JPH043015A - Ｐｌｚｔ光シャッタアレーの電極形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はＰＬＺＴ　（透明なセラミック）の複屈折を
利用して平面デイスプレィや光シャッタ等の表示装置に
用いるＰＬＺＴ光シャッタアレーの電極形成方法に係り
、更に詳しくは各光シャッタの駆動電圧を有効に利用す
るようにしたＰＬＺＴ光シャッタアレーの電極形成方法
に関するものである。

［従　来　例］ 近年、　ＰＺＴにＬａを添加した透明なセラミックのＰ
ＬＺＴ（ＰｂＯ，ＬａＯ，ＺｒＯ，、Ｔｉｅ）が光シャ
ッタやデイスプレィに用いられようとしている。このＰ
ＬＺＴを２次元光シヤツタや平面デイスプレィを表示装
置に用いる場合、例えば第７図乃至第１０図に示す表面
電極や溝型電極の構造が採られる。

第７図に示す表面電極の場合、ＰＬＺＴ基板１上に駆動
電極２および共通電極（例えばＧＮＤ）　３を形成し、
それら電極間に電圧を印加することにより、内部に電場
を発生させ、その部分のへ偏光面を回転させることによ
り光透過率を制御することができる。また、第８図に示
されるように、ＰＬＺＴ基板１内に′電場をより有効に
発生させるため、そのＰＬＺＴ基板１の両面に駆動電極
２および共通電極３を形成することも考えられる。

これに対して、第９図に示す溝型電極の場合、ｇ動電極
４と共通電極５との間に電圧を印加をすると、上記表面
電極の場合より有効な電場を発生させることができ、駆
動電圧の低Ｆが望める。また、第１Ｏ図に示されている
ように、上記表面電極と同様の目的でＰＬＺＴ基板１の
両面から駆動電極４および共通電極５を形成することも
考えられる。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記表面電極や溝型電極によるＰＬＺＴ基板に
は以ドの欠点がある。

（１）光の透過方向に垂直な電場成分のみが透過率の制
御寄与するにもかかわらず、第７図乃至第１０図の二点
鎖線に示されるように、　ＰＬＺＴ基板１内に発生する
電場がどうしても彎曲するため、それら電極間に印加し
た電圧が有効に働いていないことになり、駆動電圧をよ
り低下させることが難しい。

（２）ＰＬＺＴ基板１に複数の画素を形成した場合、隣
接画素に電場が漏れ、クロストークが悪い。

（３）ＰＬＺＴ基板１は、電歪特性を有しているため、
電圧印加により歪が生じ、しかもその歪が電極（ｌｌｉ
、動電極および共通電極）付近に集中し、光透過率の劣
化を招くだけなく、それら電極部分のＰＬＺＴ基板１内
に亀裂等の破損が発生する。

（４）その電極部分の破損が隣接画素領域にも及ぶため
、光漏れが発生する。

（５）その電圧印加による歪により、ＰＬＺＴ基板１内
に種々モードの振動が発生し、ときによっては振動音に
なる。

この発明は、第１１図に示されるように、駆動電極６お
よび共通電極７を独立の縦型電極とすれば、各ＰＬＺＴ
　８において発生する電場が透過する光の方向と直角に
なり（同図の二点鎖線に示す）、上記（１）から（５）
に示す欠点が解消することに着目してなされたものであ
り、その目的はＰＬＺＴ基板を用いて縦型電極を簡単な
工程で作製することができ、駆動電極の低下やクロスト
ークの向上を図ることができるようにしたＰＬＺＴ光シ
ャッタアレーの電極形成方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、この発明のＰＬＺＴ光シャ
ッタアレーの電極形成方法は、ＰＬＺＴ基板の片面には
所定間隔でランド電極を形成しており、そのＰ　Ｌ　Ｚ
　Ｔ基板に接着する透明基板にはそのランド電極と対向
する位置にバンプを形成するとともに、このハンプを介
して上記ランド電極を外部に引き出すための配線パター
ンを形成しており、上記Ｐ　Ｌ　Ｚ　Ｔ基板と透明基板
とを透明な接着剤で接着固定した後、上記ＰＬＺＴ基板
上から少なくとも上記ランド電極に達する深さの溝を形
成した後、その溝に導電膜を成膜するとともに、その溝
に直角の溝を形成し、北記ＰＬＺＴ基板をマトリックス
状に分割して独立画素を得、かつ、上記溝に形成した導
電膜を上記独立画素の電極としたことを要旨とする。

また、この発明のＰＬＺＴ光シャッタアレーの電極形成
方法は、ＰＬＺＴ基板の一方の面には所定間隔でランド
電極を形成しており、そのＰＬＺＴ基板に透明な接着剤
で接着する透明基板には上記ランド電極に対向する位置
にバンプを形成するとともに、このバンプを介して上記
ランド電極を外部に引き出すための配線パターンを形成
しており、上記ＰＬＺＴ基板と透明な基板とを透明接着
剤で接着固定した後、この接着したＰＬＺＴ基板にリフ
トオフ可能な樹脂を塗布するとともに、そのリフトオフ
可能な樹脂の丘から少なくとも上記ランド電極に達する
深さの第１の溝およびこの第１の溝より深く、かつ。

平行な第２の溝を形成し、その後上記リフトオフ可能な
樹脂の塗布面および第１．第２の溝の内に渡って導電膜
を成膜し、その後リフトオフ可能な樹脂を剥離し、上記
第１および第２の溝に直角で、かつ、第１の溝と第２の
溝との中間の深さの第３の溝を形成し、上記ＰＬＺＴ基
板を複数の独立１Ｍ素にするとともに、上記第１および
第２の溝に残った金属膜を上記独立画素の電極としたも
のである。

［作　　用コ 上記方法としたので、ＰＬＺＴ基板が複数に分割され、
独立の画素が複数個得られ、かつ、それら画素の両端は
第１および第２の溝に形成した金属膜により縦型の電極
となる。また、第１の溝に形成した金属膜がランド電極
に接続しており、そのランド電極がバンプを介して配線
パターンに接続されるので、各独立画素の電極をその配
線パターンを介して外部に引き出すことができる。さら
に、各独ｑ両索を駆動した際、それら独立画素の電極が
縦型であるため、内部に発生する電場が直線状になり５
各独ｑ画素の電極間に印加する電圧を低くすることがで
き、しかも隣接画素のクロストークへ〕歪等の漏れを防
止することができる。

［実　施　例」 以ト、この発明の実施例を第１図乃至第６図に基づいて
説明する。

第１図および第２図はこの発明の電極形成方法により得
たＰＬＺＴ光シャッタアレーの概略的部分断面図および
正面図を示しており、　ＰＬＺＴ基板（第７図乃至第１
０図と同じ）１の各画素８ａは透明の接着剤９で独立に
透明基板（例えばガラス板）１０と接着固定している。

それら各画素８ａは、少なくとも接着剤９に達する深さ
で、ランド電極１２に接続する金属膜（導電膜）１１を
形成した第１の溝１３、その第１の１１１４より深く、
平行で内側に金属膜（導電膜０１を成膜した第２の溝１
４および第１および第２の溝１３．１４に直角で、それ
らの中間の深さの第３の溝（分割溝；第１図の二点鎖線
に示す）１５により、マトリックス状に分割されている
。そして５各独ｑの画素８ａは、第１の溝１３に形成さ
れた金属膜１１による電極（駆動電極）、第２の溝１４
に形成された金属膜１１による電極（共通電極）を有し
、しかもそれら電極は縦型になっている。

一方、　ＰＬＺＴ基板１に貼り合わせたガラス板１０は
、上記第１の溝Ｉ３に形成された金属膜１１と接続する
ランド電極１２と対向する位置にバンプ１６、金属ある
いはＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）等に
よる電極を含み、当該バンブ１６を介して駆動電極を外
部に引き出す配線パターン（信号ライン）１７を有して
おり、その貼り合わせた際、上記ランド電極１２とバン
プ１６とが接続し、上記ランド電極１２に接続している
金属膜１１を外部に引き出すことができるようになって
いる。この場合、各種〜γの画素８ａは、第１および第
２の溝１３，１．４に形成した金属膜１１による３極の
電極構造を有している。

次に、Ｌ記第１および第２の溝１３．１４に形成した金
属膜１１を電極とする独立の画素８ａの作製工程を説明
すると、まず第３図に示されているように、ＰＬＺＴ基
板１の一方の面に所定間隔でランド電極１２を形成し、
かつ、その他方の面にリフトオフ可能な樹脂、例えばレ
ジスト等の高分子膜１８を塗布する。一方、そのランド
電極１２の形成面に接着するガラス板ＩＯに上記ラント
電極１２と対向する位置にバンプＬ６を形成するととも
に、そのランド電極Ｉ２を外部↓こ引き出す配線パター
ン１７を形成する。

その後、第４図に示されているように、上記用、ＺＴ基
板Ｊとガラス板ＩＯとを接着剤９で接着固定する。

接着剤９としては、透明で、ＰＬＺＴ基板１の振動を吸
収するために硬化後も柔軟性を有するもの、好ましくは
シリコン系ゴムを用いるとよい。また、接着剤９の厚さ
は、その振動を十分に吸収可能であり、かつ、その硬化
時にＰＬＺＴ基板１に余分な応力が加わらない程度にす
る。なお、上記高分子膜１８はＰＬＺＴ基板１とガラス
板１０とを接着固定した後であってもよい。

続いて、第４図に示されているように、塗布した高分子
膜１８の上から少なくとも接着剤９に達し、かつ、ラン
ド電極１２に達する第１の溝１３をダイシングソーによ
って複数本平行に形成する。さらに、同じダイシングソ
ーによって、その第１の溝１３に平行で、それより深い
第２の溝１４を複数本形成する。なお、その第１および
第２の溝１３．１４の間隔は画素８ａの大きさに応じて
変えればよい。

続いて、第５図および第６図に示されているように、上
記高分子膜１８の面および第１および第２の溝１３．１
４の内側に渡ってスパッタリング法によって金属膜１１
を成膜する。その後、第６図および第９図に示されてい
るように、ＰＬＺＴ基板１上に塗布した高分子膜１８を
剥離液によって除去すると、その高分子膜１８の上に成
膜した金属膜１１が除去されることから、金属膜１１は
第１および第２の溝１３の内側の面のみとなる。

続いて、第６図の二点ａｍに示されているように、ダイ
シングソーによって上記第１の溝１３より深く、第２の
溝４より浅く、つまりそれらの中間の深さでそれらに直
交する第３の溝１５を複数本並列に形成する。すると、
　ＰＬＺＴ基板１がマトリックス状に分割されるため、
各独立の画素８ａを得ることができ、しかも各独立の画
ｐ　８　ａには第１および第２の溝１３．１４に形成し
た金属膜１１による縦型の電極が形成される。したがっ
て、第１図および第２図に示されているように、ＰＬＺ
Ｔ基板１は縦型の電極を有する独立の画素８ａを２次元
配列したものとなる。

このように、ダイシングソーによる切断、スパッタリン
グ法およびリフトオフ法による金属膜の成膜等の通常工
程で、独立したＰＬＺＴの画素８ａを２次元に配列し、
またそれら画素８ａの電極（駆動電極および共通電極）
を縦型にすることしたので、ＰＬＺＴ内に発生する歪を
一様にし、その破損を防止することができ、しかもそれ
ら電極間に発生する電場が光の透過方向と直角にするこ
とができるため、印加電圧を有効に利用できることにな
り、より駆動電圧の低下を図ることができる。さらに。

各画素８ａが独立形式になるため、隣接画Ｊｉ４８　ａ
への電場の漏れがなくなり、クロストークの向上を図る
ことができる。

［発明の効果］ 以上説明したように、この発明のＰＬＺＴ光シャッタア
レーの電極形成方法によれば、ＰＬＺＴ基板の片面には
所定間隔でランド電極を形成しており、そのＰＬＺＴ基
板に接着する透明基板にはそのランド電極と対向する位
置にバンプを形成するとともに。

このバンブを介して上記ランド電極を外部に引き出すた
めの配線パターンを形成しており、上記ＰＬＺＴ基板と
透明基板とを透明な接着剤で接着固定した後、上記ＰＬ
ＺＴ基板上から少なくとも上記ランド電極に達する深さ
の溝を形成し、かつ、その溝に導電膜を成膜し、その後
その溝に直角の溝を形成し、上記ＰＬＺＴ基板をマトリ
ックス状に分割して各独立画素を得、かつ、上記溝に形
成した導電膜をそれら独立画素の電極としたので、各画
素の電極が縦型になるため、その電極間に印加する駆動
電圧の低下を図ることができ、しかも隣接画素へのクロ
ストークの向上を図ることができるので、平面デイスプ
レィや光シャッタ等の表示装置としてのＰＬＺＴ光シャ
ッタアレーが実現可能となるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はこの発明の一実施例を示し、　Ｐ
ＬＺＴ光シャッタアレーの電極形成方法が適用される円
−ＺＴ光シャッタアレーの概略的側断面図および正面図
、第３図乃至第６図は上記ＰＬＺＴ光シャッタアレーの
電極形成方法を説明するための工程図、第７図乃至第１
Ｏ図はＰＬＺＴ光シャッタアレーの表面電極および溝型
電極を説明する図、第１１図はＰＬＺＴ光シャッタアレ
ーの縦型電極を説明する図である。 図中、■はＰＬＺＴ基板、８ａは画素、９は接着剤（透
明の）、ＩＯは透明基板（ガラス板）、１１は導電膜（
金属膜）、１２はランド電極、１３は第１の溝（駆動電
極）、１４は第２の溝（共通電極）、１５は第３の溝（
分割溝）。 １６はバンプ。 １７は配線パターン（電極 を含む）。 １８は高分子膜（リフトオフ可能なレジスト膜等）であ
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＰＬＺＴ基板の片面には所定間隔でランド電極を
   形成しており、そのＰＬＺＴ基板に接着する透明基板に
   はそのランド電極と対向する位置にバンプを形成すると
   ともに、該バンプを介して前記ランド電極を外部に引き
   出すための配線パターンを形成しており、 前記ＰＬＺＴ基板と透明基板とを透明な接着剤で接着固
   定した後、前記ＰＬＺＴ基板上から少なくとも前記ラン
   ド電極に達する深さの溝を形成した後、その溝に導電膜
   を成膜するとともに、その溝に直角の溝を形成し、前記
   ＰＬＺＴ基板をマトリックス状に分割して独立画素を得
   、かつ、前記溝に形成した導電膜を前記独立画素の電極
   としたことを特徴とするＰＬＺＴ光シャッタアレーの電
   極形成方法。
2. （２）ＰＬＺＴ基板の一方の面には所定間隔でランド電
   極を形成しており、そのＰＬＺＴ基板に透明な接着剤で
   接着する透明基板には前記ランド電極に対向する位置に
   バンプを形成するとともに、該バンプを介して前記ラン
   ド電極を外部に引き出すための配線パターンを形成して
   おり、 前記ＰＬＺＴ基板と透明な基板とを透明接着剤で接着固
   定した後、該接着したＰＬＺＴ基板にリフトオフ可能な
   樹脂を塗布するとともに、そのリフトオフ可能な樹脂の
   上から少なくとも前記ランド電極に達する深さの第１の
   溝および該第１の溝より深く、かつ、平行な第２の溝を
   形成し、その後前記リフトオフ可能な樹脂の塗布面およ
   び第１、第２の溝の内に渡って導電膜を成膜し、その後
   リフトオフ可能な樹脂を剥離し、前記第１および第２の
   溝に直角で、かつ、第１の溝と第２の溝との中間の深さ
   の第３の溝を形成し、 前記ＰＬＺＴ基板を複数の独立画素にするとともに、前
   記第１および第２の溝に残った金属膜を前記独立画素の
   電極としたことを特徴とするＰＬＺＴ光シャッタアレー
   の電極形成方法。