JPH04303151A - 内燃機関のアイドル回転数制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は内燃機関のアイドル回
転数制御装置に係り、特にアイドリング状態を安定させ
つつマフラ内の水を除去し得る内燃機関のアイドル回転
数制御装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】内燃機関にあっては、アイドリング運転
時のアイドル回転数を制御するために、アイドル回転数
制御装置を設けたものがある。

【０００３】この内燃機関のアイドル回転数制御装置は
、一般に、吸気通路の絞り弁を迂回するバイパス通路を
設け、このバイパス通路の途中に電磁弁であるＩＳＣ弁
（アイドルスピードコントロールバルブ）を設け、この
ＩＳＣ弁をアイドリング運転状態に応じてデューティ比
によってデューティ制御することにより、バイパス通路
の吸気量を増減してアイドル運転状態の機関回転数を制
御するものである。このアイドル回転数制御装置にあっ
ては、マフラの凍結対策のために、アイドリング運転が
一定時間設置された場合に、点火時期を遅角させ、排気
温度を上昇させる制御を行っている。

【０００４】また、このようなアイドリング運転時にお
ける点火時期制御としては、例えば、特開昭６０−６０
２７２号公報に開示されている。この公報に記載のもの
は、暖機後のアイドリング時の点火時期を制御するにあ
たって、所定時間内における機関回転数の変動を検出し
、機関回転数／空燃比の変動が所定値以上のとき点火時
期を遅角しかつ機関回転数の変動が所定値未満のとき点
火時期を遅角することにより、アイドリング時の燃焼安
定化を図るとともに燃比向上を図るものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来におい
ては、マフラの凍結対策等のために、点火時期を遅角さ
せ、また、吸気温度が低くない場合にでも点火時期が遅
角制御されるので、アイドリング状態が悪化するという
不都合があった。

【０００６】

【課題を解決するための手段】そこで、この発明は、上
述の不都合を除去するために、内燃機関吸気通路の吸気
絞り弁を迂回するバイパス通路を設け、このバイパス通
路途中にデューティ比制御されて該バイパス通路を開閉
する電磁弁を設け、この電磁弁を作動させて前記バイパ
ス通路の吸気量を増減してアイドリング運転の機関回転
数を制御する内燃機関のアイドル回転数制御装置におい
ては、吸気温度が低側の第１設定値未満になった際に前
記電磁弁を所定制御時間だけ固定デューティ比で制御す
るとともに前記所定制御時間経過後で吸気温度が前記第
１設定値以上の第２設定値に達するまでは前記電磁弁を
前記固定デューティ比と回転フィードバック比とで交互
に作動制御する制御手段を設けたことを特徴とする。

【０００７】

【作用】この発明の構成によれば、制御手段は、吸気温
度が低側の第１設定値未満になった際に電磁弁を所定制
御時間だけ固定デューティ比で制御するとともに所定制
御時間経過後で吸気温度が第１設定値以上の第２設定値
に達するまでは電磁弁を固定デューティ比と回転フィー
ドバックのデューティ比とで交互に作動制御する。これ
により、吸気温度に条件を設けて吸気温度が低い場合に
のみ、点火時期を遅角させることなく、電磁弁を巧みに
作動させるだけで機関回転数を高くして排気温度を上昇
させ、アイドリング状態を良好に維持しつつマフラ内の
水を除去することができ、マフラの凍結対策を果すこと
ができる。

【０００８】

【実施例】以下図面に基づいてこの発明の実施例を詳細
且つ具体的に説明する。図１〜図３は、この発明の実施
例を示すものである。図１において、２は内燃機関、４
はシリンダブロック、６はシリンダヘッド、８はピスト
ン、１０は燃焼室、１２は吸気弁、１４は排気弁、１６
は吸気ポート、１８は排気ポート、２０は吸気マニホル
ド、２２はマニホルド吸気通路、２４は排気マニホルド
、２６はマニホルド排気通路、２８はエアクリーナ、３
０は吸気管、３２は管吸気通路、３４はスロットルボデ
ィ、３６はボディ吸気通路、３８は吸気絞り弁、４０は
サージタンク、４２は排気管、４４は管排気通路、４６
はマフラである。

【０００９】前記吸気マニホルド２０には、燃焼室１０
方向に指向させて燃料噴射弁４８が装着されている。

【００１０】この燃料噴射弁４８には、燃料タンク５０
内の燃料が圧送される。即ち、燃料タンク５０内の燃料
は、燃料ポンプ５２によってオイルストレーナ５４を経
て燃料供給通路５６に圧送され、燃料フィルタ５８で濾
過され、そして、燃料圧力調整器６０によって圧力が調
整されて燃料噴射弁４６に送給される。

【００１１】スロットルボディ３４のボディ吸気通路３
６には、一端側が燃料タンク５０内の上部に連通する蒸
発燃料通路６２の他端側が連通している。この蒸発燃料
通路６２途中には、燃料タンク５０側から順次に、セパ
レータ６４と二方向弁６６とキャニスタ６８とが介設さ
れている。

【００１２】前記吸気絞り弁３８を迂回してボディ吸気
通路３６とサージタンク４０内とを連通すべく、バイパ
ス空気通路７０が設けられている。即ち、バイパス空気
通路７０は、一端の空気導入口７２が吸気絞り弁３８の
上流側のボディ吸気通路３６に連通されるとともに、他
端の空気流出口７４がサージタンク４０に連通されてい
る。このバイパス空気通路７０途中には、このバイパス
空気通路７０を開閉して吸気量を調整する電磁弁である
ＩＳＣ弁（ＶＳＶ）７６が介設されている。これにより
、バイパス空気通路７０は、第１バイパス通路７０−１
と第２バイパス通路７０−２とに分割される。

【００１３】このＩＳＣ弁７６を介した第１バイパス空
気通路７０−１と第２バイパス通路７０−２とは、エア
コン用バイパス空気通路７８によって連通されている。 このエアコン用バイパス空気通路７８途中には、エアコ
ン用電磁弁（ＶＳＶ）８０が介設されている。このエア
コン用電磁弁８０には、エアコン用スイッチ８２が連絡
されている。

【００１４】前記スロットルボディ３４には、点火機構
のディストリビュータ８４にボディ吸気通路３６内の圧
力を導く点火側圧力導入路８６が連絡されている。

【００１５】前記サージタンク４０には、圧力センサ８
８にサージタンク４０内の圧力を導く検出用圧力導入通
路９０が連通されている。

【００１６】前記吸気マニホルド２０には、バルブ保持
体９２によって保持されたＥＧＲ弁か９４が付設される
。このＥＧＲ弁９４は、排気マニホルド２４に形成した
ＥＧＲ導入口９６と吸気マニホルド２０に形成したＥＧ
Ｒ還流口９８とを連通するＥＧＲ通路１００を開閉して
ＥＧＲ量を調整するものである。

【００１７】また、吸気マニホルド２０には、冷却水を
流通する冷却水通路１０２が形成され、さらに、冷却水
温度を検出する水温センサ１０４が付設されている。

【００１８】更に、サージタンク４０側の吸気マニホル
ド２０には、マニホルド吸気通路２２内の吸気温度を検
出する吸気温センサ１０６が付設されている。

【００１９】更にまた、前記吸気絞り弁３８の開度状態
を検出して内燃機関２のアイドル回転状態を判断し、オ
ン・オフするアイドルスイッチ１０８が設けられている
。

【００２０】前記燃料ポンプ５２と燃料噴射弁４８とＩ
ＳＣ弁７６と圧力センサ８８と水温センサ１０４と吸気
温センサ１０６とアイドルスイッチ１０８とは、タイマ
１１０を有する制御手段１１２に連絡されている。また
、この制御手段手段１１２には、ヒューズ１１４とメイ
ンスイッチ１１６を介してバッテリ１１８が連絡されて
いるとともに、イグニションコイル１２０が連絡されて
いる。

【００２１】前記制御手段１１２は、前記吸気温センサ
１０６で検出された吸気温度が低側の第１設定値Ａ未満
になった際にＩＳＣ弁７６をタイマ１１０で設定された
所定制御時間Ｔだけ固定デューティ比で制御するととも
に所定制御時間Ｔ秒経過後で吸気温度が第１設定値Ａ以
上の第２設定値Ｂに達するまでは、ＩＳＣ弁７６を固定
デューティ比と回転フィードバックのデューティ比とで
交互に作動制御、つまり、回転フィードバック制御の時
間ｔ秒と固定デューティ比制御の時間Ｔ秒とで交互に作
動制御する。

【００２２】次に、この実施例の作用を、図２のフロー
チャート及び図３のタイムチャートに基づいて説明する
。

【００２３】内燃機関２が始動すると、制御手段１１２
のプログラムがスタートし（ステップ２０２）、そして
、アイドルスイッチ１０８がオンかオフかを判断する（
ステップ２０４）。このステップ２０４でアイドルスイ
ッチ１０８がオフの場合には、この判断を継続させる。

【００２４】ステップ２０４でアイドルスイッチ１０８
がオンの場合には、アイドル時間をカウントし（ステッ
プ２０６）、そして、アイドル時間が所定時間ｔ秒（図
３の回転フィードバック制御のＸ１からＸ２の時間）に
なったか否かを判断する（ステップ２０８）。このステ
ップ２０８でＮＯの場合には、この判断を継続させる。

【００２５】ステップ２０８でＹＥＳの場合には、吸気
温度が低側の第１設定温度Ａ未満になったか否かを判断
する（ステップ２１０）。このステップ２１０でＮＯの
場合には、この判断を継続させる。

【００２６】ステップ２１０でＹＥＳの場合には、吸気
温度が図４の位置で第１設定値Ａよりも低いので、ＩＳ
Ｃ弁７６を固定デューティ比（図４に示す）、つまり回
転フィードバックのデューティ比よりも高いデューティ
比で制御開始する（ステップ２１２）。

【００２７】そして、この固定デューティ比制御の所定
制御時間（ＴＤ）をタイマ１１０でカウントし（ステッ
プ２１４）、次に、吸気温度が第２設定値Ｂ未満か否か
を判断する（ステップ２１６）。

【００２８】このステップ２１６ＹＥＳの場合には、所
定制御時間ＴＤが設定固定デューティ制御時間Ｔよりも
大か否かを判断する（ステップ２１８）。つまり、第１
設定値Ａと第２設定値Ｂ間にあっては、ＩＳＣ弁７６を
、タイマ１１０がリセットして回転フィードバックのデ
ューティ比と固定デューティ比とで吸気温度が第２設定
値に達するまで交互に作動制御させる。

【００２９】このステップ２１８でＮＯの場合には、ス
テップ２１６の判断を継続させる。

【００３０】一方、前記ステップ２１６でＮＯの場合や
ステップ２１８でＹＥＳの場合には、ステップ２１６に
戻す。

【００３１】この結果、アイドリング運転時に、吸気温
度が低い場合にのみ、ＩＳＣ弁７６を作動制御して機関
回転数を高くし、これにより、排気温度を上昇させてマ
フラ４６内の水を除去させ、このとき、ＩＳＣ弁７６の
作動制御のみで、点火時期を遅角側に制御する必要がな
いので、アイドリング状態を良好に維持させることがで
きる。

【００３２】

【発明の効果】以上詳細な説明から明らかなようにこの
発明によれば、吸気温度が低側の第１設定値未満になっ
た際に電磁弁を所定制御時間だけ固定デューティ比で制
御するとともに所定制御時間経過後で吸気温度が第１設
定値以上の第２設定値に達するまでは電磁弁を固定デュ
ーティ比と回転フィードバックのデューティ比とで交互
に作動制御する制御手段を設けたことにより、吸気温度
に条件を設けて吸気温度が低い場合にのみ、点火時期を
遅角させることなく、電磁弁を巧みに作動させるだけで
機関回転数を高くして排気温度を上昇させ、アイドリン
グ状態を良好に維持しつつマフラ内の水を除去し、マフ
ラの凍結対策を講じ得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】アイドル回転数制御装置のシステム構成図であ
る。

【図２】実施例の作用を説明するフローチャートである
。

【図３】実施例の作用を説明するタイムチャートである
。

【符号の説明】

２　　内燃機関 ３８　　吸気絞り弁 ７０　　バイパス空気通路 ７６　　ＩＳＣ弁 １０６　　吸気温センサ １０８　　アイドルスイッチ １１２　　制御手段

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　内燃機関吸気通路の吸気絞り弁を迂回
   するバイパス通路を設け、このバイパス通路途中にデュ
   ーティ比制御されて該バイパス通路を開閉する電磁弁を
   設け、この電磁弁を作動させて前記バイパス通路の吸気
   量を増減してアイドリング運転の機関回転数を制御する
   内燃機関のアイドル回転数制御装置においては、吸気温
   度が低側の第１設定値未満になった際に前記電磁弁を所
   定制御時間だけ固定デューティ比で制御するとともに前
   記所定制御時間経過後で吸気温度が前記第１設定値以上
   の第２設定値に達するまでは前記電磁弁を前記固定デュ
   ーティ比と回転フィードバックのデューティ比とで交互
   に作動制御する制御手段を設けたことを特徴とする内燃
   機関のアイドル回転数制御装置。