JPH0950040A - プラズマエッチング方法及び液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents

プラズマエッチング方法及び液晶表示パネルの製造方法

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JPH0950040A
JPH0950040A JP7219426A JP21942695A JPH0950040A JP H0950040 A JPH0950040 A JP H0950040A JP 7219426 A JP7219426 A JP 7219426A JP 21942695 A JP21942695 A JP 21942695A JP H0950040 A JPH0950040 A JP H0950040A
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discharge gas
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plasma etching
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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 ヘリウムに水分を添加し、かつ塩素、臭
素またはヨウ素の単体、若しくは少なくとも塩素、臭素
またはヨウ素を含む化合物を混合させ、これを放電ガス
として一対の電極２間に供給する。電極に電圧を印加し
て被処理材即ちガラス基板９表面との間で大気圧または
その近傍の圧力下で気体放電を生じさせ、該放電により
生成される放電ガスのプラズマ活性種にガラス基板表面
を暴露させ、該基板表面のＩＴＯ膜をエッチングする。 【効果】 従来の大気圧下でのプラズマエッチングでは
除去し難いＡｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ等の金属又はそれを
含む金属化合物を、沸点又は昇華点の低い化合物に生成
して気化させて除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理材の表面か
ら金属、無機物をエッチングにより除去するための表面
処理技術に関し、より詳細にいえば、半導体装置、特に
液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造において、基板上にＩＴ
Ｏ膜からなる透明電極又は配線を形成する技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造において、
ウエハ、基板、ＩＣチップ、その他の様々な被処理材の
表面から酸化物を除去するために、有機溶剤を用いたウ
ェットエッチング法とドライエッチング法とが知られて
いる。例えば、ＬＣＤの透明導電膜として広く採用され
ているＩＴＯ（Indium Tin Oxide）をエッチングして、
ガラス基板上に所望の電極又は配線を形成したり、余分
なＩＴＯ膜を除去する場合、一般にウェット法が採用さ
れている。最近では、液晶表示の高精細化の要請から微
細なエッチング加工が要求されるので、ドライエッチン
グの重要性が高まっている。
【０００３】ドライエッチング法は、一般に真空中又は
減圧された環境下で放電させ、それにより生成されるプ
ラズマを用いて被処理材の表面をエッチングする。これ
に対し、最近では、大気圧付近の圧力下で用いてプラズ
マ放電を発生させ、そのために真空チャンバや真空ポン
プ等の特別な設備を必要とせず、装置を簡単かつ小型化
することができるエッチング方法が開発されている。例
えば、特開平２−１５１７１号公報には、希ガスとモノ
マー気体とを混合した反応ガスを反応容器内に導入し、
大気圧下でプラズマ励起して基体表面を処理する方法が
開示され、使用するモノマー気体と反応条件とによっ
て、プラズマエッチング表面が得られることが記載され
ている。
【０００４】また、本願出願人は、国際公開ＷＯ９４／
２２６２８号公報において、希ガス、圧縮空気又は酸素
とフッ素化合物（ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＳＦ6等）との混合ガ
スを用いて、大気圧付近の圧力下で放電させ、それによ
り発生するガス活性種により基板表面の酸化物（ＳｉＯ
2 ）をエッチングする方法を提案している。ここで、例
えば放電ガスに少なくとも四フッ化炭素（ＣＦ4 ）を含
むガスを選択し、基板上の酸化膜を除去する場合、次の
反応式で示すようにエッチングが行われる。即ち、Ｓｉ
Ｏ2 は、フッ化されてＳｉＦ4 になるが、これは沸点が
比較的低い（約２００℃程度）ので、容易に気化して除
去される。
【０００５】
【化１】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ウェット法によるＩＴＯ膜のエッチングは、加工形状の
制御が困難であり、特に大面積の基板を処理する場合
に、エッチング液の面内分布を均一にすることが難し
く、エッチングの程度にむらが生じ易いという問題があ
った。また、エッチング後の廃液を処理する必要があ
り、除去した酸化物が廃液から基板に再付着し易い等の
問題があった。更に、特にＴＦＴ（Thin Film Transist
or）型ＬＣＤの場合には、除去しようとするＩＴＯ膜の
下側にあるＡｌ電極・配線をエッチング液が腐食させて
しまうという問題がある。
【０００７】また、従来の真空・減圧下でのドライエッ
チングは、製造コストが比較的高くかつスループットが
低いだけでなく、化学反応により毒性を有するＩｎ化合
物のガスが生成されたり、メタノールを使用するために
爆発の可能性があり、処理作業に危険を伴う虞があっ
た。他方、上述した大気圧近傍の圧力下におけるプラズ
マエッチング方法は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）等のように、
そのフッ化物が気化し難いような金属又はそれを含む金
属化合物を除去することが困難であり、このために、Ｌ
ＣＤの製造において、基板の透明導電膜として多用され
ているＩＴＯ膜のエッチング加工には採用できないとい
う問題があった。
【０００８】そこで、本発明のエッチング方法は、上述
した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、大気圧または近傍の圧力下での放電
により発生させたプラズマ活性種を用いて、被処理材の
表面から特にＡｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ等の金属単体また
はこれらを含む金属化合物を簡単に除去することができ
るエッチング方法を提供することにある。
【０００９】また、本発明の別の目的は、大気圧付近の
圧力下でプラズマ放電を発生させることによって、ガラ
ス基板上のＩＴＯ等透明導電膜の微細なエッチング加工
を容易にかつ安全に実施することができ、それにより液
晶表示パネルの高精細化・大面積化に対応し得る液晶表
示パネルの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した目的
を達成するためのものであり、以下にその内容を図面に
示した実施例を用いて説明する。
【００１１】本発明のプラズマエッチング方法は、請求
項１に記載されるように、大気圧またはその近傍の圧力
下で所定の放電ガス中に気体放電を生じさせ、前記放電
により生成される前記放電ガスの活性種に被処理材の表
面を暴露させて、前記被処理材表面をエッチングする方
法であって、前記放電ガスに、塩素、臭素またはヨウ素
の単体、若しくは少なくとも塩素、臭素またはヨウ素を
含む化合物を混合させることを特徴とする。
【００１２】このように放電ガスを選択することによっ
て、従来のフッ素化合物を用いた大気圧下でのプラズマ
エッチングでは除去し難いＡｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ等の
金属又はそれを含む金属化合物を、沸点又は昇華点の低
い化合物にして気化させることにより、エッチングする
ことができる。
【００１３】放電ガスにヨウ素単体を混合させる場合に
は、有機ヨウ素化合物に光又は紫外線を照射してヨウ素
ガスを発生させ、これを放電ガスに混合させると、純度
の高いヨウ素が簡単かつ安全に得られるので好都合であ
る。
【００１４】また、被処理材表面をエッチングする際
に、該被処理材をヒータ等の適当な手段で所定の温度に
加熱すると、プラズマ活性種との反応により生成される
化合物が被処理材表面に再付着することを防止できると
同時に、エッチングレートの向上が図れる。
【００１５】ヨウ素単体又は還元性物質を含まないヨウ
素化合物を放電ガスに混合させる場合には、更に還元性
のガスを放電ガスに付加すると、酸化物のエッチングレ
ートが高くなり、生産性をより一層向上させることがで
きる。放電ガスに有機物を混合する場合には、更に水分
を放電ガスに添加することによって、エッチングレート
の向上に加えて、前記有機物が被処理材や電極又はその
周辺に重合膜を形成するのを防止することができる。
【００１６】また、本発明の別の側面によれば、請求項
６記載に記載されるように、大気圧またはその近傍の圧
力下で所定の放電ガス中に気体放電を生じさせ、前記放
電により生成される前記放電ガスの活性種に被処理材の
表面を暴露させて、前記被処理材表面をエッチングする
方法であって、前記被処理材表面のエッチングされる物
質と反応することにより生成される有機金属化合物の沸
点が低くなるように選択した有機物を、前記放電ガスに
混合させることを特徴とするプラズマエッチング方法が
提供される。
【００１７】このように選択した有機物を放電ガスに用
いることによって、エッチングしようとする被処理材表
面の物質が、放電ガスのプラズマ活性種と反応すること
により、沸点の低い有機金属化合物を生成するので、容
易に除去することができる。また、使用した有機物によ
る重合膜は、放電ガスに水分を添加することによって防
止され、万一重合膜が形成される場合でも電極又は被処
理材周辺に限られるので、装置のメンテナンスが容易で
ある。
【００１８】また、本発明の液晶表示パネルの製造方法
は、請求項８に記載されるように、基板上に成膜された
ＩＴＯをエッチングすることにより、所望の透明電極又
は配線を形成する方法であって、ヨウ素単体又は少なく
ともヨウ素を含む化合物を混合した所定の放電ガス中に
大気圧またはその近傍の圧力下で気体放電を生じさせ、
前記放電により生成される前記放電ガスの活性種に前記
基板表面を暴露させて、前記ＩＴＯをエッチングするこ
とを特徴とする。
【００１９】これにより、ＩＴＯに含まれるＩｎ、Ｓｎ
を沸点又は昇華点の低いヨウ化物にすることができ、容
易に気化させて除去することができる。このため、従来
のように、毒性を有する化合物が生成されたり爆発を起
こす虞が無く、安全に処理作業を行うことができる。エ
ッチング時に基板を加熱することによって、プラズマ活
性種との反応により生成されたヨウ化物が基板に再付着
することをより確実に防止することができる。また、放
電ガスに還元性のガスを付加すれば、上述したように、
エッチングレートをより一層向上させることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１には、本発明によるエッチン
グ方法を実施するために適した表面処理装置の構成が概
略的に示されている。表面処理装置１は、所謂ラインタ
イプのものであって、所定の間隔をもって対向するよう
に垂直に配置された一対の電極２が高周波電源３に接続
され、前記両電極間に画定される空隙４には、その上端
から放電ガスがガス供給源５から管路６を介して供給さ
れると共に、その下端開口が直線状のガス噴出口７を形
成している。電極２先端の直ぐ下側には、僅かな間隙を
おいてアルミニウム板からなるステージ８が配置され、
その上に被処理材として液晶表示パネルに使用するガラ
ス基板９が載置されている。ステージ８は、電極２に対
して相対的にガス噴出口７の長手方向に関して直交する
向きに移動可能であり、大型のガラス基板９であっても
その全面を容易に表面処理することができる。また本実
施例では、前記ガラス基板の表面にＩＴＯ膜が被覆され
ている。
【００２１】管路６の途中には、ガス供給源５側から順
に純水１０を貯留したタンク１１と、該タンクから送ら
れる放電ガス中の余分な水分を除去するためのタンク１
２とが接続されている。タンク１１の下流側は分岐して
バイパスが設けられ、該バイパスにはタンク１３がバル
ブ１４を介して接続され、かつその中にはヨウ化メチレ
ン（ＣＨ2Ｉ2）１５が貯留されている。
【００２２】本実施例では、放電ガスとしてヘリウムが
ガス供給源５から供給され、これにタンク１１において
バブリングさせることによって水分が添加される。タン
ク１２において余分な水分を除去したヘリウムは、その
一部がバルブ１４により調整されてタンク１３内に送り
込まれる。タンク１３内に導入されたヘリウムは、ヨウ
化メチレンの気化ガスを含んで管路６に戻され、タンク
１１から直接送られるヘリウムと混合して、電極２間の
空隙４に供給される。放電ガスに水分を加えるのは、有
機物であるヨウ化メチレンがガラス基板９表面に重合膜
を形成するのを防止するためである。また、水分の添加
によって、エッチングを促進する効果が得られる。
【００２３】このようにして水分を添加したヘリウムに
ヨウ化メチレンを混合した放電ガスを空隙４に供給し、
ガス噴出口７から吹き出させて両電極２先端とガラス基
板９との間及びその近傍の雰囲気を前記放電ガスで置換
する。電源３から電極２に所定の電圧を印加すると、両
電極２とガラス基板９との間で気体放電が発生する。放
電領域１６には、プラズマによる解離、電離、励起など
種々の反応により前記放電ガスの活性種が生成される。
これら活性種に曝露されたガラス基板９上のＩＴＯは、
次の一連の反応式で示すように、Ｉｎ及びＳｎがそれぞ
れ沸点の低いヨウ化物ＩｎＩ3、ＳｎＩ4を生成して除去
される。このとき、ＣＨ系ラジカルが生成されて還元性
雰囲気が作られることによって反応が促進され、ＩＴＯ
のエッチングレートが高くなる。
【００２４】
【化２】
【００２５】このとき、ヒータ等を用いてステージ８又
はガラス基板９を加熱し、ガラス基板を或温度以上に上
昇させると、ＩＴＯを除去する際に生成されるヨウ化物
のガラス基板への再付着を防止できるので好都合であ
る。ヨウ化スズ（ＳｎＩ4）は、昇華点が１８０℃であ
るので、その再付着を確実に防止するためには、それ以
上の温度に加熱することが望ましい。また、ヨウ化イン
ジウム（ＩｎＩ3）の場合は、その沸点が約３００℃に
なるのでそれ以上の温度に加熱すると、より確実に再付
着が防止される。同時に、このようにガラス基板を加熱
することによって、エッチングレートの向上を図ること
ができる。
【００２６】ガラス基板９がＳＴＮ型ＬＣＤ用の基板の
場合には、図２Ａに示すように、ガラス基板上面に成膜
されたＩＴＯ膜１７の上に、レジスト膜１８が所定のパ
ターンに形成されている。これを、上述したようにヨウ
化メチレンを放電ガスに用いて表面処理することによっ
て、ＩＴＯ膜１７が図２Ｂに示すようにエッチング加工
され、所望のパターン基板が得られる。
【００２７】また、ガラス基板９がＴＦＴ型ＬＣＤ用の
基板の場合には、図３Ａに示すように、ガラス基板上に
形成された多結晶シリコンの電極１９に接続するように
ＩＴＯ膜２０が形成され、その上にレジスト膜２１が所
定のパターンに形成されている。これを、同様にヨウ化
メチレンを放電ガスに用いて表面処理することによっ
て、ＩＴＯ膜２１が図３Ｂに示すようにエッチング加工
され、所望のアレイ基板が得られる。
【００２８】更に、ガラス基板９がＭＩＭ（Metal Insu
lator Metal）型ＬＣＤ用の基板の場合には、図４Ａに
示すように、ＭＩＭ素子２２を形成したガラス基板上に
ＩＴＯ膜２３が成膜され、その上に所定パターンのレジ
スト膜２４が形成されている。これを、同じく大気圧下
でヨウ化メチレンを放電ガスに用いたプラズマにより表
面処理することによって、図４Ｂに示すようにＩＴＯか
らなる液晶駆動電極２５が得られる。
【００２９】別の実施例では、ヨウ化メチレンに代え
て、ヨウ素単体（Ｉ2）を用いたり、ヨウ素水溶液や、
ヨウ化アンモニウム（ＮＨ4Ｉ）、ヨウ化水素酸（Ｈ
Ｉ）等の無機ヨウ素化合物、又はヨウ化メチル（ＣＨ3
Ｉ）、ヨウ化エチル（ＣＨ3ＣＨ2Ｉ）等他の様々な有機
ヨウ素化合物を気化させて放電ガスに使用した場合に
も、同様に所望のエッチングを行うことができる。但
し、有機物を用いた場合には、電極２及びガラス基板９
の表面又はその周辺に有機重合膜が形成し易いので、上
述したように放電ガスに水分を添加する。放電ガスに酸
素を混合した場合にも、同様に有機物の重合を防止でき
るが、エッチングレートが低下する。
【００３０】また、一般に有機ヨウ素化合物は、光又は
紫外線を照射すると、ヨウ素（Ｉ2）が気体として分離
発生することが知られている。従って、タンク１３内に
貯留されるヨウ化メチレン又は他の有機ヨウ素化合物に
光を照射してヨウ素ガスを発生させ、これを放電ガスに
混合して用いることができる。この場合には、より安全
かつ簡単に純度の高いヨウ素を得ることができる。
【００３１】また、ＩＴＯ等酸化物のエッチングレート
は、上述したように還元性雰囲気においてプラズマ活性
種で表面処理した場合に高くなることが知られている。
従って、ヨウ化メチレンではなくヨウ素単体やヨウ素水
溶液、又はヨウ素が還元性物質と化合していないような
ヨウ素化合物を用いた場合には、水素や有機物を放電ガ
スに加えたり放電領域に供給することによって、エッチ
ングレートを高めて生産性の向上を図ることができる。
【００３２】また、本発明によるエッチング加工には、
図５に示すような電極構造の表面処理装置を使用すると
好都合である。この電極構造は、図１の実施例と同様に
所定の空隙４をもって対向する一対の電極２を備え、か
つそのガラス基板９の移動方向Ａに沿って前後には、そ
れぞれ或間隔をもって垂直な仕切壁２６が配設され、電
極２との間に上向きの排気通路２７を画定している。従
って、空隙４からガス噴出口７を介して放電領域１６に
供給された放電ガスは、放電領域から出た後大気中に流
出することなく、排気通路２７内に案内されて排気され
る。更に、両仕切壁２６は、その下端とガラス基板９表
面との間が電極２先端とガラス基板表面とのギャップよ
り狭く形成されて、外部から放電領域１６に大気が侵入
し難くなっている。
【００３３】このように電極構造に排気通路を一体的に
設けたことによって、装置全体を小型化できるだけでな
く、放電による生成されるオゾンや活性種とＩＴＯとの
反応により発生するヨウ化物が大気中に放出されること
を有効に防止することができる。特に、タンク１３のヨ
ウ化メチレン１５に代えてヨウ素水溶液を用いた場合に
は、放電ガスの排気が必要になるので有利である。ま
た、本実施例では、放電領域１６への大気の混合を防止
したことにより、放電の安定性を高めることができ、よ
り均一にかつ安定したエッチングが可能である。
【００３４】図６には、本発明によるエッチング方法の
別の実施例に使用するのに適した表面処理装置の構成を
概略的に示している。同図において、図１の表面処理装
置と同様の構成部分には、図１と同じ参照符号を付して
示すものとする。本実施例の表面処理装置は、図１の表
面処理装置と略同様の構成を有するが、ガス供給源５か
ら電極２に放電ガスを供給する管路２８に、純水２９を
貯留したタンク３０と、液体状の有機物３１を貯留した
タンク３２とが直列に接続されている。放電ガスは、ガ
ス供給源５から送給されるヘリウムにタンク３０におい
てバブリングにより水分を添加した後、タンク３２にお
いて有機物３１の気化ガスを混合して電極２間の空隙４
に供給され、ガス噴出口７から両電極２先端とガラス基
板９との間に吹き出させる。タンク３０で放電ガスに水
分を加えるのは、有機物がガラス基板９表面に重合膜を
形成するのを防止するためであり、同時に水分の添加に
よりエッチングが促進される。
【００３５】電源３から電極２に所定の電圧を印加し
て、ガラス基板９との間で気体放電を発生させ、それに
より生成された放電ガスの活性種にガラス基板９上のＩ
ＴＯ膜を曝露させる。本実施例において、有機物３１に
はメタノール（ＣＨ3ＯＨ）を用いた。従って、ＩＴＯ
は、次の反応式で示すように、Ｉｎ及びＳｎがそれぞれ
沸点の低いトリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ3）3）、
テトラメチルスズ（Ｓｎ（ＣＨ3）4）を生成して除去さ
れた。
【００３６】
【化３】
【００３７】放電ガスに混合する有機物３１には、メタ
ノール以外に、Ｉｎ又はＳｎと反応して沸点又は昇華点
の低い有機金属化合物を作るようなものであれば、芳香
族を含めた様々な有機物を使用することができる。ま
た、図１の実施例と同様に、ヒータ等を用いてガラス基
板９を加熱すると、トリメチルインジウム又はテトラメ
チルスズのガラス基板への再付着を確実に防止でき、か
つエッチングレートの向上を図ることができるので好都
合である。
【００３８】従来技術によれば、真空又は減圧下のドラ
イエッチングにおいて本実施例と同様にメタノールを用
いた例があるが、真空チャンバ内部全体に有機重合膜が
形成されるので、これを頻繁に除去する必要があり、装
置のメンテナンス作業が非常に面倒であった。本実施例
においても、有機物を使用するために、エッチングと同
時に重合反応が起こり易いが、上述したように放電ガス
に水分を添加し又は酸素を混合することによって、もし
くは放電ガス中の有機物濃度を比較的低く維持すること
によって、有機重合膜の形成を防止できる。また、本実
施例の場合には、大気圧近傍の圧力下で放電させるた
め、例え有機重合膜が形成されたとしても、装置全体で
なく電極及び被処理材の表面又はその周辺に限定される
ので、放電ガスのガス種を変更してアッシング処理する
ことにより容易に除去することができ、従来技術に比し
てメンテナンスが極めて容易である。
【００３９】また、本発明によれば、放電ガスにＣＦ4
等のフッ素化合物を用いた従来の大気圧下でのプラズマ
放電ではエッチングできなかったＡｕ、Ａｌを、上述し
たＩｎ、Ｓｎと同様にヨウ素単体又はヨウ化物を放電ガ
スに用いることによって、除去することができる。例え
ば、基板上に形成されたＡｕ膜は、ヨウ素のプラズマ活
性種によりＡｕＩ3 等の低沸点化合物を生成させること
によって、容易にエッチングすることできる。
【００４０】更に、本発明の別の実施例によれば、ヨウ
素単体及びヨウ化物以外に、塩素や臭素単体、少なくと
も塩素又は臭素を含む化合物を放電ガスに用いることに
よって、Ａｌをエッチングすることできる。例えば、基
板上に形成されたＡｌ配線は、
【００４１】塩素のプラズマ活性種によりＡｌＣｌ3 等
の低沸点化合物を生成させることによって、容易にエッ
チングすることできる。
【００４２】
【実施例１】高精細ＴＦＴ型ＬＣＤ用基板の表面に形成
されたＩＴＯ膜を、図１に示す表面処理装置を用いて、
以下の条件下でエッチング処理した。
【００４３】この結果、処理時間１０分以内で前記基板
上のＩＴＯ膜を完全に除去することができた。但し、放
電ガスに含まれるＣＨ2Ｉ2の量を増加させたり水分の量
を減少させると、ＩＴＯ膜上に有機物の重合膜が形成さ
れた。
【００４４】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００４５】本発明のプラズマエッチング方法によれ
ば、塩素、臭素またはヨウ素の単体、若しくは少なくと
も塩素、臭素またはヨウ素を含む化合物を放電ガスに混
合させることによって、従来の大気圧下でのプラズマエ
ッチング法では除去し難いＡｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ等の
金属又はそれを含む金属化合物を容易にエッチングする
ことができ、より汎用性の高いエッチング方法を提供す
ることができる。また、従来のウェット法又はドライエ
ッチングの欠点を解消して、加工精度を向上させ、かつ
スループットを大幅に改善して生産性を向上させること
ができる。
【００４６】また、本発明のプラズマエッチング方法に
よれば、エッチングしようとする被処理材表面の物質
が、放電ガスのプラズマ活性種と反応することにより、
沸点の低い有機金属化合物を生成するような有機物を放
電ガスに用いることによって、従来困難であったＩｎ、
Ｓｎ等のエッチングを容易に行うことができる。
【００４７】本発明の液晶表示パネルの製造方法によれ
ば、ヨウ素又は少なくともヨウ素を含む化合物を放電ガ
スに用いることによって、大気圧付近の圧力下でプラズ
マ放電を発生させ、ガラス基板上のＩＴＯからなる透明
導電膜を容易にエッチングすることができるので、配線
・電極の微細加工精度を高めることができ、それにより
液晶表示パネルの高精細化・大面積化に対応することが
できると共に、制御が容易で均一な加工が可能になるの
で、スループットが向上し、製造コストの低減化を図る
ことができる。また、処理作業をより安全に行うことが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるエッチング方法を実施するための
表面処理装置の好適な実施例を示す概略構成図である。
【図２】ＳＴＮ型の液晶表示パネルの製造において液晶
セル表面のＩＴＯ膜をエッチングする要領をＡ図、Ｂ図
の順に示す図である。
【図３】ＴＦＴ型の液晶表示パネルの製造において液晶
セル表面のＩＴＯ膜をエッチングする要領をＡ図、Ｂ図
の順に示す図である。
【図４】ＭＩＭ型の液晶表示パネルの製造において液晶
セル表面のＩＴＯ膜をエッチングする要領をＡ図、Ｂ図
の順に示す図である。
【図５】表面処理装置の図１と異なる電極構造を示す部
分拡大図である。
【図６】本発明によるエッチング方法の別の実施例にお
いて放電ガスを供給するためのシステムを示す図であ
る。
【符号の説明】
１ 表面処理装置 ２ 電極 ３ 高周波電源 ４ 空隙 ５ ガス供給源 ６ 管路 ７ ガス噴出口 ８ ステージ ９ ガラス基板 １０ 純水 １１、１２、１３ タンク １４ バルブ １５ ヨウ化メチレン １６ 放電領域 １７ ＩＴＯ膜 １８ レジスト膜 １９ 電極 ２０ ＩＴＯ膜 ２１ レジスト膜 ２２ ＭＩＭ素子 ２３ ＩＴＯ膜 ２４ レジスト膜 ２５ 液晶駆動電極 ２６ 仕切壁 ２７ 排気通路 ２８ 管路 ２９ 純水 ３０ タンク ３１ 有機物 ３２ タンク

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 大気圧またはその近傍の圧力下で所定の
    放電ガス中に気体放電を生じさせ、前記放電により生成
    される前記放電ガスの活性種に被処理材の表面を暴露さ
    せて、前記被処理材表面をエッチングする方法であっ
    て、 前記放電ガスに、塩素、臭素またはヨウ素の単体、若し
    くは少なくとも塩素、臭素またはヨウ素を含む化合物を
    混合させることを特徴とするプラズマエッチング方法。
  2. 【請求項２】 有機ヨウ素化合物に光又は紫外線を照射
    してヨウ素ガスを発生させ、前記ヨウ素ガスを前記放電
    ガスに混合させることを特徴とする請求項１記載のプラ
    ズマエッチング方法。
  3. 【請求項３】 前記被処理材表面をエッチングする際
    に、前記被処理材を所定の温度に加熱することを特徴と
    する請求項１又は２記載のプラズマエッチング方法。
  4. 【請求項４】 ヨウ素単体又は還元性物質を含まないヨ
    ウ素化合物を前記放電ガスに混合させる場合に、前記放
    電ガスに更に還元性のガスを付加することを特徴とする
    請求項１乃至３のいずれか記載のプラズマエッチング方
    法。
  5. 【請求項５】 前記放電ガスに水分を添加することを特
    徴とする請求項１乃至４のいずれか記載のプラズマエッ
    チング方法。
  6. 【請求項６】 大気圧またはその近傍の圧力下で所定の
    放電ガス中に気体放電を生じさせ、前記放電により生成
    される前記放電ガスの活性種に被処理材の表面を暴露さ
    せて、前記被処理材表面をエッチングする方法であっ
    て、 前記被処理材表面のエッチングされる物質と反応するこ
    とにより生成される有機金属化合物の沸点が低くなるよ
    うに選択した有機物を、前記放電ガスに混合させること
    を特徴とするプラズマエッチング方法。
  7. 【請求項７】 前記放電ガスに水分を添加することを特
    徴とする請求項６記載のプラズマエッチング方法。
  8. 【請求項８】 基板上に成膜されたＩＴＯをエッチング
    することにより、所望の透明電極又は配線を形成する液
    晶表示パネルの製造方法であって、 ヨウ素単体又は少なくともヨウ素を含む化合物を混合し
    た所定の放電ガス中に大気圧またはその近傍の圧力下で
    気体放電を生じさせ、前記放電により生成される前記放
    電ガスの活性種に前記基板表面を暴露させて、前記ＩＴ
    Ｏをエッチングすることを特徴とする液晶表示パネルの
    製造方法。
  9. 【請求項９】 前記ＩＴＯをエッチングする際に、前記
    基板を所定の温度に加熱することを特徴とする請求項８
    記載のプラズマエッチング方法。
  10. 【請求項１０】 前記放電ガスに還元性のガスを付加す
    ることを特徴とする請求項８又は９記載のプラズマエッ
    チング方法。
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