JPH04306836A - Etching device - Google Patents
Etching deviceInfo
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- JPH04306836A JPH04306836A JP7021691A JP7021691A JPH04306836A JP H04306836 A JPH04306836 A JP H04306836A JP 7021691 A JP7021691 A JP 7021691A JP 7021691 A JP7021691 A JP 7021691A JP H04306836 A JPH04306836 A JP H04306836A
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- etching device
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイス等の製造
に使用するエッチング装置、特に枚葉式ウェット・エッ
チング装置の構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching apparatus used for manufacturing semiconductor devices, and more particularly to the structure of a single-wafer wet etching apparatus.
【0002】半導体デバイス製造工程のうち、ウェーハ
処理工程においてはウェーハ表面をエッチングする工程
が繰り返される。エッチングにはドライ・エッチング法
とウェット・エッチング法があるが、金属膜被着前の表
面エッチング処理としては、通常、後者が採用される。In the wafer processing process of the semiconductor device manufacturing process, the process of etching the wafer surface is repeated. There are two types of etching methods: dry etching and wet etching, and the latter is usually used as a surface etching treatment before depositing a metal film.
【0003】近年、ウェーハ処理工程の自動化が進めら
れており、枚葉式の装置により自動化ラインを構成する
ことが多い。金属膜被着前の表面エッチングにおいても
枚葉式ウェット・エッチング装置が使用されるようにな
っている。[0003] In recent years, automation of wafer processing processes has been progressing, and automated lines are often constructed using single-wafer type equipment. Single-wafer wet etching equipment is also being used for surface etching before metal film deposition.
【0004】0004
【従来の技術】従来の枚葉式ウェット・エッチング装置
の一例を図2により説明する。図2は従来装置の一例を
示す模式図であり、(a) は装置構成を示し(断面図
)、(b) はウェーハチャック示している(斜視図)
。図中、図1と同じものには同一の符号を付与した。2. Description of the Related Art An example of a conventional single-wafer type wet etching apparatus will be explained with reference to FIG. Figure 2 is a schematic diagram showing an example of a conventional device, where (a) shows the device configuration (cross-sectional view), and (b) shows the wafer chuck (perspective view).
. In the figure, the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals.
【0005】1は被処理物のウェーハ、11はウェーハ
チャック、12はノズル、13はドームカバー、14は
カップ、14a は排液口、15は筐体、15a は排
気口である。ウェーハチャック11は三個以上の爪11
a 、三本以上のアーム11b 、軸11c 等からな
るメカニカルチャックであり、アーム11b 先端部に
固着された爪11a はその段部でウェーハ1を支持す
ると共に、そのうちの三個が三方からウェーハ1の端面
を押圧してこれをクランプする。軸11c が回転手段
(図示は省略)に係合している。1 is a wafer to be processed, 11 is a wafer chuck, 12 is a nozzle, 13 is a dome cover, 14 is a cup, 14a is a drain port, 15 is a housing, and 15a is an exhaust port. The wafer chuck 11 has three or more jaws 11
It is a mechanical chuck consisting of three or more arms 11b, a shaft 11c, etc., and a claw 11a fixed to the tip of the arm 11b supports the wafer 1 at its step, and three of them support the wafer 1 from three sides. Press the end face of and clamp it. The shaft 11c is engaged with a rotating means (not shown).
【0006】この装置による処理は次のように行う。先
ずウェーハ1をウェーハチャック11にクランプし、こ
れを回転手段(図示は省略)により高速回転し、回転す
るウェーハ1表面にノズル12からエッチング液をスプ
レーする。その後エッチング液のスプレーを停止し、他
のノズル(図示は省略)からリンス液をスプレーする。
その後リンス液のスプレーを停止し、回転を続ける。リ
ンス液の乾燥が終わればウェーハ1の回転を停止して、
処理を完了する。Processing by this device is performed as follows. First, the wafer 1 is clamped to a wafer chuck 11 and rotated at high speed by a rotating means (not shown), and an etching solution is sprayed from the nozzle 12 onto the surface of the rotating wafer 1. Thereafter, spraying of the etching solution is stopped, and a rinsing solution is sprayed from another nozzle (not shown). Then stop spraying the rinse solution and continue rotating. When the rinsing liquid has finished drying, stop the rotation of wafer 1,
Complete the process.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところがこのようなエ
ッチング装置によりエッチングすると、エッチング廃液
の飛沫等が処理室内に浮遊し、これが処理したウェーハ
の表面にパーティクルとして付着する、という問題があ
った。However, when etching is performed using such an etching apparatus, there is a problem in that droplets of etching waste liquid float in the processing chamber and adhere as particles to the surface of the processed wafer.
【0008】本発明はこのような問題を解決して、処理
したウェーハへのパーティクルの付着を減らすことが可
能なエッチング装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an etching apparatus that can solve these problems and reduce the adhesion of particles to processed wafers.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、回転するウェーハ1にエッチング液を供給して該
ウェーハ1をエッチングする装置において、該ウェーハ
1を水平に保持してこれを回転するウェーハチャック1
1と、該ウェーハ1の下方で該ウェーハチャック11と
共に回転して下方への気流を生じる羽根16とを備えて
いることを特徴とするエッチング装置とすることで、達
成される。[Means for Solving the Problem] According to the present invention, in an apparatus for etching a rotating wafer 1 by supplying an etching solution to the wafer 1, the wafer 1 is held horizontally and the wafer 1 is held horizontally. Rotating wafer chuck 1
1 and a blade 16 that rotates together with the wafer chuck 11 below the wafer 1 to generate a downward airflow.
【0010】0010
【作用】ウェーハ下方に設けた羽根がウェーハチャック
と共に回転することによって換気扇として機能し(処理
室内に下方への気流を発生する)、廃液飛沫を含んだ排
気を廃液と共に装置外へ排出する。従って処理室の雰囲
気は良くなり、処理したウェーハへのパーティクルの付
着が減少する。[Operation] When the blades provided below the wafer rotate together with the wafer chuck, it functions as a ventilation fan (generating a downward airflow within the processing chamber), and exhaust air containing waste liquid droplets is discharged out of the apparatus together with the waste liquid. Therefore, the atmosphere in the processing chamber is improved, and the adhesion of particles to processed wafers is reduced.
【0011】[0011]
【実施例】本発明に基づく枚葉式ウェット・エッチング
装置の実施例を図1を用いて説明する。図1は本発明の
実施例の装置を示す模式図であり、(a) は装置構成
を示し(断面図)、(b) はウェーハチャック及び羽
根を示している(斜視図)。れ示している。Embodiment An embodiment of a single-wafer type wet etching apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic diagram showing an apparatus according to an embodiment of the present invention, in which (a) shows the structure of the apparatus (cross-sectional view), and (b) shows a wafer chuck and blades (perspective view). It shows.
【0012】1は被処理物のウェーハ、11はウェーハ
1を保持して回転するウェーハチャック、12はウェー
ハ1表面にエッチング液をスプレーするノズル、13は
ドームカバー、14はカップ、14a は排液口、15
は筐体、15a は排気口、16は羽根である。1 is a wafer to be processed; 11 is a wafer chuck that rotates while holding the wafer 1; 12 is a nozzle that sprays etching solution onto the surface of the wafer 1; 13 is a dome cover; 14 is a cup; and 14a is a liquid drain. mouth, 15
is a housing, 15a is an exhaust port, and 16 is a blade.
【0013】ウェーハチャック11は三個以上(この例
では六個)の爪11a 、三本以上(この例では六本)
のアーム11b 、軸11c等からなるメカニカルチャ
ックであり、アーム11b 先端部に固着された爪11
a はその段部でウェーハ1を支持すると共に、そのう
ちの三個が三方からウェーハ1の端面を押圧してこれを
クランプする。軸11c が回転手段(図示は省略)に
係合している。羽根16はチャック11(軸11c )
に複数枚(この例では六枚)が放射状に固着されており
、チャック11と共に回転する。各羽根16は軸11c
の軸心に対して斜めに取りつけられており、チャック
11の回転によって下方への気流を発生する。ドームカ
バー13の側面には開口部を有しており、空気が流通す
る。このドームカバー13とカップ14とで処理室を形
成している。The wafer chuck 11 has three or more (six in this example) claws 11a, three or more (six in this example)
It is a mechanical chuck consisting of an arm 11b, a shaft 11c, etc., and a claw 11 fixed to the tip of the arm 11b.
A supports the wafer 1 at its stepped portion, and three of them press the end face of the wafer 1 from three sides to clamp it. The shaft 11c is engaged with a rotating means (not shown). The blade 16 is the chuck 11 (shaft 11c)
A plurality of sheets (six in this example) are fixed radially to the chuck 11 and rotate together with the chuck 11. Each blade 16 has a shaft 11c
The chuck 11 is attached obliquely to the axis of the chuck 11, and the rotation of the chuck 11 generates a downward airflow. The dome cover 13 has an opening on the side surface, through which air circulates. This dome cover 13 and cup 14 form a processing chamber.
【0014】この装置による処理は次のように行う。先
ずウェーハ1をウェーハチャック11にクランプし、こ
れを回転手段(図示は省略)により高速回転し、回転す
るウェーハ1表面にノズル12からエッチング液をスプ
レーする。その後エッチング液のスプレーを停止し、他
のノズル(図示は省略)からリンス液をスプレーする。
その後リンス液のスプレーを停止し、回転を続ける。リ
ンス液の乾燥が終わればウェーハ1の回転を停止して、
処理を完了する。Processing by this device is performed as follows. First, the wafer 1 is clamped to a wafer chuck 11 and rotated at high speed by a rotating means (not shown), and an etching solution is sprayed from the nozzle 12 onto the surface of the rotating wafer 1. Thereafter, spraying of the etching solution is stopped, and a rinsing solution is sprayed from another nozzle (not shown). Then stop spraying the rinse solution and continue rotating. When the rinsing liquid has finished drying, stop the rotation of wafer 1,
Complete the process.
【0015】この際、ウェーハチャック11と共に羽根
16が回転して処理室内に下方への気流が発生し、ドー
ムカバー13内の廃液飛沫を含んだ空気を廃液と共にカ
ップの排液口から(排気の一部は排気口15a から)
装置外へ排出する。At this time, the blades 16 rotate together with the wafer chuck 11 to generate a downward airflow in the processing chamber, and the air containing the waste liquid droplets inside the dome cover 13 is discharged from the drain port of the cup (exhaust air) together with the waste liquid. (Partly from exhaust port 15a)
Eject outside the device.
【0016】本発明者は、配線用アルミニウム膜被着前
のウェーハ表面 (SiO2) エッチング(エッチン
グ液は弗化アンモニウム、リンス液は純水) に本装置
を使用した結果、処理後のウェーハ表面に付着するパー
ティクルは従来装置による場合より大幅に減少した。[0016] As a result of using this apparatus for etching the wafer surface (SiO2) before depositing an aluminum film for wiring (the etching solution was ammonium fluoride and the rinsing solution was pure water), the inventor discovered that the wafer surface after processing The amount of attached particles was significantly reduced compared to when using conventional equipment.
【0017】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。The present invention is not limited to the above embodiments, but can be implemented with various modifications.
【0018】[0018]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理したウェーハへのパーティクルの付着を減らすこと
が可能な枚葉式エッチング装置を提供することが出来、
半導体デバイス製造歩留りの向上に寄与する。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention,
We can provide a single-wafer etching system that can reduce the adhesion of particles to processed wafers.
Contributes to improving semiconductor device manufacturing yield.
【図1】 本発明の実施例の装置を示す模式図であり
、(a) は装置構成、(b) はウェーハチャック及
び羽根である。FIG. 1 is a schematic diagram showing an apparatus according to an embodiment of the present invention, in which (a) shows the structure of the apparatus, and (b) shows a wafer chuck and a blade.
【図2】 従来装置の一例を示す模式図であり、(a
) は装置構成、(b) はウェーハチャックである。FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a conventional device;
) is the device configuration, and (b) is the wafer chuck.
1 ウェーハ 11 ウェーハチャック 11a 爪 11b アーム 11c 軸 12 ノズル 13 ドームカバー 14 カップ 15 筐体 16 羽根 1 Wafer 11 Wafer chuck 11a Nail 11b Arm 11c axis 12 Nozzle 13 Dome cover 14 cups 15 Housing 16 Feather
Claims (1)
グ液を供給して該ウェーハ(1) をエッチングする装
置であって、該ウェーハ(1) を水平に保持してこれ
を回転するウェーハチャック(11)と、該ウェーハ(
1) の下方で該ウェーハチャック(11)と共に回転
して下方への気流を生じる羽根(16)とを備えている
ことを特徴とするエッチング装置。1. An apparatus for etching a rotating wafer (1) by supplying an etching solution to the wafer (1), comprising a wafer chuck (11) that holds the wafer (1) horizontally and rotates it. ) and the wafer (
1) An etching apparatus comprising: a blade (16) which rotates together with the wafer chuck (11) below the wafer chuck (11) to generate a downward airflow.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7021691A JPH04306836A (en) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | Etching device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7021691A JPH04306836A (en) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | Etching device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306836A true JPH04306836A (en) | 1992-10-29 |
Family
ID=13425122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7021691A Withdrawn JPH04306836A (en) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | Etching device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04306836A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7371694B2 (en) | 2004-02-13 | 2008-05-13 | Elpida Memory Inc. | Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus |
-
1991
- 1991-04-03 JP JP7021691A patent/JPH04306836A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7371694B2 (en) | 2004-02-13 | 2008-05-13 | Elpida Memory Inc. | Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |