JPH04302144A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
- Publication number
- JPH04302144A JPH04302144A JP6597591A JP6597591A JPH04302144A JP H04302144 A JPH04302144 A JP H04302144A JP 6597591 A JP6597591 A JP 6597591A JP 6597591 A JP6597591 A JP 6597591A JP H04302144 A JPH04302144 A JP H04302144A
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- Japan
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- ozone
- water
- vessel
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】本発明は、ガラスやシリコンウェハの洗浄
、マスクとして使用したホトレジストなど有機物をガス
状にして洗浄、除去する方法に係る。
、マスクとして使用したホトレジストなど有機物をガス
状にして洗浄、除去する方法に係る。
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明の方法は、光学ガラスや液
晶用ガラスの洗浄、半導体装置製造等における加工表面
の有機物の汚れや、マスクとして使用した後のレジスト
の除去に利用される。
晶用ガラスの洗浄、半導体装置製造等における加工表面
の有機物の汚れや、マスクとして使用した後のレジスト
の除去に利用される。
【０００３】
【従来の技術】オゾンの分解により生成された活性酸素
原子によって有機物を灰化除去することは、たとえば特
開昭５８−１５９３９号に示されているように古くから
知られている。また、その除去性能を向上させるために
例えば、特公平１−１７９３２７号に示すようにオゾン
と共に水を供給することが知られている。しかしながら
上記公知の、特公平１−１７９３２７号においては供給
する水分が被処理物の表面から蒸発潜熱を奪い被処理物
の表面温度を低下させる点について考慮されておらず、
またオゾンを水中に通してできた水蒸気をオゾンととも
に供給する場合において水中から水の蒸発潜熱が奪われ
水温が低下し水蒸気の量が減少すること及びオゾンガス
の冷却が生じてることについて配慮されていなかった。 このような点は、特に低温処理においては被処理物表面
の部分的な冷却を生じ除去速度分布におおきな不均一が
生ずるという問題があった。
原子によって有機物を灰化除去することは、たとえば特
開昭５８−１５９３９号に示されているように古くから
知られている。また、その除去性能を向上させるために
例えば、特公平１−１７９３２７号に示すようにオゾン
と共に水を供給することが知られている。しかしながら
上記公知の、特公平１−１７９３２７号においては供給
する水分が被処理物の表面から蒸発潜熱を奪い被処理物
の表面温度を低下させる点について考慮されておらず、
またオゾンを水中に通してできた水蒸気をオゾンととも
に供給する場合において水中から水の蒸発潜熱が奪われ
水温が低下し水蒸気の量が減少すること及びオゾンガス
の冷却が生じてることについて配慮されていなかった。 このような点は、特に低温処理においては被処理物表面
の部分的な冷却を生じ除去速度分布におおきな不均一が
生ずるという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、供給
水分が蒸発潜熱を有した状態でかつその量を常に一定に
供給することと、供給ガスの冷却によって被処理物の表
面の温度分布に大きな差が生じることを防止することよ
って、とくに低温処理において除去性能を向上すること
にある。
水分が蒸発潜熱を有した状態でかつその量を常に一定に
供給することと、供給ガスの冷却によって被処理物の表
面の温度分布に大きな差が生じることを防止することよ
って、とくに低温処理において除去性能を向上すること
にある。
【０００５】オゾンと紫外線による洗浄方法においては
、２００℃程度以下での低温での処理における供給ガス
の吹き付けによる被処理物表面の冷却は、除去速度分布
の均一性を悪くしスループットの面で無視できない。 従って供給ガスの加熱が考えられるが、オゾンは２００
℃程度の加熱によっても熱分解しやすいこと、大気圧で
は分解して得られた活性酸素原子の寿命は極めて短い性
質があるために水分を含有させる部分での過度の加熱は
不適当でありオゾンの加熱には細心の注意が必要である
。即ち、被処理物表面から遠い位置で過度に加熱したと
きは活性酸素原子の状態で被処理物表面に到達しないと
同時に被処理物表面上でのオゾンの濃度を低下させてし
まい除去速度の低下を招く。
、２００℃程度以下での低温での処理における供給ガス
の吹き付けによる被処理物表面の冷却は、除去速度分布
の均一性を悪くしスループットの面で無視できない。 従って供給ガスの加熱が考えられるが、オゾンは２００
℃程度の加熱によっても熱分解しやすいこと、大気圧で
は分解して得られた活性酸素原子の寿命は極めて短い性
質があるために水分を含有させる部分での過度の加熱は
不適当でありオゾンの加熱には細心の注意が必要である
。即ち、被処理物表面から遠い位置で過度に加熱したと
きは活性酸素原子の状態で被処理物表面に到達しないと
同時に被処理物表面上でのオゾンの濃度を低下させてし
まい除去速度の低下を招く。
【０００６】
【課題を解決するための手段】オゾンに水分を含有させ
る前または、その部分において供給水分の量を蒸発させ
るに必要な潜熱に匹敵する熱量を外部から供給する。こ
の蒸発した水蒸気をオゾンの気流にのせ十分に混合させ
て被処理物の表面に供給する。
る前または、その部分において供給水分の量を蒸発させ
るに必要な潜熱に匹敵する熱量を外部から供給する。こ
の蒸発した水蒸気をオゾンの気流にのせ十分に混合させ
て被処理物の表面に供給する。
【０００７】
【作用】供給する水蒸気は、予め蒸発潜熱を持っている
ので被処理物から蒸発潜熱を奪って被処理物の温度を過
度に低下させることはない。また、オゾンも蒸発潜熱を
奪われて冷えた水によって冷却されないので被処理物の
表面温度分布を過度に乱さず処理速度分布の改善ができ
る。
ので被処理物から蒸発潜熱を奪って被処理物の温度を過
度に低下させることはない。また、オゾンも蒸発潜熱を
奪われて冷えた水によって冷却されないので被処理物の
表面温度分布を過度に乱さず処理速度分布の改善ができ
る。
【０００８】
【実施例】半導体装置の製造においてウェハ上でマスク
として使用した後のレジストの膜を除去する方法として
、大気圧中でレジストに紫外線とオゾンとを作用させて
有機物であるレジストをＣＯ２、Ｈ２Ｏ等のガスに分解
して除去する例について説明する。図１、上記一実施例
を説明するための装置の概念図である。
として使用した後のレジストの膜を除去する方法として
、大気圧中でレジストに紫外線とオゾンとを作用させて
有機物であるレジストをＣＯ２、Ｈ２Ｏ等のガスに分解
して除去する例について説明する。図１、上記一実施例
を説明するための装置の概念図である。
【０００９】原料酸素ガスを石英製の円筒を２重にして
その間の狭い空間に流し、２重の筒の間で放電させオゾ
ン発生機１によりオゾンを生成する。該オゾンをＡ配管
２によって水蒸気供給槽３に導入する。該水蒸気供給槽
には、定量補給装置４によって純水、或いは過酸化水素
が供給され、さらに該水蒸気供給槽４は内部の水温を一
定に保持するようにヒータＡ５を内臓している。該水蒸
気供給槽４の水面より蒸発した水蒸気６は、該水蒸気供
給槽４に導入されたオゾンの気流７に乗ってＢ配管８に
よって複数のガス供給ノズル９に供給する。該Ｂ配管８
は、供給した水蒸気が結露しない温度に保温する。
その間の狭い空間に流し、２重の筒の間で放電させオゾ
ン発生機１によりオゾンを生成する。該オゾンをＡ配管
２によって水蒸気供給槽３に導入する。該水蒸気供給槽
には、定量補給装置４によって純水、或いは過酸化水素
が供給され、さらに該水蒸気供給槽４は内部の水温を一
定に保持するようにヒータＡ５を内臓している。該水蒸
気供給槽４の水面より蒸発した水蒸気６は、該水蒸気供
給槽４に導入されたオゾンの気流７に乗ってＢ配管８に
よって複数のガス供給ノズル９に供給する。該Ｂ配管８
は、供給した水蒸気が結露しない温度に保温する。
【００１０】前記の複数のガス供給ノズル９は、合成石
英の平板１０に貫通溶接してあり、各ノズル９は、回転
中心を避け且つ、それぞれが同一回転半径上にないよう
に配置する。
英の平板１０に貫通溶接してあり、各ノズル９は、回転
中心を避け且つ、それぞれが同一回転半径上にないよう
に配置する。
【００１１】前記合成石英の平板１０のノズル配置側に
平面上で折り曲げて平面照射出来るようにした合成石英
管を発光管とした低圧水銀放電灯１１を配置する。該低
圧水銀放電灯１１は、アルマイト仕上げを施したアリミ
ニウム製のランプハウス１２に収納する。該ランプハウ
ス１２の中に窒素ガス等の不活性ガスを導入置換して発
光管の周りでオゾンが発生することを防止する。
平面上で折り曲げて平面照射出来るようにした合成石英
管を発光管とした低圧水銀放電灯１１を配置する。該低
圧水銀放電灯１１は、アルマイト仕上げを施したアリミ
ニウム製のランプハウス１２に収納する。該ランプハウ
ス１２の中に窒素ガス等の不活性ガスを導入置換して発
光管の周りでオゾンが発生することを防止する。
【００１２】前記合成石英の平板１０のノズル配置側と
は反対の面１３（研磨面）は、研磨により精密な平面度
に仕上げする。該精密な研磨面１３の前方に回転、上下
可能な加熱ヒータ内臓のステージ１４を配置する。該ス
テージ１４のウェハ搭載部分は、石英製の薄い平板１５
を配置しウェハと金属ステージ１４とが直接接触するこ
とを避けている。ステージへのウェハの密着性を良くす
るためにウェハは、前記石英製の薄い平板１５を介して
真空吸着する。
は反対の面１３（研磨面）は、研磨により精密な平面度
に仕上げする。該精密な研磨面１３の前方に回転、上下
可能な加熱ヒータ内臓のステージ１４を配置する。該ス
テージ１４のウェハ搭載部分は、石英製の薄い平板１５
を配置しウェハと金属ステージ１４とが直接接触するこ
とを避けている。ステージへのウェハの密着性を良くす
るためにウェハは、前記石英製の薄い平板１５を介して
真空吸着する。
【００１３】該ステージ１４へのウェハ２１のローディ
ング、アンローディングは、ステージを包囲する処理室
１６の一方向に設けた開閉可能な搬送窓１７を介して搬
送ロボット（図示しない）により行う。この時ステージ
は、ロボットのウェハ吸着面がウェハの裏面に入るよう
に上下駆動する。また、前記複数のガス供給ノズルから
供給する反応ガスをウェハ面上に均一に且つ高速で通過
させると同時に、ライフタイムの短い活性酸素原子を有
効にウェハ面に与えるために、ウェハ面と前記合成石英
の平板の精密な面とのあいだの前記反応ガスを流すガス
フローギャップ２２を処理中極めて小さく制御する。処
理中ウェハ２１はステージの回転によって回転しながら
紫外線の照射および反応ガスの供給を全面にほぼ均等に
受けることができる。
ング、アンローディングは、ステージを包囲する処理室
１６の一方向に設けた開閉可能な搬送窓１７を介して搬
送ロボット（図示しない）により行う。この時ステージ
は、ロボットのウェハ吸着面がウェハの裏面に入るよう
に上下駆動する。また、前記複数のガス供給ノズルから
供給する反応ガスをウェハ面上に均一に且つ高速で通過
させると同時に、ライフタイムの短い活性酸素原子を有
効にウェハ面に与えるために、ウェハ面と前記合成石英
の平板の精密な面とのあいだの前記反応ガスを流すガス
フローギャップ２２を処理中極めて小さく制御する。処
理中ウェハ２１はステージの回転によって回転しながら
紫外線の照射および反応ガスの供給を全面にほぼ均等に
受けることができる。
【００１４】前記処理室１６には、残存するオゾンを排
気するダクト１８を配置しさらに該残存オゾンを分解器
１９により酸素に変えて空気とともに大気に放出する。
気するダクト１８を配置しさらに該残存オゾンを分解器
１９により酸素に変えて空気とともに大気に放出する。
【００１５】
【発明の効果】本発明により、添加する水分がウェハ面
上に当たる前に蒸発潜熱を有していること、且つオゾン
が水分の蒸発潜熱を奪われた水によって冷却されること
がないのでこれら反応ガスの供給によってウェハ表面の
温度が部分的に極端に冷却されることがないので均一な
レジスト除去処理ができスループットの改善ができる効
果がある。
上に当たる前に蒸発潜熱を有していること、且つオゾン
が水分の蒸発潜熱を奪われた水によって冷却されること
がないのでこれら反応ガスの供給によってウェハ表面の
温度が部分的に極端に冷却されることがないので均一な
レジスト除去処理ができスループットの改善ができる効
果がある。
【図１】図１は、本発明の一実施例を説明するための概
念図
念図
Claims (1)
- 【請求項１】オゾンと紫外線の作用によって有機物を分
解し、気化して除去する洗浄方法であって、オゾンとと
もに蒸発潜熱を有したガスの状態の水または、過酸化水
素を被処理物の表面に供給することを特徴とした洗浄方
法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6597591A JPH04302144A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6597591A JPH04302144A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302144A true JPH04302144A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=13302513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6597591A Pending JPH04302144A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04302144A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5511569A (en) * | 1993-07-20 | 1996-04-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cleaning apparatus |
| US6116254A (en) * | 1995-03-30 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Cleaning method and system of semiconductor substrate and production method of cleaning solution |
| US6588437B1 (en) * | 1999-11-15 | 2003-07-08 | Agere Systems Inc. | System and method for removal of material |
| US6591845B1 (en) * | 1997-05-09 | 2003-07-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for processing the surface of a workpiece with ozone |
| US6830628B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-12-14 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US6837252B2 (en) | 1997-05-09 | 2005-01-04 | Semitool, Inc. | Apparatus for treating a workpiece with steam and ozone |
| US7163588B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-01-16 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece using water, a base, and ozone |
| US7264680B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece using ozone |
| US7378355B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| US7404863B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-07-29 | Semitool, Inc. | Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone |
| US7416611B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-08-26 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece with gases |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP6597591A patent/JPH04302144A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5511569A (en) * | 1993-07-20 | 1996-04-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cleaning apparatus |
| US6116254A (en) * | 1995-03-30 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Cleaning method and system of semiconductor substrate and production method of cleaning solution |
| US6837252B2 (en) | 1997-05-09 | 2005-01-04 | Semitool, Inc. | Apparatus for treating a workpiece with steam and ozone |
| US6591845B1 (en) * | 1997-05-09 | 2003-07-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for processing the surface of a workpiece with ozone |
| US6817370B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-11-16 | Semitool, Inc. | Method for processing the surface of a workpiece |
| US6830628B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-12-14 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US6843857B2 (en) | 1997-05-09 | 2005-01-18 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US6869487B1 (en) | 1997-05-09 | 2005-03-22 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| US7163588B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-01-16 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece using water, a base, and ozone |
| US7264680B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece using ozone |
| US7378355B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| US7404863B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-07-29 | Semitool, Inc. | Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone |
| US7416611B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-08-26 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece with gases |
| US6588437B1 (en) * | 1999-11-15 | 2003-07-08 | Agere Systems Inc. | System and method for removal of material |
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