JPH0241134B2 - Dodenseisankamakunopataankeiseiho - Google Patents
DodenseisankamakunopataankeiseihoInfo
- Publication number
- JPH0241134B2 JPH0241134B2 JP13223283A JP13223283A JPH0241134B2 JP H0241134 B2 JPH0241134 B2 JP H0241134B2 JP 13223283 A JP13223283 A JP 13223283A JP 13223283 A JP13223283 A JP 13223283A JP H0241134 B2 JPH0241134 B2 JP H0241134B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive oxide
- oxide film
- pattern
- metal powder
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は導電性酸化膜のパターン形成法に係
り、特にガス放電表示パネル、或いはEL表示パ
ネル等の電極として用いられる導電性酸化膜を、
精度良くパターニングする方法に関するものであ
る。
り、特にガス放電表示パネル、或いはEL表示パ
ネル等の電極として用いられる導電性酸化膜を、
精度良くパターニングする方法に関するものであ
る。
(b) 技術の背景
ガス放電表示パネル、EL表示パネル、或いは
液晶表示パネル等の光デバイス用の透明電極とし
て一般に酸化錫（SnO2）、或いは比較的低抵抗な
酸化インジウム（In2O3）、又は１〜10％のSnO2
が添加されたIn2O3等から成る導電性酸化膜が広
く用いられていることは周知である。
液晶表示パネル等の光デバイス用の透明電極とし
て一般に酸化錫（SnO2）、或いは比較的低抵抗な
酸化インジウム（In2O3）、又は１〜10％のSnO2
が添加されたIn2O3等から成る導電性酸化膜が広
く用いられていることは周知である。
(c) 従来技術と問題点
ところで上記の如き導電性酸化膜を用いて各種
表示パネル等の電極パターンを形成する場合、従
来においては第１図に示すように例えばガラス基
板１の表面に施された導電性酸化膜２上に、レジ
スト膜３を塗着し、該レジスト膜３を所定パター
ンにパターニングする。次いで第２図に示すよう
に所定レジスト膜３パターンが形成された基板１
の全面に、例えば酸と反応して発生期の水素を発
生する亜鉛（Zn）等から成る金属粉末を懸濁し
た懸濁溶液を用いて刷毛塗布、又はスプレー塗布
法等により金属粉末層４を形成する。その後第３
図に示すように、かかる金属粉末層４を例えば希
塩酸液中に浸漬し、化学反応させて前記レジスト
膜３パターンより露出した導電性酸化膜２ａ部分
の還元処理を行い、更に引き続いて上記還元部分
２ａを例えば塩酸（HCl）と硝酸（HNO3）との
混合溶液等によりエツチング除去すると共に、前
記レジスト膜３パターンを溶剤によつて溶解除去
して第４図に示すように所望とする導電性酸化膜
２から成る電極パターン２ｂを形成している。
表示パネル等の電極パターンを形成する場合、従
来においては第１図に示すように例えばガラス基
板１の表面に施された導電性酸化膜２上に、レジ
スト膜３を塗着し、該レジスト膜３を所定パター
ンにパターニングする。次いで第２図に示すよう
に所定レジスト膜３パターンが形成された基板１
の全面に、例えば酸と反応して発生期の水素を発
生する亜鉛（Zn）等から成る金属粉末を懸濁し
た懸濁溶液を用いて刷毛塗布、又はスプレー塗布
法等により金属粉末層４を形成する。その後第３
図に示すように、かかる金属粉末層４を例えば希
塩酸液中に浸漬し、化学反応させて前記レジスト
膜３パターンより露出した導電性酸化膜２ａ部分
の還元処理を行い、更に引き続いて上記還元部分
２ａを例えば塩酸（HCl）と硝酸（HNO3）との
混合溶液等によりエツチング除去すると共に、前
記レジスト膜３パターンを溶剤によつて溶解除去
して第４図に示すように所望とする導電性酸化膜
２から成る電極パターン２ｂを形成している。
しかしながら上記の如き導電性酸化膜２のパタ
ーン形成方法にあつては、前記レジスト膜３パタ
ーンより露出した導電性酸化膜２部分上に金属粉
末層４を形成する手段として亜鉛（Zn）等から
成る金属粉末を懸濁した懸濁溶液を刷毛塗り、又
はスプレー塗布する方法が用いられているので、
金属粉末を前記導電性酸化膜２の表面に均一な厚
さで塗布することが難しく、しかも同じ厚さを繰
り返して再現することが非常に難しい。要するに
従来の方法では、均一な厚さの金属粉末層を再現
性よく形成することが容易でない。そのためこの
金属粉末層を介して前記導電性酸化膜を還元処理
する場合に、膜面全体を常に量的に均一に還元す
ることは困難であり、従つて以後のエツチング処
理も還元部分（導電性酸化膜）を均一に除去する
ことが難しく、結果的に導電性酸化膜２を高精度
にパターニングすることが困難であつた。その
他、懸濁溶液の実効的な層形成収率が悪く、その
大半が廃棄されてしまうといつた不経済な損失が
ある。更に前記刷毛塗り等は導電性酸化膜２、レ
ジスト膜３の膜面に損傷を与え易い等の欠点も有
している。
ーン形成方法にあつては、前記レジスト膜３パタ
ーンより露出した導電性酸化膜２部分上に金属粉
末層４を形成する手段として亜鉛（Zn）等から
成る金属粉末を懸濁した懸濁溶液を刷毛塗り、又
はスプレー塗布する方法が用いられているので、
金属粉末を前記導電性酸化膜２の表面に均一な厚
さで塗布することが難しく、しかも同じ厚さを繰
り返して再現することが非常に難しい。要するに
従来の方法では、均一な厚さの金属粉末層を再現
性よく形成することが容易でない。そのためこの
金属粉末層を介して前記導電性酸化膜を還元処理
する場合に、膜面全体を常に量的に均一に還元す
ることは困難であり、従つて以後のエツチング処
理も還元部分（導電性酸化膜）を均一に除去する
ことが難しく、結果的に導電性酸化膜２を高精度
にパターニングすることが困難であつた。その
他、懸濁溶液の実効的な層形成収率が悪く、その
大半が廃棄されてしまうといつた不経済な損失が
ある。更に前記刷毛塗り等は導電性酸化膜２、レ
ジスト膜３の膜面に損傷を与え易い等の欠点も有
している。
(d) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するため、レジ
スト膜パターンより露出した導電性酸化膜部分上
に金属粉末層を形成する手段を改良して、該金属
粉末層を均一な所望厚さに再現性良く形成し得る
ようにし、もつて導電性酸化膜のパターニングを
精度良く行うようにした新規な導電性酸化膜のパ
ターン形成法を提供することを目的とするもので
ある。
スト膜パターンより露出した導電性酸化膜部分上
に金属粉末層を形成する手段を改良して、該金属
粉末層を均一な所望厚さに再現性良く形成し得る
ようにし、もつて導電性酸化膜のパターニングを
精度良く行うようにした新規な導電性酸化膜のパ
ターン形成法を提供することを目的とするもので
ある。
(e) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、基板表面に
施された基板表面に施された導電性酸化膜を、そ
の上に形成したレジスト膜のパターンに対応して
パターニングする方法であつて、酸と反応して発
生期の水素を発生する金属粉末を懸濁した液体が
収納された容器の液面上に、前記レジスト膜パタ
ーンの形成された基板をレジスト膜形成面を上向
きにして配置した後、容器を所定の回数揺動して
該容器内の液体に基板のレジスト膜形成面を浸
し、液体中の金属粉末を前記基板上のレジスト膜
パターンより露出した導電性酸化膜表面に塗布す
る工程と、前記基板上に塗布した金属粉末層を希
酸と反応させて、その金属粉末層の塗布された導
電性酸化膜部分を還元せしめる工程と、前記還元
部分をエツチング除去する工程と、を含んでなる
ことを特徴とする導電性酸化膜のパターン形成法
を提供することによつて達成される。
施された基板表面に施された導電性酸化膜を、そ
の上に形成したレジスト膜のパターンに対応して
パターニングする方法であつて、酸と反応して発
生期の水素を発生する金属粉末を懸濁した液体が
収納された容器の液面上に、前記レジスト膜パタ
ーンの形成された基板をレジスト膜形成面を上向
きにして配置した後、容器を所定の回数揺動して
該容器内の液体に基板のレジスト膜形成面を浸
し、液体中の金属粉末を前記基板上のレジスト膜
パターンより露出した導電性酸化膜表面に塗布す
る工程と、前記基板上に塗布した金属粉末層を希
酸と反応させて、その金属粉末層の塗布された導
電性酸化膜部分を還元せしめる工程と、前記還元
部分をエツチング除去する工程と、を含んでなる
ことを特徴とする導電性酸化膜のパターン形成法
を提供することによつて達成される。
(f) 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
第５図乃至第９図は本発明に係る導電性酸化膜
のパターン形成法の一実施例を工程順に示す要部
断面図である。
のパターン形成法の一実施例を工程順に示す要部
断面図である。
まず第５図に示すように、例えばガラス基板２
１表面に施された導電性酸化膜２２上に、従来と
同様にレジスト膜２３を塗着し、該レジスト膜２
３を所定パターンにパターニングする。次ぎに第
６図に示すように前記レジスト膜２３パターンが
形成されたガラス基板２１を該レジスト膜２３面
を上向きにして収容した処理用バスケツト２５
を、例えば2000c.c.の水に平均粒度0.2μｍの亜鉛
（Zn）等から成る金属粉末を約100mgの割合で加
えて懸濁した懸濁溶液２７が収容された処理容器
２６内に、前記レジスト膜２３面が懸濁溶液２７
の液面より例えば１cmの高さになるように配置す
る。この懸濁液２７面からガラス基板２１上のレ
ジスト膜２３面迄の距離αは、形成する金属粉末
層２４の層厚及び均一化の為に０〜３cmの範囲で
調整することが好ましい。その後第７図に示すよ
うに該処理容器２６を左右に揺動させる図示しな
い揺動装置等によつて数回揺動させて前記レジス
ト膜２３パターンが形成されたガラス基板面全体
に前記懸濁溶液２７を緩やかに流すようにして塗
布し、そして容器、基板を元の平行状態で所定の
時間静止させる。これによつて、レジスト膜パタ
ーンより露出した部分の導電性酸化膜２２には所
定膜厚の均一な亜鉛（Zn）等から成る金属粉末
層２４が形成される。尚、該金属粉末層２４の膜
厚は、懸濁溶液２７の金属粉末懸濁濃度によつて
調整でき、前記導電性酸化膜２２の膜厚や要求さ
れるパターン精度によつて１〜20μｍの範囲で形
成すれば好適である。又前記金属粉末の平均粒度
は1μｍ以下が好ましい。
１表面に施された導電性酸化膜２２上に、従来と
同様にレジスト膜２３を塗着し、該レジスト膜２
３を所定パターンにパターニングする。次ぎに第
６図に示すように前記レジスト膜２３パターンが
形成されたガラス基板２１を該レジスト膜２３面
を上向きにして収容した処理用バスケツト２５
を、例えば2000c.c.の水に平均粒度0.2μｍの亜鉛
（Zn）等から成る金属粉末を約100mgの割合で加
えて懸濁した懸濁溶液２７が収容された処理容器
２６内に、前記レジスト膜２３面が懸濁溶液２７
の液面より例えば１cmの高さになるように配置す
る。この懸濁液２７面からガラス基板２１上のレ
ジスト膜２３面迄の距離αは、形成する金属粉末
層２４の層厚及び均一化の為に０〜３cmの範囲で
調整することが好ましい。その後第７図に示すよ
うに該処理容器２６を左右に揺動させる図示しな
い揺動装置等によつて数回揺動させて前記レジス
ト膜２３パターンが形成されたガラス基板面全体
に前記懸濁溶液２７を緩やかに流すようにして塗
布し、そして容器、基板を元の平行状態で所定の
時間静止させる。これによつて、レジスト膜パタ
ーンより露出した部分の導電性酸化膜２２には所
定膜厚の均一な亜鉛（Zn）等から成る金属粉末
層２４が形成される。尚、該金属粉末層２４の膜
厚は、懸濁溶液２７の金属粉末懸濁濃度によつて
調整でき、前記導電性酸化膜２２の膜厚や要求さ
れるパターン精度によつて１〜20μｍの範囲で形
成すれば好適である。又前記金属粉末の平均粒度
は1μｍ以下が好ましい。
次いで該金属粉末層２４が形成されたガラス基
板２１を前記バスケツト２５毎、１〜10％希塩酸
（HCl）溶液中に浸漬し、この時の化学反応によ
り発生する発生期の水素によつて第８図に示すよ
うに、ガラス基板２１上のレジスト膜２３パター
ンより露出した、金属粉末層の被覆された導電性
酸化膜部分２２ａを還元させる。この還元処理に
おいては金属粉末層が均一の厚さに形成されてい
るため量的に均一な還元が行われる。引き続いて
上記還元部分２２ａを例えば塩酸（HCl）と硝酸
（HNO3）と水（H2O）とを所定の割合で混合し
て成る混合溶液等によりエツチング除去すると共
に、前記レジスト膜２３パターンを溶剤によつて
溶解除去すれば、第９図に示すように所望とする
導電性酸化膜２２から成る電極パターン２２ｂが
得られる。この電極パターンは、前記還元部分２
２ａに対し量的に均一なエツチング除去となるた
め高精度のパターンになる。
板２１を前記バスケツト２５毎、１〜10％希塩酸
（HCl）溶液中に浸漬し、この時の化学反応によ
り発生する発生期の水素によつて第８図に示すよ
うに、ガラス基板２１上のレジスト膜２３パター
ンより露出した、金属粉末層の被覆された導電性
酸化膜部分２２ａを還元させる。この還元処理に
おいては金属粉末層が均一の厚さに形成されてい
るため量的に均一な還元が行われる。引き続いて
上記還元部分２２ａを例えば塩酸（HCl）と硝酸
（HNO3）と水（H2O）とを所定の割合で混合し
て成る混合溶液等によりエツチング除去すると共
に、前記レジスト膜２３パターンを溶剤によつて
溶解除去すれば、第９図に示すように所望とする
導電性酸化膜２２から成る電極パターン２２ｂが
得られる。この電極パターンは、前記還元部分２
２ａに対し量的に均一なエツチング除去となるた
め高精度のパターンになる。
尚、以上の実施例では発生期の水素を発生させ
て導電性酸化膜２２を還元するに用いる金属粉末
と酸に、亜鉛（Zn）粉末と希塩酸（HCl）を用
いた場合の例で説明したが、この例に限定される
ものではなく、例えば、カドミウム（Cd）、アル
ミニウム（Al）、鉄（Fe）等の金属粉末及び希塩
酸（HCl）の他に希硝酸、希硫酸等を適用できる
ことは勿論である。
て導電性酸化膜２２を還元するに用いる金属粉末
と酸に、亜鉛（Zn）粉末と希塩酸（HCl）を用
いた場合の例で説明したが、この例に限定される
ものではなく、例えば、カドミウム（Cd）、アル
ミニウム（Al）、鉄（Fe）等の金属粉末及び希塩
酸（HCl）の他に希硝酸、希硫酸等を適用できる
ことは勿論である。
(g) 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
導電性酸化膜のパターン形成法によれば、レジス
ト膜パターンより露出した導電性酸化膜部分に、
金属粉末を懸濁した液体を流し込むようにして塗
布する構成により当該金属粉末層を均一に形成で
きるので、以後の還元およびエツチングを量的に
均一化して、導電性酸化膜を高精度にパターニン
グ可能である。しかも金属粉末の塗布は機械的に
行われるので、繰り返し高精度のパターン形成が
可能、つまり再現性の良いパターン形成が可能で
ある。又当該工程によつてレジスト膜や導電性酸
化膜面に対する機械的損傷も解消される。更に懸
濁溶液の廃棄損失が大幅に低減される経済的効果
を有する等、実用上多くの優れた効果が発揮され
る。従つてガス放電表示、EL表示、液晶表示等
の各種表示パネルの導電性酸化膜からなる電極の
形成、平板状加熱パネルの導電性酸化膜ヒータの
形成、更に各種金属酸化膜のパターン形成等に適
用して極めて有利である。
導電性酸化膜のパターン形成法によれば、レジス
ト膜パターンより露出した導電性酸化膜部分に、
金属粉末を懸濁した液体を流し込むようにして塗
布する構成により当該金属粉末層を均一に形成で
きるので、以後の還元およびエツチングを量的に
均一化して、導電性酸化膜を高精度にパターニン
グ可能である。しかも金属粉末の塗布は機械的に
行われるので、繰り返し高精度のパターン形成が
可能、つまり再現性の良いパターン形成が可能で
ある。又当該工程によつてレジスト膜や導電性酸
化膜面に対する機械的損傷も解消される。更に懸
濁溶液の廃棄損失が大幅に低減される経済的効果
を有する等、実用上多くの優れた効果が発揮され
る。従つてガス放電表示、EL表示、液晶表示等
の各種表示パネルの導電性酸化膜からなる電極の
形成、平板状加熱パネルの導電性酸化膜ヒータの
形成、更に各種金属酸化膜のパターン形成等に適
用して極めて有利である。
第１図乃至第４図は従来の導電性酸化膜のパタ
ーン形成法を工程順に説明するための要部断面
図、第５図乃至第９図は本発明に係る導電性酸化
膜のパターン形成法の一実施例を工程順に示す要
部断面図である。 図面において、２１はガラス基板、２２は導電
性酸化膜、２２ａはレジスト膜２３パターンより
露出した導電性酸化膜部分（還元部分）、２２ｂ
は電極パターン、２３はレジスト膜、２４は金属
粉末層、２５は処理用バスケツト、２６は処理容
器、２７は懸濁溶液を示す。
ーン形成法を工程順に説明するための要部断面
図、第５図乃至第９図は本発明に係る導電性酸化
膜のパターン形成法の一実施例を工程順に示す要
部断面図である。 図面において、２１はガラス基板、２２は導電
性酸化膜、２２ａはレジスト膜２３パターンより
露出した導電性酸化膜部分（還元部分）、２２ｂ
は電極パターン、２３はレジスト膜、２４は金属
粉末層、２５は処理用バスケツト、２６は処理容
器、２７は懸濁溶液を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板２１表面に施された導電性酸化膜２２
を、その上に形成したレジスト膜２３のパターン
に対応してパターニングする方法であつて、 酸と反応して発生期の水素を発生する金属粉末
を懸濁した液体２７が収納された容器２６の液面
上に、前記レジスト膜パターン２３の形成された
基板２１をレジスト膜形成面を上向きにして配置
した後、容器を所定の回数揺動して該容器内の液
体に前記基板のレジスト膜形成面を浸し、液体中
の金属粉末を前記基板上のレジスト膜パターンよ
り露出した導電性酸化膜表面に塗布する工程と、 前記基板上に塗布した金属粉末層を希酸と反応
させて、その金属粉末層の塗布された導電性酸化
膜部分を還元せしめる工程と、 前記還元部分２２ａをエツチング除去する工程
と、を含んでなる ことを特徴とする導電性酸化膜のパターン形成
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13223283A JPH0241134B2 (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | Dodenseisankamakunopataankeiseiho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13223283A JPH0241134B2 (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | Dodenseisankamakunopataankeiseiho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6023913A JPS6023913A (ja) | 1985-02-06 |
| JPH0241134B2 true JPH0241134B2 (ja) | 1990-09-14 |
Family
ID=15076455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13223283A Expired - Lifetime JPH0241134B2 (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | Dodenseisankamakunopataankeiseiho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0241134B2 (ja) |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP13223283A patent/JPH0241134B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6023913A (ja) | 1985-02-06 |
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