JPH04303669A - Image device - Google Patents
Image deviceInfo
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- JPH04303669A JPH04303669A JP3093559A JP9355991A JPH04303669A JP H04303669 A JPH04303669 A JP H04303669A JP 3093559 A JP3093559 A JP 3093559A JP 9355991 A JP9355991 A JP 9355991A JP H04303669 A JPH04303669 A JP H04303669A
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- JP
- Japan
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- bonding
- image element
- element array
- wire
- capillary
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【0001】0001
【発明の利用分野】この発明は、発光ダイオードプリン
タヘッドやイメージセンサ等の画像装置に関し、特にそ
のワイヤボンディングに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to image devices such as light emitting diode printer heads and image sensors, and particularly to wire bonding thereof.
【0002】0002
【従来技術】画像装置の特徴の1つは、高密度配線と高
密度のワイヤボンディングとが必要な点にある。図6に
、このような画像装置の1例を示す。図において、2は
画像素子アレイで、例えばGa−As等の基板に多数の
受発光面4を直線状に配置し、各受発光面4には個別の
電極6を接続する。画像素子アレイ2の裏面には共通電
極が有り、基板8に設けた絶縁膜10のスルーホールを
介して共通電極配線12に接続する。14は基板8に設
けた配線で、リード線16を用いて個別電極6にワイヤ
ボンディングする。17はボンディング用の電極パッド
である。2. Description of the Related Art One of the characteristics of image devices is that they require high-density wiring and high-density wire bonding. FIG. 6 shows an example of such an imaging device. In the figure, reference numeral 2 denotes an image element array, in which a large number of light receiving and emitting surfaces 4 are linearly arranged on a substrate made of, for example, Ga-As, and each of the light receiving and emitting surfaces 4 is connected to an individual electrode 6. A common electrode is provided on the back surface of the image element array 2, and is connected to a common electrode wiring 12 through a through hole in an insulating film 10 provided on a substrate 8. Reference numeral 14 denotes wiring provided on the substrate 8, which is wire-bonded to the individual electrodes 6 using lead wires 16. 17 is an electrode pad for bonding.
【0003】画像装置の集積度を検討すると、例えばA
4仕様の解像度300ドット/インチ(DPI)の場合
、受発光面4の総数は2560個に達し、これを300
ドット/インチの密度で配置することになる。この結果
配線14は高密度配線となり、ワイヤボンディングも高
密度となる。ワイヤボンディングには、通常は超音波ボ
ンディングが用いられ、例えば基板8の裏面から加熱を
行ない、キャピラリーを超音波振動させ、リード線16
を圧着する。[0003] When considering the degree of integration of image devices, for example, A
4 specification with a resolution of 300 dots/inch (DPI), the total number of receiving and emitting surfaces 4 reaches 2560, which is increased to 300 dots/inch (DPI).
They will be arranged at a density of dots/inch. As a result, the wiring 14 becomes a high-density wiring, and the wire bonding also becomes high-density. Ultrasonic bonding is usually used for wire bonding. For example, heating is performed from the back side of the substrate 8, the capillary is ultrasonically vibrated, and the lead wire 16 is heated.
Crimp.
【0004】図7に示すように、共通電極は銀ペースト
等の導電性ペースト18で基板8の共通電極配線に接続
する。各画像素子アレイ2のショートを防ぐため、画像
素子アレイ2の裏面両端には導電性ペースト18を充填
しない。ここで両端の領域Aにワイヤボンディングを行
うと、ここには導電性ペースト18がないため、基板裏
面からの加熱が伝わらず、ボンディングが困難となる。
これを避けるために、超音波エネルギーを増すと、画像
素子アレイ2にクラックの発生等の損傷が生じる。As shown in FIG. 7, the common electrode is connected to the common electrode wiring on the substrate 8 using a conductive paste 18 such as silver paste. In order to prevent short-circuiting of each image element array 2, conductive paste 18 is not filled on both ends of the back surface of the image element array 2. If wire bonding is performed in the regions A at both ends, since there is no conductive paste 18 here, the heat from the back surface of the substrate will not be transmitted, making bonding difficult. In order to avoid this, if the ultrasonic energy is increased, damage such as cracks will occur in the image element array 2.
【0005】[0005]
【発明の課題】この発明の課題は、画像素子アレイの両
端領域にもワイヤボンディングを高信頼度で行えるよう
にすることにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to enable wire bonding to be performed with high reliability even in both end regions of an image element array.
【0006】[0006]
【発明の構成】この発明は、表面には多数の受発光面と
各受発光面に接続した個別電極とを形成し、裏面には共
通電極を形成した画像素子アレイを、複数個基板上に直
線状に搭載した画像装置において、各画像素子アレイの
裏面と基板との間に、画像素子アレイの両端を残して導
電性ペーストを充填し、画像素子アレイの裏面の両端に
は絶縁性ペーストを充填したことを特徴とする。[Structure of the Invention] This invention has a plurality of image element arrays formed on a substrate, each having a large number of light receiving/emitting surfaces and individual electrodes connected to each light receiving/emitting surface formed on the front surface, and a common electrode formed on the back surface. In an image device mounted in a straight line, a conductive paste is filled between the back side of each image element array and the substrate, leaving both ends of the image element array, and an insulating paste is filled at both ends of the back side of the image element array. It is characterized by being filled.
【0007】[0007]
【実施例】画像素子アレイ2の両端領域でのボンディン
グ不良を防止するため、図1の構成を採用した。図にお
いて、1は共通電極で、画像素子アレイ2の裏面に設け
、30は絶縁性接着剤等の絶縁ペーストで、各画像素子
アレイ2の裏面両端領域に充填する。この状態で、ワイ
ヤボンディングを行えば、両端の領域にも基板8の裏面
から加熱され、キャピラリーの超音波振動が逃げること
なく均等に伝わり、他の部分と変わることなく、ワイヤ
ボンディングができる。Embodiment In order to prevent bonding defects at both end regions of the image element array 2, the configuration shown in FIG. 1 was adopted. In the figure, 1 is a common electrode, which is provided on the back surface of the image element array 2, and 30 is an insulating paste such as an insulating adhesive, which is filled in both end areas of the back surface of each image element array 2. If wire bonding is performed in this state, the regions at both ends will also be heated from the back surface of the substrate 8, and the ultrasonic vibrations of the capillary will be transmitted evenly without escaping, allowing wire bonding to be performed without changing from other parts.
【0008】ワイヤボンディングに関する問題はこれだ
けではなく、高密度配線によるショートがある。例えば
図8のように、リード線16が垂れて破線の状態になる
と、隣の配線の電極パッド17にリード線16が接触し
易い。これは電極パッド17の間隔を取れないためであ
る。なお20はリード線16の端部のボール、22は他
の端部のウェッジである。図9の左から2本目のリード
線16に、リード線16が垂れ、隣接した電極パッド1
7にショートしている状態を示す。また右から2本目の
リード線16に、リード線16が左にカールし、隣りの
3本目のリード線16にショートしている状態を示す。
電極パッド17へのワイヤボンディングが不良であると
、ボンディング時の加圧力や超音波がリード線16を介
して個別電極6に伝わり、画像素子アレイ2のクラック
、逆方向電圧の低下等の原因となる。[0008] This is not the only problem with wire bonding; there is also short-circuiting due to high-density wiring. For example, as shown in FIG. 8, when the lead wire 16 hangs down and becomes a broken line, the lead wire 16 tends to come into contact with the electrode pad 17 of the adjacent wiring. This is because the electrode pads 17 cannot be spaced apart. Note that 20 is a ball at the end of the lead wire 16, and 22 is a wedge at the other end. The lead wire 16 hangs down from the second lead wire 16 from the left in FIG.
7 shows a short circuit state. Further, the second lead wire 16 from the right is shown curled to the left and short-circuited to the third lead wire 16 adjacent thereto. If the wire bonding to the electrode pad 17 is defective, the pressure and ultrasonic waves during bonding will be transmitted to the individual electrodes 6 via the lead wires 16, causing cracks in the image element array 2, a drop in reverse voltage, etc. Become.
【0009】図10に、従来例でのワイヤボンディング
条件を示す。ここでの特徴は、ボンディング荷重(Fo
rce)とボンディングエネルギー(USPower)
とを、個別電極6側でも、配線14側でも一定に保つこ
とにある。FIG. 10 shows wire bonding conditions in a conventional example. The feature here is that the bonding load (Fo
rce) and bonding energy (USPower)
The purpose is to keep the voltage constant on both the individual electrode 6 side and the wiring 14 side.
【0010】次に、発明者は図8,図9のようなボンデ
ィング不良が生じる原因を追求し、その原因がリード線
16を収容したキャピラリーのぶれやバウンドにあるこ
とを見いだした。例えば強度の低い画像素子アレイ2側
を最初にボンディングし、次に配線14の側をボンディ
ングするものとする。すると、画像素子アレイ2の側に
は、ボンディング前にトーチ等でボール20を形成して
置くことができる。この結果、画像素子アレイ2にキャ
ピラリーのリード線16は軟らかく接触し、接触時の急
激な加圧によるぶれやバウンドを防止できる。これに対
して、配線14の側にはボール20を設けることはでき
ず、ボンディング状態は図8のように、ウェッジ状とな
る。キャピラリーのリード線がそのまま電極パッド17
に触れると、ボンディング荷重が急激に加わり、キャピ
ラリーのぶれやバウンドを引き起こす。Next, the inventor investigated the cause of the bonding defects as shown in FIGS. 8 and 9, and found that the cause was the wobbling or bouncing of the capillary housing the lead wire 16. For example, suppose that the image element array 2 side, which has lower strength, is bonded first, and then the wiring 14 side is bonded. Then, a ball 20 can be formed and placed on the side of the image element array 2 using a torch or the like before bonding. As a result, the capillary lead wires 16 come into soft contact with the image element array 2, and it is possible to prevent shaking or bouncing due to sudden pressure applied at the time of contact. On the other hand, the ball 20 cannot be provided on the side of the wiring 14, and the bonding state becomes wedge-shaped as shown in FIG. The capillary lead wire is attached to the electrode pad 17 as it is.
If you touch the capillary, the bonding load will be applied rapidly, causing the capillary to shake or bounce.
【0011】キャピラリーと電極パッド17との接触を
単に和らげるだけであれば、パッド17の膜厚を大きく
すれば良い。しかしこれは、配線14のエッチング精度
を低下させ、高密度配線を不可能にしてしまう。[0011] If the contact between the capillary and the electrode pad 17 is simply to be softened, the thickness of the pad 17 may be increased. However, this reduces the etching accuracy of the wiring 14 and makes high-density wiring impossible.
【0012】これに対して、発明者は、電極パッド17
へのボンディング開始時に、パッド17への接触開始時
の荷重、あるいはボンディングエネルギーを小さくし、
その後で荷重やエネルギーを増加させると、良い結果が
得られることを見いだした。即ち、ボンディングの開始
時には、小さな加圧力(加重)、あるいは小さなボンデ
ィングエネルギーで、例えば引っ張り強度2g程度(一
般的には1g以上)の弱いボンディングを行う。これで
キャピラリーの位置が固定される。キャピラリーを固定
した後、加圧力やエネルギーを増加させ、ボンディング
を進行させ、例えば6g程度の引っ張り強度でボンディ
ングする。このようにすればキャピラリーの位置を固定
してボンディングできるので、ショート等のボンディン
グ不良は生じず、また画像素子アレイ2の損傷も防止し
得る。In contrast, the inventor has proposed that the electrode pad 17
At the start of bonding to the pad 17, the load or bonding energy at the start of contact with the pad 17 is reduced,
They found that increasing the load and energy afterwards yielded better results. That is, at the start of bonding, weak bonding is performed with a small pressing force (load) or small bonding energy, for example, a tensile strength of about 2 g (generally 1 g or more). This fixes the position of the capillary. After the capillary is fixed, the bonding is progressed by increasing the pressure and energy, and bonding is performed with a tensile strength of, for example, about 6 g. In this way, bonding can be performed while fixing the position of the capillary, so bonding defects such as short circuits do not occur, and damage to the image element array 2 can also be prevented.
【0013】実施例での、ボンディング工程を図2に示
す。最初のボンディング(1stボンド)では画像素子
アレイ2にボンディングする。なお電極パッド17への
ボンディングを先にしても良いが、これでは弱い画像素
子アレイ2に無理なボンディングを行うことになり好ま
しくはない。まず予めトーチで先端にボール20を作成
した金,アルミニウム,銅等のリード線16(ここでは
直径20μmの金線)をキャピラリー毎移動させ、個別
電極6の位置をサーチする。キャピラリーが個別電極6
に接触すると、電熱器等を用いて基板8の裏面から加熱
しながらキャピラリーに超音波を加え、キャピラリーに
加えた荷重で、リード線16を熱圧着する。ボンディン
グの終了後にキャピラリーを上昇させ、基板8の配線1
4に設けた電極パッド17に第2回のボンディングを行
う(2ndボンド)。ここで低い荷重あるいは低い超音
波エネルギーでボンディングを開始し、次いで荷重やエ
ネルギーを増加させて、ボンディングする。FIG. 2 shows the bonding process in this example. In the first bonding (1st bond), bonding is performed to the image element array 2. Note that bonding to the electrode pads 17 may be performed first, but this is not preferable because it would result in forced bonding to the weak image element array 2. First, a lead wire 16 made of gold, aluminum, copper, etc. (in this case, a gold wire with a diameter of 20 μm) with a ball 20 formed at its tip using a torch is moved with respect to each capillary to search for the position of the individual electrode 6. Capillary is individual electrode 6
When it comes into contact with the capillary, ultrasonic waves are applied to the capillary while heating it from the back side of the substrate 8 using an electric heater or the like, and the lead wire 16 is thermocompressed by the load applied to the capillary. After the bonding is completed, the capillary is raised and the wiring 1 of the substrate 8 is removed.
A second bonding is performed on the electrode pad 17 provided at 4 (2nd bond). Here, bonding is started with a low load or low ultrasonic energy, and then the load or energy is increased and bonding is performed.
【0014】図3に、加重を途中で増すようにしたボン
ディング条件の例を示す。用いたパラメーターを表1に
示す。FIG. 3 shows an example of bonding conditions in which the weight is increased midway through. The parameters used are shown in Table 1.
【0015】[0015]
【表1】
ボ
ンディングパラメーター
1stボンド 2ndボンド
レベル1 レベル2超音波印加時間
20〜40 12〜17(msec
) 30
15 (超音波はレベル1,2共通)加重
50〜70
50〜30 50〜70(g)
60
40 60超音波エネルギー
0.19〜0.27 0.15〜0.23 (W)
0.23
0.19 (超音波はレベル1,2共通
)基板温度 17
0±10℃ (共通)* 上段は好ましい範囲を
、下段は最適値を示す。[Table 1] Bonding parameters
1st bond 2nd bond
Level 1 Level 2 Ultrasonic application time
20~40 12~17 (msec
) 30
15 (Ultrasonic waves are common to levels 1 and 2) Weighting
50-70
50-30 50-70 (g)
60
40 60 ultrasonic energy
0.19~0.27 0.15~0.23 (W)
0.23
0.19 (Ultrasonic waves are common to levels 1 and 2) Substrate temperature 17
0±10°C (common) *The upper row shows the preferred range, and the lower row shows the optimal value.
【0016】このようにするのは、キャピラリーのぶれ
やバウンドを防止できる程度の弱いボンディングを最初
に行い、キャピラリー位置を固定した後に、ワイヤボン
ディングを完了させるためである。発明者はここで、最
初に必要なワイヤボンディング条件が、リード線16の
引っ張り強度換算で1g以上であることを見いだした。
キャピラリー位置の固定のためのボンディングを行うに
は、例えば超音波エネルギーの初期値を小さくしても、
あるいは超音波エネルギーとボンディング加重の双方の
初期値を小さくしても良い。もちろん超音波エネルギー
や加重を、低い初期値から連続的に増加させても良い。
図4に超音波エネルギーを変化させる例を(パラメータ
ーは表2)、 図5の上部に超音波エネルギーとボンデ
ィング加重の双方を変化させる例を(パラメーターは表
3)、下部に超音波エネルギーとボンディング加重を連
続変化させる例を(パラメーターは表4)に示す。発明
者はこれらの条件で、ボンディングの不良率を10pp
m以下に抑えられることを確認した。なお2560個の
受発光素子を用いる画像装置の場合、不良率0.04%
で画像装置の不良率は100%となる。参考のため図1
0の従来例でのパラメーターを表5に示す。The reason for doing this is to first perform weak bonding to prevent the capillary from wobbling or bouncing, and then complete the wire bonding after fixing the capillary position. Here, the inventor found that the first necessary wire bonding condition is 1 g or more in terms of the tensile strength of the lead wire 16. To perform bonding to fix the capillary position, for example, even if the initial value of ultrasonic energy is small,
Alternatively, the initial values of both the ultrasonic energy and the bonding weight may be reduced. Of course, the ultrasonic energy and weight may be increased continuously from a low initial value. Figure 4 shows an example of changing ultrasonic energy (parameters are in Table 2), the upper part of Figure 5 shows an example of changing both ultrasonic energy and bonding weight (parameters are in Table 3), and the lower part shows an example of changing ultrasonic energy and bonding weight. An example of continuously changing the weighting is shown in Table 4 (parameters are shown in Table 4). Under these conditions, the inventor reduced the bonding defect rate to 10pp.
It was confirmed that the temperature could be kept below m. In the case of an imaging device that uses 2560 light receiving and emitting elements, the defective rate is 0.04%.
In this case, the defective rate of the image device is 100%. Figure 1 for reference
Table 5 shows the parameters for the conventional example.
【0017】[0017]
【表2】
ボ
ンディングパラメーター
1stボンド 2ndボンド
レベル1 レベル2超音波印加時間
20〜40 3〜7
7〜13(msec)
30 5
10加重 50〜
70 50〜70(g)
60 60(
加重はレベル1,2共通)超音波エネルギー 0.1
9〜0.27 0.10〜0.14 0.15
〜0.23(W)
0.23 0.12
0.19基板温度
170±10℃ (共通)* 上段は好ま
しい範囲を、下段は最適値を示す。[Table 2] Bonding parameters
1st bond 2nd bond
Level 1 Level 2 Ultrasonic application time
20-40 3-7
7-13 (msec)
30 5
10 weight 50~
70 50-70 (g)
60 60(
Weighting is common to levels 1 and 2) Ultrasonic energy 0.1
9~0.27 0.10~0.14 0.15
~0.23(W)
0.23 0.12
0.19 substrate temperature
170±10°C (common) *The upper row shows the preferred range, and the lower row shows the optimal value.
【0018】[0018]
【表3】
ボ
ンディングパラメーター
1stボンド 2ndボンド
レベル1 レベル2超音波印加時間
20〜40 3〜7
7〜13(msec)
30 5
10加重 50〜
70 30〜50 50〜70(
g) 60
40 60超音波
エネルギー 0.19〜0.27 0.11〜0
.18 0.15〜0.23(W)
0.23 0
.15 0.19基板温度
170±10℃ (
共通)* 上段は好ましい範囲を、下段は最適値を示す
。[Table 3] Bonding parameters
1st bond 2nd bond
Level 1 Level 2 Ultrasonic application time
20-40 3-7
7-13 (msec)
30 5
10 weight 50~
70 30~50 50~70(
g) 60
40 60 Ultrasonic energy 0.19~0.27 0.11~0
.. 18 0.15~0.23(W)
0.23 0
.. 15 0.19 Substrate temperature
170±10℃ (
Common) *The upper row shows the preferred range, and the lower row shows the optimal value.
【0019】[0019]
【表4】
ボ
ンディングパラメーター
1stボンド 2ndボンド
レベル1 レベル2超音波印加時間
20〜40 4〜10
7〜13(msec)
30 7
10加重 50〜
70 0〜60 50〜70(
g) 60
60超音波
エネルギー 0.19〜0.27 0〜0
.19 0.15〜0.23(W)
0.23
0.19基板温度
170±10℃ (
共通)* 上段は好ましい範囲を、下段は最適値を示す
。[Table 4] Bonding parameters
1st bond 2nd bond
Level 1 Level 2 Ultrasonic application time
20-40 4-10
7-13 (msec)
30 7
10 weight 50~
70 0~60 50~70(
g) 60
60 Ultrasonic energy 0.19~0.27 0~0
.. 19 0.15~0.23(W)
0.23
0.19 substrate temperature
170±10℃ (
Common) *The upper row shows the preferred range, and the lower row shows the optimal value.
【0020】[0020]
【表5】
ボンディングパラメーター(従来
例) 1stボン
ド 2ndボンド超音波印加時
間 20〜40
10〜20(msec)
加重 (g) 50〜70
50〜70超音波エ
ネルギー 0.19〜0.27
0.15〜0.23(W)
基板温度 1
70±10℃ (共通)[Table 5] Bonding parameters (conventional example) 1st bond 2nd bond Ultrasonic application time 20-40
10-20 (msec) Weight (g) 50-70
50-70 Ultrasonic energy 0.19-0.27
0.15-0.23 (W) Substrate temperature 1
70±10℃ (common)
【0021】ここでは特
定のボンディングパラメーターを示したが、これらはリ
ード線16の線径や線材、個別電極6や電極パッド17
の種類に依存して変えるべきもので、特に限定するもの
ではない。またボンディングには超音波ボンディングを
用いたが、ボンディングの種類自体は任意である。Specific bonding parameters are shown here, but these include the wire diameter and wire material of the lead wire 16, the individual electrodes 6 and the electrode pads 17.
It should be changed depending on the type, and is not particularly limited. Moreover, although ultrasonic bonding was used for bonding, the type of bonding itself is arbitrary.
【0022】[0022]
【発明の効果】この発明では、画像素子アレイの両端領
域にもワイヤボンディングを高信頼度で行えるようにす
る。この結果、画像装置の信頼性や収率を向上させるこ
とができる。According to the present invention, wire bonding can be performed with high reliability even in both end regions of the image element array. As a result, the reliability and yield of the imaging device can be improved.
【図1】実施例の画像形成装置の要部平面図である。FIG. 1 is a plan view of essential parts of an image forming apparatus according to an embodiment.
【図2】実施例の画像形成装置のワイヤボンディングの
工程図である。FIG. 2 is a process diagram of wire bonding in the image forming apparatus of the embodiment.
【図3】実施例の画像形成装置のワイヤボンディング工
程の動作タイミングを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the operation timing of the wire bonding process of the image forming apparatus of the embodiment.
【図4】変形例の画像形成装置のワイヤボンディング工
程の動作タイミングを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the operation timing of a wire bonding process of an image forming apparatus according to a modified example.
【図5】変形例の画像形成装置のワイヤボンディング工
程の動作タイミングを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the operation timing of a wire bonding process of an image forming apparatus according to a modified example.
【図6】従来例の画像形成装置の要部斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of main parts of a conventional image forming apparatus.
【図7】従来例の画像形成装置の要部平面図である。FIG. 7 is a plan view of main parts of a conventional image forming apparatus.
【図8】従来例の画像形成装置のワイヤボンディング上
の問題点を示す側面図である。FIG. 8 is a side view showing problems in wire bonding of a conventional image forming apparatus.
【図9】従来例の画像形成装置のワイヤボンディング上
の問題点を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating problems in wire bonding of a conventional image forming apparatus.
【図10】従来例の画像形成装置のワイヤボンディング
工程の動作タイミングを示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the operation timing of a wire bonding process of a conventional image forming apparatus.
1 共通電極 2 画像素子アレイ 4 受発光面 6 個別電極 8 基板 14 配線 16 リード線 17 電極パッド 18 導電性ペースト 30 絶縁性ペースト 1 Common electrode 2 Image element array 4 Receiving and emitting surface 6 Individual electrodes 8 Board 14 Wiring 16 Lead wire 17 Electrode pad 18 Conductive paste 30 Insulating paste
Claims (1)
に接続した個別電極とを形成し、裏面には共通電極を形
成した画像素子アレイを、複数個基板上に直線状に搭載
した画像装置において、画像素子アレイの裏面と基板と
の間に、画像素子アレイの両端を残して導電性ペースト
を充填し、画像素子アレイの裏面の両端には絶縁性ペー
ストを充填したことを特徴とする、画像装置。Claim 1: A plurality of image element arrays are mounted linearly on a substrate, each having a large number of light receiving and emitting surfaces and individual electrodes connected to each light receiving and emitting surface formed on the front surface, and a common electrode formed on the back surface. In the image device, conductive paste is filled between the back surface of the image element array and the substrate, leaving both ends of the image element array, and both ends of the back surface of the image element array are filled with insulating paste. An imaging device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3093559A JPH04303669A (en) | 1991-03-30 | 1991-03-30 | Image device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3093559A JPH04303669A (en) | 1991-03-30 | 1991-03-30 | Image device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04303669A true JPH04303669A (en) | 1992-10-27 |
Family
ID=14085608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3093559A Pending JPH04303669A (en) | 1991-03-30 | 1991-03-30 | Image device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04303669A (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6349948B2 (en) * | 1981-05-07 | 1988-10-06 | Nippon Telegraph & Telephone |
-
1991
- 1991-03-30 JP JP3093559A patent/JPH04303669A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6349948B2 (en) * | 1981-05-07 | 1988-10-06 | Nippon Telegraph & Telephone |
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