JPH0430738B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は半導体ウエハーの加熱装置に関する。

［発明の技術的背景］ 半導体ウエハーの加熱装置は、半導体ウエハー
に塗布したレジスト、ポリイミド樹脂等を加熱硬
化させるために使用される。

このような半導体ウエハーに塗布されるレジス
トやポリイミド樹脂等は、溶剤中に溶けて液状に
なつており、このような液状の塗料をその表面上
に塗布した半導体ウエハーを加熱装置によつて加
熱し、前記溶剤を揮発させて半導体ウエハー上で
レジスト、ポリイミド樹脂等を硬化させる。

第１図は、半導体ウエハーの従来の加熱装置の
一態様を示す断面図である。図中、１は搬送手段
であり、この搬送手段１は所定間隔で互いに平行
になるように配置された１対のベルト２と（図で
はその一方のみ示す）、８個のプーリ３とを備え
ている。各ベルト２は４つのプーリ３にかけ回さ
れている。各４つのプーリ３のうちの少なくとも
１つは回転駆動装置（図示せず）に接続されてお
り、したがつて、これを回転駆動装置によつて回
転駆動することによつてベルト２は移動する。ま
た、各プーリ３は昇降手段（図示せず）に取付け
られ、これによつて搬送手段１は昇降可能になつ
ている。

搬送手段１の一端には半導体ウエハー４の搬入
手段（図示せず。これは、搬送手段１と同様に１
対のベルトとプーリとを備えた構造であり、搬送
手段１の１対のベルト２の一端の両外側に近接し
てその１対のベルトの各々の一端が配置されてい
る。後述の搬出手段も同様である。）が配置され、
他端には半導体ウエハー４の搬出手段（図示せ
ず）が配置されている。

搬送手段１の両ベルト２間の間隔は、半導体ウ
エハー４のサイズ（直径）より狭くなつている。

したがつて、その上面上に塗料（レジスト、ポ
リイミド樹脂等と溶剤との混合物）が塗布された
半導体ウエハー４は搬入手段によつて搬送手段１
の上側搬送位置１ａ（両ベルト２の上側位置）上
に載置され、ベルト２の移動に伴つて移動し、そ
して、上側搬送位置１ａの他端から搬出手段上に
移される。

５は、搬送手段１はその上側搬送位置１ａにお
いて囲む加熱機構であり、この加熱機構５は、上
側位置１ａの直下に設けられた加熱手段６と、前
記上側位置１ａの直上に設けられたカバー７とを
有している。加熱手段６は、その上面が平坦にな
つており、かつその一部に両ベルト２が挿入され
る溝が２条形成されている。両ベルト２は、下降
してその上側位置部分が、加熱手段６の上面の２
条の溝中に挿入され、また、そこから、所定高さ
まで上昇する。したがつて、搬送手段１を最上昇
位置から下降させることによつて、加熱手段６上
に、ベルト２上にあつた半導体ウエハー４が載置
され、かくして加熱手段６によつて半導体ウエハ
ー４は主にその下面面から加熱される。

カバー７は、搬送手段１の上側搬送位置１ａの
ほぼ全体をおおうように配置されている。加熱機
構５の、搬送手段１の搬送方向の両端には、半導
体ウエハー４の搬入口５ａ、および搬出口５ｂが
各々形成されている。

このような構成によつて、次のようにして塗料
が塗布された半導体ウエハー４は加熱される。す
なわち、最上位置にある搬送手段１の上側搬送位
置１ａの一端上に、搬入手段によつて、１枚の半
導体ウエハー４を移載し、プーリ３を回転駆動さ
せてベルト２を所定距離移動させる。これによつ
て、半導体ウエハー４は、カバー７内に入る。つ
いで搬送手段１を下降させて半導体ウエハー４を
加熱手段６上に所定時間載置する。ついで、再び
搬送手段１を上昇させ、上記同様に搬入手段によ
つて次の１枚の半導体ウエハー４を搬送手段１の
上側搬送位置１ａの一端上に移載し、プーリ３を
回転駆動して搬送手段１を下降させて加熱手段６
上にこれら半導体ウエハー４を所定時間載置す
る。

このような作業をくりかえして、搬送手段１の
上側搬送位置１ａ上の半導体ウエハー４を移送し
ながらベルト２上で必要時間加熱し、その上面に
塗布された塗料中の溶剤を揮発させレジスト、ポ
リイミド樹脂等を硬化させる。ついで、このよう
にしてその上面上にレジスト、ポリイミド樹脂等
が硬化した半導体ウエハー４は、プーリ３を回転
駆動させることによつて搬送手段１の上側搬送位
置１ａの他端から搬出手段によつて１枚づつとり
出される。

［背景技術の問題点］ 近年、例えば、ポリイミド樹脂用の溶剤には、
有害物質が使用されることがある。

したがつて、このように有害な溶剤を含んだ塗
料が塗布された半導体ウエハーを、加熱装置によ
つて加熱する際には、加熱によつて揮発した有害
物質を加熱装置から加熱装置が置かれたクリーン
ルーム内にもれ出さないようにしなければならな
い。しかしながら、上述のような構造の加熱装置
では、何らそのための適切な防止機構がなく、し
たがつてカバー７の内側において加熱によつて揮
発した有害物質は、加熱機構５の搬入口５ａ、搬
出口５ｂから外にもれてしまうという問題があつ
た。

［発明の目的］ そこで、本発明は、半導体ウエハーの加熱装置
における以上のような問題を考慮してなされたも
ので、半導体ウエハー加熱時に発生する有害物質
を搬入口、搬出口から外に流出しないようにした
加熱装置を提供することを目的としている。

［発明の概要］ 本発明は、 その上面上に塗料が塗布された半導体ウエハー
をその上側搬送位置において搬送する搬送手段
と、前記搬送手段を前記上側搬送位置において囲
む加熱機構本体とを備え、前記加熱機構本体は、
前記搬送手段の上側搬送位置の直下に設けられた
前記上側搬送位置上の半導体ウエハーを加熱する
加熱手段と、前記上側搬送位置における前記搬送
手段をおおうように前記搬送手段の前記上側搬送
位置の直上に設けられたカバーとを有し、前記加
熱機構本体の、前記搬送手段の搬送方向上の両端
に半導体ウエハーを通すための搬入口および搬出
口が形成されている半導体ウエハーの加熱装置に
おいて、前記搬入口の開口面積は前記搬出口の開
口面積より大きくなつており、前記カバーには、
前記搬入口および搬出口から前記カバー内を通し
て外気を吸引するための排気口が形成されている
ことを特徴とする。

［発明の実施例］ 第２図は本発明にかかる加熱装置の一態様を断
面図示した正面図、第３図は同断面図示した側面
図である。図中第１図と同一部分は同一符号で示
し、その詳細説明は省略する。この態様における
加熱装置においては、カバー部分の構造が第１図
に示した加熱装置のそれと異なつており、他の構
造は同一である。図示されるように、搬送手段１
の一端には半導体ウエハー４の搬入手段（図示せ
ず。これは、搬送手段１と同様に１対のベルトと
プーリとを備えた構造であり、搬送手段１の１対
のベルト２の一端の両外側に近接して１対のベル
トの各々の一端が配置されている。後述の搬出手
段も同様である。）が配置され、他端には半導体
ウエハー４の搬出手段（図示せず）が配置されて
いる。８は搬送手段１を、その上側搬送位置１ａ
において囲む加熱機構であり、この加熱機構８
は、カバー９と、加熱手段６とを有している。搬
送手段１の上側搬送位置１ａの直下には、加熱手
段６が固定されている。加熱手段６は、その上面
が平坦になつており、かつその一部に両ベルト２
が挿入される溝６ａが２条形成されている。カバ
ー９は、搬送手段１の上側搬送位置１ａにおける
ベルト２のほぼ全体をおおうように配置されてい
る。カバー９は外側部材９ａおよび内側部材９ｂ
からなる２重壁構造になつている。加熱機構８
の、搬送手段１の搬送方向上の両端には、半導体
ウエハー４の搬入口８ａおよび搬出口８ｂが各々
形成されている。搬入口８ａの方が搬出口８ｂよ
り大きく開いている。

カバー９の上端部（外側部材９ａ）には、排気
口１０が形成され、この排気口１０は、有害物質
を気密に処理して回収する気体吸引機構を含む回
収設備（図示せず）に接続されている。カバー９
の外側部材９ａおよび内側部材９ｂの二重壁構造
の内側は、気体（外気および揮発物質）の通路１
１になつている。内側部材９ｂの両端部には開口
１２，１３（両者同一開口面積）が各々形成さ
れ、内側部材９ｂの両側部には、その長さ方向全
体にわたつて延る長方形の開口１４，１５（両者
同一開口面積）が形成されている。開口１４，１
５は、搬入口８ｂから搬出口１０に向つてその開
口面積が大きくなるように、三角形状の当て板１
６によつて一部が塞がれている。

以上のように本発明にかかる加熱装置は構成さ
れているので、回収設備によつて、外気が搬入口
８ａ、搬出口８ｂからカバー９内に吸引され、そ
して開口１２，１３および開口１４，１６を通つ
て通路１１内に至り、最終的に排気口１０内を通
つて回収設備に吸引される。

したがつて、カバー９内において、加熱手段６
によつて加熱されて半導体ウエハー４の上面上か
ら揮発した有害物質（溶剤）は、搬入口８ａ、搬
出口８ｂからカバー９内に吸引された外気と共に
排気口１０から回収設備内に吸引され、（搬入口
８ａ、搬出口８ｂから）外にもれることがない。

なお、例えば、半導体ウエハー４の上面上に塗
布されるポリイミド樹脂および溶剤からなる塗料
の厚みは、150〜400μmであり（硬化後厚みは、
30〜40μm）、非常に厚い。そのため搬送手段１の
上側搬送位置１ａ上に搬入された半導体ウエハー
４上面上の塗料は、搬入直後からかなりの時間液
状になつていることがある。一方、搬入口８ａの
開口面積の方が、搬出口８ｂの開口面積より大き
いので、これら搬入口８ａおよび搬出口８ｂの近
傍におけるカバー９内に吸引される外気の速度
は、搬入口８ａの方が搬出口８ｂよりも遅い。し
たがつて、搬入口８ａの近傍における半導体ウエ
ハー４上面上の塗料は、その上方を流れる外気の
影響をほとんど受けることがなく、そのため最終
的にその塗料が硬化した後に、半導体ウエハー４
上面上には、その全体にわたつて平坦な膜厚のポ
リイミド樹脂が得られる。なお、例えば、搬入口
８ａの開口面積を搬出口８ｂの開口面積と同じに
すると、カバー９内において、搬入口８ａの近傍
における外気の速度の影響で、そこにある半導体
ウエハー４の上面上の塗料ａは波打つてしまい
（第４図にその一例を断面図で示す）、最終的にそ
の塗料が硬化した後に、半導体ウエハー４上面上
には、膜厚が不均一なポリイミド樹脂が残つてし
まう。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、半導体ウ
エハー加熱時に発生する有害物質を搬入口、搬出
口から外に流出しないようにした加熱装置を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、半導体ウエハーの従来の加熱装置の
一態様を示す断面図、第２図は本発明にかかる加
熱装置の一態様を断面図示した正面図、第３図は
同断面図示した側面図、第４図は半導体ウエハー
の断面図である。 １…搬送手段、４…半導体ウエハー、６…加熱
手段、８…加熱機構、８ａ…搬入口、８ｂ…搬出
口、９…カバー、１０…排気口。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ その上面上に塗料が塗布された半導体ウエハ
   ーをその上側搬送位置において搬送する搬送手段
   と、前記搬送手段を前記上側搬送位置において囲
   む加熱機構本体とを備え、前記加熱機構本体は、
   前記搬送手段の上側搬送位置の直下に設けられた
   前記上側搬送位置上の半導体ウエハーを加熱する
   加熱手段と、前記上側搬送位置における前記搬送
   手段をおおうように前記搬送手段の前記上側搬送
   位置の直上に設けられたカバーとを有し、前記加
   熱機構本体の、前記搬送手段の搬送方向上の両端
   に半導体ウエハーを通すための搬入口および搬出
   口が形成されている半導体ウエハーの加熱装置に
   おいて、前記搬入口の開口面積は前記搬出口の開
   口面積より大きくなつており、前記カバーには、
   前記搬入口および前記搬出口から前記カバー内を
   通して外気を吸引するための排気口が形成されて
   いることを特徴とする半導体ウエハーの加熱装
   置。 ２ 前記カバーは、二重壁構造になつており、そ
   の内側壁には、前記搬送方向上の両端および両側
   に開口が形成され、前記両側の開口は、搬送方向
   にそつてその上流から下流に開口面積が漸増して
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の半導体ウエハーの加熱装置。