JPH0430341A - Optical integrated circuit - Google Patents

Optical integrated circuit

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JPH0430341A
JPH0430341A JP2136235A JP13623590A JPH0430341A JP H0430341 A JPH0430341 A JP H0430341A JP 2136235 A JP2136235 A JP 2136235A JP 13623590 A JP13623590 A JP 13623590A JP H0430341 A JPH0430341 A JP H0430341A
Authority
JP
Japan
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photodiodes
light
optical
waveguide
optical integrated
Prior art date
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Pending
Application number
JP2136235A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihiro Yamazaki
哲広 山崎
Hiroshi Inoue
弘 井上
Minoru Oyama
実 大山
Toshio Konno
昆野 俊男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
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Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP2136235A priority Critical patent/JPH0430341A/en
Publication of JPH0430341A publication Critical patent/JPH0430341A/en
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Abstract

PURPOSE:To reduce crosstalk and to facilitate the suspension of a detection signal between photodetectors by providing an optical element to a light incidence side of lots of photodetectors formed closely to each other. CONSTITUTION:A laser beam propagates the deepest pat of photo diodes 18a,18b,20a,20b by the action of waveguide lenses 28a,28b,30a,30b. Thus, even when an optical disk 26 is displaced in a closing or parting direction to/from an optical integrated pickup, the laser beam propagates the deepest part of photo diodes 18a,18b,20a,20b by the action of waveguide lenses 28a,28b,30a,30b. Thus, crosstalk of a detection signal between the photodiodes 18a,18b and between the photodiodes 20a,20b is prevented in an excellent way.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、光集積回路にかかるものであり、例えば光デ
ィスクに対する情報の書込み又は読出しを行なう光集積
ピックアップに好適な光集積回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical integrated circuit, and relates to an optical integrated circuit suitable for, for example, an optical integrated pickup for writing or reading information on an optical disk. .

[往来の技術] 従来の光集積回路としては、例えば特開昭61−296
540号公報、ないし電子通信学会論文誌、 ’861
5.Vo1.J69−にNo、 5 r光ディスクピッ
クアップの光集積回路化」に開示されたものがある。こ
れは、薄膜導波路、薄膜レンズ、受光素子の組み合わせ
によって機能する光集積ピックアップの例で、第6図(
A+ 、  +B)にその平面及び正面が各々示されて
いる。
[Previous technology] As a conventional optical integrated circuit, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-296
Publication No. 540, or Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers, '861
5. Vol1. J69-No. 5R Optical Integrated Circuit of Optical Disc Pickup" is disclosed. This is an example of an optical integrated pickup that functions by a combination of a thin film waveguide, a thin film lens, and a light receiving element.
A+, +B) respectively show its plane and front view.

これらの図において、レーザダイオード100から出射
された光は、S1基板102上に5i02によるバッフ
ァ層104を介して形成されたガラスによる薄膜導波路
106を中を伝播し、集光クレーティングレンズ108
に入射する。レーザ光は、その後、集光グレーティング
レンズ108の回折作用によって光デイスク110上に
集光する。
In these figures, light emitted from a laser diode 100 propagates through a thin film waveguide 106 made of glass formed on an S1 substrate 102 via a buffer layer 104 made of 5i02, and then passes through a condensing crating lens 108.
incident on . The laser beam is then focused onto the optical disk 110 by the diffraction effect of the focusing grating lens 108.

次に、光ディスク110によって反射された光は、光路
を逆に進行して再び集光グレーティングレンズ108に
入射し、導波路を逆進する。逆進した光は、ビームスブ
リットグレーティングレンズ112によって波面2分割
される。分割された戻りレーザ光のうち、一方はフォト
ダイオード114a114b付近に集光され、他方はフ
ォトダイオード116a、116b付近に集光される。
Next, the light reflected by the optical disk 110 travels in the opposite direction along the optical path, enters the condensing grating lens 108 again, and travels backward through the waveguide. The reversed light is split into two wavefronts by the beam split grating lens 112. One of the divided return laser beams is focused near the photodiode 114a114b, and the other is focused near the photodiodes 116a and 116b.

そして、これらのフォトダイオード114a、11.4
b116a、 116bによって光電変換された検出信
号に和、差の演算を行なうことによって、光ディスク1
10のビット信号、フォーカスエラー信号、トラッキン
グエラー信号が各々検dされる。
And these photodiodes 114a, 11.4
By performing sum and difference calculations on the detection signals photoelectrically converted by b116a and b116b, the optical disc 1
Ten bit signals, a focus error signal, and a tracking error signal are each detected.

[発明が解決しようとする課題] ところで、フォトダイオード114a、 114b、 
116a116bに入射するレーザ光は、第7図に示す
ようにある角度範囲をもって入射する。例えば、光ディ
スク110が第6図(B)の矢印FAで示す方向に変位
したとすると、レーザ光は第7図[A)に示すように主
としてフォトダイオード114bのほうに入射するよう
になる。逆に、光ディスク110が第6図FB)の矢印
FBで示す方向に変位したとすると、レーザ光は第7図
FB)に示すように主としてフォトダイオード114a
のほうに入射するようになる。
[Problem to be solved by the invention] By the way, the photodiodes 114a, 114b,
The laser light incident on the laser beams 116a and 116b is incident within a certain angular range as shown in FIG. For example, if the optical disk 110 is displaced in the direction indicated by the arrow FA in FIG. 6(B), the laser beam will mainly enter the photodiode 114b as shown in FIG. 7(A). Conversely, if the optical disk 110 is displaced in the direction indicated by the arrow FB in FIG.
It becomes incident towards .

フォトダイオード116a、 116bについても同様
である。
The same applies to photodiodes 116a and 116b.

このように、フォーカスエラーやトラッキングエラーが
生じると、フォトダイオード114a、 l]4b。
In this way, when a focus error or tracking error occurs, the photodiodes 114a, 1]4b.

116a、 116bに対するレーザ光入射角が種々変
化する。このため、第8図に矢印FCで示すように。
The angle of incidence of the laser beam with respect to 116a and 116b varies. For this reason, as shown by arrow FC in FIG.

フォトダイオード114bに斜めに大針したレーザ光は
、フォトダイオード114bをつき抜けて隣のフォトダ
イオード114aに到達する可能性がある。
There is a possibility that the laser beam that is obliquely directed toward the photodiode 114b passes through the photodiode 114b and reaches the adjacent photodiode 114a.

ところで、フォーカスエラー信号は、隣接するフォトダ
イオード114aと114b、あるいは116aと11
6bとの間の検出信号差から検8される。従って、フォ
ーカスエラーの検出には、隣接したフォトダイオード間
の検出信号の分離が重要になる。
By the way, the focus error signal is transmitted from adjacent photodiodes 114a and 114b, or 116a and 11
6b is detected from the detection signal difference between the two. Therefore, separation of detection signals between adjacent photodiodes is important for detecting focus errors.

しかし、第8図のような状態となって検出信号のクロス
トークが生じると、かかる検出信号の質が低下して良好
に分離を行なうことができなくなり、結果的に満足し得
るフォーカス制御を行なうことができなくなる。
However, when crosstalk occurs in the detection signals as shown in FIG. 8, the quality of the detection signals deteriorates, making it impossible to perform good separation, and as a result, satisfactory focus control cannot be achieved. I won't be able to do that.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、フォトダ
イオードの検出信号分離を容易に行なって、良好な検出
信号を得ることができる光集積回路を提供することを、
その目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above, and aims to provide an optical integrated circuit that can easily separate detection signals of photodiodes and obtain good detection signals.
That is the purpose.

[課題を解決するための手段] 本発明は、モノリシックに隣接して多数形成された受光
素子に、導波路によって斜め方向から被検出光が入射す
る光集積回路において、前記受光素子の被検出光入射側
に、被検出光を受光素子奥深部に導入するための光学素
子を必要に応じて形成したことを特徴とするものである
[Means for Solving the Problems] The present invention provides an optical integrated circuit in which light to be detected enters a large number of monolithically adjacent light receiving elements from an oblique direction through a waveguide. It is characterized in that an optical element for introducing the detected light deep into the light-receiving element is formed on the incident side as necessary.

[作用] 本発明によれば、いずれかの受光素子に入射した被検出
光は、光学素子の作用によって受光素子の奥深部に導か
れる。このため、隣接する受光素子に対する被検出光の
入射が低減されるようになる。
[Function] According to the present invention, the detected light incident on any of the light receiving elements is guided deep into the light receiving element by the action of the optical element. Therefore, the incidence of detected light on adjacent light receiving elements is reduced.

[実施例] 以下、本発明にかかる光集積回路の実施例について、添
付区画を参照しながら説明する。
[Example] Hereinafter, an example of the optical integrated circuit according to the present invention will be described with reference to the attached section.

〈第1実施例〉 最初に、第1図を参照しながら、本発明の第1実施例の
構成について説明する。同図において、Slなどの基板
10上には、5iO7などによってバッファ層12が形
成されており、更にこのバッファ層12上に薄膜導波路
14が形成されている。この薄膜導波路14の一方には
、レーザダイオード16がハイブリッドに集積化されて
おり、基板lO上にフォトダイオードアレイ1820が
各々集積化されている。また、薄膜導波路14の他方の
側には、集光グレーテインクレンズ22、ビームスブリ
ットグレーティングレンズ24が各々集積化されている
First Embodiment First, the configuration of a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the figure, a buffer layer 12 of 5iO7 or the like is formed on a substrate 10 of Sl or the like, and a thin film waveguide 14 is further formed on this buffer layer 12. A laser diode 16 is hybridly integrated on one side of the thin film waveguide 14, and a photodiode array 1820 is integrated on the substrate IO. Further, on the other side of the thin film waveguide 14, a condensing grating lens 22 and a beam splitting grating lens 24 are integrated.

レーザダイオード16がら出力されたレーザ光は、集光
グレーテインクレンズ22の作用によって光ディスク2
6に入射するようになっている6また、光ディスク36
で反射されたレーザ光は、ビームスブリットグレーティ
ングレンズ24で分割されてフォトダイオードアレイ1
8.20に各々入射するようになっている。
The laser beam output from the laser diode 16 is directed to the optical disc 2 by the action of the condensing grating lens 22.
6 Also, the optical disk 36
The reflected laser beam is split by a beam split grating lens 24 and sent to a photodiode array 1
8.20 respectively.

以上の各部のうち、フォトダイオードアレイ18は、フ
ォトダイオード18a、18bによって構成されており
、各フォトダイオードの光入射側には導波路レンズ28
a、28bが各々形成されている。また、フォトダイオ
ードアレイ20は、フォトダイオード20a、20bに
よって構成されており、各フォトダイオードの光入射側
には導波路レンズ30a、30bが各々形成されている
Among the above parts, the photodiode array 18 is composed of photodiodes 18a and 18b, and a waveguide lens 28 is provided on the light incident side of each photodiode.
a and 28b are formed respectively. Further, the photodiode array 20 includes photodiodes 20a and 20b, and waveguide lenses 30a and 30b are formed on the light incident side of each photodiode, respectively.

導波路レンズ28a、28b、30a。Waveguide lenses 28a, 28b, 30a.

30bとしては、ルネブルグレンズなどのモードインデ
ックスレンズ、フレネルレンズ、グレーティングレンズ
などが利用できる(例えば、オーム社、西原、春名、栖
原共著「光集積回路」P279〜292参照)。これら
の導波路レンズ28a、28b、30a、30bは、入
射したレーザ光がフォトダイオード18a、18b20
a、20bの奥深部に進行するように、各々特性の設計
が行なわれている。なお、導波路レンズ28a、28b
、30a、30bは、レーザ光がフォトダイオード奥深
部に入射するように作用すればよく、必ずしも平行光線
化する必要はな171+ 次に、以上のように構成された第1実施例の作用につい
て、第2図を参照しながら説明する。
As the lens 30b, a mode index lens such as a Luneburg lens, a Fresnel lens, a grating lens, etc. can be used (for example, see "Optical Integrated Circuits" by Ohmsha, Nishihara, Haruna, and Suhara, pp. 279-292). These waveguide lenses 28a, 28b, 30a, 30b allow the incident laser light to pass through the photodiodes 18a, 18b20.
The characteristics of each are designed so as to proceed deep into the regions a and 20b. Note that the waveguide lenses 28a and 28b
, 30a, 30b only need to act so that the laser beam enters the deep part of the photodiode, and it is not necessarily necessary to convert the laser beam into parallel beams.171+ Next, regarding the operation of the first embodiment configured as above, This will be explained with reference to FIG.

レーザダイオード16から出力されたレーザ光は、薄膜
導波路14中を伝播して集光グレーティングレンズ22
に入射する。レーザ光は、その後、集光グレーティング
レンズ22における回折作用によって光デイスク26上
に集光する6次に、光ディスク26によって反射された
光は、光路を逆に進行して再び集光グレーティングレン
ズ22に入射し、薄膜導波路14を逆進する。逆進した
レーザ光は、ビームスブリットグレーティングレンズ2
4によって波面2分割される。分割された戻りレーザ光
のうち、一方はフォトダイオードアレイ18の光入射側
付近に集光され、他方はフォトダイオードアレイ20の
光入射側付近に集光される。
The laser light output from the laser diode 16 propagates through the thin film waveguide 14 and passes through the condensing grating lens 22.
incident on . The laser beam is then focused onto the optical disk 26 by the diffraction effect in the condensing grating lens 22.Next, the light reflected by the optical disk 26 travels in the opposite direction along the optical path and returns to the condensing grating lens 22. The light enters and travels backward through the thin film waveguide 14. The reversed laser beam passes through the beam split grating lens 2.
The wavefront is divided into two by 4. One of the divided return laser beams is focused near the light incident side of the photodiode array 18, and the other is focused near the light incident side of the photodiode array 20.

この場合において、フォトダイオード18a18b、2
0a、20bの光入射側には、導波路レンズ28a、2
8b、30a、30bが各々形成されている。このた豹
、レーザ光は、導波路レンズ28a、28b、30a、
30bの作用によってフォトダイオード18a、18b
20a、20bの奥深部に進行することとなる。
In this case, the photodiodes 18a18b, 2
Waveguide lenses 28a and 2 are provided on the light incident side of 0a and 20b.
8b, 30a, and 30b are formed, respectively. This laser beam is transmitted through waveguide lenses 28a, 28b, 30a,
Due to the action of 30b, photodiodes 18a and 18b
It will proceed to the deep parts of 20a and 20b.

例えば、光ディスク26が光集積ピックアップから離れ
る方向に変位しているときは、第2図fA)に点線で示
すようにレーザ光が進行しようとする(第7図fA)参
照)。しかし、本実施例では、導波路レンズ28bの作
用によつ−C、レーザ光はフォトダイオード18bの奥
深部に矢印F1の如く進行するようになる。従って、フ
ォトタイオード18a、18b間の検圧信号のクロスト
ークは、良好に防止される。
For example, when the optical disk 26 is displaced in a direction away from the optical integrated pickup, the laser beam tends to travel as shown by the dotted line in FIG. 2 fA) (see FIG. 7 fA)). However, in this embodiment, due to the action of the waveguide lens 28b, the laser light travels deep into the photodiode 18b as indicated by the arrow F1. Therefore, crosstalk of pressure detection signals between the photodiodes 18a and 18b is effectively prevented.

また、光ディスク26が光集積ピックアップに近づく方
向に変位しているときは、第2図FB)に点線で示すよ
うにレーザ光が進行しようとする(第7図FB)参照)
。しかし、本実施例では、導波路レンズ28aの作用に
よって、レーザ光はフォトダイオード18aの奥深部に
矢印F2の如く進行するようになる。
Furthermore, when the optical disk 26 is displaced in a direction approaching the optical integrated pickup, the laser light tends to travel as shown by the dotted line in FIG. 2 FB) (see FIG. 7 FB)).
. However, in this embodiment, the laser light travels deep into the photodiode 18a as shown by the arrow F2 due to the action of the waveguide lens 28a.

なお、フォトダイオード20a、20bに各々入射する
レーザ光についても同様である。
Note that the same applies to the laser beams incident on each of the photodiodes 20a and 20b.

〈第2実施例〉 次に、本発明の第2実施例について、第3図及び第4区
を参照しながら説明する。なお、上述した第1実施例と
同様又は相当する構成部分には、同一の符号を用いるこ
ととする。この実施例は、フォトダイオードの光入射側
の導波路レンズとして、ジオデシックレンズを用いた例
である。
<Second Embodiment> Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 and Section 4. Note that the same reference numerals are used for components similar to or corresponding to those of the first embodiment described above. This embodiment is an example in which a geodesic lens is used as a waveguide lens on the light incident side of a photodiode.

上述したフォトダイオードi8a、18bの部分を拡大
してすると、第3図に示すようになる。
When the above-mentioned photodiodes i8a and 18b are enlarged, it becomes as shown in FIG.

同図において、基板】0には、異なる導電型の導電層5
0が形成されている。例えば、基板10がNタイプの5
1であるときは、導電層50としてPタイプの81が用
いられる。これらの基板lOと導電層50とによって界
面にPN接合が形成され、これによってフォトダイオー
ド18a18bが各々形成されている。
In the figure, a conductive layer 5 of a different conductivity type is shown on a substrate 0.
0 is formed. For example, if the board 10 is an N type 5
1, P type 81 is used as the conductive layer 50. A PN junction is formed at the interface between the substrate IO and the conductive layer 50, thereby forming a photodiode 18a18b, respectively.

フォトダイオード18a、18bに対する駆動電圧の印
加は、基板10側に形成された電極52と、導電層50
側に形成された電極54とによって行なわれるようにな
っている6 ところで、薄膜導波路14中を進行したレーザ光は、フ
ォトダイオード18a、18bの部分において、基板l
Oと導電層50との接合部分に侵入する必要がある。こ
のため、フォトタイオード18a、18bの付近では、
バッファ層14にテーパ部56が形成されている。本実
施例では、このテーバ部56に連続するように、フォト
ダイオード18a、18bの光入射側に円形部58a、
58bが形成されている。
The driving voltage is applied to the photodiodes 18a and 18b through an electrode 52 formed on the substrate 10 side and a conductive layer 50.
By the way, the laser light that has traveled through the thin film waveguide 14 reaches the substrate l in the photodiodes 18a and 18b.
It is necessary to penetrate into the junction between O and the conductive layer 50. Therefore, near the photodiodes 18a and 18b,
A tapered portion 56 is formed in the buffer layer 14. In this embodiment, a circular portion 58a is provided on the light incident side of the photodiodes 18a, 18b so as to be continuous with the tapered portion 56.
58b is formed.

このような第2実施例によれば、円形部58a、58b
がジオデシックレンズとして作用するようになる2例え
ば、フォトダイオード18bに入射しようとするレーザ
光は、フエルマの原理に従って曲面を描いて進行し、第
4図に矢印F3で示すようにその方向を内側に変えるよ
うになる。従って、上述した第1実施例と同様にして、
フォトダイオード18b内にレーザ光が導かれることと
なる。フォトダイオード18a。
According to such a second embodiment, the circular parts 58a, 58b
begins to act as a geodesic lens2. For example, laser light that is about to enter the photodiode 18b travels along a curved surface according to the Fermat principle, and its direction is directed inward as shown by arrow F3 in FIG. Start changing. Therefore, similarly to the first embodiment described above,
Laser light will be guided into the photodiode 18b. Photodiode 18a.

20a、20bについても同様である。The same applies to 20a and 20b.

〈第3実施例〉 次に、第5図を参照しながら、本発明の第3実施例につ
いて説明する。この実施例では、同図に示すように、フ
ォトダイオード18a、18b上の薄膜導波路14上に
、導波路レンズ70a70bが各々形成される。モード
インデックスやグレーティングレンズであれば、このよ
うに導波路14上に形成することが可能である。
<Third Embodiment> Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, as shown in the figure, waveguide lenses 70a and 70b are formed on the thin film waveguide 14 on the photodiodes 18a and 18b, respectively. Any mode index or grating lens can be formed on the waveguide 14 in this way.

この第3実施例においても、同図に矢印F4で示すよう
にレーザ光が進行し、上述した実施例と同様の効果が得
られる。なお、フォトダイオード20a、20bについ
ても同様である。
In this third embodiment as well, the laser light travels as shown by arrow F4 in the figure, and the same effects as in the above-described embodiment can be obtained. Note that the same applies to the photodiodes 20a and 20b.

く他の実施例〉 なお、本発明は、何ら上記実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記実施例は、本発明を光集積ピックア
ップに適用したものであるが、フォトダイオードが近接
して多数形成されており、これに斜めから光が入射する
ような場合であれば、本発明は一般的に適用可能である
Other Examples> Note that the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above embodiment, the present invention is applied to an optical integrated pickup, but if a large number of photodiodes are formed close to each other and light is incident on them obliquely, the present invention can be applied. is generally applicable.

また、フォトダイオード間におけるクロストクな防止す
る限りにおいては、内側のフォトダイオード18b、2
0bについてのみレンズを設け、外側のフォトダイオー
ド18a、20aについてはかならずしもレンズを設け
なくてもよい。
In addition, as far as crossstock between the photodiodes is prevented, the inner photodiodes 18b and 2
A lens may be provided only for the photodiodes 0b and may not necessarily be provided for the outer photodiodes 18a and 20a.

その他、前記実施例に示した形状、材料などにも、本発
明は限定されるものではない。
In addition, the present invention is not limited to the shapes, materials, etc. shown in the above embodiments.

[発明の効果コ 以上説明したように、本発明にかかる光集積回路によれ
ば、近接して形成された多数の受光素子の光入射側に光
学素子を設けることによって、該当する受光素子に光が
侵入するようにしたので、クロストークが良好に低減さ
れて受光素子間の検出信号分離を容易に行なうことがで
きるという効果がある。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the optical integrated circuit according to the present invention, by providing an optical element on the light incident side of a large number of light receiving elements formed close to each other, light is directed to the corresponding light receiving element. Since the crosstalk is made to penetrate, there is an effect that crosstalk is effectively reduced and detection signals between the light receiving elements can be easily separated.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明にかかる光集積回路の第1実施例を示す
斜視図、第2図は前記第1実施例の作用を示す説明図、
第3区は本発明の第2実施例を示す主要部の斜視図、第
4同は前記第2実施例の作用を示す説明図、第5図は本
発明の第3実施例を示す説明図、第6図は従来例を示す
構成図、第7図及び第8区は前記従来例の作用を示す説
明図である。 10・・・基板、12・・・バッファ層、14・・・薄
膜導波路、16・・・レーザダイオード、18.20・
・・フォトダイオードアレ化 18a、18b20a、
20b・・・)オドグイオード(受光素子)、22・・
・集光グレーティングレンズ、24・・・ビームスブリ
ットグレーティングレンズ、26・・・光ディスク、2
8a、28b、30a、30b−・・導波路レンズ(光
学素子)、50・・・導電層、58a、58b−円形部
(光学素子)、70a70b・・・導波路レンズ(光学
素子)。 特許出願人  日本ビクター株式会社
FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the optical integrated circuit according to the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram showing the operation of the first embodiment,
The third section is a perspective view of the main part showing the second embodiment of the present invention, the fourth section is an explanatory diagram showing the operation of the second embodiment, and the fifth section is an explanatory diagram showing the third embodiment of the present invention. , FIG. 6 is a block diagram showing a conventional example, and FIGS. 7 and 8 are explanatory diagrams showing the operation of the conventional example. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Substrate, 12... Buffer layer, 14... Thin film waveguide, 16... Laser diode, 18.20.
...Photodiode array 18a, 18b20a,
20b...) Odogiode (light receiving element), 22...
- Concentrating grating lens, 24... Beam split grating lens, 26... Optical disk, 2
8a, 28b, 30a, 30b - waveguide lens (optical element), 50 - conductive layer, 58a, 58b - circular part (optical element), 70a70b - waveguide lens (optical element). Patent applicant: Victor Japan Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 モノリシックに隣接して多数形成された受光素子に、導
波路によって斜め方向から被検出光が入射する光集積回
路において、 前記受光素子の被検出先入射側に、被検出光を受光素子
奥深部に導入するための光学素子を必要に応じて形成し
たことを特徴とする光集積回路。
[Scope of Claim] In an optical integrated circuit in which light to be detected enters a large number of monolithically adjacent light receiving elements from an oblique direction through a waveguide, the light to be detected is incident on the detection target side of the light receiving element. 1. An optical integrated circuit characterized in that an optical element is formed as necessary for introducing the light into a deep part of a light-receiving element.
JP2136235A 1990-05-25 1990-05-25 Optical integrated circuit Pending JPH0430341A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007522532A (en) * 2004-02-11 2007-08-09 シオプティカル インコーポレーテッド Silicon nanotaper coupler and mode matching device

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