JPH04303669A - 画像装置 - Google Patents

画像装置

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JPH04303669A
JPH04303669A JP3093559A JP9355991A JPH04303669A JP H04303669 A JPH04303669 A JP H04303669A JP 3093559 A JP3093559 A JP 3093559A JP 9355991 A JP9355991 A JP 9355991A JP H04303669 A JPH04303669 A JP H04303669A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
image element
element array
wire
capillary
Prior art date
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Pending
Application number
JP3093559A
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English (en)
Inventor
Shunji Murano
俊次 村野
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の利用分野】この発明は、発光ダイオードプリン
タヘッドやイメージセンサ等の画像装置に関し、特にそ
のワイヤボンディングに関する。
【0002】
【従来技術】画像装置の特徴の1つは、高密度配線と高
密度のワイヤボンディングとが必要な点にある。図6に
、このような画像装置の1例を示す。図において、2は
画像素子アレイで、例えばGa−As等の基板に多数の
受発光面4を直線状に配置し、各受発光面4には個別の
電極6を接続する。画像素子アレイ2の裏面には共通電
極が有り、基板8に設けた絶縁膜10のスルーホールを
介して共通電極配線12に接続する。14は基板8に設
けた配線で、リード線16を用いて個別電極6にワイヤ
ボンディングする。17はボンディング用の電極パッド
である。
【0003】画像装置の集積度を検討すると、例えばA
4仕様の解像度300ドット/インチ(DPI)の場合
、受発光面4の総数は2560個に達し、これを300
ドット/インチの密度で配置することになる。この結果
配線14は高密度配線となり、ワイヤボンディングも高
密度となる。ワイヤボンディングには、通常は超音波ボ
ンディングが用いられ、例えば基板8の裏面から加熱を
行ない、キャピラリーを超音波振動させ、リード線16
を圧着する。
【0004】図7に示すように、共通電極は銀ペースト
等の導電性ペースト18で基板8の共通電極配線に接続
する。各画像素子アレイ2のショートを防ぐため、画像
素子アレイ2の裏面両端には導電性ペースト18を充填
しない。ここで両端の領域Aにワイヤボンディングを行
うと、ここには導電性ペースト18がないため、基板裏
面からの加熱が伝わらず、ボンディングが困難となる。 これを避けるために、超音波エネルギーを増すと、画像
素子アレイ2にクラックの発生等の損傷が生じる。
【0005】
【発明の課題】この発明の課題は、画像素子アレイの両
端領域にもワイヤボンディングを高信頼度で行えるよう
にすることにある。
【0006】
【発明の構成】この発明は、表面には多数の受発光面と
各受発光面に接続した個別電極とを形成し、裏面には共
通電極を形成した画像素子アレイを、複数個基板上に直
線状に搭載した画像装置において、各画像素子アレイの
裏面と基板との間に、画像素子アレイの両端を残して導
電性ペーストを充填し、画像素子アレイの裏面の両端に
は絶縁性ペーストを充填したことを特徴とする。
【0007】
【実施例】画像素子アレイ2の両端領域でのボンディン
グ不良を防止するため、図1の構成を採用した。図にお
いて、1は共通電極で、画像素子アレイ2の裏面に設け
、30は絶縁性接着剤等の絶縁ペーストで、各画像素子
アレイ2の裏面両端領域に充填する。この状態で、ワイ
ヤボンディングを行えば、両端の領域にも基板8の裏面
から加熱され、キャピラリーの超音波振動が逃げること
なく均等に伝わり、他の部分と変わることなく、ワイヤ
ボンディングができる。
【0008】ワイヤボンディングに関する問題はこれだ
けではなく、高密度配線によるショートがある。例えば
図8のように、リード線16が垂れて破線の状態になる
と、隣の配線の電極パッド17にリード線16が接触し
易い。これは電極パッド17の間隔を取れないためであ
る。なお20はリード線16の端部のボール、22は他
の端部のウェッジである。図9の左から2本目のリード
線16に、リード線16が垂れ、隣接した電極パッド1
7にショートしている状態を示す。また右から2本目の
リード線16に、リード線16が左にカールし、隣りの
3本目のリード線16にショートしている状態を示す。 電極パッド17へのワイヤボンディングが不良であると
、ボンディング時の加圧力や超音波がリード線16を介
して個別電極6に伝わり、画像素子アレイ2のクラック
、逆方向電圧の低下等の原因となる。
【0009】図10に、従来例でのワイヤボンディング
条件を示す。ここでの特徴は、ボンディング荷重(Fo
rce)とボンディングエネルギー(USPower)
とを、個別電極6側でも、配線14側でも一定に保つこ
とにある。
【0010】次に、発明者は図8,図9のようなボンデ
ィング不良が生じる原因を追求し、その原因がリード線
16を収容したキャピラリーのぶれやバウンドにあるこ
とを見いだした。例えば強度の低い画像素子アレイ2側
を最初にボンディングし、次に配線14の側をボンディ
ングするものとする。すると、画像素子アレイ2の側に
は、ボンディング前にトーチ等でボール20を形成して
置くことができる。この結果、画像素子アレイ2にキャ
ピラリーのリード線16は軟らかく接触し、接触時の急
激な加圧によるぶれやバウンドを防止できる。これに対
して、配線14の側にはボール20を設けることはでき
ず、ボンディング状態は図8のように、ウェッジ状とな
る。キャピラリーのリード線がそのまま電極パッド17
に触れると、ボンディング荷重が急激に加わり、キャピ
ラリーのぶれやバウンドを引き起こす。
【0011】キャピラリーと電極パッド17との接触を
単に和らげるだけであれば、パッド17の膜厚を大きく
すれば良い。しかしこれは、配線14のエッチング精度
を低下させ、高密度配線を不可能にしてしまう。
【0012】これに対して、発明者は、電極パッド17
へのボンディング開始時に、パッド17への接触開始時
の荷重、あるいはボンディングエネルギーを小さくし、
その後で荷重やエネルギーを増加させると、良い結果が
得られることを見いだした。即ち、ボンディングの開始
時には、小さな加圧力(加重)、あるいは小さなボンデ
ィングエネルギーで、例えば引っ張り強度2g程度(一
般的には1g以上)の弱いボンディングを行う。これで
キャピラリーの位置が固定される。キャピラリーを固定
した後、加圧力やエネルギーを増加させ、ボンディング
を進行させ、例えば6g程度の引っ張り強度でボンディ
ングする。このようにすればキャピラリーの位置を固定
してボンディングできるので、ショート等のボンディン
グ不良は生じず、また画像素子アレイ2の損傷も防止し
得る。
【0013】実施例での、ボンディング工程を図2に示
す。最初のボンディング(1stボンド)では画像素子
アレイ2にボンディングする。なお電極パッド17への
ボンディングを先にしても良いが、これでは弱い画像素
子アレイ2に無理なボンディングを行うことになり好ま
しくはない。まず予めトーチで先端にボール20を作成
した金,アルミニウム,銅等のリード線16(ここでは
直径20μmの金線)をキャピラリー毎移動させ、個別
電極6の位置をサーチする。キャピラリーが個別電極6
に接触すると、電熱器等を用いて基板8の裏面から加熱
しながらキャピラリーに超音波を加え、キャピラリーに
加えた荷重で、リード線16を熱圧着する。ボンディン
グの終了後にキャピラリーを上昇させ、基板8の配線1
4に設けた電極パッド17に第2回のボンディングを行
う(2ndボンド)。ここで低い荷重あるいは低い超音
波エネルギーでボンディングを開始し、次いで荷重やエ
ネルギーを増加させて、ボンディングする。
【0014】図3に、加重を途中で増すようにしたボン
ディング条件の例を示す。用いたパラメーターを表1に
示す。
【0015】
【表1】                         ボ
ンディングパラメーター              
    1stボンド      2ndボンド   
                         
    レベル1    レベル2超音波印加時間  
    20〜40      12〜17(msec
)                30      
    15  (超音波はレベル1,2共通)加重 
               50〜70     
 50〜30      50〜70(g)     
              60         
 40          60超音波エネルギー  
0.19〜0.27   0.15〜0.23 (W)
                  0.23   
      0.19  (超音波はレベル1,2共通
)基板温度                  17
0±10℃    (共通)* 上段は好ましい範囲を
、下段は最適値を示す。
【0016】このようにするのは、キャピラリーのぶれ
やバウンドを防止できる程度の弱いボンディングを最初
に行い、キャピラリー位置を固定した後に、ワイヤボン
ディングを完了させるためである。発明者はここで、最
初に必要なワイヤボンディング条件が、リード線16の
引っ張り強度換算で1g以上であることを見いだした。 キャピラリー位置の固定のためのボンディングを行うに
は、例えば超音波エネルギーの初期値を小さくしても、
あるいは超音波エネルギーとボンディング加重の双方の
初期値を小さくしても良い。もちろん超音波エネルギー
や加重を、低い初期値から連続的に増加させても良い。 図4に超音波エネルギーを変化させる例を(パラメータ
ーは表2)、 図5の上部に超音波エネルギーとボンデ
ィング加重の双方を変化させる例を(パラメーターは表
3)、下部に超音波エネルギーとボンディング加重を連
続変化させる例を(パラメーターは表4)に示す。発明
者はこれらの条件で、ボンディングの不良率を10pp
m以下に抑えられることを確認した。なお2560個の
受発光素子を用いる画像装置の場合、不良率0.04%
で画像装置の不良率は100%となる。参考のため図1
0の従来例でのパラメーターを表5に示す。
【0017】
【表2】                         ボ
ンディングパラメーター              
    1stボンド      2ndボンド   
                         
    レベル1    レベル2超音波印加時間  
    20〜40       3〜7      
  7〜13(msec)             
   30           5        
  10加重                50〜
70      50〜70(g)         
          60          60(
加重はレベル1,2共通)超音波エネルギー  0.1
9〜0.27   0.10〜0.14   0.15
〜0.23(W)                 
 0.23         0.12       
  0.19基板温度               
   170±10℃    (共通)* 上段は好ま
しい範囲を、下段は最適値を示す。
【0018】
【表3】                         ボ
ンディングパラメーター              
    1stボンド      2ndボンド   
                         
    レベル1    レベル2超音波印加時間  
    20〜40       3〜7      
  7〜13(msec)             
   30           5        
  10加重                50〜
70      30〜50      50〜70(
g)                   60  
        40          60超音波
エネルギー  0.19〜0.27   0.11〜0
.18   0.15〜0.23(W)       
           0.23         0
.15         0.19基板温度     
             170±10℃    (
共通)* 上段は好ましい範囲を、下段は最適値を示す
【0019】
【表4】                         ボ
ンディングパラメーター              
    1stボンド      2ndボンド   
                         
    レベル1    レベル2超音波印加時間  
    20〜40       4〜10     
  7〜13(msec)             
   30           7        
  10加重                50〜
70       0〜60      50〜70(
g)                   60  
                    60超音波
エネルギー  0.19〜0.27      0〜0
.19   0.15〜0.23(W)       
           0.23          
            0.19基板温度     
             170±10℃    (
共通)* 上段は好ましい範囲を、下段は最適値を示す
【0020】
【表5】           ボンディングパラメーター(従来
例)                  1stボン
ド            2ndボンド超音波印加時
間      20〜40             
     10〜20(msec) 加重 (g)            50〜70  
                50〜70超音波エ
ネルギー  0.19〜0.27          
    0.15〜0.23(W) 基板温度                    1
70±10℃    (共通)
【0021】ここでは特
定のボンディングパラメーターを示したが、これらはリ
ード線16の線径や線材、個別電極6や電極パッド17
の種類に依存して変えるべきもので、特に限定するもの
ではない。またボンディングには超音波ボンディングを
用いたが、ボンディングの種類自体は任意である。
【0022】
【発明の効果】この発明では、画像素子アレイの両端領
域にもワイヤボンディングを高信頼度で行えるようにす
る。この結果、画像装置の信頼性や収率を向上させるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例の画像形成装置の要部平面図である。
【図2】実施例の画像形成装置のワイヤボンディングの
工程図である。
【図3】実施例の画像形成装置のワイヤボンディング工
程の動作タイミングを示す図である。
【図4】変形例の画像形成装置のワイヤボンディング工
程の動作タイミングを示す図である。
【図5】変形例の画像形成装置のワイヤボンディング工
程の動作タイミングを示す図である。
【図6】従来例の画像形成装置の要部斜視図である。
【図7】従来例の画像形成装置の要部平面図である。
【図8】従来例の画像形成装置のワイヤボンディング上
の問題点を示す側面図である。
【図9】従来例の画像形成装置のワイヤボンディング上
の問題点を示す図である。
【図10】従来例の画像形成装置のワイヤボンディング
工程の動作タイミングを示す図である。
【符号の説明】
1  共通電極 2  画像素子アレイ 4  受発光面 6  個別電極 8  基板 14  配線 16  リード線 17  電極パッド 18  導電性ペースト 30  絶縁性ペースト

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  表面には多数の受発光面と各受発光面
    に接続した個別電極とを形成し、裏面には共通電極を形
    成した画像素子アレイを、複数個基板上に直線状に搭載
    した画像装置において、画像素子アレイの裏面と基板と
    の間に、画像素子アレイの両端を残して導電性ペースト
    を充填し、画像素子アレイの裏面の両端には絶縁性ペー
    ストを充填したことを特徴とする、画像装置。
JP3093559A 1991-03-30 1991-03-30 画像装置 Pending JPH04303669A (ja)

Priority Applications (1)

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JP3093559A JPH04303669A (ja) 1991-03-30 1991-03-30 画像装置

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JP3093559A JPH04303669A (ja) 1991-03-30 1991-03-30 画像装置

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ID=14085608

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6349948B2 (ja) * 1981-05-07 1988-10-06 Nippon Telegraph & Telephone

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6349948B2 (ja) * 1981-05-07 1988-10-06 Nippon Telegraph & Telephone

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