JPH0430744B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0430744B2 JPH0430744B2 JP59125824A JP12582484A JPH0430744B2 JP H0430744 B2 JPH0430744 B2 JP H0430744B2 JP 59125824 A JP59125824 A JP 59125824A JP 12582484 A JP12582484 A JP 12582484A JP H0430744 B2 JPH0430744 B2 JP H0430744B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- less
- stainless steel
- alloy
- gold plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
本発明はステンレス鋼冷延鋼帯に金めつきを施
した安価で耐食性のある半導体リードフレーム材
に関する。 半導体リードフレーム材としては従来よりFe
−42％Ni合金などのFe−Ni合金、Fe−29％Ni−
17％Co合金などのFe−Ni−Co系合金およびCu
基合金などが主に用いられ、用途によつては普通
鋼なども用いられている。 しかしながらこれらの半導体リードフレーム材
は普通鋼を除いて一般に高価で、Fe−42％Ni合
金は熱伝導度と強度が小さく、Cu基合金は熱膨
張係数が大きく、強度が小さいという欠点があ
り、また普通鋼をはじめとしてFe−42％Ni合金
およびCu基合金には錆が発生するという欠点が
あつた。 一般に半導体リードフレーム材として熱伝導度
が小さいと半導体の発熱を十分放散できず、熱膨
張係数が大きいとパツケージがセラミツクである
場合熱膨張差が大きくなりパツケージとの密着性
が劣化してしまうものであり、強度が小さいとリ
ードフレームのリード部に加わる繰返し曲げに耐
えられなくなるとともに、リード部先端を回路基
板に差込みにくくなる。さらに錆が発生すると半
導体の機能が失われてしまうものである。 そこで本発明者らは上述のような欠点のない半
導体リードフレーム材を開発すべく種々研究を重
ねた結果、極低炭素のステンレス鋼冷延鋼帯に金
めつきを施した半導体リードフレーム材の開発に
成功したのである。すなわち本発明者らは極低炭
素のステンレス鋼冷延鋼帯として重量％にて
C0.03％以下、Si1.00％以下、Mn1.00％以下、
P0.040％以下、S0.030％以下、Cr11.50〜13.50％、
残部鉄および不可避的不純物からなるものに金め
つきを施せば従来の半導体リードフレーム材より
安価で、特性の優れたものが得られることを知見
したのである。 以下本発明を詳細に説明する。 ステンレス鋼にはSUS430、SUS304の如くCr
やNiを多く含むものもあるが、それらの含有量
はFe−42％Ni合金やFe−29％Ni−17％Co合金よ
り低いため、これらより安価であるとともに、
Cu基合金と比べても安価である。しかもステン
レス鋼の場合は錆の発生が問題にならない。 しかしながらステンレス鋼のうちでもSUS430
やSUS304の如くCrやNiの含有量の高いものは高
価で、SUS304などはプレス打抜き性が十分でな
い。 そこで本発明者らはステンレス鋼の組成をCr
含有量がSUS430やSUS304より低く、安価であ
るSUS410系にして、そのリードフレーム材とし
ての特性を調査したところ熱伝導度はFe−42％
Ni合金より大きく、熱膨張係数はCu基合金より
小さいことが判明した。また強度もFe−42％Ni
合金やCu基合金より大きく、しかも焼もどしや
調質圧延によりその程度を調整できることから同
一強度でもそれらより薄肉化できることが判明し
た。 しかしながら組成がSUS410系の場合Ｃが0.03
％を超えると焼入硬さが大きく、靭性良好にする
ため焼もどしを高温で行なわなければならなくな
るので、Ｃは0.03％以下の極低炭素にする必要が
あつた。 ところで半導体リードフレームには目的によつ
て金めつきが施される。従来この金めつきはリー
ドフレーム材をプレス打抜してリードフレームに
加工した後施していたが電流密度のエツジ効果に
より均一にめつきできないものであつた。また半
導体リードフレーム材の特性としてはプレス打抜
き性が要求されるが、組成がSUS410系の極低炭
素ステンレス鋼はCu基合金より劣るものであつ
た。 そこでかかる問題を解決するにはあらかじめ金
めつきを施しておけばよいことが判明した。この
金めつきは例えば無機酸類、有機酸類、アセチレ
ングリコール類、非イオン界面活性剤を配合した
酸性活性化浴にステンレス鋼冷延鋼帯を浸漬した
後陰極電解浴で陰極電解することによりめつき前
処理し、その後金めつきする方法、またはステン
レス鋼帯に前処理を施した後蒸着により金めつき
を施す方法などによれば密着性のよい金めつきを
施すことができる。金めつきの厚さとしては50〜
1000Åが好ましい。
した安価で耐食性のある半導体リードフレーム材
に関する。 半導体リードフレーム材としては従来よりFe
−42％Ni合金などのFe−Ni合金、Fe−29％Ni−
17％Co合金などのFe−Ni−Co系合金およびCu
基合金などが主に用いられ、用途によつては普通
鋼なども用いられている。 しかしながらこれらの半導体リードフレーム材
は普通鋼を除いて一般に高価で、Fe−42％Ni合
金は熱伝導度と強度が小さく、Cu基合金は熱膨
張係数が大きく、強度が小さいという欠点があ
り、また普通鋼をはじめとしてFe−42％Ni合金
およびCu基合金には錆が発生するという欠点が
あつた。 一般に半導体リードフレーム材として熱伝導度
が小さいと半導体の発熱を十分放散できず、熱膨
張係数が大きいとパツケージがセラミツクである
場合熱膨張差が大きくなりパツケージとの密着性
が劣化してしまうものであり、強度が小さいとリ
ードフレームのリード部に加わる繰返し曲げに耐
えられなくなるとともに、リード部先端を回路基
板に差込みにくくなる。さらに錆が発生すると半
導体の機能が失われてしまうものである。 そこで本発明者らは上述のような欠点のない半
導体リードフレーム材を開発すべく種々研究を重
ねた結果、極低炭素のステンレス鋼冷延鋼帯に金
めつきを施した半導体リードフレーム材の開発に
成功したのである。すなわち本発明者らは極低炭
素のステンレス鋼冷延鋼帯として重量％にて
C0.03％以下、Si1.00％以下、Mn1.00％以下、
P0.040％以下、S0.030％以下、Cr11.50〜13.50％、
残部鉄および不可避的不純物からなるものに金め
つきを施せば従来の半導体リードフレーム材より
安価で、特性の優れたものが得られることを知見
したのである。 以下本発明を詳細に説明する。 ステンレス鋼にはSUS430、SUS304の如くCr
やNiを多く含むものもあるが、それらの含有量
はFe−42％Ni合金やFe−29％Ni−17％Co合金よ
り低いため、これらより安価であるとともに、
Cu基合金と比べても安価である。しかもステン
レス鋼の場合は錆の発生が問題にならない。 しかしながらステンレス鋼のうちでもSUS430
やSUS304の如くCrやNiの含有量の高いものは高
価で、SUS304などはプレス打抜き性が十分でな
い。 そこで本発明者らはステンレス鋼の組成をCr
含有量がSUS430やSUS304より低く、安価であ
るSUS410系にして、そのリードフレーム材とし
ての特性を調査したところ熱伝導度はFe−42％
Ni合金より大きく、熱膨張係数はCu基合金より
小さいことが判明した。また強度もFe−42％Ni
合金やCu基合金より大きく、しかも焼もどしや
調質圧延によりその程度を調整できることから同
一強度でもそれらより薄肉化できることが判明し
た。 しかしながら組成がSUS410系の場合Ｃが0.03
％を超えると焼入硬さが大きく、靭性良好にする
ため焼もどしを高温で行なわなければならなくな
るので、Ｃは0.03％以下の極低炭素にする必要が
あつた。 ところで半導体リードフレームには目的によつ
て金めつきが施される。従来この金めつきはリー
ドフレーム材をプレス打抜してリードフレームに
加工した後施していたが電流密度のエツジ効果に
より均一にめつきできないものであつた。また半
導体リードフレーム材の特性としてはプレス打抜
き性が要求されるが、組成がSUS410系の極低炭
素ステンレス鋼はCu基合金より劣るものであつ
た。 そこでかかる問題を解決するにはあらかじめ金
めつきを施しておけばよいことが判明した。この
金めつきは例えば無機酸類、有機酸類、アセチレ
ングリコール類、非イオン界面活性剤を配合した
酸性活性化浴にステンレス鋼冷延鋼帯を浸漬した
後陰極電解浴で陰極電解することによりめつき前
処理し、その後金めつきする方法、またはステン
レス鋼帯に前処理を施した後蒸着により金めつき
を施す方法などによれば密着性のよい金めつきを
施すことができる。金めつきの厚さとしては50〜
1000Åが好ましい。
【表】
上記表より明らかな如く本発明の半導体リード
フレーム材はFe−42％Ni合金より熱伝導度が大
きく、Cu基合金より熱膨張係数が小さく、しか
もこれらの合金より強度が大きい。 以上の如く本発明の半導体リードフレーム材は
従来のFe−42％Ni合金とCu基合金の半導体リー
ドフレーム材の中間的性質を有し、しかも安価で
耐食性に優れているので、リードフレームの品質
向上とその製造コスト低減に大きく寄与するもの
である。
フレーム材はFe−42％Ni合金より熱伝導度が大
きく、Cu基合金より熱膨張係数が小さく、しか
もこれらの合金より強度が大きい。 以上の如く本発明の半導体リードフレーム材は
従来のFe−42％Ni合金とCu基合金の半導体リー
ドフレーム材の中間的性質を有し、しかも安価で
耐食性に優れているので、リードフレームの品質
向上とその製造コスト低減に大きく寄与するもの
である。
Claims (1)
- １ 重量％にてC0.03％以下、Si1.00％以下、
Mn1.00％以下、P0.040％以下、S0.030％以下、
Cr11.50〜13.50％、残部鉄および不可避的不純物
からなるステンレス鋼冷延鋼帯表面に金めつきが
施されたステンレス鋼半導体リードフレーム材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125824A JPS614259A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | ステンレス鋼半導体リ−ドフレ−ム材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125824A JPS614259A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | ステンレス鋼半導体リ−ドフレ−ム材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614259A JPS614259A (ja) | 1986-01-10 |
| JPH0430744B2 true JPH0430744B2 (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=14919844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125824A Granted JPS614259A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | ステンレス鋼半導体リ−ドフレ−ム材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614259A (ja) |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59125824A patent/JPS614259A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS614259A (ja) | 1986-01-10 |
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