JPH04304676A - 画像表示装置 - Google Patents
画像表示装置Info
- Publication number
- JPH04304676A JPH04304676A JP3068266A JP6826691A JPH04304676A JP H04304676 A JPH04304676 A JP H04304676A JP 3068266 A JP3068266 A JP 3068266A JP 6826691 A JP6826691 A JP 6826691A JP H04304676 A JPH04304676 A JP H04304676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display device
- image display
- film
- pixel
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビデオテープレコーダ（
ＶＴＲ）のビューファインダ、投影型テレビ画像表示装
置（プロジェクションＴＶ）または小型テレビ受像機な
どに用いる画像表示装置に関する。
ＶＴＲ）のビューファインダ、投影型テレビ画像表示装
置（プロジェクションＴＶ）または小型テレビ受像機な
どに用いる画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶を用いたアクティブマトリッ
クス方式の画像表示装置を小型に、かつ低コストで製造
するために、周辺駆動回路の内蔵化が行われている。以
下に従来の画像表示装置について説明する。
クス方式の画像表示装置を小型に、かつ低コストで製造
するために、周辺駆動回路の内蔵化が行われている。以
下に従来の画像表示装置について説明する。
【０００３】図２は一般の画像表示装置の平面構成図で
ある。画像表示装置は周辺駆動回路領域１と画素領域２
で構成される。周辺駆動回路領域１には水平駆動回路２
３と垂直駆動回路２４が形成されている。画素領域２に
は信号線２５、ゲート線２６、薄膜トランジスタ２７お
よび画素電極２８が形成されている。
ある。画像表示装置は周辺駆動回路領域１と画素領域２
で構成される。周辺駆動回路領域１には水平駆動回路２
３と垂直駆動回路２４が形成されている。画素領域２に
は信号線２５、ゲート線２６、薄膜トランジスタ２７お
よび画素電極２８が形成されている。
【０００４】以上のように構成された画像表示装置につ
いて、以下その動作について説明する。水平駆動回路２
３と垂直駆動回路２４により、マトリックス状に配置さ
れた画素電極２８に接続された薄膜トランジスタ２７が
選択される。そして信号線２５、薄膜トランジスタ２７
を通して各画素電極２８に画像信号が入力される。前記
画像信号により液晶を駆動し光の透過率を調整し画像を
作り出す。
いて、以下その動作について説明する。水平駆動回路２
３と垂直駆動回路２４により、マトリックス状に配置さ
れた画素電極２８に接続された薄膜トランジスタ２７が
選択される。そして信号線２５、薄膜トランジスタ２７
を通して各画素電極２８に画像信号が入力される。前記
画像信号により液晶を駆動し光の透過率を調整し画像を
作り出す。
【０００５】図３は従来の画像表示装置の断面構成図で
ある。石英基板などの絶縁基体３の上に薄膜トランジス
タ２７の能動層４ａとなるポリシリコン薄膜４と、画素
領域２には能動層４ａと同じポリシリコン薄膜４からな
る画素電極２８が形成されている。ポリシリコン薄膜４
の上にはゲート酸化膜５、ゲート電極６および厚さ９０
ｎｍの層間絶縁膜７が形成されている。さらにその上に
は、層間絶縁膜７に開けられた穴を通してポリシリコン
薄膜４に接続されたアルミ配線８が形成されている。こ
のアルミ配線８の上には表面保護膜として窒化膜１５が
厚さ８００ｎｍで形成されている。この窒化膜１５の上
には画像表示装置の表面の凹凸を平坦化するためにＳＯ
Ｇ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）膜からなる平坦化膜
１１が厚さ３００ｎｍで形成されている。
ある。石英基板などの絶縁基体３の上に薄膜トランジス
タ２７の能動層４ａとなるポリシリコン薄膜４と、画素
領域２には能動層４ａと同じポリシリコン薄膜４からな
る画素電極２８が形成されている。ポリシリコン薄膜４
の上にはゲート酸化膜５、ゲート電極６および厚さ９０
ｎｍの層間絶縁膜７が形成されている。さらにその上に
は、層間絶縁膜７に開けられた穴を通してポリシリコン
薄膜４に接続されたアルミ配線８が形成されている。こ
のアルミ配線８の上には表面保護膜として窒化膜１５が
厚さ８００ｎｍで形成されている。この窒化膜１５の上
には画像表示装置の表面の凹凸を平坦化するためにＳＯ
Ｇ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）膜からなる平坦化膜
１１が厚さ３００ｎｍで形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、画素電極２８の上に、厚さ９００ｎｍの
層間絶縁膜７、厚さ８００ｎｍの窒化膜１５および厚さ
３００ｎｍのＳＯＧ膜からなる平坦化膜１１が積層され
ている。そのために、画素電極２８に入力された画像信
号は上記の３層の膜に印加されることになり、その結果
画像信号による液晶の駆動能力が減少し、コントラスト
が悪く、画質が低下するという課題を有していた。
来の構成では、画素電極２８の上に、厚さ９００ｎｍの
層間絶縁膜７、厚さ８００ｎｍの窒化膜１５および厚さ
３００ｎｍのＳＯＧ膜からなる平坦化膜１１が積層され
ている。そのために、画素電極２８に入力された画像信
号は上記の３層の膜に印加されることになり、その結果
画像信号による液晶の駆動能力が減少し、コントラスト
が悪く、画質が低下するという課題を有していた。
【０００７】本発明は上記の従来の課題を解決するもの
で、液晶駆動能力の高い画像表示装置を提供することを
目的とする。
で、液晶駆動能力の高い画像表示装置を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の画像表示装置は、絶縁基体の上に、薄膜トラ
ンジスタと、この薄膜トランジスタの能動層を延長して
形成した画素電極とが二次元マトリクス状に配列された
画素領域と、画素電極に信号を送るための周辺駆動回路
を有し、画素領域および周辺駆動回路領域が形成された
絶縁基体の上に酸化膜が形成され、さらに周辺駆動回路
領域の上にのみ窒化膜が積層された構成を有している。
に本発明の画像表示装置は、絶縁基体の上に、薄膜トラ
ンジスタと、この薄膜トランジスタの能動層を延長して
形成した画素電極とが二次元マトリクス状に配列された
画素領域と、画素電極に信号を送るための周辺駆動回路
を有し、画素領域および周辺駆動回路領域が形成された
絶縁基体の上に酸化膜が形成され、さらに周辺駆動回路
領域の上にのみ窒化膜が積層された構成を有している。
【０００９】
【作用】この構成によって、周辺駆動回路領域は十分に
保護しながらも画素電極の上の実効誘電体膜厚を減少さ
せ、従来よりも画像信号が有効に液晶に印加されること
になり、その結果画質が向上する。
保護しながらも画素電極の上の実効誘電体膜厚を減少さ
せ、従来よりも画像信号が有効に液晶に印加されること
になり、その結果画質が向上する。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例における画像表示
装置の断面構成図であり、周辺駆動回路領域と画素領域
の断面構造を示す。図１に示すように、１は周辺駆動回
路領域、２は画素領域、３は石英基板等の絶縁基体であ
り、この絶縁基体３の上には薄膜トランジスタ１３の能
動層４ａとなるポリシリコン薄膜４と、このポリシリコ
ン薄膜４が延長された画素電極１２が形成されている。 ポリシリコン薄膜４の上にはゲート酸化膜５、ゲート電
極６および厚さ９０ｎｍの層間絶縁膜７が形成されてい
る。さらにこの上には、層間絶縁膜７に開けられた穴を
通してポリシリコン薄膜４に接続されるアルミ配線８が
形成されている。このアルミ配線８の上には表面保護膜
として厚さ３００ｎｍの酸化膜９が形成されている。酸
化膜９の上には、周辺駆動回路領域１の上にのみ厚さ５
００ｎｍの窒化膜１０が形成されている。また、画素領
域２の酸化膜９の上および周辺駆動回路領域１の上の窒
化膜１０の上には平坦化のためにＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏ
ｎ−Ｇｌａｓｓ）膜からなる平坦化膜１１が厚さ３００
ｎｍで形成されている。
装置の断面構成図であり、周辺駆動回路領域と画素領域
の断面構造を示す。図１に示すように、１は周辺駆動回
路領域、２は画素領域、３は石英基板等の絶縁基体であ
り、この絶縁基体３の上には薄膜トランジスタ１３の能
動層４ａとなるポリシリコン薄膜４と、このポリシリコ
ン薄膜４が延長された画素電極１２が形成されている。 ポリシリコン薄膜４の上にはゲート酸化膜５、ゲート電
極６および厚さ９０ｎｍの層間絶縁膜７が形成されてい
る。さらにこの上には、層間絶縁膜７に開けられた穴を
通してポリシリコン薄膜４に接続されるアルミ配線８が
形成されている。このアルミ配線８の上には表面保護膜
として厚さ３００ｎｍの酸化膜９が形成されている。酸
化膜９の上には、周辺駆動回路領域１の上にのみ厚さ５
００ｎｍの窒化膜１０が形成されている。また、画素領
域２の酸化膜９の上および周辺駆動回路領域１の上の窒
化膜１０の上には平坦化のためにＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏ
ｎ−Ｇｌａｓｓ）膜からなる平坦化膜１１が厚さ３００
ｎｍで形成されている。
【００１２】以上のように構成された画像表示装置の動
作については、図２に示す一般の画像表示装置と同じで
あるが、本実施例の構成では、画素電極１２の上の実効
誘電体膜厚が従来より減少しているため液晶の駆動効率
が改善され、画質が向上する。また薄膜トランジスタ１
３の信頼性は、周辺駆動回路領域１においては窒化膜１
０により保証されており、画素領域２においては液晶が
密着しているので十分に保証されている。
作については、図２に示す一般の画像表示装置と同じで
あるが、本実施例の構成では、画素電極１２の上の実効
誘電体膜厚が従来より減少しているため液晶の駆動効率
が改善され、画質が向上する。また薄膜トランジスタ１
３の信頼性は、周辺駆動回路領域１においては窒化膜１
０により保証されており、画素領域２においては液晶が
密着しているので十分に保証されている。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、画素領域の上の
み表面保護膜である窒化膜を取り除き、画素電極の上の
実効誘電体膜厚を減少させ、従来よりも画像信号が有効
に液晶に印加される構造とすることにより、画質が良好
な優れた画像表示装置を実現できるものである。
み表面保護膜である窒化膜を取り除き、画素電極の上の
実効誘電体膜厚を減少させ、従来よりも画像信号が有効
に液晶に印加される構造とすることにより、画質が良好
な優れた画像表示装置を実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例における画像表示装置の断面
構成図
構成図
【図２】一般の画像表示装置の平面構成図
【図３】従来
の画像表示装置の断面構成図
の画像表示装置の断面構成図
１ 周辺駆動回路領域
２ 画素領域
３ 絶縁基体
４ａ 能動層
９ 酸化膜
１０ 窒化膜
１２ 画素電極
１３ 薄膜トランジスタ
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基体の上に、薄膜トランジスタと前記
薄膜トランジスタの能動層を延長して形成した画素電極
とが二次元マトリクス状に配列された画素領域と、前記
薄膜トランジスタを駆動して画素電極に信号を送るため
の駆動回路が形成された周辺駆動回路領域を有し、画素
領域および周辺駆動回路領域が形成された絶縁基体の上
に酸化膜が形成され、さらに周辺駆動回路領域の上にの
み窒化膜が積層されてなる画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6826691A JP2848419B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6826691A JP2848419B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 画像表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04304676A true JPH04304676A (ja) | 1992-10-28 |
| JP2848419B2 JP2848419B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=13368778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6826691A Expired - Fee Related JP2848419B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2848419B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7564057B1 (en) | 1992-03-17 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an aluminum nitride film |
-
1991
- 1991-04-01 JP JP6826691A patent/JP2848419B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7564057B1 (en) | 1992-03-17 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an aluminum nitride film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2848419B2 (ja) | 1999-01-20 |
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