JPS614259A - ステンレス鋼半導体リ−ドフレ−ム材 - Google Patents

ステンレス鋼半導体リ−ドフレ−ム材

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JPS614259A
JPS614259A JP59125824A JP12582484A JPS614259A JP S614259 A JPS614259 A JP S614259A JP 59125824 A JP59125824 A JP 59125824A JP 12582484 A JP12582484 A JP 12582484A JP S614259 A JPS614259 A JP S614259A
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JP
Japan
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less
lead frame
alloy
low
semiconductor lead
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JP59125824A
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English (en)
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JPH0430744B2 (ja
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Masayasu Maeda
前田 正恭
Koji Goto
宏二 後藤
Katsuaki Tokisada
時貞 勝明
Norio Hiroyasu
廣保 紀夫
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Nippon Steel Nisshin Co Ltd
Original Assignee
Nisshin Steel Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/456Materials

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不発F!Aはステンレス鋼冷延鋼帝忙金めつき會施した
安価で耐食性のある半導体リードフレーム材に関する。
半導体リードフレーム材としては従来よt)Fe−42
%Ni合金などのFe −Nl系合金、Fe −29%
Ni −17%CO合金などのFe −Ni −Co系
合金およびCu2jI合金などが主に用いられ、用途に
よっては普通鋼なども用いられている。
しかしながらこれらの半導体リードフレーム材は普通鋼
食除いて一般に高価で、Fe−42%Ni会金は熱伝導
度と強度が小さく、Cu基合金は熱膨張係数が大きく、
強度が小さいという欠点があり、また普通鋼tはじめと
してFe −42%Ni合金?よびCu基合金には錆が
発生するという欠点がめった。
一般和牛導体リードフレーム材として熱伝導度が小さい
と半導体の発熱を十分放散できず、熱膨張係数が大きい
とパッケージがセラミックでるる場合熱膨張差が太き(
なり/ソツケージとの密着性が劣化してし1うものでめ
り、強度が小さいとリードフレームのリード部に加わる
繰返し曲げに耐えられなくなるとともに、リード部先端
を回路基板罠差込&にくくなる。さらに錆が発生すると
半導体の機能が失われてしまうものである。
そこで本発明者らは上述のような欠点のない半導体リー
ドフレーム材を開発すべ(種々研究を重ねた結果、&低
炭素のステンレス鋼冷延鋼帯に金めつき會施した半導体
リードフレーム材の開発に成功したのでるる。すなわち
本発明者らは極低炭累のステンレス鋼冷延鋼帯として重
量%にて00.037C以下、5iLOO%以下1Mn
LOO%以下、PO,040%以下、s0.oao%以
下、Cr11.50〜13.50%、残部鉄?よび不可
避的不純物からなるものに金めつきt施ぜば従来の半導
体リードフレーム材エク安価で、特性の優れたものが得
られること全知見したのでめる。
以下本発明の詳細な説明する。
ステンレス鋼にはS OS 4.3−6+・、8U83
04の如(Cr JpNi f多(含むものもあるが、
それらの含有量はFe −42%Ni合金JPp6−2
9%N1−17%CO合金ニジ低いため、これらより安
価であるとともに、Cu基合金と比べても安価である。
しかもステンレス鋼の場合は錆の発生が問題にならない
しかしながらステンレス鋼のうちでも5LIS430や
5US304の如(Cr9Nfの含有量の高いもの−“
高価1・ 5tJS30°など“″′打抜き1が十分で
ない。
そこで本発明者らはステンレス鋼の組成fCr含有量が
5US430−?5LIS304より低(、安価である
SO8410系にして、そのリードフレーム材としての
特性vil−FA査したところ熱伝導度HFe−42%
N!合金J−9大きく、熱膨張係数はCu基合金より小
さいことが判明した。また強度もFe−42%Nf合金
やCu基合金、J″ジ大(、しかも焼もどし’Pim質
圧延によりその程度?調整できることから同一強度でも
それらより薄肉化できることが判明した。
しかしながら組成が5LIS 410系の場合Cが0.
03%?超えると焼入硬さが大き(、靭性?良好にする
ため焼もどし全高温で行なわなければならなくなるので
、Cは0,03%以下の極低炭素にする必要がめった。
ところで半導体リードフレームには目的に工って金めつ
きが施される。従来この金めつきにリードフレーム材t
プレス打抜してリードフレームに加工した後流していた
が電流密度のエツジ効果により均一にめっきできないも
のであった。1だ半導体リードフレーム材の特性として
はプレス打抜き性が要求されるが1組成が5us4:t
o系の極低炭素ステンレス鋼はCu基合金より劣るもの
でめった。
そこでかかる問題音解決するにはあらかじめ金めつき葡
施しておけばよいことが判明した。′この金めつきは例
えば無機酸類、有機酸類、アセチレングリコール類、非
イオン界面活性剤を配合した酸性活性化浴にステンレス
鋼冷延鋼帯kfj16にした後陰極電解浴で陰極電解す
ることFCよりめっき前処理し、その後金めつきする方
法、またはステンレス鋼帯に前処理r施した後蒸着に工
す金めっき會施す方法などによれば密着性のよい金めつ
き葡施すことができる。金めつきの厚さとしては5゜上
記表より明らかな如く本発明の牛導体リードフレーム材
はPe −42%Ni合金ニジ熱伝導度が大き(、Cu
基合金、Cシ熱膨張係数が小さく、しかもこれらの合金
より強度が大きい。
以上の如(不発明の牛導体リードフレーム材は従来のF
e−42%N1合金とCu基合金の牛導体す−ドフノー
ム材の中間的性質t−Nし、しかも安価で耐食性に優れ
ているので、リードフレームの品質向上とその製造コス
ト低減に大きく寄与するものである。
特許tfjm人 日新表鋼株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 重量%にてC0.03%以下、Si1.00%以下、M
    n1.00%以下、P0.040%以下、S0.030
    %以下、Cr11.50〜13.50%、残部鉄および
    不可避的不純物からなるステンレス鋼冷延鋼帯表面に金
    めつきが施されたステンレス鋼半導体リードフレーム材
JP59125824A 1984-06-19 1984-06-19 ステンレス鋼半導体リ−ドフレ−ム材 Granted JPS614259A (ja)

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