)図およ
び(b)図は工程の説明図。
び(b)図は工程の説明図。
【図5】(a)図ないし(d)図はそれぞれ本発明の他
の実施例の発光管断面形状を示す図、(e)図は他の実
施例の発光管管軸方向の断面形状を示す図。
の実施例の発光管断面形状を示す図、(e)図は他の実
施例の発光管管軸方向の断面形状を示す図。
1…低圧水銀放電灯、2…発光管バルブ、4…陽極、5
…熱陰極、10…点灯回路装置。
…熱陰極、10…点灯回路装置。
Claims (2)
- 【請求項1】 発光管の両端部に電極を封装するとと
もに、この発光管内に水銀および希ガスを封入し、電流
密度が1〜6A/cm2 の範囲で点灯される低圧水銀
放電灯において、上記発光管の少なくとも放電空間にお
ける断面形状を非円形にしたことを特徴とする低圧水銀
放電灯。 - 【請求項2】 発光管内に封入される水銀の蒸気圧は
常温で0.7〜13Pa、希ガスの封入圧は常温で13
〜133Paとしたことを特徴とする請求項1に記載の
低圧水銀放電灯。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6693191A JPH04301352A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 低圧水銀放電灯 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6693191A JPH04301352A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 低圧水銀放電灯 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04301352A true JPH04301352A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=13330233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6693191A Pending JPH04301352A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 低圧水銀放電灯 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04301352A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995011432A1 (en) * | 1993-10-22 | 1995-04-27 | Komatsu Ltd. | Detector for wavelength of excimer laser |
| WO2008077348A1 (fr) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Xiamen Donglin Electronic Co., Ltd | Nouveau tube de lampe de type à tubes multiples permettant d'économiser l'énergie |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5740850A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-06 | Matsushita Electric Works Ltd | Low pressure discharge lamp |
| JPS6349340A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-03-02 | Kobe Steel Ltd | 鍛造プレスにおけるエジエクタ装置 |
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