JPH04306514A - 酸化錫膜のエッチング方法 - Google Patents
酸化錫膜のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH04306514A JPH04306514A JP3070767A JP7076791A JPH04306514A JP H04306514 A JPH04306514 A JP H04306514A JP 3070767 A JP3070767 A JP 3070767A JP 7076791 A JP7076791 A JP 7076791A JP H04306514 A JPH04306514 A JP H04306514A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin oxide
- oxide film
- etching
- metal powder
- suspension
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は透明電極などを形成する
ための酸化錫膜のエッチング方法に関する。
ための酸化錫膜のエッチング方法に関する。
【0002】プラズマディスプレイパネル(PDP)や
太陽電池などの電極として、酸化錫からなる透明導電膜
(ネサ膜)が用いられている。電極の形成に際しては、
エッチングによって酸化錫膜のパターンニングが行われ
る。
太陽電池などの電極として、酸化錫からなる透明導電膜
(ネサ膜)が用いられている。電極の形成に際しては、
エッチングによって酸化錫膜のパターンニングが行われ
る。
【0003】
【従来の技術】一般に、酸化錫膜のエッチングには、エ
ッチャントとして塩酸溶液又は王水などが用いられ、触
媒として亜鉛などが用いられる。触媒は、エッチングの
前処理によって、酸化錫膜上に薄い層の形で設けられる
。
ッチャントとして塩酸溶液又は王水などが用いられ、触
媒として亜鉛などが用いられる。触媒は、エッチングの
前処理によって、酸化錫膜上に薄い層の形で設けられる
。
【0004】従来において、例えばPDPの製造では、
触媒となる亜鉛の層を設けるために、粉末状の亜鉛を水
(工業用純水など)に混ぜて攪拌して得られた懸濁液の
中に、酸化錫膜及びパターンニング用レジスト層を設け
たガラス基板を浸漬し、基板面をほぼ水平に保ってガラ
ス基板を懸濁液中から引き上げていた。
触媒となる亜鉛の層を設けるために、粉末状の亜鉛を水
(工業用純水など)に混ぜて攪拌して得られた懸濁液の
中に、酸化錫膜及びパターンニング用レジスト層を設け
たガラス基板を浸漬し、基板面をほぼ水平に保ってガラ
ス基板を懸濁液中から引き上げていた。
【0005】亜鉛粉末は、浸漬中及び引き上げ後におい
て、酸化錫膜の表面を浸す懸濁液中で沈降して酸化錫膜
上に堆積する。
て、酸化錫膜の表面を浸す懸濁液中で沈降して酸化錫膜
上に堆積する。
【0006】その後、エッチング本処理としてガラス基
板を例えばエッチャント液槽に浸漬し、亜鉛を触媒とし
た化学反応によって酸化錫膜の一部を除去して所定パタ
ーンの酸化錫膜からなる透明電極を得る。
板を例えばエッチャント液槽に浸漬し、亜鉛を触媒とし
た化学反応によって酸化錫膜の一部を除去して所定パタ
ーンの酸化錫膜からなる透明電極を得る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来においては、懸濁
液中の亜鉛粉末の沈降が遅く、そのために酸化錫膜上で
の懸濁液の流動によって亜鉛粉末の堆積層の厚さが不均
一になり易いという問題があった。特に、ガラス基板を
懸濁液から引き上げるときに、ガラス基板の端部から流
れ落ちる懸濁液によって亜鉛粉末が流され、その流れの
跡を残すような亜鉛粉末層が形成されるという問題があ
った。
液中の亜鉛粉末の沈降が遅く、そのために酸化錫膜上で
の懸濁液の流動によって亜鉛粉末の堆積層の厚さが不均
一になり易いという問題があった。特に、ガラス基板を
懸濁液から引き上げるときに、ガラス基板の端部から流
れ落ちる懸濁液によって亜鉛粉末が流され、その流れの
跡を残すような亜鉛粉末層が形成されるという問題があ
った。
【0008】亜鉛粉末層の厚さが不均一であると、エッ
チングの対象となる酸化錫膜上の部位によって、エッチ
ング速度のバラツキによるエッチングの過不足が生じ、
そのために所望パターンの透明電極が得られない。
チングの対象となる酸化錫膜上の部位によって、エッチ
ング速度のバラツキによるエッチングの過不足が生じ、
そのために所望パターンの透明電極が得られない。
【0009】本発明は、上述の問題に鑑み、エッチング
の触媒となる金属粉末を酸化錫膜上に均一に設けること
によって、部分的なエッチングの過不足を抑えることを
目的としている。
の触媒となる金属粉末を酸化錫膜上に均一に設けること
によって、部分的なエッチングの過不足を抑えることを
目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係る方
法は、上述の課題を解決するため、金属粉末を触媒とし
て用いる酸化錫膜のエッチング方法において、エッチン
グの前処理として、前記酸化錫膜の表面に前記金属粉末
からなる層を設けるために、比重が水より小さい液体に
前記金属粉末を混ぜて攪拌した懸濁液によって前記酸化
錫膜の表面を浸す。
法は、上述の課題を解決するため、金属粉末を触媒とし
て用いる酸化錫膜のエッチング方法において、エッチン
グの前処理として、前記酸化錫膜の表面に前記金属粉末
からなる層を設けるために、比重が水より小さい液体に
前記金属粉末を混ぜて攪拌した懸濁液によって前記酸化
錫膜の表面を浸す。
【0011】請求項2の発明に係る方法は、アルコール
類を含む液体に前記金属粉末として亜鉛粉末を混ぜた懸
濁液によって前記酸化錫膜の表面を浸す。
類を含む液体に前記金属粉末として亜鉛粉末を混ぜた懸
濁液によって前記酸化錫膜の表面を浸す。
【0012】請求項3の発明に係る方法は、前記酸化錫
膜の表面に前記金属粉末からなる層を設けるために、前
記酸化錫膜上での表面張力が水に比べて小さい液体に前
記金属粉末を混ぜて攪拌した懸濁液によって前記酸化錫
膜の表面を浸す。
膜の表面に前記金属粉末からなる層を設けるために、前
記酸化錫膜上での表面張力が水に比べて小さい液体に前
記金属粉末を混ぜて攪拌した懸濁液によって前記酸化錫
膜の表面を浸す。
【0013】請求項4の発明に係る方法は、界面活性剤
を含む液体に前記金属粉末として亜鉛粉末を混ぜた懸濁
液によって前記酸化錫膜の表面を浸す。
を含む液体に前記金属粉末として亜鉛粉末を混ぜた懸濁
液によって前記酸化錫膜の表面を浸す。
【0014】請求項5の発明に係る方法は、前記酸化錫
膜の表面に前記金属粉末からなる層を設けるために、粘
性が水に比べて小さい液体に前記金属粉末を混ぜて攪拌
した懸濁液によって前記酸化錫膜の表面を浸す。
膜の表面に前記金属粉末からなる層を設けるために、粘
性が水に比べて小さい液体に前記金属粉末を混ぜて攪拌
した懸濁液によって前記酸化錫膜の表面を浸す。
【0015】
【作用】アルコール水溶液又はアルコールなどの比重が
水より小さい液体に、触媒となる金属粉末としての亜鉛
粉末を混ぜて得られた懸濁液によって、酸化錫膜の表面
が浸される。
水より小さい液体に、触媒となる金属粉末としての亜鉛
粉末を混ぜて得られた懸濁液によって、酸化錫膜の表面
が浸される。
【0016】亜鉛粉末は懸濁液中で沈降して酸化錫膜上
に堆積する。このとき、水と亜鉛粉末とからなる懸濁液
を用いた場合に比べて亜鉛粉末の沈降速度が速いことか
ら、沈降が懸濁液の流動によって乱されず、酸化錫膜上
の全域にわたって均一な堆積層が得られる。
に堆積する。このとき、水と亜鉛粉末とからなる懸濁液
を用いた場合に比べて亜鉛粉末の沈降速度が速いことか
ら、沈降が懸濁液の流動によって乱されず、酸化錫膜上
の全域にわたって均一な堆積層が得られる。
【0017】また、界面活性剤を含む液体のように酸化
錫膜上での表面張力が水に比べて小さい液体、又は粘性
が水に比べて小さい液体に亜鉛粉末を混ぜて攪拌した懸
濁液によって酸化錫膜の表面が浸される。このときにも
、比較的に速く亜鉛粉末が沈降して酸化錫膜上に均一な
亜鉛粉末の層が形成される。
錫膜上での表面張力が水に比べて小さい液体、又は粘性
が水に比べて小さい液体に亜鉛粉末を混ぜて攪拌した懸
濁液によって酸化錫膜の表面が浸される。このときにも
、比較的に速く亜鉛粉末が沈降して酸化錫膜上に均一な
亜鉛粉末の層が形成される。
【0018】
【実施例】PDPの製造に際して透明電極を形成するた
めのパターンニング工程を例に挙げて酸化錫膜のエッチ
ング方法を説明する。
めのパターンニング工程を例に挙げて酸化錫膜のエッチ
ング方法を説明する。
【0019】透明電極のパターンニング工程は、前工程
で酸化錫膜及び所定パターンのレジスト層が設けられた
ガラス基板をエッチャント液槽に浸漬するなどして酸化
錫膜の一部を溶解させて除去するエッチング本処理と、
このエッチング本処理の以前に予め酸化錫膜上にエッチ
ング反応の触媒(亜鉛)を均一な層の形で設けるエッチ
ング前処理とからなる。
で酸化錫膜及び所定パターンのレジスト層が設けられた
ガラス基板をエッチャント液槽に浸漬するなどして酸化
錫膜の一部を溶解させて除去するエッチング本処理と、
このエッチング本処理の以前に予め酸化錫膜上にエッチ
ング反応の触媒(亜鉛)を均一な層の形で設けるエッチ
ング前処理とからなる。
【0020】エッチング前処理においては、まず、純水
とメチルアルコールの割合(体積比)が例えば6対4の
アルコール水溶液(比重は0.92程度)を満たした液
槽の中に、所定量の亜鉛粉末(比重は7.14程度)を
混入して攪拌し、アルコール水溶液と亜鉛粉末とからな
る懸濁液を生成する。
とメチルアルコールの割合(体積比)が例えば6対4の
アルコール水溶液(比重は0.92程度)を満たした液
槽の中に、所定量の亜鉛粉末(比重は7.14程度)を
混入して攪拌し、アルコール水溶液と亜鉛粉末とからな
る懸濁液を生成する。
【0021】次に、懸濁液の中に、酸化錫膜が設けられ
たガラス基板をその基板面がほぼ水平となるように浸漬
し、これによって酸化錫膜の表面を懸濁液で浸す。そし
て、静かにガラス基板を懸濁液の液槽から引き上げる。 なお、浸漬に代えて、懸濁液を噴霧などの形で吹き付け
ることによって酸化錫膜の表面を懸濁液で浸してもよい
。
たガラス基板をその基板面がほぼ水平となるように浸漬
し、これによって酸化錫膜の表面を懸濁液で浸す。そし
て、静かにガラス基板を懸濁液の液槽から引き上げる。 なお、浸漬に代えて、懸濁液を噴霧などの形で吹き付け
ることによって酸化錫膜の表面を懸濁液で浸してもよい
。
【0022】亜鉛粉末は、懸濁液中で沈降して酸化錫膜
上に堆積する。このとき、従来のように水(比重は1)
と亜鉛粉末とからなる懸濁液を用いた場合に比べて、亜
鉛粉末の沈降速度が速くなり、これにより懸濁液の流動
に影響されず均一な厚さの亜鉛粉末層が酸化錫膜上に形
成される。また、ガラス基板を懸濁液から引き上げたと
きにも、既に堆積した亜鉛粉末は、流れ落ちる懸濁液(
ほとんどがアルコール水溶液)によって流されず、酸化
錫膜上にそのまま残る。
上に堆積する。このとき、従来のように水(比重は1)
と亜鉛粉末とからなる懸濁液を用いた場合に比べて、亜
鉛粉末の沈降速度が速くなり、これにより懸濁液の流動
に影響されず均一な厚さの亜鉛粉末層が酸化錫膜上に形
成される。また、ガラス基板を懸濁液から引き上げたと
きにも、既に堆積した亜鉛粉末は、流れ落ちる懸濁液(
ほとんどがアルコール水溶液)によって流されず、酸化
錫膜上にそのまま残る。
【0023】さらに、メチルアルコールの混合比が40
%以上のアルコール水溶液からなる懸濁液では、ガラス
基板を懸濁液槽から引き上げた後において、酸化錫膜に
対するいわゆる濡れが良好となる。つまり、従来のよう
に純粋な水からなる懸濁液は、酸化錫膜上ではじかれて
水滴の形で散らばるように残り、このことが亜鉛層の不
均一の一因になっていたが、アルコール水溶液は酸化錫
膜上での表面張力が水に比べて小さいことから、アルコ
ール水溶液からなる懸濁液は酸化錫膜を一様に覆う膜の
形で酸化錫膜を浸す。
%以上のアルコール水溶液からなる懸濁液では、ガラス
基板を懸濁液槽から引き上げた後において、酸化錫膜に
対するいわゆる濡れが良好となる。つまり、従来のよう
に純粋な水からなる懸濁液は、酸化錫膜上ではじかれて
水滴の形で散らばるように残り、このことが亜鉛層の不
均一の一因になっていたが、アルコール水溶液は酸化錫
膜上での表面張力が水に比べて小さいことから、アルコ
ール水溶液からなる懸濁液は酸化錫膜を一様に覆う膜の
形で酸化錫膜を浸す。
【0024】したがって、このエッチング前処理に引き
続いて行われる上述のエッチング本処理においては、酸
化錫膜上の全域にわたって触媒(亜鉛)の量が一定であ
るので、部位によらずエッチング速度が一定となり、過
不足のない均一なエッチングによって所定パターンの透
明電極が得られる。
続いて行われる上述のエッチング本処理においては、酸
化錫膜上の全域にわたって触媒(亜鉛)の量が一定であ
るので、部位によらずエッチング速度が一定となり、過
不足のない均一なエッチングによって所定パターンの透
明電極が得られる。
【0025】エッチング前処理としては、アルコール水
溶液に代えて、界面活性剤液又は界面活性剤水溶液など
のように、酸化錫膜上での表面張力が水より小さい液体
、又は粘性が水より小さい液体に亜鉛粉末を混ぜて得ら
れる懸濁液を用いて、酸化錫膜上に亜鉛粉末層を設けて
もよい。
溶液に代えて、界面活性剤液又は界面活性剤水溶液など
のように、酸化錫膜上での表面張力が水より小さい液体
、又は粘性が水より小さい液体に亜鉛粉末を混ぜて得ら
れる懸濁液を用いて、酸化錫膜上に亜鉛粉末層を設けて
もよい。
【0026】例えば、純水に所定量の界面活性剤(例え
ば花王株式会社製造のTW−L120など)を添加した
溶液に亜鉛粉末を混ぜて懸濁液を生成し、この懸濁液に
よって酸化錫膜表面を浸漬や吹き付けなどの手法を用い
て浸す。これによっても、従来に比べて亜鉛粉末の沈降
を速めることがき、酸化錫膜上に均一な亜鉛粉末層を形
成することができる。
ば花王株式会社製造のTW−L120など)を添加した
溶液に亜鉛粉末を混ぜて懸濁液を生成し、この懸濁液に
よって酸化錫膜表面を浸漬や吹き付けなどの手法を用い
て浸す。これによっても、従来に比べて亜鉛粉末の沈降
を速めることがき、酸化錫膜上に均一な亜鉛粉末層を形
成することができる。
【0027】上述の実施例によれば、亜鉛粉末を含む懸
濁液による酸化錫膜表面の濡れが良好となるので、つま
り、懸濁液が酸化錫膜上で水滴状に分散することなく酸
化錫膜を一様に覆うように浸すので、沈降する亜鉛粉末
の量が酸化錫膜の全域にわたって一定となり、均一な亜
鉛粉末層が形成される。
濁液による酸化錫膜表面の濡れが良好となるので、つま
り、懸濁液が酸化錫膜上で水滴状に分散することなく酸
化錫膜を一様に覆うように浸すので、沈降する亜鉛粉末
の量が酸化錫膜の全域にわたって一定となり、均一な亜
鉛粉末層が形成される。
【0028】上述の実施例において、メチルアルコール
に代えてエチルアルコールやアセトンなどのアルコール
類と水とを混合したアルコール水溶液、又はアルコール
類自体に亜鉛粉末を加えて攪拌した懸濁液を用いて酸化
錫膜上に亜鉛粉末層を設けてもよい。その他、懸濁液を
構成する液体としては、水に比べて亜鉛粉末の沈降が速
くなり、且つエッチング本処理の化学反応に対する影響
がないか又は後の処理で影響を回避可能な液体を適宜選
択することができる。
に代えてエチルアルコールやアセトンなどのアルコール
類と水とを混合したアルコール水溶液、又はアルコール
類自体に亜鉛粉末を加えて攪拌した懸濁液を用いて酸化
錫膜上に亜鉛粉末層を設けてもよい。その他、懸濁液を
構成する液体としては、水に比べて亜鉛粉末の沈降が速
くなり、且つエッチング本処理の化学反応に対する影響
がないか又は後の処理で影響を回避可能な液体を適宜選
択することができる。
【0029】
【発明の効果】本発明によれば、エッチングの触媒とな
る金属粉末を酸化錫膜上に均一に設けることができ、部
分的なエッチングの過不足を抑えることができる。
る金属粉末を酸化錫膜上に均一に設けることができ、部
分的なエッチングの過不足を抑えることができる。
Claims (5)
- 【請求項1】金属粉末を触媒として用いる酸化錫膜のエ
ッチング方法において、エッチングの前処理として、前
記酸化錫膜の表面に前記金属粉末からなる層を設けるた
めに、比重が水より小さい液体に前記金属粉末を混ぜて
攪拌した懸濁液によって前記酸化錫膜の表面を浸すこと
を特徴とする酸化錫膜のエッチング方法。 - 【請求項2】アルコール類を含む液体に前記金属粉末と
して亜鉛粉末を混ぜた懸濁液によって前記酸化錫膜の表
面を浸すことを特徴とする請求項1記載の酸化錫膜のエ
ッチング方法。 - 【請求項3】金属粉末を触媒として用いる酸化錫膜のエ
ッチング方法において、エッチングの前処理として、前
記酸化錫膜の表面に前記金属粉末からなる層を設けるた
めに、前記酸化錫膜上での表面張力が水に比べて小さい
液体に前記金属粉末を混ぜて攪拌した懸濁液によって前
記酸化錫膜の表面を浸すことを特徴とする酸化錫膜のエ
ッチング方法。 - 【請求項4】界面活性剤を含む液体に前記金属粉末とし
て亜鉛粉末を混ぜた懸濁液によって前記酸化錫膜の表面
を浸すことを特徴とす請求項3記載の酸化錫膜のエッチ
ング方法。 - 【請求項5】金属粉末を触媒として用いる酸化錫膜のエ
ッチング方法において、エッチングの前処理として、前
記酸化錫膜の表面に前記金属粉末からなる層を設けるた
めに、粘性が水に比べて小さい液体に前記金属粉末を混
ぜて攪拌した懸濁液によって前記酸化錫膜の表面を浸す
ことを特徴とする酸化錫膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070767A JPH04306514A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 酸化錫膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070767A JPH04306514A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 酸化錫膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306514A true JPH04306514A (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=13441000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3070767A Withdrawn JPH04306514A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 酸化錫膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04306514A (ja) |
-
1991
- 1991-04-03 JP JP3070767A patent/JPH04306514A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chu et al. | Copper electroless plating at selected areas on aluminum with pulsed Nd‐YAG laser | |
| KR100316987B1 (ko) | 땜납과주석을인쇄회로기판으로부터제거하는조성물및방법 | |
| US3877981A (en) | Method of electroless plating | |
| US3616349A (en) | Method for etching chromium oxide films | |
| JPH04306514A (ja) | 酸化錫膜のエッチング方法 | |
| GB1220364A (en) | Improvements in metal film resists for the etching of oxides | |
| US3841931A (en) | Mild acid etch for tungsten | |
| JP3081171B2 (ja) | エッチング液及びエッチング加工方法 | |
| JP4161691B2 (ja) | エッチング工程を有する液晶ディスプレイの製造方法 | |
| US3179575A (en) | Method of producing silver layer on non-metallic electrically non-conductive support | |
| US3582415A (en) | Method of etching cu with use of pb and sn layers as a mask | |
| US3205155A (en) | Method of fabricating thin film resistive elements | |
| JPS63270474A (ja) | 触媒性インク | |
| JP2004315887A (ja) | エッチング液組成物 | |
| CN108585540A (zh) | 一种玻璃材料表面图案制作方法、玻璃板及电子装置 | |
| DE2259033A1 (de) | Verfahren zum entfernen von zinnoder indiumoxid von einem glaskoerper | |
| JP4998763B2 (ja) | 配線付基板およびその製造方法並びに表示装置 | |
| JPH0241134B2 (ja) | Dodenseisankamakunopataankeiseiho | |
| JPH05279873A (ja) | 微細加工方法 | |
| KR102687285B1 (ko) | 도금 조형물의 제조 방법, 회로 기판, 및 표면 처리제, 그리고 표면 처리제 키트 | |
| JPS63125683A (ja) | 酸化錫導電膜のエッチング方法 | |
| JPH0779060A (ja) | 配線パターン形成方法及びレジスト除去装置 | |
| JPH0522000B2 (ja) | ||
| JPS6216272B2 (ja) | ||
| JP5772133B2 (ja) | 湿式エッチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |