JPH04310876A - 画像表示装置の検査装置の構造 - Google Patents
画像表示装置の検査装置の構造Info
- Publication number
- JPH04310876A JPH04310876A JP3076416A JP7641691A JPH04310876A JP H04310876 A JPH04310876 A JP H04310876A JP 3076416 A JP3076416 A JP 3076416A JP 7641691 A JP7641691 A JP 7641691A JP H04310876 A JPH04310876 A JP H04310876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wirings
- wiring
- bundled
- image display
- detect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶テレビ等液晶材料
を用いたＬＣ画像表示装置、エレクトロ・ルミネッセン
スを応用したＥＬ画像表示装置、エレクトロ・クローミ
ック現象を応用したＥＣ画像表示装置等、画像表示装置
の検査装置の構造に関する。
を用いたＬＣ画像表示装置、エレクトロ・ルミネッセン
スを応用したＥＬ画像表示装置、エレクトロ・クローミ
ック現象を応用したＥＣ画像表示装置等、画像表示装置
の検査装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶材料を表示材料として用いた
画像表示装置、いわゆる液晶表示装置は、その機動性の
高さから、様々な分野でその応用が開発・研究されてい
る。中でも半導体素子を液晶駆動用の素子として用いた
アクティブ・マトリクス型のものは、時分割で表示を行
なう単純マトリクス型のものと比べ、その表示特性の優
位性から各方面で注目を集めている。また、エレクトロ
・ルミネッセンスやエレクトロ・クローミック現象を応
用した画像表示装置は、その優れた表示品質から、次な
るディスプレイを担うものとして研究が進められている
。
画像表示装置、いわゆる液晶表示装置は、その機動性の
高さから、様々な分野でその応用が開発・研究されてい
る。中でも半導体素子を液晶駆動用の素子として用いた
アクティブ・マトリクス型のものは、時分割で表示を行
なう単純マトリクス型のものと比べ、その表示特性の優
位性から各方面で注目を集めている。また、エレクトロ
・ルミネッセンスやエレクトロ・クローミック現象を応
用した画像表示装置は、その優れた表示品質から、次な
るディスプレイを担うものとして研究が進められている
。
【０００３】画像表示装置を上記方式で作製する場合、
構成画素に電圧信号を書き込むために、その配線は格子
状になされるのが普通である。該配線は、基板上に導電
性薄膜を形成した後、フォトリソグラフィー法によって
パターニングすることで形成される。しかし該配線は、
工程中のわずかなちりの影響、基板の表面状態の異常や
起伏の影響、フォトリソグラフィー工程に用いるフォト
マスクのわずかな欠陥の影響で、不完全な状態で形成さ
れることがある。しかし従来、該配線の欠陥の検査は全
くなされておらず、全工程が終了した後で実際に表示を
行なって、不良品を振り落とす方法がとられていた。
構成画素に電圧信号を書き込むために、その配線は格子
状になされるのが普通である。該配線は、基板上に導電
性薄膜を形成した後、フォトリソグラフィー法によって
パターニングすることで形成される。しかし該配線は、
工程中のわずかなちりの影響、基板の表面状態の異常や
起伏の影響、フォトリソグラフィー工程に用いるフォト
マスクのわずかな欠陥の影響で、不完全な状態で形成さ
れることがある。しかし従来、該配線の欠陥の検査は全
くなされておらず、全工程が終了した後で実際に表示を
行なって、不良品を振り落とす方法がとられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アクテ
ィブ・マトリクス型の液晶表示装置は、作製工程が非常
に多いため配線の欠陥も生じ易く、全工程の終了後に不
良品を振り落とす方法ではほとんど良好な品物は得られ
なかった。また他の方式のものでも同様にかなりの不良
品が発生していて、非常に低い歩留まりが製造の難点に
なっていた。全工程の終了後ではなく、配線のパターニ
ングが終了した後に良・不良の判断が可能なら、その後
の工程に要するコスト分の無駄がなくなるのだが、確実
、高速に配線の不良を検出する手法は従来にはなかった
。特に、配線が途中で断線する不良モードに関しては、
実際に目視で検査する以外方法はなく、とても実際の使
用には耐えられないという問題があった。
ィブ・マトリクス型の液晶表示装置は、作製工程が非常
に多いため配線の欠陥も生じ易く、全工程の終了後に不
良品を振り落とす方法ではほとんど良好な品物は得られ
なかった。また他の方式のものでも同様にかなりの不良
品が発生していて、非常に低い歩留まりが製造の難点に
なっていた。全工程の終了後ではなく、配線のパターニ
ングが終了した後に良・不良の判断が可能なら、その後
の工程に要するコスト分の無駄がなくなるのだが、確実
、高速に配線の不良を検出する手法は従来にはなかった
。特に、配線が途中で断線する不良モードに関しては、
実際に目視で検査する以外方法はなく、とても実際の使
用には耐えられないという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、画像表示装置
の任意の配線上に光を照射できる機構、および該配線の
電位を検出できる機構を具備することにより、配線の断
線を検出できる機能を実現することを特徴とする画像表
示装置の検査装置の構造である。
の任意の配線上に光を照射できる機構、および該配線の
電位を検出できる機構を具備することにより、配線の断
線を検出できる機能を実現することを特徴とする画像表
示装置の検査装置の構造である。
【０００６】
【実施例】図１は、本発明による実施例を示す画像表示
装置の検査装置の構造を示す斜視図である。
装置の検査装置の構造を示す斜視図である。
【０００７】１０１は配線を形成する土台となるガラス
基板で、該ガラス基板１０１上には、ｎ型多結晶シリコ
ンで作られた配線１０２がストライプ状にパターニング
され形成されている。該配線１０２の一端は共通に束ね
られており、この束ねる配線のパターン領域は、全パタ
ーニング工程の終了後、組み立てられる寸前に切り放さ
れ分離される。また１０３は、該配線の任意の領域に集
光できる走査機構を持つ光源で、１０４は配線１０２の
束ねた部分に接続された高精度の電位変化を検出するた
めの装置である。
基板で、該ガラス基板１０１上には、ｎ型多結晶シリコ
ンで作られた配線１０２がストライプ状にパターニング
され形成されている。該配線１０２の一端は共通に束ね
られており、この束ねる配線のパターン領域は、全パタ
ーニング工程の終了後、組み立てられる寸前に切り放さ
れ分離される。また１０３は、該配線の任意の領域に集
光できる走査機構を持つ光源で、１０４は配線１０２の
束ねた部分に接続された高精度の電位変化を検出するた
めの装置である。
【０００８】図２（ａ）〜（ｂ）は、本発明による実施
例を示す画像表示装置の検査装置を用いて配線の断線位
置を特定する際の、検査手順の一例を示す概略図である
。
例を示す画像表示装置の検査装置を用いて配線の断線位
置を特定する際の、検査手順の一例を示す概略図である
。
【０００９】図２（ａ）は、配線に沿って光源を走査し
ながら、半導体光起電力を検出することで、配線２０１
の一部領域の断線している部分２０２が検出されること
を示す図。
ながら、半導体光起電力を検出することで、配線２０１
の一部領域の断線している部分２０２が検出されること
を示す図。
【００１０】図２（ｂ）は、図２（ａ）の操作により、
光源の走査位置にしたがって検出される半導体光起電力
がどの様に変化するのかの一例を示す図。半導体光起電
力が検出されない状態から検出される状態に移行する点
２０３が、光走査に対応する場所の配線が断線している
点である。
光源の走査位置にしたがって検出される半導体光起電力
がどの様に変化するのかの一例を示す図。半導体光起電
力が検出されない状態から検出される状態に移行する点
２０３が、光走査に対応する場所の配線が断線している
点である。
【００１１】ここで、より高感度に配線の欠陥を検出す
るためには、照射光源を高周波で変調して、検出される
電気信号のノイズレベルを除去する方法で行なえばよい
。また、束ねた配線の別の一端も束ね、該部分をグラン
ドに落とすことでもノイズを小さくすることができる。
るためには、照射光源を高周波で変調して、検出される
電気信号のノイズレベルを除去する方法で行なえばよい
。また、束ねた配線の別の一端も束ね、該部分をグラン
ドに落とすことでもノイズを小さくすることができる。
【００１２】なお、本発明による実施例では、配線材料
としてｎ型多結晶シリコンを用いたが、インジウムとス
ズの酸化物の混合物であるＩＴＯなど他の半導体材料を
用いても同様な効果が得られるのは明らかであり、それ
らも本発明の範疇に属する。また配線材料に半導体では
なく金属を用い、該金属材料の一部領域に半導体材料が
接するよう配置した構造のものも同様な効果を有するこ
とは明かであり、それらも本発明の範疇に属する。
としてｎ型多結晶シリコンを用いたが、インジウムとス
ズの酸化物の混合物であるＩＴＯなど他の半導体材料を
用いても同様な効果が得られるのは明らかであり、それ
らも本発明の範疇に属する。また配線材料に半導体では
なく金属を用い、該金属材料の一部領域に半導体材料が
接するよう配置した構造のものも同様な効果を有するこ
とは明かであり、それらも本発明の範疇に属する。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の実施例によ
る画像表示装置の検査装置の構造を用いて、従来検査す
ることが困難であった、画像表示装置の配線の断線位置
の特定が可能になった。
る画像表示装置の検査装置の構造を用いて、従来検査す
ることが困難であった、画像表示装置の配線の断線位置
の特定が可能になった。
【図１】本発明による実施例を示す画像表示装置の検査
装置の構造を示す斜視図。
装置の構造を示す斜視図。
【図２】本発明による実施例を示す画像表示装置の検査
装置を用いて配線の断線位置を特定する際の、検査手順
の一例を示す概略図。
装置を用いて配線の断線位置を特定する際の、検査手順
の一例を示す概略図。
１０１ ガラス基板
１０２ ｎ型多結晶シリコンで作られた配線１０３
走査機構をもつ光源 １０４ 高精度の電位変化を検出するための装置２０
１ 配線 ２０２ 配線の断線領域 ２０３ 半導体光起電力が検出されない状態から検出
される状態に移行する点
走査機構をもつ光源 １０４ 高精度の電位変化を検出するための装置２０
１ 配線 ２０２ 配線の断線領域 ２０３ 半導体光起電力が検出されない状態から検出
される状態に移行する点
Claims (1)
- 【請求項１】 画像表示装置の任意の配線上に光を照
射できる機構、および該配線の電位を検出できる機構を
具備することを特徴とする画像表示装置の検査装置の構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076416A JPH04310876A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 画像表示装置の検査装置の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076416A JPH04310876A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 画像表示装置の検査装置の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04310876A true JPH04310876A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=13604610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3076416A Pending JPH04310876A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 画像表示装置の検査装置の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04310876A (ja) |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP3076416A patent/JPH04310876A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100528697B1 (ko) | 액정표시장치의 검사방법 및 장치 | |
| KR100528696B1 (ko) | 평판표시장치의 검사방법 및 장치 | |
| US5852482A (en) | TFT array of liquid crystal display where dataline and source electrode projecting therefrom cross gate lines at only two points and repair method thereof | |
| CN101441372A (zh) | 液晶显示器的静电放电保护装置及其制造方法 | |
| JPH05264461A (ja) | 液晶ディスプレイ基板の検査装置 | |
| CN103116234A (zh) | 彩膜基板及显示装置 | |
| US7995156B2 (en) | Method of manufacturing a display substrate using a laser to remove test lines from the substrate without cutting the substrate | |
| KR0151296B1 (ko) | 정전기방지구조를 갖춘 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JPH05341246A (ja) | マトリクス型表示素子の製造方法 | |
| CN101369079A (zh) | 液晶显示面板以及应用此液晶显示面板的液晶显示器 | |
| JPH04310877A (ja) | 画像表示装置の検査装置の構造 | |
| US7049527B1 (en) | Conductor-pattern testing method, and electro-optical device | |
| KR101102020B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조방법 | |
| KR100678734B1 (ko) | 어레이 기판 불량 검출 장치 | |
| JP3843661B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の検査方法 | |
| JPH0394223A (ja) | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 | |
| JPH10268273A (ja) | 液晶表示基板 | |
| JP3178011B2 (ja) | マトリクス型表示パネル形成用の基板 | |
| KR100599961B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치 | |
| TWI400515B (zh) | 薄膜電晶體陣列電路缺陷修補之即時檢測方法 | |
| JPH023022A (ja) | 液晶ディスプレイ装置 | |
| JPH07113727B2 (ja) | アクティブマトリックスアレイ | |
| JPH08313922A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2006267787A (ja) | 表示用パネル及びその製造方法 | |
| JP2763060B2 (ja) | 液晶パネルの検査装置 |