JPH04303986A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH04303986A JPH04303986A JP9348491A JP9348491A JPH04303986A JP H04303986 A JPH04303986 A JP H04303986A JP 9348491 A JP9348491 A JP 9348491A JP 9348491 A JP9348491 A JP 9348491A JP H04303986 A JPH04303986 A JP H04303986A
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- Japan
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- layer
- cladding layer
- type
- upper cladding
- ridge
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ装置に関
し、特に、ＡｌＧａＡｓ系材料を用いたリッジ導波路型
の短波長半導体レーザ装置において、リッジ形成の制御
性，再現性の高い半導体レーザ装置に関するものである
。
し、特に、ＡｌＧａＡｓ系材料を用いたリッジ導波路型
の短波長半導体レーザ装置において、リッジ形成の制御
性，再現性の高い半導体レーザ装置に関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】図３は一般に行われているＡｌＧａＡｓ
系材料を用いたリッジ導波路型レーザ装置の作製フロー
を示す断面図である。
系材料を用いたリッジ導波路型レーザ装置の作製フロー
を示す断面図である。
【０００３】以下、図３（ａ） 〜（ｄ） に沿って作
製方法を説明する。まず、図３（ａ） に示すように、
表面の面方位が（１００）のｎ型ＧａＡｓ基板１上に、
厚さ１．３μｍのｎ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２Ａｓ下
クラッド層２，厚さ０．０５μｍのＡｌ０．１３Ｇａ０
．８７Ａｓ活性層３，厚さ１．３μｍのｐ型Ａｌ０．４
８Ｇａ０．５２Ａｓ上クラッド層４ａ，厚さ０．２μｍ
のｐ型ＧａＡｓ層５を順次、例えばＭＯＣＶＤ（有機金
属気相成長）法を用いてエピタキシャル成長する（第１
回目のエピタキシャル成長）。次に、例えばＳｉＮやＳ
ｉＯ２ などの誘電体膜６をｐ型ＧａＡｓ層５上にパタ
ーニングし、これをマスクとし、硫酸系エッチャントを
用いたエッチングを適当な時間行うことにより、図３（
ｂ） に示すような逆メサ型のリッジ構造１０ａを形成
する。なお、この台形リッジ構造の底幅Ｗは３〜５μｍ
、また上クラッド層４ａの残し厚ｈは０．２〜０．３μ
ｍとなるようにする。
製方法を説明する。まず、図３（ａ） に示すように、
表面の面方位が（１００）のｎ型ＧａＡｓ基板１上に、
厚さ１．３μｍのｎ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２Ａｓ下
クラッド層２，厚さ０．０５μｍのＡｌ０．１３Ｇａ０
．８７Ａｓ活性層３，厚さ１．３μｍのｐ型Ａｌ０．４
８Ｇａ０．５２Ａｓ上クラッド層４ａ，厚さ０．２μｍ
のｐ型ＧａＡｓ層５を順次、例えばＭＯＣＶＤ（有機金
属気相成長）法を用いてエピタキシャル成長する（第１
回目のエピタキシャル成長）。次に、例えばＳｉＮやＳ
ｉＯ２ などの誘電体膜６をｐ型ＧａＡｓ層５上にパタ
ーニングし、これをマスクとし、硫酸系エッチャントを
用いたエッチングを適当な時間行うことにより、図３（
ｂ） に示すような逆メサ型のリッジ構造１０ａを形成
する。なお、この台形リッジ構造の底幅Ｗは３〜５μｍ
、また上クラッド層４ａの残し厚ｈは０．２〜０．３μ
ｍとなるようにする。
【０００４】引き続き、誘電体膜６を選択成長のマスク
として用い、ＭＯＣＶＤ法を用いた第２回目のエピタキ
シャル成長により図３（ｃ） に示すように、リッジ構
造１０ａを埋め込むようにｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
７を成長した後、誘電体膜６を除去し、第３回目のエピ
タキシャル成長によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を図
３（ｄ） に示すように形成し、リッジ導波路型のレー
ザ装置を得ることができる。
として用い、ＭＯＣＶＤ法を用いた第２回目のエピタキ
シャル成長により図３（ｃ） に示すように、リッジ構
造１０ａを埋め込むようにｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
７を成長した後、誘電体膜６を除去し、第３回目のエピ
タキシャル成長によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を図
３（ｄ） に示すように形成し、リッジ導波路型のレー
ザ装置を得ることができる。
【０００５】次に動作について説明する。このリッジ導
波路型半導体レーザ装置に順方向に電圧を印加すると、
電流はブロック層７により狭窄されて活性層３に注入さ
れ、ここで電子と正孔の発光再結合により光を発生する
。発生した光は、ダブルヘテロ構造による層厚方向の光
閉じ込め効果と、ブロック層７端における光の吸収によ
る幅方向の光閉じ込め効果により、ストライプ状リッジ
に沿って導波され、かつ１対の劈開端面の間で反射増幅
され、レーザ発振に至る。
波路型半導体レーザ装置に順方向に電圧を印加すると、
電流はブロック層７により狭窄されて活性層３に注入さ
れ、ここで電子と正孔の発光再結合により光を発生する
。発生した光は、ダブルヘテロ構造による層厚方向の光
閉じ込め効果と、ブロック層７端における光の吸収によ
る幅方向の光閉じ込め効果により、ストライプ状リッジ
に沿って導波され、かつ１対の劈開端面の間で反射増幅
され、レーザ発振に至る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のＡｌＧａＡｓ系
リッジ導波路型の半導体レーザ装置においては、上述し
たようにリッジ部１０ａの形成を、上クラッド層４ａの
エッチング時間制御のみで行っていたため、上クラッド
層４ａの残し厚の制御が困難で、上クラッド層４ａの残
し厚のばらつきが大きく、リッジ底部の幅Ｗのばらつき
も大きいという問題点があった。
リッジ導波路型の半導体レーザ装置においては、上述し
たようにリッジ部１０ａの形成を、上クラッド層４ａの
エッチング時間制御のみで行っていたため、上クラッド
層４ａの残し厚の制御が困難で、上クラッド層４ａの残
し厚のばらつきが大きく、リッジ底部の幅Ｗのばらつき
も大きいという問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、リッジ導波路形成の制御性が容
易で、再現性の高い、リッジ導波路型の半導体レーザ装
置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、リッジ導波路形成の制御性が容
易で、再現性の高い、リッジ導波路型の半導体レーザ装
置を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ装置は、上クラッド層を、ＡｌＧａＡｓ系材料より
なる第１の上クラッド層とＡｌＧａＩｎＰ系材料よりな
る第２の上クラッド層とからなる２層構造とし、リッジ
導波路は、第１の上クラッド層をエッチングストッパ層
として利用して第２の上クラッド層を選択的にリッジ状
にエッチング加工することより形成したものである。
ーザ装置は、上クラッド層を、ＡｌＧａＡｓ系材料より
なる第１の上クラッド層とＡｌＧａＩｎＰ系材料よりな
る第２の上クラッド層とからなる２層構造とし、リッジ
導波路は、第１の上クラッド層をエッチングストッパ層
として利用して第２の上クラッド層を選択的にリッジ状
にエッチング加工することより形成したものである。
【０００９】
【作用】この発明に係る半導体レーザ装置によれば、上
クラッド層をＡｌＧａＡｓ系材料からなる第１の上クラ
ッド層とＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる第２の上クラッ
ド層の２層構造とし、第２の上クラッド層のみを選択エ
ッチングしてリッジ状に加工したものをリッジ導波路と
したので、リッジ導波路が制御性よくしかも再現性よく
形成される。
クラッド層をＡｌＧａＡｓ系材料からなる第１の上クラ
ッド層とＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる第２の上クラッ
ド層の２層構造とし、第２の上クラッド層のみを選択エ
ッチングしてリッジ状に加工したものをリッジ導波路と
したので、リッジ導波路が制御性よくしかも再現性よく
形成される。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１（ｄ） は本発明の一実施例による半導体レ
ーザ装置の断面構造を、図１（ａ） 〜（ｄ） は該構
造の作製フローを示す断面工程図である。図において、
図３と同一符号は同一または相当部分を示し、４ｂは厚
さ（ｈ＝）０．２〜０．３μｍのｐ型Ａｌ０．４８Ｇａ
０．５２Ａｓからなる第１の上クラッド層、４ｃは厚さ
約１μｍのｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ
０．５ Ｐからなる第２の上クラッド層である。この（
Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ上クラ
ッド層４ｃの組成ｘについては後述する。
する。図１（ｄ） は本発明の一実施例による半導体レ
ーザ装置の断面構造を、図１（ａ） 〜（ｄ） は該構
造の作製フローを示す断面工程図である。図において、
図３と同一符号は同一または相当部分を示し、４ｂは厚
さ（ｈ＝）０．２〜０．３μｍのｐ型Ａｌ０．４８Ｇａ
０．５２Ａｓからなる第１の上クラッド層、４ｃは厚さ
約１μｍのｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ
０．５ Ｐからなる第２の上クラッド層である。この（
Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ上クラ
ッド層４ｃの組成ｘについては後述する。
【００１１】また、１０ｂはｐ型ＧａＡｓ層５及びｐ型
（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ上ク
ラッド層４ｃよりなる逆メサ型のリッジである。
（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ上ク
ラッド層４ｃよりなる逆メサ型のリッジである。
【００１２】次に作製フローを詳細に説明する。まず、
図１（ａ） に示すように、従来例の図３（ａ） と同
様にして、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型Ａｌ０．４８Ｇ
ａ０．５２Ａｓ下クラッド層２，Ａｌ０．１３Ｇａ０．
８７Ａｓ活性層３，ｐ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２Ａｓ
第１上クラッド層４ｂ，ｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）
０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラッド層４ｃ，ｐ型Ｇ
ａＡｓ層５を順次、例えばＭＯＣＶＤ法を用いてエピタ
キシャル成長する（第１回目のエピタキシャル成長）。
図１（ａ） に示すように、従来例の図３（ａ） と同
様にして、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型Ａｌ０．４８Ｇ
ａ０．５２Ａｓ下クラッド層２，Ａｌ０．１３Ｇａ０．
８７Ａｓ活性層３，ｐ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２Ａｓ
第１上クラッド層４ｂ，ｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）
０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラッド層４ｃ，ｐ型Ｇ
ａＡｓ層５を順次、例えばＭＯＣＶＤ法を用いてエピタ
キシャル成長する（第１回目のエピタキシャル成長）。
【００１３】次に図１（ｂ） に示すように、ＳｉＮな
どの誘電体膜６をｐ型ＧａＡｓ層５上にパターニングし
、これをマスクとして用いて、まず、例えば酒石酸，過
酸化水素からなるエッチャントによりｐ型ＧａＡｓ層５
をエッチングする。このエッチャントでは、ｐ型（Ａｌ
ｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラ
ッド層４ｃはエッチングされない。
どの誘電体膜６をｐ型ＧａＡｓ層５上にパターニングし
、これをマスクとして用いて、まず、例えば酒石酸，過
酸化水素からなるエッチャントによりｐ型ＧａＡｓ層５
をエッチングする。このエッチャントでは、ｐ型（Ａｌ
ｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラ
ッド層４ｃはエッチングされない。
【００１４】この後、ｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０
．５ Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラッド層４ｃはエッチン
グするが、ｐ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２Ａｓ第１上ク
ラッド層４ｂはエッチングしないようなエッチャント、
例えば塩酸と水の混合液（室温）を用いてｐ型（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５Ｐ第２上クラッド
層４ｃのみを逆メサ形状にエッチングすることにより、
ｐ型ＧａＡｓ層５及びｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０
．５Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラッド層４ｃよりなる逆メ
サ型のリッジ１０ｂを形成する。
．５ Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラッド層４ｃはエッチン
グするが、ｐ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２Ａｓ第１上ク
ラッド層４ｂはエッチングしないようなエッチャント、
例えば塩酸と水の混合液（室温）を用いてｐ型（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５Ｐ第２上クラッド
層４ｃのみを逆メサ形状にエッチングすることにより、
ｐ型ＧａＡｓ層５及びｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０
．５Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラッド層４ｃよりなる逆メ
サ型のリッジ１０ｂを形成する。
【００１５】この後は、従来例と全く同じ工程、即ち、
誘電体膜６を選択成長マスクとして用い、ＭＯＣＶＤ法
を用いた第２回目のエピタキシャル成長により図１（ｃ
） に示すように、リッジ構造１０ｂを埋め込むように
ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層７を成長した後、誘電体膜
６を除去し、第３回目のエピタキシャル成長によりｐ型
ＧａＡｓコンタクト層８を図１（ｄ） に示すように形
成し、リッジ導波路型の半導体レーザ装置を得る。
誘電体膜６を選択成長マスクとして用い、ＭＯＣＶＤ法
を用いた第２回目のエピタキシャル成長により図１（ｃ
） に示すように、リッジ構造１０ｂを埋め込むように
ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層７を成長した後、誘電体膜
６を除去し、第３回目のエピタキシャル成長によりｐ型
ＧａＡｓコンタクト層８を図１（ｄ） に示すように形
成し、リッジ導波路型の半導体レーザ装置を得る。
【００１６】このように、本実施例におけるリッジ導波
路形成においては、ｐ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２Ａｓ
第１上クラッド層４ｂがｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）
０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラッド層４ｃのエッチ
ング時のエッチングストッパ層として作用するため、第
１上クラッド層４ｂの厚さｈの制御はエピタキシャル成
長時の層厚のみに依存し、エッチングによる影響は全く
受けない。このため、逆メサリッジ１０ｂの底幅Ｗの制
御性が大幅に向上する。
路形成においては、ｐ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２Ａｓ
第１上クラッド層４ｂがｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）
０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラッド層４ｃのエッチ
ング時のエッチングストッパ層として作用するため、第
１上クラッド層４ｂの厚さｈの制御はエピタキシャル成
長時の層厚のみに依存し、エッチングによる影響は全く
受けない。このため、逆メサリッジ１０ｂの底幅Ｗの制
御性が大幅に向上する。
【００１７】次に、ｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．
５Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラッド層の組成ｘについて説
明する。
５Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラッド層の組成ｘについて説
明する。
【００１８】本実施例で説明したＡｌ０．１３Ｇａ０．
８７Ａｓ活性層３のバンドギャップエネルギー，屈折率
を各々Ｅ１ ，ｎ１ 、ｎ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２
Ａｓ下クラッド層２及びｐ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２
Ａｓ第１上クラッド層４ｂのバンドギャップエネルギー
，屈折率を各々Ｅ２ ，ｎ２ 、ｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１
−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラッド層４ｃ
のバンドギャップエネルギー，屈折率を各々Ｅ３ ，ｎ
３ とすると、Ｅ１ ≒１．６ｅＶ，Ｅ２ ≒２ｅＶ，
Ｅ３ ＝１．９（ｘ＝０）〜２．３（ｘ＝１）ｅＶであ
る。
８７Ａｓ活性層３のバンドギャップエネルギー，屈折率
を各々Ｅ１ ，ｎ１ 、ｎ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２
Ａｓ下クラッド層２及びｐ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２
Ａｓ第１上クラッド層４ｂのバンドギャップエネルギー
，屈折率を各々Ｅ２ ，ｎ２ 、ｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１
−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５ Ｐ第２上クラッド層４ｃ
のバンドギャップエネルギー，屈折率を各々Ｅ３ ，ｎ
３ とすると、Ｅ１ ≒１．６ｅＶ，Ｅ２ ≒２ｅＶ，
Ｅ３ ＝１．９（ｘ＝０）〜２．３（ｘ＝１）ｅＶであ
る。
【００１９】また、活性層３の組成における発振波長は
、およそ７８０ｎｍであり、この波長に対し屈折率は各
々ｎ１ ≒３．６，ｎ２ ≒３．４，ｎ３ ＝３．１（
ｘ＝１）〜３．４（ｘ＝０）となる。
、およそ７８０ｎｍであり、この波長に対し屈折率は各
々ｎ１ ≒３．６，ｎ２ ≒３．４，ｎ３ ＝３．１（
ｘ＝１）〜３．４（ｘ＝０）となる。
【００２０】本実施例における２層上クラッド構造では
、ｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５
Ｐ第２上クラッド層４ｃのバンドギャップエネルギーと
屈折率が重要である。即ち、活性層３で発生した光が効
率良く活性層３中に閉じ込められるためには、第２上ク
ラッド層４ｃで光吸収が生じないためにバンドギャップ
エネルギーがＥ３ ＞Ｅ１ であること、また光がクラ
ッド層中に大きくしみ出さないためにｎ１ ＞ｎ２ ≧
ｎ３ である必要がある。７８０ｎｍの発振波長に対し
て、第２上クラッド層４ｃのバンドギャップエネルギー
Ｅ３ ，屈折率ｎ３ は上記の関係を全て満たしている
。従って、ｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ
０．５ Ｐ第２上クラッド層４ｃの組成ｘは、０≦ｘ≦
１の全ての領域で適用可能である。また、現在実用化さ
れている通常のＡｌＧａＡｓ系レーザの発振波長は７８
０〜８３０ｎｍ程度であり、８３０ｎｍの長波長側にお
いても上記のバンドギャップエネルギーと屈折率の関係
を満たすことができる。
、ｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ０．５
Ｐ第２上クラッド層４ｃのバンドギャップエネルギーと
屈折率が重要である。即ち、活性層３で発生した光が効
率良く活性層３中に閉じ込められるためには、第２上ク
ラッド層４ｃで光吸収が生じないためにバンドギャップ
エネルギーがＥ３ ＞Ｅ１ であること、また光がクラ
ッド層中に大きくしみ出さないためにｎ１ ＞ｎ２ ≧
ｎ３ である必要がある。７８０ｎｍの発振波長に対し
て、第２上クラッド層４ｃのバンドギャップエネルギー
Ｅ３ ，屈折率ｎ３ は上記の関係を全て満たしている
。従って、ｐ型（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５ Ｉｎ
０．５ Ｐ第２上クラッド層４ｃの組成ｘは、０≦ｘ≦
１の全ての領域で適用可能である。また、現在実用化さ
れている通常のＡｌＧａＡｓ系レーザの発振波長は７８
０〜８３０ｎｍ程度であり、８３０ｎｍの長波長側にお
いても上記のバンドギャップエネルギーと屈折率の関係
を満たすことができる。
【００２１】図２（ｂ）は図１に示した上記実施例の変
形例による半導体レーザの構造を示す断面図である。こ
れはリッジ導波路の形状が順メサ型１０ｃとなったもの
であり、図１と全く同様の工程で作製することが可能で
ある。図２（ａ） は図１（ｂ） の工程に相当するも
ので順メサリッジ部１０ｃを形成した後の断面図であり
、図２（ｂ） は図１（ｄ） に相当するもので、レー
ザ構造完成後の断面図である。このような本実施例にお
いても上記実施例と全く同様に、制御性よくリッジ形成
を行なうことができる。
形例による半導体レーザの構造を示す断面図である。こ
れはリッジ導波路の形状が順メサ型１０ｃとなったもの
であり、図１と全く同様の工程で作製することが可能で
ある。図２（ａ） は図１（ｂ） の工程に相当するも
ので順メサリッジ部１０ｃを形成した後の断面図であり
、図２（ｂ） は図１（ｄ） に相当するもので、レー
ザ構造完成後の断面図である。このような本実施例にお
いても上記実施例と全く同様に、制御性よくリッジ形成
を行なうことができる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、Ａｌ
ＧａＡｓ系リッジ導波路型の半導体レーザ装置において
、上クラッド層をＡｌＧａＡｓ／ＡｌＧａＩｎＰからな
る２層構造とし、リッジ導波路は、上層のＡｌＧａＡｓ
層のみをリッジ状に選択エッチングすることにより形成
したので、高い制御性で、しかも再現性良くリッジの形
成を行うことができ、これにより、ＡｌＧａＡｓ系の短
波長レーザ装置を高歩留りで実現できるという効果があ
る。
ＧａＡｓ系リッジ導波路型の半導体レーザ装置において
、上クラッド層をＡｌＧａＡｓ／ＡｌＧａＩｎＰからな
る２層構造とし、リッジ導波路は、上層のＡｌＧａＡｓ
層のみをリッジ状に選択エッチングすることにより形成
したので、高い制御性で、しかも再現性良くリッジの形
成を行うことができ、これにより、ＡｌＧａＡｓ系の短
波長レーザ装置を高歩留りで実現できるという効果があ
る。
【図１】この発明の第１の実施例による半導体レーザ装
置及びその作製フローを示す断面図である。
置及びその作製フローを示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施例の変形例による半導体
レーザ装置及びその作製フローの一部を示す断面図であ
る。
レーザ装置及びその作製フローの一部を示す断面図であ
る。
【図３】従来の半導体レーザ装置の作製フローを示す断
面図。
面図。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板
２ ｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層３
ＡｌＧａＡｓ活性層 ４ｂ ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層４ｃ
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層５
ｐ型ＧａＡｓ層 ６ 誘電体膜 ７ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層８
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０ｂ 逆メサリッジ １０ｃ 順メサリッジ
ＡｌＧａＡｓ活性層 ４ｂ ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層４ｃ
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層５
ｐ型ＧａＡｓ層 ６ 誘電体膜 ７ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層８
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０ｂ 逆メサリッジ １０ｃ 順メサリッジ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＡｌＧａＡｓ系材料からなる第１導電
型下クラッド層，活性層，及び第２導電型の第１上クラ
ッド層、及びＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる第２導電型
の第２上クラッド層が順次形成されてなるダブルヘテロ
構造からなり、前記第２導電型の第１上クラッド層をエ
ッチングストッパ層として前記第２導電型の第２上クラ
ッド層のみを選択的にリッジ状にエッチング加工し、リ
ッジ導波路構造を作製してなることを特徴とする半導体
レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9348491A JPH04303986A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9348491A JPH04303986A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04303986A true JPH04303986A (ja) | 1992-10-27 |
Family
ID=14083622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9348491A Pending JPH04303986A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04303986A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0790685A1 (en) * | 1996-02-16 | 1997-08-20 | Lucent Technologies Inc. | Semiconductor laser with low beam divergence |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01138782A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH0349289A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP9348491A patent/JPH04303986A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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