JPH04310920A - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
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- JPH04310920A JPH04310920A JP7642191A JP7642191A JPH04310920A JP H04310920 A JPH04310920 A JP H04310920A JP 7642191 A JP7642191 A JP 7642191A JP 7642191 A JP7642191 A JP 7642191A JP H04310920 A JPH04310920 A JP H04310920A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶テレビ、液晶プロ
ジェクター、液晶ディスプレイなどの液晶電気光学素子
に関する。
ジェクター、液晶ディスプレイなどの液晶電気光学素子
に関する。
【0002】
【従来の技術】図4に示したように、高分子・液晶複合
膜(以下PDLCと呼ぶ)9は、ネマチック液晶材料5
が網目状または格子状高分子6に分散した構造を持つ。 PDLC9は、電圧印加にともなって光散乱状態から光
透過状態に変化する。
膜(以下PDLCと呼ぶ)9は、ネマチック液晶材料5
が網目状または格子状高分子6に分散した構造を持つ。 PDLC9は、電圧印加にともなって光散乱状態から光
透過状態に変化する。
【0003】このPDLCをディスプレイとして使用す
るには、従来図4のように、素子基板2に形成された回
路素子3、および画素電極7と対向基板4上に形成され
た透明電極(共通電極)6でPDLC9を挟んで、印加
電圧で透過光量をコントロールすることによって、表示
が可能になる。PDLCをディスプレイとして使用する
と、従来の液晶表示素子に不可欠だった偏光板が不必要
となるため、明るい表示素子を得ることが可能である。
るには、従来図4のように、素子基板2に形成された回
路素子3、および画素電極7と対向基板4上に形成され
た透明電極(共通電極)6でPDLC9を挟んで、印加
電圧で透過光量をコントロールすることによって、表示
が可能になる。PDLCをディスプレイとして使用する
と、従来の液晶表示素子に不可欠だった偏光板が不必要
となるため、明るい表示素子を得ることが可能である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
PDLCの比抵抗は109Ω・cm台であり、通常のT
FT液晶素子に使用される液晶単体の値1012Ω・c
mより低い。そのため、TFT素子と組み合わせた場合
電圧保持率が低く、極端な場合には駆動が不可能であっ
た。また、透明電極から構成される単純マトリックスの
場合でも、表示の焼き付きに代表される表示品位の低下
が顕著であった。
PDLCの比抵抗は109Ω・cm台であり、通常のT
FT液晶素子に使用される液晶単体の値1012Ω・c
mより低い。そのため、TFT素子と組み合わせた場合
電圧保持率が低く、極端な場合には駆動が不可能であっ
た。また、透明電極から構成される単純マトリックスの
場合でも、表示の焼き付きに代表される表示品位の低下
が顕著であった。
【0005】これらの原因は次の様に考えられる。PD
LCを作成する際に、従来は液晶と光硬化型樹脂を適当
な比率で混合した物を液晶セル中に封入し、これに光を
照射する。光照射によって、光硬化型樹脂は硬化を開始
し高分子マトリックスを形成し、最終的に液晶部分と高
分子マトリックス部分に別れ、PDLCが形成される。 しかしながら、従来のように光硬化型樹脂と液晶の
混合物を使用した場合には、光照射により重合するがそ
の反応率が100%ではない。その結果、未反応の光硬
化型樹脂が不純物として液晶中に存在し比抵抗が低下す
る。
LCを作成する際に、従来は液晶と光硬化型樹脂を適当
な比率で混合した物を液晶セル中に封入し、これに光を
照射する。光照射によって、光硬化型樹脂は硬化を開始
し高分子マトリックスを形成し、最終的に液晶部分と高
分子マトリックス部分に別れ、PDLCが形成される。 しかしながら、従来のように光硬化型樹脂と液晶の
混合物を使用した場合には、光照射により重合するがそ
の反応率が100%ではない。その結果、未反応の光硬
化型樹脂が不純物として液晶中に存在し比抵抗が低下す
る。
【0006】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、その目的とするところは、あらかじめ
光硬化型樹脂を硬化して空隙を有する高分子マトリック
スを形成し、このマトリックスに液晶をしみこませて複
合膜の比抵抗を液晶単体とほぼ同じ値にすることによっ
て、表示品質、及び信頼性の高い液晶・高分子複合体か
らなる液晶表示体を提供することにある。
なされたもので、その目的とするところは、あらかじめ
光硬化型樹脂を硬化して空隙を有する高分子マトリック
スを形成し、このマトリックスに液晶をしみこませて複
合膜の比抵抗を液晶単体とほぼ同じ値にすることによっ
て、表示品質、及び信頼性の高い液晶・高分子複合体か
らなる液晶表示体を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子は
、以下の点を特徴とする。
、以下の点を特徴とする。
【0008】(1)高分子マトリックス中に液晶が分散
・充填された高分子・液晶複合膜を有する液晶表示素子
において、該高分子マトリックスは空隙を有するように
基板上に形成され、かつ光硬化型樹脂を少なくとも1成
分として含むこと。
・充填された高分子・液晶複合膜を有する液晶表示素子
において、該高分子マトリックスは空隙を有するように
基板上に形成され、かつ光硬化型樹脂を少なくとも1成
分として含むこと。
【0009】(2)(1)の高分子マトリックスは、網
目状あるいは格子状などにあらかじめ光硬化型樹脂を1
層ないし多層積層したこと。
目状あるいは格子状などにあらかじめ光硬化型樹脂を1
層ないし多層積層したこと。
【0010】(3)(2)の網目あるいは格子などによ
って形成される空隙の直径が0.5〜50μmであるこ
と。
って形成される空隙の直径が0.5〜50μmであるこ
と。
【0011】(4)(3)の空隙に液晶が充填されてい
ること。
ること。
【0012】(5) 液晶がネマチック液晶であること
。
。
【0013】(6) 光硬化型樹脂は紫外線硬化型樹脂
であること。
であること。
【0014】
【作用】あらかじめ基板上に形成される高分子マトリッ
クスは光硬化型樹脂が使用されるが、これは紫外線硬化
型樹脂、可視光硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などが使
用される。これらものを重合して高分子量化するために
は、重合開始剤が必要であるが、これは通常使用されて
いるものが使用される。その代表例としては、メチルエ
チルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド
、キュメンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチ
ルパーオクトエート、ジクミルパーオキサイド、ベンゾ
インアルキルエーテル系、アセトフェノン系、ベンゾフ
ェノン系、キサントン系などがあげられる。重合開始剤
は重合される成分に対して、0.001〜20重量%が
添加される。0.001重量%以下では重合速度が遅く
、20重量%以上では重合開始剤自身が不純物として作
用するためと思われるが、比抵抗が著しく低下する。
クスは光硬化型樹脂が使用されるが、これは紫外線硬化
型樹脂、可視光硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などが使
用される。これらものを重合して高分子量化するために
は、重合開始剤が必要であるが、これは通常使用されて
いるものが使用される。その代表例としては、メチルエ
チルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド
、キュメンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチ
ルパーオクトエート、ジクミルパーオキサイド、ベンゾ
インアルキルエーテル系、アセトフェノン系、ベンゾフ
ェノン系、キサントン系などがあげられる。重合開始剤
は重合される成分に対して、0.001〜20重量%が
添加される。0.001重量%以下では重合速度が遅く
、20重量%以上では重合開始剤自身が不純物として作
用するためと思われるが、比抵抗が著しく低下する。
【0015】これら、光硬化型樹脂と重合開始剤の混合
物は適当な手段で基板上に成膜された後、フォトマスク
などを通して硬化することによって希望する格子状、あ
るいは網目状などのパターンが形成される。あらかじめ
硬化してあるので、液晶中に低分子樹脂、重合開始剤な
どが不純物としてとけ込むことが防止される。さらに必
要に応じて、洗浄するなどして硬化後の樹脂の不純物濃
度をさらに低下させることができる。そのため、未反応
の成分が液晶中に不純物として存在することがなくなり
、液晶・高分子複合膜の比抵抗が液晶単体並みに向上す
る。その結果、安定なTFT駆動が可能になり、表示品
位も向上する。
物は適当な手段で基板上に成膜された後、フォトマスク
などを通して硬化することによって希望する格子状、あ
るいは網目状などのパターンが形成される。あらかじめ
硬化してあるので、液晶中に低分子樹脂、重合開始剤な
どが不純物としてとけ込むことが防止される。さらに必
要に応じて、洗浄するなどして硬化後の樹脂の不純物濃
度をさらに低下させることができる。そのため、未反応
の成分が液晶中に不純物として存在することがなくなり
、液晶・高分子複合膜の比抵抗が液晶単体並みに向上す
る。その結果、安定なTFT駆動が可能になり、表示品
位も向上する。
【0016】
【実施例】(実施例1)図1は、本発明による液晶電気
光学素子の電圧無印加時の断面図である。図中、1はあ
らかじめ形成された高分子マトリックス、2は素子基板
、3は回路素子、4は対向基板、5はネマチック液晶分
子、6は対向電極、7は画素電極、8はシール剤である
。電圧無印加状態では、液晶分子は高分子マトリックス
の壁面あるいは基板の壁面に沿って配列するため、素子
に入射した光は散乱される。
光学素子の電圧無印加時の断面図である。図中、1はあ
らかじめ形成された高分子マトリックス、2は素子基板
、3は回路素子、4は対向基板、5はネマチック液晶分
子、6は対向電極、7は画素電極、8はシール剤である
。電圧無印加状態では、液晶分子は高分子マトリックス
の壁面あるいは基板の壁面に沿って配列するため、素子
に入射した光は散乱される。
【0017】図2は、本発明による液晶電気光学素子の
電圧印加時の断面図である。液晶分子は電界方向に向く
ため、光は散乱されることなく直進する。このように、
電圧の有無によって光の透過、散乱をコントロールする
ことが可能となる。
電圧印加時の断面図である。液晶分子は電界方向に向く
ため、光は散乱されることなく直進する。このように、
電圧の有無によって光の透過、散乱をコントロールする
ことが可能となる。
【0018】この液晶電気光学素子は次の様にして作成
した。
した。
【0019】対向基板上に紫外線硬化型樹脂(ウレタン
アクリレート)を成膜後の膜厚が10μmになるように
スピンコートによりコートした。その後図3で示される
パターンになるように、1500mJ/cm2の紫外線
を照射し、硬化を行なった。その後、未硬化の部分を剥
離、洗浄した。次に、この対向基板と素子基板を液晶注
入口を残してシールした。ネマチック液晶(B7,BD
H社製)を液晶注入口から真空封入した後注入口を封止
した。
アクリレート)を成膜後の膜厚が10μmになるように
スピンコートによりコートした。その後図3で示される
パターンになるように、1500mJ/cm2の紫外線
を照射し、硬化を行なった。その後、未硬化の部分を剥
離、洗浄した。次に、この対向基板と素子基板を液晶注
入口を残してシールした。ネマチック液晶(B7,BD
H社製)を液晶注入口から真空封入した後注入口を封止
した。
【0020】得られた液晶セルの比抵抗は、2.1×1
011Ω・cm、コントラストは1:130であった。 このセルを60度乾熱の条件下に放置したところ200
0時間経過しても表示不良は発生しなかった。
011Ω・cm、コントラストは1:130であった。 このセルを60度乾熱の条件下に放置したところ200
0時間経過しても表示不良は発生しなかった。
【0021】(実施例2)実施例1におけるウレタンア
クリレートの代わりに、ビスフェノール型エポキシアク
リレート:フェノールノボラック型エポキシアクリレー
ト=85:15の割合で混合した混合物を紫外線硬化型
樹脂として使用した。紫外線硬化後、180度×30分
の熱硬化を施した。それ以外は、実施例1と同様にして
液晶セルを組み立てた。得られた液晶セルの比抵抗は、
1.3×1010 Ω・cm、コントラストは1:10
5であった。このセルを60度乾熱の条件下に放置した
ところ2000時間経過しても表示不良は発生しなかっ
た。
クリレートの代わりに、ビスフェノール型エポキシアク
リレート:フェノールノボラック型エポキシアクリレー
ト=85:15の割合で混合した混合物を紫外線硬化型
樹脂として使用した。紫外線硬化後、180度×30分
の熱硬化を施した。それ以外は、実施例1と同様にして
液晶セルを組み立てた。得られた液晶セルの比抵抗は、
1.3×1010 Ω・cm、コントラストは1:10
5であった。このセルを60度乾熱の条件下に放置した
ところ2000時間経過しても表示不良は発生しなかっ
た。
【0022】(実施例3)実施例1における紫外線硬化
型樹脂の代わりに、電子線硬化型樹脂を使用した。それ
以外は、実施例1と同様にして液晶セルを組み立てた。 得られた液晶セルの比抵抗は、5.3×109Ω・cm
、コントラストは1:96であった。このセルを60度
乾熱の条件下に放置したところ1400時間経過後、1
0枚中3枚のパネルで表示不良1が発生した。
型樹脂の代わりに、電子線硬化型樹脂を使用した。それ
以外は、実施例1と同様にして液晶セルを組み立てた。 得られた液晶セルの比抵抗は、5.3×109Ω・cm
、コントラストは1:96であった。このセルを60度
乾熱の条件下に放置したところ1400時間経過後、1
0枚中3枚のパネルで表示不良1が発生した。
【0023】(比較例)実施例1における紫外線硬化樹
脂の代わりに、ビスフェノールA型エポキシ樹脂:硬化
剤=100:1の割合で混合した混合物1を、混合物1
:液晶(B7)=25:75の割合で混合した。この混
合物を、あらかじめ対向基板と素子基板を張り合わせた
パネルに封入した。その後、2000mの紫外線を照射
してPDLCを作成した。得られた液晶セルの比抵抗は
、6.5×107Ω・cm、コントラストは1:106
であったこのセルを60度乾熱の条件下に放置したとこ
ろ500時間経過後、10枚中8枚のパネルで表示不良
が発生した。
脂の代わりに、ビスフェノールA型エポキシ樹脂:硬化
剤=100:1の割合で混合した混合物1を、混合物1
:液晶(B7)=25:75の割合で混合した。この混
合物を、あらかじめ対向基板と素子基板を張り合わせた
パネルに封入した。その後、2000mの紫外線を照射
してPDLCを作成した。得られた液晶セルの比抵抗は
、6.5×107Ω・cm、コントラストは1:106
であったこのセルを60度乾熱の条件下に放置したとこ
ろ500時間経過後、10枚中8枚のパネルで表示不良
が発生した。
【0024】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、比
抵抗が高くその結果信頼性の良好な液晶ディスプレイを
提供することができる。
抵抗が高くその結果信頼性の良好な液晶ディスプレイを
提供することができる。
【図1】本発明による液晶電気光学素子の電圧無印加時
の断面図を示す図。
の断面図を示す図。
【図2】本発明による液晶電気光学素子の電圧印加時の
断面図を示す図。
断面図を示す図。
【図3】本発明に使用する高分子マトリックス作成する
の必要なフォトマスクパターン代表例を示す図。
の必要なフォトマスクパターン代表例を示す図。
【図4】従来のPDLCを使用した液晶電気光学素子を
示す図。
示す図。
1 高分子マトリックス
2 素子基板
3 回路素子
4 対向基板
5 ネマチック液晶
6 対向電極
7 画素電極
8 シール剤
9 PDLC
10 紫外線硬化樹脂
11 光透過部分
12 光未透過部分
Claims (6)
- 【請求項1】 高分子マトリックス中に液晶が分散・
充填された高分子・液晶複合膜を有する液晶表示素子に
おいて、該高分子マトリックスは空隙を有するように基
板上に形成され、かつ光硬化型樹脂を少なくとも1成分
として含むことを特徴とする液晶電気光学素子。 - 【請求項2】 請求項1の高分子マトリックスは、網
目状あるいは格子状などにあらかじめ光硬化型樹脂を1
層ないし多層積層したことを特徴とする液晶電気光学素
子。 - 【請求項3】 請求項2の網目あるいは格子などによ
って形成される空隙の直径が0.5〜50μmであるこ
とを特徴とする液晶電気光学素子。 - 【請求項4】 請求項3の空隙に液晶が充填されてい
ることを特徴とする液晶電気光学素子。 - 【請求項5】 液晶がネマチック液晶であることを特
徴とする液晶電気光学素子。 - 【請求項6】 光硬化型樹脂は紫外線硬化型樹脂であ
ることを特徴とする液晶電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7642191A JPH04310920A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7642191A JPH04310920A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 液晶電気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04310920A true JPH04310920A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=13604725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7642191A Pending JPH04310920A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04310920A (ja) |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP7642191A patent/JPH04310920A/ja active Pending
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