JPS62194652A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS62194652A
JPS62194652A JP61035105A JP3510586A JPS62194652A JP S62194652 A JPS62194652 A JP S62194652A JP 61035105 A JP61035105 A JP 61035105A JP 3510586 A JP3510586 A JP 3510586A JP S62194652 A JPS62194652 A JP S62194652A
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bumps
mother chip
insulating film
film
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佐原　邦造
Kanji Otsuka
寛治 大塚
Takashi Ishida
尚 石田
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に当該装置における放
熱特性を改良する技術に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置における熱設計の問題は重要であり、特に、
半導体素子（チップ）の沙数個を搭載するような消費電
力の大なるマルチチップモジュールにあってはその問題
は重要である。
当該マルチチップモジエールの構造例の一つとして本出
願人の提案になる次のようなものがある。
基板の下面にマザーチップを固鬼’Ｌ、該マザ・−チッ
プの下面に、いわゆるＣＣＢ（コンドロールド・コラッ
プス・リフロー・ポンディンり接続により、子チップを
多数固着し、前記基板とキャップとの間にリードフレー
ムを介装し、前記マザーチップと該リードフレームとを
コネクタワイヤにより電気的に結合し、前記基板の上面
に放熱フィンを取付けて成る主要構造を有するマルチチ
ップモジエールである。
このＣＣＢ接続には一般に、半田バンプ電極が使用され
る。なお、バンブ電極は、導電性のバンプで、マザーチ
ップと子チップとの間に信号をやりとりするものと、単
に子チップからの熱をマザーチップ、次いで、放熱フィ
ンを経由して放熱させるための放熱用バンプ（ダミーバ
ンプ）とがある。
従来、この放熱バンプ電極直下の絶縁膜は、一般にＳｉ
ｎ、　、　５ｉａＮ＋などより成る膜により構成されて
おり、熱伝導率が悪く、バンプの熱抵抗が大きく、特に
、上記のごｉきマルチチップモジュール就中パワーの大
きなマルチチップモジエールにおいてその放熱特性上問
題となっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は、上記のごときマルチチップモジュールにおけ
る、半田ダミーバンプと連った絶縁膜ノ改良技術を提供
することを目的とし、放熱性の良好なマルチチップモジ
エールを提供することを目的とする。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半田ダミーバンプ電極直下のチップ側絶縁膜
を電子線気相法（ＣＶＤ）によって形成されるようなダ
イヤモンド絶縁薄膜により構成するようにしたものであ
る。
〔作用〕
上記した手段によれば、ダイヤモンド薄膜の絶縁性が高
くかつ、熱伝導率が大であることに応じテハワーの大な
る上記のごときマルチチップモジュールにあっても、放
熱特性を高めることができ、かつ、子チップとマザーチ
ップとの絶縁性をも確保できる。
〔実施例〕
次に、本発明を、図面に示す実施例に基づいて説明する
。
第１図は本発明による半導体装置（ＳｉｏｎＳｉ方式に
よるマルチチップモジュール）の断面図、第２図は同装
置の要部断面図である。
マザーチップ１の一方の面を、基板２にシリコンゴム系
接着剤などにより固着し、子チップ３の一方の面を当該
マザーチップ１の他方の面に半田バンプ４により固着す
る。
第２図は当該マザーチップ１と子チップ３との半田バン
プ４による接続部を拡大断面により示したもので、マザ
ーチップｌの半導体活性領域５の表面には例えばＳｉ３
Ｎ４　　よりなり絶縁膜６が被覆され、さらに、その表
面にＡ８電極配線７が敷設されている。半田バンプ４は
、図示左側の導電性バンプ８と放熱用バンプ（ダミーバ
ンプ）９とを有して成り、当該導電性バンプ８は、バリ
ヤー金属１０を介して、前記Ａ！電極配線７と接続し、
同様に構成された子チップ３との間で導通がとられる。
マザーチップ１０表面には、ダイヤモンド薄膜１１が形
成され、放熱用バンプ９は、接着用金属１２を介して、
当該ダイヤモンド薄膜１１に固着され、さらに同様に構
成された子チップ３と接続している。第１図に図示のよ
うに、マザーチップ１の端部とリードフレーム１２の端
部とをコネクタワイヤ１３により、ワイヤボンディング
する。
当該リードフレーム１２は、基板２とキャップ１４との
間に介装されている。なお、第１図にて、１５は封止材
を示す。
第１図に示すように、基板２のマザーチップ１を固着し
ている面の反対面に放熱フィン１６を取付けする。本発
明におけるダイヤモンド薄膜１１は、絶縁性能の面やそ
の形成スピードなどを考慮すると、公知の電子線ＣＶＤ
法（気相法）により形成することが好ましい。気相法の
他として、メタンと水素の混合ガスを適宜の圧力、加熱
温度下で反応させ、薄い膜状のダイヤモンドを作る方法
や、メタンガスに代えてアルコールなどの炭素。
水素、酸素を含む有機化合物を用い、これを液化させ、
水素とともに適宜温度下で反応させ、ダイヤモンド薄膜
を形成する方法などであっても差支えない。
本発明に用いられる子チップ３は、例えばシリコン単結
晶基板から成り、周知の技術によって当該チップ内には
多数の回路素子が形成され、１つの回路機能が与えられ
ている。回路素子の具体例は、例えばＭＯＳトランジス
タから成り、これらの回路素子によって例えばメモリや
論理回路の回路機能が形成されている。第１図にて、１
７は子チップ３０半導体活性領域を示す。
マザーチップ１も子チップ３と同様に、例えばシリコン
単結晶基板から成り、回路機能が構成されている。
半田バンブ４は、周知のフリップチップの接続端子とし
て用いられているようなものが適用され、例えばコンド
ロールドコラップスリフローチップの５ｎ−Ｐｂを用い
て半球状のバンブ（突起電極）を形成してなるものによ
り構成される。
バリヤー金属１０は、例えばＣｒ　／　Ｃｕ　／　Ａ　
ｕにより構成されている。
基板２は、例えばＳｉＣにより構成されている。
リードフレーム１２は、例えばＦｅ及びＣｕ系合金によ
り構成されている。
コネクタワイヤ１３は、例えばＡＡ細線により構成され
ている。
放熱フィン１６は、例えばＡｌにより構成されている。
本発明の上記実施例によれば、子チップ３０半導体活性
領域１７からの熱はダイヤモンド絶縁薄膜１１．放熱バ
ンブ９．マザーチップ１．基板２゜放熱フィン１５を経
由して、放熱され、その際、当該電子線ＣＶＤ法による
ダイヤモンド薄膜１１は熱伝導が良好であるので、放熱
特性の良いマザーチップモジュールを得ることができた
。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、上記実施例ではダイヤモンド薄膜」１をｓｉ、
Ｎ、　　なる絶縁膜６の上に被膜する例を示したが、こ
のように、絶縁膜の一部を当該ダイヤモンド薄膜により
置き換えるのではなく、絶縁膜全体を当該ダイヤモンド
薄膜により形成してもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である５ｉｏｎｓｉ方式に
よるマルチチップモジエールについて適用した場合につ
いて説明したが、それに限定されるものではなく、他の
半導体装置に広く適用することができる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、本発明によれば、放熱バンブによる半導体活
性領域からの放熱において、ダイヤモンドよりなる絶縁
膜を介して行うようにしたので、放熱特性が格段に向上
することができた。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示し、第１図は本発明による半
導体装置の断面図、第２図は同要部断面図である。 ｌ・・・マザーチップ、２・・・基板、３・・・子チッ
プ、４・・・半田バンプ、訃・・半導体活性領域、６・
・・絶縁膜、７・・・Ａｐ電極配線、８・・・導電性バ
ンブ、９・・・放熱用バンブ、１０・・・バリヤー金属
、１１・・・ダイヤモンド薄膜、１２・・・リードフレ
ーム、１３・・・コネクタワイヤ、１４・・・キャップ
、１５・・・封止材、１６・・・放熱フィン、１７・・
・半導体活性領域。 代理人　弁理士　　小　川　勝　男 第　　１　　図 第　　２　　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ダイヤモンドより成る絶縁膜を介して、半導体活性
    領域からの熱を、放熱用突起電極より放熱する構造を有
    して成ることを特徴とする半導体装置。 ２、ダイヤモンドより成る絶縁膜が、電子線気相法によ
    り形成されて成る、特許請求の範囲第１項記載の半導体
    装置。
JP61035105A 1986-02-21 1986-02-21 半導体装置 Pending JPS62194652A (ja)

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JP61035105A JPS62194652A (ja) 1986-02-21 1986-02-21 半導体装置
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0603928A1 (en) * 1992-12-21 1994-06-29 Delco Electronics Corporation Hybrid circuit
US6720662B1 (en) 1999-11-04 2004-04-13 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device of chip-on-chip structure with a radiation noise shield
JP2006501661A (ja) * 2002-10-01 2006-01-12 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 集積回路を接続するための基板
JP2011520286A (ja) * 2008-05-05 2011-07-14 クゥアルコム・インコーポレイテッド ３−ｄ集積回路側方熱放散

Families Citing this family (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US5082802A (en) * 1985-11-12 1992-01-21 Texas Instruments Incorporated Method of making a memory device by packaging two integrated circuit dies in one package
FR2634064A1 (fr) * 1988-07-05 1990-01-12 Thomson Csf Composant electronique a couche de conductivite thermique elevee
US4914551A (en) * 1988-07-13 1990-04-03 International Business Machines Corporation Electronic package with heat spreader member
US5075764A (en) * 1989-06-22 1991-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Diamond electric device and manufacturing method for the same
US5051785A (en) * 1989-06-22 1991-09-24 Advanced Technology Materials, Inc. N-type semiconducting diamond, and method of making the same
US5611140A (en) * 1989-12-18 1997-03-18 Epoxy Technology, Inc. Method of forming electrically conductive polymer interconnects on electrical substrates
US5074947A (en) * 1989-12-18 1991-12-24 Epoxy Technology, Inc. Flip chip technology using electrically conductive polymers and dielectrics
DE69104395T2 (de) * 1990-03-13 1995-02-09 Seiko Epson Corp Nagelpunktdruckkopf für Anschlagdrucker.
JPH0429338A (ja) * 1990-05-24 1992-01-31 Nippon Mektron Ltd Ｉｃの搭載用回路基板及びその搭載方法
US5148265A (en) 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
US20010030370A1 (en) * 1990-09-24 2001-10-18 Khandros Igor Y. Microelectronic assembly having encapsulated wire bonding leads
US7198969B1 (en) 1990-09-24 2007-04-03 Tessera, Inc. Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same
US5148266A (en) * 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies having interposer and flexible lead
US5258330A (en) * 1990-09-24 1993-11-02 Tessera, Inc. Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
US5679977A (en) * 1990-09-24 1997-10-21 Tessera, Inc. Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same
US5270262A (en) * 1991-02-28 1993-12-14 National Semiconductor Corporation O-ring package
US5219794A (en) * 1991-03-14 1993-06-15 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and method of fabricating same
JP2933403B2 (ja) * 1991-03-15 1999-08-16 株式会社日立製作所 半導体パッケージ気密封止方法及び半導体パッケージ気密封止装置
JP2982126B2 (ja) * 1991-03-20 1999-11-22 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法
EP0512186A1 (en) * 1991-05-03 1992-11-11 International Business Machines Corporation Cooling structures and package modules for semiconductors
EP0520294B1 (de) * 1991-06-24 1998-08-26 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2839795B2 (ja) * 1991-08-09 1998-12-16 シャープ株式会社 半導体装置
US6133534A (en) * 1991-11-29 2000-10-17 Hitachi Chemical Company, Ltd. Wiring board for electrical tests with bumps having polymeric coating
US6568073B1 (en) * 1991-11-29 2003-05-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for the fabrication of wiring board for electrical tests
US5276338A (en) * 1992-05-15 1994-01-04 International Business Machines Corporation Bonded wafer structure having a buried insulation layer
JPH05335529A (ja) * 1992-05-28 1993-12-17 Fujitsu Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3088193B2 (ja) * 1992-06-05 2000-09-18 三菱電機株式会社 Ｌｏｃ構造を有する半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレーム
US5309321A (en) * 1992-09-22 1994-05-03 Microelectronics And Computer Technology Corporation Thermally conductive screen mesh for encapsulated integrated circuit packages
JP3258764B2 (ja) * 1993-06-01 2002-02-18 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに外部引出用電極およびその製造方法
US6048751A (en) * 1993-06-25 2000-04-11 Lucent Technologies Inc. Process for manufacture of composite semiconductor devices
EP0637078A1 (en) * 1993-07-29 1995-02-01 Motorola, Inc. A semiconductor device with improved heat dissipation
US5422901A (en) * 1993-11-15 1995-06-06 Motorola, Inc. Semiconductor device with high heat conductivity
US7073254B2 (en) 1993-11-16 2006-07-11 Formfactor, Inc. Method for mounting a plurality of spring contact elements
US5820014A (en) 1993-11-16 1998-10-13 Form Factor, Inc. Solder preforms
FR2713827B1 (fr) * 1993-12-07 1996-01-26 Thomson Csf Composant à semiconducteur à dispositif de refroidissement intégré.
US5400950A (en) * 1994-02-22 1995-03-28 Delco Electronics Corporation Method for controlling solder bump height for flip chip integrated circuit devices
US5391914A (en) * 1994-03-16 1995-02-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Diamond multilayer multichip module substrate
KR100232410B1 (ko) * 1994-05-05 1999-12-01 데이비드 엠 아크터커첸 표면장착 및 플립칩 기술을 이용한 집적회로 및 그 형성방법
US5753529A (en) * 1994-05-05 1998-05-19 Siliconix Incorporated Surface mount and flip chip technology for total integrated circuit isolation
US6466446B1 (en) * 1994-07-01 2002-10-15 Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Integrated circuit package with diamond heat sink
DE4428320A1 (de) * 1994-08-10 1996-02-15 Duerrwaechter E Dr Doduco Kunststoffgehäuse mit einer schwingungsdämpfenden Lagerung eines bondbaren Elements
KR0126781Y1 (ko) * 1994-08-23 1999-05-01 이형도 반도체소자 방열장치
US6225700B1 (en) * 1994-12-08 2001-05-01 Kyocera Corporation Package for a semiconductor element having depressions containing solder terminals
DE4444680A1 (de) * 1994-12-15 1996-06-27 Schulz Harder Juergen Mehrfachsubstrat für elektrische Bauelemente, insbesondere für Leistungs-Bauelemente
US5534465A (en) * 1995-01-10 1996-07-09 At&T Corp. Method for making multichip circuits using active semiconductor substrates
US6223429B1 (en) * 1995-06-13 2001-05-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method of production of semiconductor device
US5621616A (en) * 1995-09-29 1997-04-15 Lsi Logic Corporation High density CMOS integrated circuit with heat transfer structure for improved cooling
US5994152A (en) 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US5789271A (en) * 1996-03-18 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method for fabricating microbump interconnect for bare semiconductor dice
US5660321A (en) * 1996-03-29 1997-08-26 Intel Corporation Method for controlling solder bump height and volume for substrates containing both pad-on and pad-off via contacts
US5604160A (en) * 1996-07-29 1997-02-18 Motorola, Inc. Method for packaging semiconductor devices
JP2825083B2 (ja) * 1996-08-20 1998-11-18 日本電気株式会社 半導体素子の実装構造
FR2754390A1 (fr) * 1996-10-07 1998-04-10 Gec Alsthom Transport Sa Module de puissance a composants electroniques semi-conducteurs de puissance et interrupteur de forte puissance comportant au moins un tel module de puissance
US5977624A (en) * 1996-12-11 1999-11-02 Anam Semiconductor, Inc. Semiconductor package and assembly for fabricating the same
KR100522223B1 (ko) 1997-01-24 2005-12-21 로무 가부시키가이샤 반도체장치및그제조방법
JP3349058B2 (ja) * 1997-03-21 2002-11-20 ローム株式会社 複数のｉｃチップを備えた半導体装置の構造
US5898223A (en) * 1997-10-08 1999-04-27 Lucent Technologies Inc. Chip-on-chip IC packages
JPH11340265A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法
US6242935B1 (en) 1999-01-21 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Interconnect for testing semiconductor components and method of fabrication
JP4121665B2 (ja) * 1999-04-19 2008-07-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体基板の接合方法
JP2001352035A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Sony Corp 多層半導体装置の組立治具及び多層半導体装置の製造方法
DE10109818A1 (de) * 2001-03-01 2002-09-19 Atmel Germany Gmbh Halbleiteranordnung
US6541303B2 (en) * 2001-06-20 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Method for conducting heat in a flip-chip assembly
US20030038356A1 (en) * 2001-08-24 2003-02-27 Derderian James M Semiconductor devices including stacking spacers thereon, assemblies including the semiconductor devices, and methods
DE10157008B4 (de) * 2001-11-21 2004-03-04 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterplättchen
JP2003188507A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路およびこれを実装するためのプリント配線板
US7183193B2 (en) * 2001-12-28 2007-02-27 Micrel, Inc. Integrated device technology using a buried power buss for major device and circuit advantages
US7019403B2 (en) * 2003-08-29 2006-03-28 Freescale Semiconductor, Inc. Adhesive film and tacking pads for printed wiring assemblies
US7084500B2 (en) * 2003-10-29 2006-08-01 Texas Instruments Incorporated Semiconductor circuit with multiple contact sizes
US7109583B2 (en) * 2004-05-06 2006-09-19 Endwave Corporation Mounting with auxiliary bumps
CN100594327C (zh) * 2004-06-15 2010-03-17 汉高公司 大功率led电-光学器件组件
DE102004041888B4 (de) * 2004-08-30 2007-03-08 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung mit gestapelten Halbleiterbauelementen
JP2006080333A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Toshiba Corp 半導体装置
JP4400441B2 (ja) * 2004-12-14 2010-01-20 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2006222374A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Fuji Film Microdevices Co Ltd 半導体チップ
US7364945B2 (en) * 2005-03-31 2008-04-29 Stats Chippac Ltd. Method of mounting an integrated circuit package in an encapsulant cavity
US7354800B2 (en) 2005-04-29 2008-04-08 Stats Chippac Ltd. Method of fabricating a stacked integrated circuit package system
US8225499B2 (en) * 2005-06-16 2012-07-24 Imbera Electronics Oy Method for manufacturing a circuit board structure, and a circuit board structure
US7402442B2 (en) * 2005-12-21 2008-07-22 International Business Machines Corporation Physically highly secure multi-chip assembly
US7456088B2 (en) 2006-01-04 2008-11-25 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system including stacked die
US7768125B2 (en) * 2006-01-04 2010-08-03 Stats Chippac Ltd. Multi-chip package system
US7750482B2 (en) * 2006-02-09 2010-07-06 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system including zero fillet resin
US8704349B2 (en) * 2006-02-14 2014-04-22 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with exposed interconnects
US7385299B2 (en) * 2006-02-25 2008-06-10 Stats Chippac Ltd. Stackable integrated circuit package system with multiple interconnect interface
JP2008256825A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US8228855B2 (en) * 2008-03-24 2012-07-24 Qualcomm Incorporated Uplink power headroom definition for E-DCH in CELL—FACH
DE112009000266B4 (de) * 2008-05-09 2022-05-05 Vitesco Technologies Germany Gmbh Steuergerät mit Rahmen und Verfahren zum Herstellen eines solchen Steuergeräts
US7838988B1 (en) * 2009-05-28 2010-11-23 Texas Instruments Incorporated Stud bumps as local heat sinks during transient power operations
US8826733B2 (en) 2009-06-30 2014-09-09 Orthosensor Inc Sensored prosthetic component and method
US8714009B2 (en) 2010-06-29 2014-05-06 Orthosensor Inc. Shielded capacitor sensor system for medical applications and method
US9839390B2 (en) 2009-06-30 2017-12-12 Orthosensor Inc. Prosthetic component having a compliant surface
US8679186B2 (en) 2010-06-29 2014-03-25 Ortho Sensor Inc. Hermetically sealed prosthetic component and method therefor
US9259179B2 (en) 2012-02-27 2016-02-16 Orthosensor Inc. Prosthetic knee joint measurement system including energy harvesting and method therefor
US9462964B2 (en) 2011-09-23 2016-10-11 Orthosensor Inc Small form factor muscular-skeletal parameter measurement system
US8720270B2 (en) 2010-06-29 2014-05-13 Ortho Sensor Inc. Prosthetic component for monitoring joint health
US20100331733A1 (en) 2009-06-30 2010-12-30 Orthosensor Sensing device and method for an orthopedic joint
US8701484B2 (en) 2010-06-29 2014-04-22 Orthosensor Inc. Small form factor medical sensor structure and method therefor
US8707782B2 (en) 2009-06-30 2014-04-29 Orthosensor Inc Prosthetic component for monitoring synovial fluid and method
US9219023B2 (en) * 2010-01-19 2015-12-22 Globalfoundries Inc. 3D chip stack having encapsulated chip-in-chip
US8926530B2 (en) 2011-09-23 2015-01-06 Orthosensor Inc Orthopedic insert measuring system for having a sterilized cavity
DE102010030528A1 (de) * 2010-06-25 2011-12-29 Robert Bosch Gmbh Eingekapseltes Steuerungsmodul für ein Kraftfahrzeug
US8911448B2 (en) 2011-09-23 2014-12-16 Orthosensor, Inc Device and method for enabling an orthopedic tool for parameter measurement
US9414940B2 (en) 2011-09-23 2016-08-16 Orthosensor Inc. Sensored head for a measurement tool for the muscular-skeletal system
US9839374B2 (en) 2011-09-23 2017-12-12 Orthosensor Inc. System and method for vertebral load and location sensing
US9622701B2 (en) 2012-02-27 2017-04-18 Orthosensor Inc Muscular-skeletal joint stability detection and method therefor
US9844335B2 (en) 2012-02-27 2017-12-19 Orthosensor Inc Measurement device for the muscular-skeletal system having load distribution plates
US9271675B2 (en) 2012-02-27 2016-03-01 Orthosensor Inc. Muscular-skeletal joint stability detection and method therefor
KR101383002B1 (ko) * 2012-05-25 2014-04-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 패키지 기판, 이를 이용한 패키지 시스템 및 이의 제조 방법
US20140135744A1 (en) 2012-11-09 2014-05-15 Orthosensor Inc Motion and orientation sensing module or device for positioning of implants
FR2999017A1 (fr) * 2012-12-03 2014-06-06 St Microelectronics Sa Structure integree tridimensionnelle a dissipation thermique amelioree
US9265447B2 (en) 2013-03-18 2016-02-23 Orthosensor Inc. System for surgical information and feedback display
US11793424B2 (en) 2013-03-18 2023-10-24 Orthosensor, Inc. Kinetic assessment and alignment of the muscular-skeletal system and method therefor
US8952532B2 (en) 2013-05-13 2015-02-10 Intel Corporation Integrated circuit package with spatially varied solder resist opening dimension
US9502269B2 (en) * 2014-04-03 2016-11-22 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Method and apparatus for cooling electonic components
KR102237978B1 (ko) * 2014-09-11 2021-04-09 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2016115751A (ja) * 2014-12-12 2016-06-23 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体パッケージ
WO2016125264A1 (ja) * 2015-02-04 2016-08-11 オリンパス株式会社 半導体装置
CN104851860B (zh) * 2015-04-30 2018-03-13 华为技术有限公司 一种集成电路管芯及制造方法
KR20170066843A (ko) * 2015-12-07 2017-06-15 삼성전자주식회사 적층형 반도체 장치 및 적층형 반도체 장치의 제조 방법
US10256203B2 (en) * 2017-07-27 2019-04-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and semiconductor package
EP3681381B1 (en) 2017-09-14 2025-08-13 Howmedica Osteonics Corp. Non-symmetrical insert sensing system and method therefor
US11812978B2 (en) 2019-10-15 2023-11-14 Orthosensor Inc. Knee balancing system using patient specific instruments

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3686748A (en) * 1970-04-13 1972-08-29 William E Engeler Method and apparatus for providng thermal contact and electrical isolation of integrated circuits
CA892844A (en) * 1970-08-14 1972-02-08 Microsystems International Limited Semiconductor heat sink
US3761783A (en) * 1972-02-02 1973-09-25 Sperry Rand Corp Duel-mesa ring-shaped high frequency diode
US3961103A (en) * 1972-07-12 1976-06-01 Space Sciences, Inc. Film deposition
US3922775A (en) * 1973-09-13 1975-12-02 Sperry Rand Corp High frequency diode and manufacture thereof
DE3067381D1 (en) * 1979-11-15 1984-05-10 Secr Defence Brit Series-connected combination of two-terminal semiconductor devices and their fabrication
JPS5896757A (ja) * 1981-12-04 1983-06-08 Hitachi Ltd 半導体装置
US4571447A (en) * 1983-06-24 1986-02-18 Prins Johan F Photovoltaic cell of semi-conducting diamond
GB8328573D0 (en) * 1983-10-26 1983-11-30 Plessey Co Plc Diamond heatsink assemblies
JPS629649A (ja) * 1985-07-08 1987-01-17 Nec Corp 半導体用パツケ−ジ
JPH118191A (ja) * 1997-06-13 1999-01-12 Tokyo Electron Ltd 処理装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0603928A1 (en) * 1992-12-21 1994-06-29 Delco Electronics Corporation Hybrid circuit
US6720662B1 (en) 1999-11-04 2004-04-13 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device of chip-on-chip structure with a radiation noise shield
JP2006501661A (ja) * 2002-10-01 2006-01-12 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 集積回路を接続するための基板
JP2011520286A (ja) * 2008-05-05 2011-07-14 クゥアルコム・インコーポレイテッド ３−ｄ集積回路側方熱放散
KR101255675B1 (ko) * 2008-05-05 2013-04-17 퀄컴 인코포레이티드 3-ｄ 집적 회로 측면 열 방산
JP2013077837A (ja) * 2008-05-05 2013-04-25 Qualcomm Inc ３−ｄ集積回路側方熱放散
US8502373B2 (en) 2008-05-05 2013-08-06 Qualcomm Incorporated 3-D integrated circuit lateral heat dissipation
JP2015167259A (ja) * 2008-05-05 2015-09-24 クゥアルコム・インコーポレイテッドＱｕａｌｃｏｍｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ３−ｄ集積回路側方熱放散

Also Published As

Publication number Publication date
US4764804A (en) 1988-08-16

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