JPH04305965A - マルチチップモジュール及びその製造方法 - Google Patents

マルチチップモジュール及びその製造方法

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JPH04305965A
JPH04305965A JP3069738A JP6973891A JPH04305965A JP H04305965 A JPH04305965 A JP H04305965A JP 3069738 A JP3069738 A JP 3069738A JP 6973891 A JP6973891 A JP 6973891A JP H04305965 A JPH04305965 A JP H04305965A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
cooling
fins
chip module
water
Prior art date
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Pending
Application number
JP3069738A
Other languages
English (en)
Inventor
Kuninori Imai
今井 邦典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH04305965A publication Critical patent/JPH04305965A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/877Bump connectors and die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マルチチップモジュー
ル、特に大集積回路チップを使用したマルチチップモジ
ュールからの発生熱を効果的に取り去るための、冷却構
造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】大型電子計算機に使用するマルチチップ
モジュールは、一枚の配線基板上に複数の集積回路を実
装した構造から成り、そのチップからの発生熱を除去す
る冷却技術は、電子計算機の性能を左右するため、極め
て重要である。冷却方式としては、従来の空冷方式から
、近年は水冷方式に移行しつつあり、いくつかの提案が
なされている。その一例として、特開昭59−2004
95においては、図5に示すように、チップ2の上面に
個々に冷却構造体101を取り付け、冷却構造体同志を
ベローズのような可撓性を有するパイプ102を用いて
接続する方式を採用していた。この方式によれば、冷却
性能が極めて優れていることが実証されている。しかし
、この方式に基づいてモジュールを組立てようとした場
合、構造が複雑なため非常に煩雑な組立て工数を要し、
信頼性良く冷却構造体を完成させるには、非常に高度な
技術を必要としていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、組立
性に優れ、かつ冷却性能にも優れた冷却構造体を提供す
ることにある。特に、組立を難しくする最も大きな要因
となっていたベローズを省略し、構造を簡略化すること
を目的とする。更に、本発明の他の目的は、製造技術上
避けられない各チップ間の高さのばらつきによって冷却
効率が左右されない冷却構造を提供することにある。ま
た、更に他の目的は、集積回路チップが故障した場合な
どに、容易にチップを交換できるマルチチップモジュー
ルを提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、可撓性を有する境界板上に、冷却しよ
うとする個々のチップに対応する位置にフィンを配列し
、この境界板をチップに接触させた状態で、フィンに冷
媒(冷却水等)を強制的に流して冷却することを特徴と
する。
【0005】
【作用】このような構造に冷媒を流した場合、境界板は
可撓性を有するため、冷媒の圧力によっていチップに押
しつけられ、個々のチップが配列誤差により多少高さが
ばらついたり傾いていても、それにならって接触し、チ
ップからの発熱は境界板からフィンを通って冷媒に伝え
られる。
【0006】この構造において、フィンがなくてもある
程度の冷却性能はあるが、冷却性能を高めるためにはフ
ィンを設けて伝熱面積を増すことが極めて有効である。 また、熱の伝導効率を上げるためには、熱が伝導する経
路の熱抵抗をできるだけ小さくすることが重要である。 このために、フィンや境界板には熱伝導率の大きな素材
を用い、両者の間は半田付け又はろう付け等、熱伝導率
が大きな金属で接続する。また、チップと境界板の間は
、接触させる方式であるが、これの熱抵抗を小さくする
ためには、ヘリウムのような高熱伝導性気体を充填する
。又は熱伝導グリース等を塗布する等が効果的である。
【0007】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
する。
【0008】図1は、本発明の一実施例である。基板1
の上に、10mm2のチップ2がCCB(Contro
lled  CollapseBonding)法によ
り4行×4列配列された場合を示しており、モジュール
の構造を、一部を断面により表している。
【0009】境界板4の上には、冷却しようとするチッ
プの反対側の面上に、個々のチップに対応してフィン5
が4行×4列配列されている。ここで、境界板4には厚
さが0.2mmの銅板を、またフィン5には、銅のブロ
ックを切削して、5のような形状のフィン(各フィンの
厚さが0.2mm、間隔0.2mm、高さ2mmであり
、10mm2×0.5mm(t)の底板上に一体で成形
されたもの)をそれぞれ使用し、両者は銀ろう付けによ
り接合されている。
【0010】一方、境界板のチップに接触する側の面に
は、絶縁板6を接合した。これは、チップの裏面が零電
位の場合には不必要であるが、本実施例では零電位では
なかったため、境界板4によって全てのチップが電気的
に導通することを防止する目的で設けたものである。こ
の絶縁板には、熱伝導率が大きく電気絶縁性が大きな材
料が好適であり、SiC(ヒタセラムSC−101:登
録商標)のようなセラミクスも好適である。しかし今回
は、高熱伝導性AlNセラミクスの板(10×10×0
.3mm)の片面にTi−Ni−Auの蒸着を施し、高
融点半田(Au−Sn−融点280℃)を用いて境界板
に接合した。(半田は上記に限られず、この後の工程で
使用する半田よりも融点が高いものならば適宜選択可能
。また、絶縁板の厚さは、薄いほど熱抵抗は小さくなる
が、接合時の作業性も考慮すれば0.2〜0.5mmが
好適である。)上記のように準備した境界板を、図1に
示したようにハット7に接合した。ハット7には、一対
の給・排水口72、またフィンに冷媒を流通させるため
に隔壁71が設けられている。基板1と熱膨張率が近い
コバールで製作し、金めっきを施した。このハットに境
界板を接合する場合、フィン5を隔壁71で形成される
溝(図3における冷媒通路76)に挿入した状態で、フ
ランジ部75の下面751を半田で気密封止した。なお
、これと同時に境界板4の反対面に、ハット7と同じ材
質(コバールに金めっき)で製作したスペーサ73(四
角い断面の額縁状)をも半田で気密封止した。 この場合の半田には、絶縁板6を接合したものより融点
が低いもの(Sn−Ag−融点221℃)を使用し、真
空炉内で一括リフローした。なお、ハットのフランジ部
に設けた溝74は、半田リフロー時に、フランジ部の熱
容量を小さくし、また半田の接続範囲を明確にする目的
で設けたものである。
【0011】リフロー後の接続面751は、ハットに冷
媒を流したときに漏れてはならず、気密封止することが
必要である。また、反対側のスペーサとの接合面731
も、Heを封入することを考慮すれば、気密封止が必要
である。
【0012】このように準備した冷却構造体を基板の上
に載せれば、外観的には一応完成である。ここで、スペ
ーサ73と基板1との境界面10の接続方法には、チッ
プ2と絶縁板6との間の熱的接触方法によって二つの方
法が可能である。すなわち、チップ2と絶縁板6との間
が、単純な接触、又は熱伝導性グリースを塗った状態で
接触させる場合には、境界面10は必ずしも気密封止を
必要とせず、単純なねじ止め構造、又はOリングを介し
てねじ止めする構造などが可能である。この場合には、
組立て後チップに電気的に不具合が認められた場合には
、その交換は極めて容易である。
【0013】一方、チップ2と絶縁板6との接触面にH
eを封入する場合には、境界面10を気密封止すること
が必要である。この方法として、これまで使用してきた
半田よりも融点が低い半田(例えば、Pb−Sn半田−
融点183℃)を用いて、リフローする方法が好適であ
る。
【0014】上記のような二つの方法に関し、本実施例
では、二つを併用した。すなわち、スペーサ73の境界
面10には、その中心線に沿ってOリング8をはめるた
めの溝を一周させて設け、電気回路の調整段階ではOリ
ングを用いて冷却しながら回路調整を行い、調整が終了
した段階で気密封止して、Heを封入した。Heの封入
は、スペーサ73の1箇所に図2に示すように、パイプ
9を接続しておき、このパイプから真空排気したのちH
eを送給し、最後にパイプ9を封止切りをした。
【0015】このように組立てた冷却構造体の冷却機能
について説明する。すなわち、一対の吸・排水口72を
通じて、冷媒として冷却水を流した場合、その水圧によ
って図3に示すように境界板4がたわみ、チップ2の姿
勢に応じて接触し、この結果高熱伝導性が保証されるも
のである。この機能を十分に発揮させるには、次の2点
に留意することが必要である。
【0016】(1) 冷媒通路76の寸法に、フィン5
が回転するための余裕を持たせること:境界板のたわみ
性を利用するには、フィン5がハットの隔壁71に接触
して回転が妨げられてはならない。したがってい、通路
の寸法は、フィン5より大きいことが必要であり、その
間隙は、10mm2のチップで片側が0.2〜0.5m
m程度が適当であった。(この間隙が大き過ぎると、隣
の通路との水の流れが多くなり、どれか一つのフィンに
ゴミがつまるなどの異常が生じた場合には、そのフィン
を避けて水が流れるようになる結果、冷却性能にばらつ
きが生じ易くなる。) (2) 水圧を適度に調整すること:境界板4をたわま
せてチップ2に接触させる力は、水圧によって生ずる。 冷却水を流し始めたときに、水圧を徐々に増してゆくと
、冷却性能は水圧と共に急激に増すが、ある圧力を過ぎ
ると次第に冷却性能は変化しなくなる。これは、チップ
2と絶縁板6との接触がほぼ十分に行われたあとは、圧
力を増しても殆んど冷却性能が変化しなくなるためであ
る。 また、圧力を増し過ぎると、チップ2と基板1とを接続
している半田バンプ3が破損し易くなる。したがって、
圧力は適度な値(本実施例の場合、1〜2気圧程度)に
保たなければならない。
【0017】なお、本実施例では、境界板4に銅板を使
用した。この材質としては、冷媒によって腐食しないこ
と、また、ハット7と熱膨張係数ができるだけ近く、熱
伝導率ができるだけ大きいものが望ましい。このような
観点からすれば、境界板4の材質として、Ti,Ni,
Pt,Mo,Agなども適用可能である。なお、フィン
の材質も上記材質に応じて線膨張係数が同等で、熱伝導
率の大きなものが良い。その意味からは、フィンを高熱
伝導性セラミックス(AlN,ヒタセラム等)で製作す
ることも有効である。ただし、AlNの場合には水と接
触することによって化学的に溶解し始める。これを防ぐ
ためには、AlN製フィンに耐水性を増すための表面処
理、例えば、■表面を酸化させて、表面にAl2O3を
形成させる。
【0018】■耐水性を有する物質を蒸着等で被着させ
る(Ptなどの金属をイオンプレーティング、またパリ
レン(商標名)によるガラスの被着、など)が有効であ
る。また、境界板4の形状として、上記実施例では平板
を使用した。しかし、その形状として、図4に示すよう
に、フィンを接合する周囲にベローズ41を成形するこ
とも有効である。すなわち、このように成形された境界
板を使用すれば、上下方向のたわみ性が増し、図3に示
したようなチップ2への接触が得られ易くなり、更に効
果的である。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、前述の公知例に開示さ
れているような複雑な構造を採用することなく、優れた
冷却性能を得ることができる。具体的に言えば、■個々
のチップ毎に独立した冷却部材を用いる必要がなく、ベ
ローズや冷却部材を省略することができる。■ベローズ
等の細い径の管路を冷媒が通る必要がないことから、冷
媒の流路抵抗が大幅に軽減される。■構造が簡単で組立
て易くなる分、組立ての信頼性が増し、熱抵抗の場所に
よるばらつきが小さくなる。などの利点がある。冷却性
能については、前述の公知例の場合にはチップ2の裏面
に冷却部材を半田付けしていたことから、チップから冷
却部材への熱抵抗は、本発明の方が大きくなり、この部
分での熱抵抗は30〜50%程度増大する。しかし、冷
却構造全体としては、公知例が1℃/Wであったのが1
.2℃/W程度の熱抵抗であり、40W程度の冷却は可
能である。
【0020】なお、本発明によれば、モジュールの厚さ
が小さくできることも大きな利点である。すなわち、大
型計算機のように大規模な電子回路を必要とする場合に
は、図1のようなモジュールを何枚も重ねて使用するこ
とが多く、そのためには一つのモジュールの厚さが薄い
ほど、小型で高性能な機能を得ることが可能である。こ
の観点から、図1に示した吸・排水口は、必ずしもモジ
ュールの上面にある必要はなく、側面に設ける等、適宜
選択が可能である。また、上記実施例では、冷却水を4
本の通路76を平行に流通させる方法について述べたが
、これは必須条件ではなく、1本の通路を流通させたの
ち隣の通路に移行させるなどの方法も考えられる。
【0021】なお、電子計算機の水冷のために、フィン
を使用する水冷却方式は多数の出願例がある(例えば、
出願No.p63−156760(公開No.p02−
007456))。これらの方式においては、チップの
裏面にフィンを配列はするものの、これに強制的に水を
通水させる方式は採用していない。冷却性能を高めるた
めには、フィンに水をふり注ぐだけではなく、フィンの
中を水が通過せざるを得ないような構造を採用すること
が極めて重要である。本発明では、そのための実用的な
手法、すなわち組立性が良く、しかも冷却性能も高い手
法を提示している。したがって、本発明を電子計算機等
、大規模の高速電子回路を必要とする機器に適用すれば
、その性能向上に大きな効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基本的構造の1実施例を示す斜視図で
ある。
【図2】気密封止法を示す説明図である。
【図3】本発明によるチップへの接触状況を示す説明図
である。
【図4】境界板にベローズを成形した構造の説明図であ
る。
【図5】従来の構造を説明するための図である。
【符号の説明】
1…基板、 2…チップ、 3…半田バンプ、 4…境界板、 5…フィン、 6…絶縁板、 7…ハット、 8…Oリング、 9…封止管。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数個の半導体チップを塔載したマルチチ
    ップモジュールにおいて、該半導体チップに接触する金
    属板を設け、該金属板の半導体チップとの反対側の面上
    の相対する位置に冷却フィンを接合し、該冷却フィンに
    強制的に冷媒を流すことを特徴とするマルチチップモジ
    ュール。
  2. 【請求項2】請求項1において、該半導体チップと該金
    属板との間に絶縁板を介在させたことを特徴とするマル
    チチップモジュール。
  3. 【請求項3】請求項1又は2において、該半導体チップ
    又は該絶縁板と該金属板との間に熱伝導性グリースを介
    在させることを特徴とするマルチチップモジュール。
  4. 【請求項4】請求項1又は2において、該半導体チップ
    を気密封止したのち、高熱伝導性気体を封入することを
    特徴とするマルチチップモジュール。
  5. 【請求項5】請求項1又は2において、該マルチチップ
    モジュールの電子回路の調整段階においては該半導体チ
    ップ上に熱伝導性グリースを塗布した冷却構造を、また
    電子回路の調整を完了した段階においては該半導体チッ
    プを気密封止し、高熱伝導性気体を封入することを特徴
    とするマルチチップモジュールの製造方法。
  6. 【請求項6】請求項1又は2記載の冷却構造を採用した
    マルチチップモジュールを塔載して成ることを特徴とす
    る電子計算機。
JP3069738A 1991-04-02 1991-04-02 マルチチップモジュール及びその製造方法 Pending JPH04305965A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314037A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
KR100498276B1 (ko) * 2002-11-19 2005-06-29 월드이노텍(주) 냉각 장치
JP2010219215A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Allied Material Corp 放熱構造体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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