JPH04304372A - 多室構造型真空処理装置 - Google Patents
多室構造型真空処理装置Info
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- JPH04304372A JPH04304372A JP9142891A JP9142891A JPH04304372A JP H04304372 A JPH04304372 A JP H04304372A JP 9142891 A JP9142891 A JP 9142891A JP 9142891 A JP9142891 A JP 9142891A JP H04304372 A JPH04304372 A JP H04304372A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空容器内で基板に対
して処理を行う真空処理装置に関し、特に基板を一枚ず
つ処理する真空処理室を複数個有する多室構造型の真空
処理装置に関する。
して処理を行う真空処理装置に関し、特に基板を一枚ず
つ処理する真空処理室を複数個有する多室構造型の真空
処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体産業をはじめとする数多く
の分野で真空処理装置が用いられている。真空処理装置
には、基板の表面に薄膜を形成するためのスパッタリン
グ装置や、ＣＶＤ装置、また逆に基板表面をエッチング
するためのドライエッチング装置等がある。近年、ＬＳ
Ｉの高集積化による配線の微細化、多層化に伴い、異な
った材質の薄膜を各々異なった条件下で連続形成したり
、あるいはスパッタ，ＣＶＤ，ドライエッチ等の異種の
プロセスを基板を大気に晒すことなく、真空中で連続し
て行いたいという要求が強くなってきた。これらの要求
に対し、独立した排気系を有する真空処理室を複数個備
えた多室構造型の真空処理装置が開発されている。多室
構造型真空処理装置は、マルチチャンバー装置とも呼ば
れ、各室が完全に独立しているために、スパッタ材料、
又は反応生成物等の物質や、プロセスガス等の相互コン
タミネーションが遮断されると共に、各室毎に異なった
条件下で基板処理を行うことができるという利点を有し
ている。処理の順序も任意に選択可能であり、一台の装
置で様々な使い方をすることができる。
の分野で真空処理装置が用いられている。真空処理装置
には、基板の表面に薄膜を形成するためのスパッタリン
グ装置や、ＣＶＤ装置、また逆に基板表面をエッチング
するためのドライエッチング装置等がある。近年、ＬＳ
Ｉの高集積化による配線の微細化、多層化に伴い、異な
った材質の薄膜を各々異なった条件下で連続形成したり
、あるいはスパッタ，ＣＶＤ，ドライエッチ等の異種の
プロセスを基板を大気に晒すことなく、真空中で連続し
て行いたいという要求が強くなってきた。これらの要求
に対し、独立した排気系を有する真空処理室を複数個備
えた多室構造型の真空処理装置が開発されている。多室
構造型真空処理装置は、マルチチャンバー装置とも呼ば
れ、各室が完全に独立しているために、スパッタ材料、
又は反応生成物等の物質や、プロセスガス等の相互コン
タミネーションが遮断されると共に、各室毎に異なった
条件下で基板処理を行うことができるという利点を有し
ている。処理の順序も任意に選択可能であり、一台の装
置で様々な使い方をすることができる。
【０００３】一般に多室構造型の真空処理装置は、図３
Ａに示すように中央に位置する搬送室１の周囲に、基板
が収納された基板収納カセット２を大気状態において出
し入れするためのロードロック室３と、複数個の真空処
理室４ａ，真空処理室４ｂ，真空処理室４ｃ，真空処理
室４ｄとが配設され、各真空処理室４ａ〜４ｄ及びロー
ドロック室３と搬送室１との間を仕切り弁５ａ，５ｂ，
５ｃ，５ｄ，５ｅを介して接続させた構造となっており
、各室はそれぞれ独立した真空ポンプにより排気される
。図３Ａは真空処理室を４室有する例であるが、その数
は用途に応じて変化する。一般に真空処理室を３〜５室
有する場合が多い。搬送室１の内部には、基板６を搬送
するための基板ハンドリングアーム７が備えられており
、基板ハンドリングアーム７が点０を中心とする回転運
動及び伸縮運動を行うことにより、ロードロック室３及
び各真空処理室４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに対して基板６
がアクセスされる。
Ａに示すように中央に位置する搬送室１の周囲に、基板
が収納された基板収納カセット２を大気状態において出
し入れするためのロードロック室３と、複数個の真空処
理室４ａ，真空処理室４ｂ，真空処理室４ｃ，真空処理
室４ｄとが配設され、各真空処理室４ａ〜４ｄ及びロー
ドロック室３と搬送室１との間を仕切り弁５ａ，５ｂ，
５ｃ，５ｄ，５ｅを介して接続させた構造となっており
、各室はそれぞれ独立した真空ポンプにより排気される
。図３Ａは真空処理室を４室有する例であるが、その数
は用途に応じて変化する。一般に真空処理室を３〜５室
有する場合が多い。搬送室１の内部には、基板６を搬送
するための基板ハンドリングアーム７が備えられており
、基板ハンドリングアーム７が点０を中心とする回転運
動及び伸縮運動を行うことにより、ロードロック室３及
び各真空処理室４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに対して基板６
がアクセスされる。
【０００４】一方、各真空処理室４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄの内部には、基板を載せるための基板ステージ８ａ，
８ｂ，８ｃ，８ｄがあり、各基板ステージには、鉛直方
向に直線運動を行う基板リフター１３ａ，１３ｂ，１３
ｃ，１３ｄが内蔵されている。図３Ｂ（ａ）は真空処理
室４ａを示す平面図、図３Ｂ（ｂ）は、真空処理室４ａ
を搬送室１側より見た側面図である。図３Ｂ（ｂ）に示
すように、基板リフター１３ａは基板６を下方より支持
し、また位置ＩとＩＩの間で直線運動を行うことにより
基板ステージ８ａと基板ハンドリングアーム７との間で
基板６の受け渡しをする役目を持つ。真空処理室での処
理終了後、処理済み基板を真空処理室から搬送室へ戻す
動作、及び処理前基板を搬送室から真空処理室へ送りこ
む動作をフローチャートで示したものが図４（ａ），（
ｂ）である。また、真空処理室４ａ→４ｂ→４ｃ→４ｄ
の順序で処理を行う場合の各室における基板搬送状態遷
移を下記の表２に示す。
ｄの内部には、基板を載せるための基板ステージ８ａ，
８ｂ，８ｃ，８ｄがあり、各基板ステージには、鉛直方
向に直線運動を行う基板リフター１３ａ，１３ｂ，１３
ｃ，１３ｄが内蔵されている。図３Ｂ（ａ）は真空処理
室４ａを示す平面図、図３Ｂ（ｂ）は、真空処理室４ａ
を搬送室１側より見た側面図である。図３Ｂ（ｂ）に示
すように、基板リフター１３ａは基板６を下方より支持
し、また位置ＩとＩＩの間で直線運動を行うことにより
基板ステージ８ａと基板ハンドリングアーム７との間で
基板６の受け渡しをする役目を持つ。真空処理室での処
理終了後、処理済み基板を真空処理室から搬送室へ戻す
動作、及び処理前基板を搬送室から真空処理室へ送りこ
む動作をフローチャートで示したものが図４（ａ），（
ｂ）である。また、真空処理室４ａ→４ｂ→４ｃ→４ｄ
の順序で処理を行う場合の各室における基板搬送状態遷
移を下記の表２に示す。
【０００５】表２中の搬送室，真空処理室，ロードロッ
ク室の欄の数字は、１枚目の基板，２枚目の基板，３枚
目の基板というように何枚目の基板であるかを意味し、
また基板ハンドリングアームの動作の欄の数字は、回転
動作については隣接する室への回転、すなわち５÷３６
０＝７２度を１としたときの動作回数を、伸縮動作につ
いては（伸び＋縮み）を１としたときの動作回数を示し
ている。
ク室の欄の数字は、１枚目の基板，２枚目の基板，３枚
目の基板というように何枚目の基板であるかを意味し、
また基板ハンドリングアームの動作の欄の数字は、回転
動作については隣接する室への回転、すなわち５÷３６
０＝７２度を１としたときの動作回数を、伸縮動作につ
いては（伸び＋縮み）を１としたときの動作回数を示し
ている。
【０００６】
【表２】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の多室構
造型真空処理装置では、処理済み基板を真空処理室から
搬送室へ戻す一連の動作において、基板ハンドリングア
ームが伸びの動作をする際、基板ハンドリングアームは
基板を載せていない。一方、処理前基板を真空処理室へ
送り込む一連の動作では、基板ハンドリングアームが縮
みの動作をする際、基板ハンドリングアームは基板を載
せていない。このように基板ハンドリングアームが実際
に基板を載せて搬送するのは、その全体の動作のうちの
約半分であり、このため、非常に搬送の効率が悪く時間
を有していた。図３Ａのように４つの真空処理室を有す
る多室構造型真空処理装置では、真空処理室４ａ→４ｂ
→４ｃ→４ｄの順序で各室毎に６０秒間基板処理を行っ
た場合のスループットは約２０枚／Ｈｒと低い。
造型真空処理装置では、処理済み基板を真空処理室から
搬送室へ戻す一連の動作において、基板ハンドリングア
ームが伸びの動作をする際、基板ハンドリングアームは
基板を載せていない。一方、処理前基板を真空処理室へ
送り込む一連の動作では、基板ハンドリングアームが縮
みの動作をする際、基板ハンドリングアームは基板を載
せていない。このように基板ハンドリングアームが実際
に基板を載せて搬送するのは、その全体の動作のうちの
約半分であり、このため、非常に搬送の効率が悪く時間
を有していた。図３Ａのように４つの真空処理室を有す
る多室構造型真空処理装置では、真空処理室４ａ→４ｂ
→４ｃ→４ｄの順序で各室毎に６０秒間基板処理を行っ
た場合のスループットは約２０枚／Ｈｒと低い。
【０００８】このように従来の多室構造型真空処理装置
は、プロセス面では多くの利点を有している反面、スル
ープットが低くなるという欠点を有していた。
は、プロセス面では多くの利点を有している反面、スル
ープットが低くなるという欠点を有していた。
【０００９】本発明の目的は、各真空処理室に対する基
板ハンドリングアームの１回の往復工程により、処理済
み基板と処理前基板との差替えを行うことを可能とした
多室構造型真空処理装置を提供することにある。
板ハンドリングアームの１回の往復工程により、処理済
み基板と処理前基板との差替えを行うことを可能とした
多室構造型真空処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係る多室構造型真空処理装置においては、基
板を一枚ずつ処理する真空処理室を搬送室の周囲に複数
個配設させた多室構造型真空処理装置であって、前記搬
送室と各真空処理室との間で基板の搬出入を行うための
基板ハンドリングアームに２個の基板受けを備え、各真
空処理室内部に基板を裏面より支持して鉛直方向に移動
させるための基板リフター機構を２組備えたものである
。
、本発明に係る多室構造型真空処理装置においては、基
板を一枚ずつ処理する真空処理室を搬送室の周囲に複数
個配設させた多室構造型真空処理装置であって、前記搬
送室と各真空処理室との間で基板の搬出入を行うための
基板ハンドリングアームに２個の基板受けを備え、各真
空処理室内部に基板を裏面より支持して鉛直方向に移動
させるための基板リフター機構を２組備えたものである
。
【００１１】
【作用】本発明の多室構造型真空処理装置は、搬送室内
に２つの基板受けを有する基板ハンドリングアームを備
え、かつ、各真空処理室内に各々２つの基板リフターを
備えており、以下に示す順序で処理済み基板と処理前基
板との入れ替え動作を行う。まず真空処理室での処理終
了後、処理済み基板は片方の基板リフターによって基板
ステージから持ち上げられた後、処理前基板を載せた基
板ハンドリングアームが真空処理室内へ伸びてくる。こ
の状態で前記処理済み基板が基板ハンドリングアームの
空いている方の基板受けへ載せられ、また処理前基板が
もう一方の基板リフターにより基板受けから持ち上げら
れる。この後、基板ハンドリングアームが搬送室へ縮み
処理前基板を載せた基板リフターが下降することにより
、処理前基板は基板ステージ上に載せられ、処理済み基
板と処理前基板との入れ替えが完了する。
に２つの基板受けを有する基板ハンドリングアームを備
え、かつ、各真空処理室内に各々２つの基板リフターを
備えており、以下に示す順序で処理済み基板と処理前基
板との入れ替え動作を行う。まず真空処理室での処理終
了後、処理済み基板は片方の基板リフターによって基板
ステージから持ち上げられた後、処理前基板を載せた基
板ハンドリングアームが真空処理室内へ伸びてくる。こ
の状態で前記処理済み基板が基板ハンドリングアームの
空いている方の基板受けへ載せられ、また処理前基板が
もう一方の基板リフターにより基板受けから持ち上げら
れる。この後、基板ハンドリングアームが搬送室へ縮み
処理前基板を載せた基板リフターが下降することにより
、処理前基板は基板ステージ上に載せられ、処理済み基
板と処理前基板との入れ替えが完了する。
【００１２】２つの基板リフターは鉛直方向の直線運動
に加えて水平面内での回転運動も行い、互いに衝突する
ことのないよう独立して動作する。
に加えて水平面内での回転運動も行い、互いに衝突する
ことのないよう独立して動作する。
【００１３】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１Ａは、本発明の一実施例の多室構造型真空処理装
置の平面図である。
。図１Ａは、本発明の一実施例の多室構造型真空処理装
置の平面図である。
【００１４】図において、本発明装置は、中央に位置す
る搬送室１の周囲に、基板が収納された基板収納カセッ
ト２を大気状態において出し入れするためのロードロッ
ク室３と、４つの真空処理室４ａ，真空処理室４ｂ，真
空処理室４ｃ，真空処理室４ｄとが配設された構造とな
っている。また、搬送室１と各真空処理室４ａ，４ｂ，
４ｃ，４ｄ及びロードロック室３との間は、仕切り弁５
ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅにより仕切られており、各
々独立した真空ポンプにより排気される。
る搬送室１の周囲に、基板が収納された基板収納カセッ
ト２を大気状態において出し入れするためのロードロッ
ク室３と、４つの真空処理室４ａ，真空処理室４ｂ，真
空処理室４ｃ，真空処理室４ｄとが配設された構造とな
っている。また、搬送室１と各真空処理室４ａ，４ｂ，
４ｃ，４ｄ及びロードロック室３との間は、仕切り弁５
ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅにより仕切られており、各
々独立した真空ポンプにより排気される。
【００１５】搬送室１の内部には、ロードロック室３及
び各真空処理室４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに対して基板６
を一枚ずつ送受するための基板ハンドリングアームが備
えられており、本基板ハンドリングアーム７は点０を中
心とする回転運動並びに伸縮運動を行う。
び各真空処理室４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに対して基板６
を一枚ずつ送受するための基板ハンドリングアームが備
えられており、本基板ハンドリングアーム７は点０を中
心とする回転運動並びに伸縮運動を行う。
【００１６】各真空処理室４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ及び
ロードロック室３の内部には、基板を載せるための基板
ステージ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅがあり、各基板
ステージ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅにはそれぞれ鉛
直方向への直線運動を行う第１の基板リフター９ａ，９
ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅと第２の基板リフター１０ａ，１
０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅとが内蔵されている。
ロードロック室３の内部には、基板を載せるための基板
ステージ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅがあり、各基板
ステージ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅにはそれぞれ鉛
直方向への直線運動を行う第１の基板リフター９ａ，９
ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅと第２の基板リフター１０ａ，１
０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅとが内蔵されている。
【００１７】また、図１Ｂ（ａ）に示すように基板ハン
ドリングアーム７は同時に２枚の基板が載せられるよう
２つの基板受け、上部基板受け１１ａと下部基板受け１
１ｂを備えている。
ドリングアーム７は同時に２枚の基板が載せられるよう
２つの基板受け、上部基板受け１１ａと下部基板受け１
１ｂを備えている。
【００１８】図１Ｂ（ｂ）は真空処理室４ａの平面図、
図１Ｂ（ｃ），図１Ｃ（ｄ）は各々基板処理室４ａを搬
送室１側と搬送室１と直角な方向からみた概略の側面図
である。図示したように第１，第２の基板リフター９ａ
，１０ａは共にＬ型のシャフト９ａ−１，１０ａ−１と
、基板を裏面より支えるための円形のプレート９ａ−２
，１０ａ−２とより構成されており、鉛直方向への直線
運動に加えて直線運動軸を中心とした水平面内の回転運
動も行う。図１（ｅ）に示すように第１，第２の基板リ
フター９ａ，１０ａは共にＩ，ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶ，Ｖ
の５ケ所の高さで停止するよう設定されており、また基
板ステージ８ａには、高さＩの状態における第１，第２
の基板リフター９ａ，１０ａの円形のプレート９ａ−２
，１０ａ−２を収納するための３つの凹部１２ａ−１，
１２ａ−２，１２ａ−３が設けられている。高さＩの状
態では必ず一方の基板リフターが中央の凹部１２ａ−２
に収納されるよう決められている。すなわち、円形プレ
ート９ａ−２が凹部１２ａ−１に、円形プレート１０ａ
−２が凹部１２ａ−２に収納されているか、あるいは円
形プレート９ａ−２が凹部１２ａ−２に円形プレート１
０ａ−２が凹部１２ａ−３に収納されているかのどちら
かである。高さＩ以外の状態、すなわち高さＩＩ，ＩＩ
Ｉ，ＩＶ，Ｖの状態では第１，第２の基板リフター９ａ
，１０ａの円形プレート９ａ−２，１０ａ−２は共に基
板ステージの中心の鉛直線上に位置し、基板を裏面より
支えることが可能となっている。
図１Ｂ（ｃ），図１Ｃ（ｄ）は各々基板処理室４ａを搬
送室１側と搬送室１と直角な方向からみた概略の側面図
である。図示したように第１，第２の基板リフター９ａ
，１０ａは共にＬ型のシャフト９ａ−１，１０ａ−１と
、基板を裏面より支えるための円形のプレート９ａ−２
，１０ａ−２とより構成されており、鉛直方向への直線
運動に加えて直線運動軸を中心とした水平面内の回転運
動も行う。図１（ｅ）に示すように第１，第２の基板リ
フター９ａ，１０ａは共にＩ，ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶ，Ｖ
の５ケ所の高さで停止するよう設定されており、また基
板ステージ８ａには、高さＩの状態における第１，第２
の基板リフター９ａ，１０ａの円形のプレート９ａ−２
，１０ａ−２を収納するための３つの凹部１２ａ−１，
１２ａ−２，１２ａ−３が設けられている。高さＩの状
態では必ず一方の基板リフターが中央の凹部１２ａ−２
に収納されるよう決められている。すなわち、円形プレ
ート９ａ−２が凹部１２ａ−１に、円形プレート１０ａ
−２が凹部１２ａ−２に収納されているか、あるいは円
形プレート９ａ−２が凹部１２ａ−２に円形プレート１
０ａ−２が凹部１２ａ−３に収納されているかのどちら
かである。高さＩ以外の状態、すなわち高さＩＩ，ＩＩ
Ｉ，ＩＶ，Ｖの状態では第１，第２の基板リフター９ａ
，１０ａの円形プレート９ａ−２，１０ａ−２は共に基
板ステージの中心の鉛直線上に位置し、基板を裏面より
支えることが可能となっている。
【００１９】真空処理室での処理終了後の処理済み基板
と処理済み基板の入れ替え動作をフローチャートで示し
たものが図２Ａ，図２Ｂである。図２Ａは処理前基板が
基板ハンドリングアーム７の上部基板受け１１ａに載せ
られている場合であり、図２Ｂは処理前基板が下部基板
受け１１ｂに載せられている場合である。このように、
基板ハンドリングアーム７が各真空処理室４ａ，４ｂ，
４ｃ，４ｄ及びロードロック室３に対して基板の入れ替
え動作を行うたびに、基板は上部基板受け１１ａと下部
基板受け１１ｂに交互に載せられていく。図示されてい
ないが、ロードロック室３には、基板収納カセット２と
基板ステージ８ｅとの間で、基板の受け渡しを行う搬送
機構が備えられている。このようにして、基板搬送が行
われていくため、真空処理室４ａ→４ｂ→４ｃ→４ｄの
順序で処理を行った場合の各室における基板搬送状態遷
移は表１のようになる。
と処理済み基板の入れ替え動作をフローチャートで示し
たものが図２Ａ，図２Ｂである。図２Ａは処理前基板が
基板ハンドリングアーム７の上部基板受け１１ａに載せ
られている場合であり、図２Ｂは処理前基板が下部基板
受け１１ｂに載せられている場合である。このように、
基板ハンドリングアーム７が各真空処理室４ａ，４ｂ，
４ｃ，４ｄ及びロードロック室３に対して基板の入れ替
え動作を行うたびに、基板は上部基板受け１１ａと下部
基板受け１１ｂに交互に載せられていく。図示されてい
ないが、ロードロック室３には、基板収納カセット２と
基板ステージ８ｅとの間で、基板の受け渡しを行う搬送
機構が備えられている。このようにして、基板搬送が行
われていくため、真空処理室４ａ→４ｂ→４ｃ→４ｄの
順序で処理を行った場合の各室における基板搬送状態遷
移は表１のようになる。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の多室構造型
真空処理装置は、搬送室の基板ハンドリングアームに２
つの基板受けを、また各真空処理室内に各々２つの基板
リフターを設け、真空処理室において処理前基板と処理
済み基板とを一度に基板ハンドリングアームに対して受
け渡しするシーケンスにしたので、基板ハンドリングア
ームは伸び及び縮みのいずれの動作の場合も基板を載せ
ており、効率良く搬送を行うことができる。
真空処理装置は、搬送室の基板ハンドリングアームに２
つの基板受けを、また各真空処理室内に各々２つの基板
リフターを設け、真空処理室において処理前基板と処理
済み基板とを一度に基板ハンドリングアームに対して受
け渡しするシーケンスにしたので、基板ハンドリングア
ームは伸び及び縮みのいずれの動作の場合も基板を載せ
ており、効率良く搬送を行うことができる。
【００２２】表１と表２の本発明と、従来の多室構造型
真空処理装置の各室の基板搬送状態遷移において、ロー
ドロック室に処理完了基板が戻ってきてから、次の処理
完了基板が戻ってくるまでを１サイクルとし、この１サ
イクル中での基板ハンドリングアームの動作回数を比較
すると、本発明の多室構造型真空処理装置：回転＝５，
伸び＋縮み＝６従来の多室構造型真空処理装置：回転＝
１５，伸び＋縮み＝１０となり、回転が１／３，伸び＋
縮みが３／５と大幅に動作が低減されているのがわかる
。図１Ａに示した多室構造型の真空処理装置において真
空処理室４ａ→４ｂ→４ｃ→４ｄの順序で各室６０秒間
基板処理を行った場合のスループットは、約３５枚／Ｈ
ｒとなり、従来の約２０枚／Ｈｒに比べて１．７５倍向
上している。このように本発明の多室構造型真空処理装
置は従来大きな欠点とされていた処理能力の低さを大き
く改善することができる。
真空処理装置の各室の基板搬送状態遷移において、ロー
ドロック室に処理完了基板が戻ってきてから、次の処理
完了基板が戻ってくるまでを１サイクルとし、この１サ
イクル中での基板ハンドリングアームの動作回数を比較
すると、本発明の多室構造型真空処理装置：回転＝５，
伸び＋縮み＝６従来の多室構造型真空処理装置：回転＝
１５，伸び＋縮み＝１０となり、回転が１／３，伸び＋
縮みが３／５と大幅に動作が低減されているのがわかる
。図１Ａに示した多室構造型の真空処理装置において真
空処理室４ａ→４ｂ→４ｃ→４ｄの順序で各室６０秒間
基板処理を行った場合のスループットは、約３５枚／Ｈ
ｒとなり、従来の約２０枚／Ｈｒに比べて１．７５倍向
上している。このように本発明の多室構造型真空処理装
置は従来大きな欠点とされていた処理能力の低さを大き
く改善することができる。
【図１Ａ】本発明の実施例１に係る多室構造型真空処理
装置を示す平面図である。
装置を示す平面図である。
【図１Ｂ】（ａ）は搬送室内蔵の基板ハンドリングアー
ムを示す拡大図、（ｂ）は真空処理室の平面図、（ｃ）
は各々真空処理室を搬送室側と搬送室に直角な方向から
見た概略の側面図である。
ムを示す拡大図、（ｂ）は真空処理室の平面図、（ｃ）
は各々真空処理室を搬送室側と搬送室に直角な方向から
見た概略の側面図である。
【図１Ｃ】（ｄ）は各々真空処理室を搬送室側と搬送室
に直角な方向から見た概略の側面図、（ｅ）は真空処理
室内の基板リフターの高さを示すための説明図である。
に直角な方向から見た概略の側面図、（ｅ）は真空処理
室内の基板リフターの高さを示すための説明図である。
【図２Ａ】真空処理室での処理終了後の処理済み基板と
処理前基板の入れ替え動作のフローチャートである。
処理前基板の入れ替え動作のフローチャートである。
【図２Ｂ】真空処理室での処理終了後の処理済み基板と
処理前基板の入れ替え動作のフローチャートである。
処理前基板の入れ替え動作のフローチャートである。
【図３Ａ】従来の多室構造型真空処理装置の平面図であ
る。
る。
【図３Ｂ】（ａ）は真空処理室の平面図、（ｂ）は真空
処理室を搬送室側より見た側面図である。
処理室を搬送室側より見た側面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は各々処理済み基板を真空処理
室から搬送室へ戻す動作、及び処理前基板を搬送室から
真空処理室へ送り込む動作のフローチャートである。
室から搬送室へ戻す動作、及び処理前基板を搬送室から
真空処理室へ送り込む動作のフローチャートである。
１ 搬送室
２ 基板収納カセット
３ ロードロック室
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ 真空処理室５ａ，５ｂ，５
ｃ，５ｄ，５ｅ 仕切り弁６ 基板 ７ 基板ハンドリングアーム ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ 基板ステージ９ａ，
９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ 第１の基板リフター９ａ−
１ 第１の基板リフターのＬ型シャフト９ａ−２
第１の基板リフターの円形プレート１０ａ，１０ｂ，１
０ｃ，１０ｄ，１０ｅ 第２の基板リフター １０ａ−１ 第２の基板リフターのＬ型シャフト１０
ａ−２ 第２の基板リフターの円形プレート１１ａ
上部基板受け １１ｂ 下部基板受け １２ａ，１２ｂ，１２ｃ 凹部
ｃ，５ｄ，５ｅ 仕切り弁６ 基板 ７ 基板ハンドリングアーム ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ 基板ステージ９ａ，
９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ 第１の基板リフター９ａ−
１ 第１の基板リフターのＬ型シャフト９ａ−２
第１の基板リフターの円形プレート１０ａ，１０ｂ，１
０ｃ，１０ｄ，１０ｅ 第２の基板リフター １０ａ−１ 第２の基板リフターのＬ型シャフト１０
ａ−２ 第２の基板リフターの円形プレート１１ａ
上部基板受け １１ｂ 下部基板受け １２ａ，１２ｂ，１２ｃ 凹部
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を一枚ずつ処理する真空処理室を
搬送室の周囲に複数個配設させた多室構造型真空処理装
置であって、前記搬送室と各真空処理室との間で基板の
搬出入を行うための基板ハンドリングアームに２個の基
板受けを備え、各真空処理室内部に基板を裏面より支持
して鉛直方向に移動させるための基板リフター機構を２
組備えたことを特徴とする多室構造型真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9142891A JPH04304372A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 多室構造型真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9142891A JPH04304372A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 多室構造型真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04304372A true JPH04304372A (ja) | 1992-10-27 |
Family
ID=14026107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9142891A Pending JPH04304372A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 多室構造型真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04304372A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06336308A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板交換方法および基板交換装置 |
| EP0793262A3 (en) * | 1996-02-28 | 2001-08-16 | Applied Materials, Inc. | Multiple independent robot assembly and apparatus for processing and transferring semiconductor wafers |
| KR20020071393A (ko) * | 2001-03-06 | 2002-09-12 | 주식회사 아이피에스 | 자동연속 웨이퍼가공시스템 및 그를 이용한 웨이퍼가공방법 |
| KR100772773B1 (ko) * | 2002-10-16 | 2007-11-01 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 세탁 건조기 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP9142891A patent/JPH04304372A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06336308A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板交換方法および基板交換装置 |
| EP0793262A3 (en) * | 1996-02-28 | 2001-08-16 | Applied Materials, Inc. | Multiple independent robot assembly and apparatus for processing and transferring semiconductor wafers |
| KR20020071393A (ko) * | 2001-03-06 | 2002-09-12 | 주식회사 아이피에스 | 자동연속 웨이퍼가공시스템 및 그를 이용한 웨이퍼가공방법 |
| KR100772773B1 (ko) * | 2002-10-16 | 2007-11-01 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 세탁 건조기 |
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