JPH0431080B2 - - Google Patents
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- JPH0431080B2 JPH0431080B2 JP1623285A JP1623285A JPH0431080B2 JP H0431080 B2 JPH0431080 B2 JP H0431080B2 JP 1623285 A JP1623285 A JP 1623285A JP 1623285 A JP1623285 A JP 1623285A JP H0431080 B2 JPH0431080 B2 JP H0431080B2
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- silicone elastomer
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- neutron
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Absorbent Articles And Supports Therefor (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
この発明はシリコーンエラストマーを基材とす
る中性子遮蔽性能に優れた中性子遮蔽材に関する
ものである。 （従来技術） 従来、原子炉等で使用される中性子遮蔽材とし
て、耐熱性、難燃性の優れた高分子であるシリコ
ーンエラストマーを基材とする遮蔽材が知られて
いる。例えば、特開昭54−1798号公報では、シリ
コーンエラストマーに対して熱中性子吸収のため
にホウ素化合物を添加したものが開示されてお
り、これはシリコーンエラストマー中にホウ素化
合物をいかに均一に分散させるかについての改良
であり、したがつてホウ素をいかに多量に添加さ
せるかに視点が置かれ、５〜75容量％（８〜85重
量％）のホウ素化合物を含有させるようにしてい
る。 ところでシリコーンエラストマーは元来水素含
有量が少ないため、ホウ素化合物の含有量が多い
と水素原子密度が小さくなつて中性子エネルギー
スペクトルの硬い（エネルギーの高い）場合、中
性子遮蔽性能が小さくなるという問題がある。 （発明の目的） この発明はこのような従来の欠点を解消するた
めになされたものであり、シリコーンエラストマ
ーの特性を生かしつつ水素原子密度が低下しない
ようにした中性子遮蔽性能の優れた遮蔽材を提供
するものである。 （発明の構成） この発明の第１の要旨は、シリコーンエラスト
マーにホウ素化合物が0.5〜５重量％添加されて
なるものである。また第２の要旨は、シリコーン
エラストマーにホウ素化合物が0.5〜５重量％添
加され、さらにポリプロピレンまたは水素化チタ
ンが添加されてなるものである。 （実施例） シリコーンエラストマーは、含水素系高分子物
質の中では最も耐熱性および難燃性に優れた材料
の１つである。またシリコーンエラストマーは温
度硬化性があり、硬化前は液体状であるために、
その流動性を利用して複雑な形状の注型ができる
という利点がある。このような性質のシリコーン
エラストマーに対して、ホウ素化合物を加えると
熱中性子を吸収する能力を向上させることができ
る。このホウ素化合物としては、B4C、BN、
B2O3等があり、これらを粉末の状態で加えれば
よい。 上記ホウ素化合物の添加量は、遮蔽材が使用さ
れる場所の中性子エネルギースペクトルによつて
設定すればよい。ホウ素化合物の添加量とその効
果との関係を調べるために、ウラン235の核分裂
スペクトルを持つ中性子の線源を30cmの厚さの炭
素鋼の壁で遮蔽し、その状態での中性子線量率を
１とし、さらにこの炭素鋼の壁の外側を10cm厚さ
の遮蔽材で遮蔽した状態における中性子線量率を
計算した。なお、上記遮蔽材としてはシリコーン
エラストマーに対して添加するB4Cの割合を種々
変化させたところ、第１図曲線１に示すような結
果がえられた。すなわちB4Cの添加量が0.5〜５
重量％の範囲内では線量率は2.9以下と小さいの
に対し、５重量％を超えると急激に増加する。し
たがつて、B4Cの添加量は0.5〜５重量％の範囲
内に設定する必要がある。その他のホウ素化合物
の添加量についても同様と考えられる。 また上記遮蔽材にポリプロピレンまたは水素化
チタンを添加することによつて水素原子密度を増
加させることができる。例えば、上記遮蔽材の水
素原子密度が５×1022atoms／cm3の場合に、これ
をポリプロピレン30重量％、または水素化チタン
50重量％を添加すれば水素原子密度が６×
10atoms／cm3となつて、水素原子密度が20重量％
増加することになる。 上記添加量は、水素原子密度を向上させるため
には多いほどよいが、添加量が増加するとポリプ
ロピレンの場合は難燃性が低下し、水素化チタン
の場合は硬化前の流動性が低下する。したがつ
て、要求される遮蔽材の特性に応じて、添加量を
決定すればよく、またポリプロピレンと水素化チ
タンとの両者を適当な割合で添加してもよい。 第１表において、シリコーンエラストマーに対
してB4Cを種々の割合で加えた遮蔽材、さらにそ
れにポリプロピレンまたは水素化チタンを加えた
遮蔽材の線量率が減衰率を示す。同表において、
ＡはB4Cを8.2重量％加えた従来品、Ｂ〜Ｈはそ
れぞれ本願の実施例であつて、その他の添加物と
してＥはポリプロピレンを、Ｆ，Ｇ，Ｈはそれぞ
れ水素化チタンを加えている。
る中性子遮蔽性能に優れた中性子遮蔽材に関する
ものである。 （従来技術） 従来、原子炉等で使用される中性子遮蔽材とし
て、耐熱性、難燃性の優れた高分子であるシリコ
ーンエラストマーを基材とする遮蔽材が知られて
いる。例えば、特開昭54−1798号公報では、シリ
コーンエラストマーに対して熱中性子吸収のため
にホウ素化合物を添加したものが開示されてお
り、これはシリコーンエラストマー中にホウ素化
合物をいかに均一に分散させるかについての改良
であり、したがつてホウ素をいかに多量に添加さ
せるかに視点が置かれ、５〜75容量％（８〜85重
量％）のホウ素化合物を含有させるようにしてい
る。 ところでシリコーンエラストマーは元来水素含
有量が少ないため、ホウ素化合物の含有量が多い
と水素原子密度が小さくなつて中性子エネルギー
スペクトルの硬い（エネルギーの高い）場合、中
性子遮蔽性能が小さくなるという問題がある。 （発明の目的） この発明はこのような従来の欠点を解消するた
めになされたものであり、シリコーンエラストマ
ーの特性を生かしつつ水素原子密度が低下しない
ようにした中性子遮蔽性能の優れた遮蔽材を提供
するものである。 （発明の構成） この発明の第１の要旨は、シリコーンエラスト
マーにホウ素化合物が0.5〜５重量％添加されて
なるものである。また第２の要旨は、シリコーン
エラストマーにホウ素化合物が0.5〜５重量％添
加され、さらにポリプロピレンまたは水素化チタ
ンが添加されてなるものである。 （実施例） シリコーンエラストマーは、含水素系高分子物
質の中では最も耐熱性および難燃性に優れた材料
の１つである。またシリコーンエラストマーは温
度硬化性があり、硬化前は液体状であるために、
その流動性を利用して複雑な形状の注型ができる
という利点がある。このような性質のシリコーン
エラストマーに対して、ホウ素化合物を加えると
熱中性子を吸収する能力を向上させることができ
る。このホウ素化合物としては、B4C、BN、
B2O3等があり、これらを粉末の状態で加えれば
よい。 上記ホウ素化合物の添加量は、遮蔽材が使用さ
れる場所の中性子エネルギースペクトルによつて
設定すればよい。ホウ素化合物の添加量とその効
果との関係を調べるために、ウラン235の核分裂
スペクトルを持つ中性子の線源を30cmの厚さの炭
素鋼の壁で遮蔽し、その状態での中性子線量率を
１とし、さらにこの炭素鋼の壁の外側を10cm厚さ
の遮蔽材で遮蔽した状態における中性子線量率を
計算した。なお、上記遮蔽材としてはシリコーン
エラストマーに対して添加するB4Cの割合を種々
変化させたところ、第１図曲線１に示すような結
果がえられた。すなわちB4Cの添加量が0.5〜５
重量％の範囲内では線量率は2.9以下と小さいの
に対し、５重量％を超えると急激に増加する。し
たがつて、B4Cの添加量は0.5〜５重量％の範囲
内に設定する必要がある。その他のホウ素化合物
の添加量についても同様と考えられる。 また上記遮蔽材にポリプロピレンまたは水素化
チタンを添加することによつて水素原子密度を増
加させることができる。例えば、上記遮蔽材の水
素原子密度が５×1022atoms／cm3の場合に、これ
をポリプロピレン30重量％、または水素化チタン
50重量％を添加すれば水素原子密度が６×
10atoms／cm3となつて、水素原子密度が20重量％
増加することになる。 上記添加量は、水素原子密度を向上させるため
には多いほどよいが、添加量が増加するとポリプ
ロピレンの場合は難燃性が低下し、水素化チタン
の場合は硬化前の流動性が低下する。したがつ
て、要求される遮蔽材の特性に応じて、添加量を
決定すればよく、またポリプロピレンと水素化チ
タンとの両者を適当な割合で添加してもよい。 第１表において、シリコーンエラストマーに対
してB4Cを種々の割合で加えた遮蔽材、さらにそ
れにポリプロピレンまたは水素化チタンを加えた
遮蔽材の線量率が減衰率を示す。同表において、
ＡはB4Cを8.2重量％加えた従来品、Ｂ〜Ｈはそ
れぞれ本願の実施例であつて、その他の添加物と
してＥはポリプロピレンを、Ｆ，Ｇ，Ｈはそれぞ
れ水素化チタンを加えている。
【表】
同表から明らかなように、Ａの従来品では線量
率の減衰率は0.352であるのに対し、B4Cを0.5〜
５％の範囲で添加したＢ，Ｃ，Ｄでは0.355以上
となつており、さらにこれにポリプロピレンまた
は水素化チタンを添加したものでは0.386以上と
なつて、減衰率が向上していることがわかる。 （発明の効果） 以上説明したように、この発明はシリコーンエ
ラストマーにホウ素化合物が0.5〜５重量％添加
されてなるものであり、あるいはシリコーンエラ
ストマーにホウ素化合物が0.5〜５重量％添加さ
れ、さらにポリプロピレンまたは水素化チタンが
添加されてなるものであり、これによつてシリコ
ーンエラストマーの特性を生かしつつ、中性子遮
蔽性能の向上を達成したものである。
率の減衰率は0.352であるのに対し、B4Cを0.5〜
５％の範囲で添加したＢ，Ｃ，Ｄでは0.355以上
となつており、さらにこれにポリプロピレンまた
は水素化チタンを添加したものでは0.386以上と
なつて、減衰率が向上していることがわかる。 （発明の効果） 以上説明したように、この発明はシリコーンエ
ラストマーにホウ素化合物が0.5〜５重量％添加
されてなるものであり、あるいはシリコーンエラ
ストマーにホウ素化合物が0.5〜５重量％添加さ
れ、さらにポリプロピレンまたは水素化チタンが
添加されてなるものであり、これによつてシリコ
ーンエラストマーの特性を生かしつつ、中性子遮
蔽性能の向上を達成したものである。
図面はB4Cの添加量と線量率との関係を示す特
性図である。 １……特性曲線。
性図である。 １……特性曲線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコーンエラストマーにホウ素化合物が
0.5〜５重量％添加されてなる中性子遮蔽材。 ２ シリコーンエラストマーにホウ素化合物が
0.5〜５重量％添加され、さらにポリプロピレン
または水素化チタンが添加されてなる中性子遮蔽
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1623285A JPS61173198A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 中性子遮蔽材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1623285A JPS61173198A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 中性子遮蔽材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61173198A JPS61173198A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0431080B2 true JPH0431080B2 (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=11910805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1623285A Granted JPS61173198A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 中性子遮蔽材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61173198A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2833402B1 (fr) * | 2001-12-12 | 2004-03-12 | Transnucleaire | Materiau de blindage neutronique et de maintien de la sous- criticite a base de resine vinylester |
| JP5037011B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2012-09-26 | 株式会社リコー | 光学センサ装置 |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP1623285A patent/JPS61173198A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61173198A (ja) | 1986-08-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |