JPS61173198A - 中性子遮蔽材 - Google Patents
中性子遮蔽材Info
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- JPS61173198A JPS61173198A JP1623285A JP1623285A JPS61173198A JP S61173198 A JPS61173198 A JP S61173198A JP 1623285 A JP1623285 A JP 1623285A JP 1623285 A JP1623285 A JP 1623285A JP S61173198 A JPS61173198 A JP S61173198A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Absorbent Articles And Supports Therefor (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はシリコーンエラストマーを基材とする中性子
遮蔽性能の優れた中性子遮蔽材に関するものである。
遮蔽性能の優れた中性子遮蔽材に関するものである。
(従来技術)
従来、原子炉等で使用される中性子遮蔽材として、耐熱
性、難燃性の優れた高分子であるシリコーンエラストマ
ーを基材とする遮蔽材が知られている。例えば、特開昭
54−1798号公報では、シリコーンエラストマーに
対して熱中性子吸収のためにホウ素化合物を添加したも
のが開示されており、これはシリコーンエラストマー中
にホウ素化合物をいかに均一に分散させるかについての
改良であり、したがってホウ素をいかに多量に添加させ
るかに視点が置かれ、5〜75容量%(8〜85重四%
)のホウ素化合物を含有させるようにしている。
性、難燃性の優れた高分子であるシリコーンエラストマ
ーを基材とする遮蔽材が知られている。例えば、特開昭
54−1798号公報では、シリコーンエラストマーに
対して熱中性子吸収のためにホウ素化合物を添加したも
のが開示されており、これはシリコーンエラストマー中
にホウ素化合物をいかに均一に分散させるかについての
改良であり、したがってホウ素をいかに多量に添加させ
るかに視点が置かれ、5〜75容量%(8〜85重四%
)のホウ素化合物を含有させるようにしている。
ところでシリコーンエラストマーは元来水素含有鑓が少
ないため、ホウ素化合物の含有量が多いと水素原子密度
が小さくなって中性子エネルギースペクトルの硬い(エ
ネルギーの高い)場合、中性子遮蔽性能が小さくなると
いう問題がある。
ないため、ホウ素化合物の含有量が多いと水素原子密度
が小さくなって中性子エネルギースペクトルの硬い(エ
ネルギーの高い)場合、中性子遮蔽性能が小さくなると
いう問題がある。
(発明の目的)
この発明はこのような従来の欠点を解消するためになさ
れたものであり、シリコーンエラストマーの特性を生か
しつつ水素原子密度が低下しないようにした中性子遮蔽
性能の優れた遮蔽材を提供するものである。
れたものであり、シリコーンエラストマーの特性を生か
しつつ水素原子密度が低下しないようにした中性子遮蔽
性能の優れた遮蔽材を提供するものである。
(発明の構成)
この発明の第1の要旨は、シリコーンエラストマーにホ
ウ素化合物が0.5〜5重量%添加されてなるものであ
る。また第2の要旨は、シリコーンエラストマーにホウ
素化合物が0.5〜5重量%添加され、さらにポリプロ
ピレンまたは水素化チタンが添加されてなるものである
。
ウ素化合物が0.5〜5重量%添加されてなるものであ
る。また第2の要旨は、シリコーンエラストマーにホウ
素化合物が0.5〜5重量%添加され、さらにポリプロ
ピレンまたは水素化チタンが添加されてなるものである
。
(実施例)
シリコーンエラストマーは、含水素系高分子物質の中で
は最も耐熱性および難燃性に優れた材料の1つである。
は最も耐熱性および難燃性に優れた材料の1つである。
またシリコーンエラストマーは温度硬化性があり、硬化
前は液体状であるために、その流動性を利用して複雑な
形状の注型ができるという利点がある。このような性質
のシリコーンエラストマーに対して、ホウ素化合物を加
えると熱中性子を吸収する能力を向上させることができ
る。このホウ素化合物としては、84 C5BN。
前は液体状であるために、その流動性を利用して複雑な
形状の注型ができるという利点がある。このような性質
のシリコーンエラストマーに対して、ホウ素化合物を加
えると熱中性子を吸収する能力を向上させることができ
る。このホウ素化合物としては、84 C5BN。
8203等があり、これらを粉末の状態で加えればよい
。
。
上記ホウ素化合物の添加量は、遮蔽材が使用される場所
の中性子エネルギースペクトルによって設定ずればよい
。ホウ素化合物の添加ωとその効果との関係を調べるた
めに、ウラン235の核分裂スペクトルを持つ中性子の
線源を3Qcmの厚さの炭素鋼の壁で遮蔽し、その状態
での中性子線呈率を1とし、さらにこの炭素鋼の壁の外
側を10CIll厚さの遮蔽材で遮蔽した状態における
中性子線M率を計算した。なお、上記遮蔽材としてはシ
リコーンエラストマーに対して添加する84Cの割合を
種々変化させたところ、第1図曲線1に示すような結果
がえられた。すなわちB4Cの添加量が0.5〜5重量
%の範囲内では線量率は2.9以下と小さいのに対し、
5重2%を超えると急激に増加する。したがって、84
Gの添加♀は0゜5〜5重但%の範囲内に設定する必要
がある。その他のホウ素化合物の添加量についても同様
と考えられる。
の中性子エネルギースペクトルによって設定ずればよい
。ホウ素化合物の添加ωとその効果との関係を調べるた
めに、ウラン235の核分裂スペクトルを持つ中性子の
線源を3Qcmの厚さの炭素鋼の壁で遮蔽し、その状態
での中性子線呈率を1とし、さらにこの炭素鋼の壁の外
側を10CIll厚さの遮蔽材で遮蔽した状態における
中性子線M率を計算した。なお、上記遮蔽材としてはシ
リコーンエラストマーに対して添加する84Cの割合を
種々変化させたところ、第1図曲線1に示すような結果
がえられた。すなわちB4Cの添加量が0.5〜5重量
%の範囲内では線量率は2.9以下と小さいのに対し、
5重2%を超えると急激に増加する。したがって、84
Gの添加♀は0゜5〜5重但%の範囲内に設定する必要
がある。その他のホウ素化合物の添加量についても同様
と考えられる。
また上記遮蔽材にポリプロピレンまたは水素化チタンを
添加することによって水素原子密度を増加させることが
できる。例えば、上記遮蔽材の水素原子密度が5 X
1022 atoms/cm3の場合に゛、これをポリ
プロピレン30重囲%、または水素化チタン50重R%
を添加すれば水素原子密度が6×10 aton+s
/cm3となッテ、水素原子密1120型開%増加する
ことになる。
添加することによって水素原子密度を増加させることが
できる。例えば、上記遮蔽材の水素原子密度が5 X
1022 atoms/cm3の場合に゛、これをポリ
プロピレン30重囲%、または水素化チタン50重R%
を添加すれば水素原子密度が6×10 aton+s
/cm3となッテ、水素原子密1120型開%増加する
ことになる。
上記添加量は、水素原子密度を向上させるためには多い
ほどよいが、添加量が増加するとポリプロピレンの場合
は難燃性が低下し、水素化チタンの場合は硬化前の流動
性が低下する。したがって、要求される遮蔽材の特性に
応じて、添加量を決定すればよく、またポリプロピレン
と水素化チタンとの両者を適当な割合で添加してもよい
。
ほどよいが、添加量が増加するとポリプロピレンの場合
は難燃性が低下し、水素化チタンの場合は硬化前の流動
性が低下する。したがって、要求される遮蔽材の特性に
応じて、添加量を決定すればよく、またポリプロピレン
と水素化チタンとの両者を適当な割合で添加してもよい
。
第1表において、シリコーンエラストマーに対して84
Gを種々の割合で加えた遮蔽材、さらにそれにポリプロ
ピレンまたは水素化チタンを加えた遮蔽材の12量率の
減衰率を示す。同表において、Aは84Cを8.2重量
%加えた従来品、B−Hはそれぞれ本願の実施例であっ
て、その他の添加物としてEはポリプロピレンを、F、
G、Hはそれぞれ水素化チタンを加えている。
Gを種々の割合で加えた遮蔽材、さらにそれにポリプロ
ピレンまたは水素化チタンを加えた遮蔽材の12量率の
減衰率を示す。同表において、Aは84Cを8.2重量
%加えた従来品、B−Hはそれぞれ本願の実施例であっ
て、その他の添加物としてEはポリプロピレンを、F、
G、Hはそれぞれ水素化チタンを加えている。
第1表
同表から明らかなように、Aの従来品では線m率の減衰
率は0.352であるのに対し、B4Cを0.5〜5%
の範囲で添加したB、C,Dでは0.355以上となっ
ており、さらにこれにポリプロピレンまたは水素化チタ
ンを添加したものでは0.386以上となって、減衰率
が向上していることがわかる。
率は0.352であるのに対し、B4Cを0.5〜5%
の範囲で添加したB、C,Dでは0.355以上となっ
ており、さらにこれにポリプロピレンまたは水素化チタ
ンを添加したものでは0.386以上となって、減衰率
が向上していることがわかる。
(発明の効果)
以上説明したように、この発明はシリコーンエラストマ
ーにホウ素化合物が0.5〜5重硲%添加されてなるも
のであり、あるいはシリコーンエラストマーにホウ素化
合物が0.5〜5重階%添加され、さらにポリプロピレ
ンまたは水素化チタンが添加されてなるものであり、こ
れによってシリコーンエラストマーの特性を生かしつつ
、中性子遮蔽性能の向上を達成したものである。
ーにホウ素化合物が0.5〜5重硲%添加されてなるも
のであり、あるいはシリコーンエラストマーにホウ素化
合物が0.5〜5重階%添加され、さらにポリプロピレ
ンまたは水素化チタンが添加されてなるものであり、こ
れによってシリコーンエラストマーの特性を生かしつつ
、中性子遮蔽性能の向上を達成したものである。
図面は84Cの添加量と線ω率との関係を示す特性図で
ある。 1・・・特性曲線。
ある。 1・・・特性曲線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、シリコーンエラストマーにホウ素化合物が0.5〜
5重量%添加されてなる中性子遮蔽材。 2、シリコーンエラストマーにホウ素化合物が0.5〜
5重量%添加され、さらにポリプロピレンまたは水素化
チタンが添加されてなる中性子遮蔽材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1623285A JPS61173198A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 中性子遮蔽材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1623285A JPS61173198A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 中性子遮蔽材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61173198A true JPS61173198A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0431080B2 JPH0431080B2 (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=11910805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1623285A Granted JPS61173198A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 中性子遮蔽材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61173198A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005512101A (ja) * | 2001-12-12 | 2005-04-28 | コジュマ・ロジスティクス | 中性子遮蔽及び未臨界維持のためのビニルエステル樹脂をベースにした物質 |
| JP2007173708A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Ricoh Co Ltd | 光学センサ装置 |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP1623285A patent/JPS61173198A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005512101A (ja) * | 2001-12-12 | 2005-04-28 | コジュマ・ロジスティクス | 中性子遮蔽及び未臨界維持のためのビニルエステル樹脂をベースにした物質 |
| JP2007173708A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Ricoh Co Ltd | 光学センサ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0431080B2 (ja) | 1992-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |