JPH04310921A - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
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- JPH04310921A JPH04310921A JP7645091A JP7645091A JPH04310921A JP H04310921 A JPH04310921 A JP H04310921A JP 7645091 A JP7645091 A JP 7645091A JP 7645091 A JP7645091 A JP 7645091A JP H04310921 A JPH04310921 A JP H04310921A
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Landscapes
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶テレビ，液晶プロ
ジェクター，液晶ディスプレイなどの液晶電気光学素子
に関し、さらには高精細液晶ライトバルブに関する。
ジェクター，液晶ディスプレイなどの液晶電気光学素子
に関し、さらには高精細液晶ライトバルブに関する。
【０００２】
【発明の概要】本発明は液晶電気光学素子に関し、紫外
線硬化型高分子の重合開始剤としてポリシランを用いる
ことにより、光散乱膜の比抵抗を液晶単品と同じにし、
かつ安定なＴＦＥ駆動を可能として、表示品位を向上さ
せる。
線硬化型高分子の重合開始剤としてポリシランを用いる
ことにより、光散乱膜の比抵抗を液晶単品と同じにし、
かつ安定なＴＦＥ駆動を可能として、表示品位を向上さ
せる。
【０００３】
【従来の技術】図１は液晶電気光学素子の一般的構成を
示す模式的断面図である。図１に示したように光散乱膜
１は、ネマチック液晶５が粒子状または３次元ネットワ
ーク構造状高分子６中に分散した構造を持つ。光散乱膜
１は、電圧印加にともなって光散乱状態から光透過状態
に変化する。
示す模式的断面図である。図１に示したように光散乱膜
１は、ネマチック液晶５が粒子状または３次元ネットワ
ーク構造状高分子６中に分散した構造を持つ。光散乱膜
１は、電圧印加にともなって光散乱状態から光透過状態
に変化する。
【０００４】この光散乱膜をディスプレイとして使用す
るには、図１のように、素子基板２に形成された回路素
子３、および画素電極８と対向基板４上に形成された透
明電極（共通電極）７で光散乱膜１を挟んで、印加電圧
で透過光量をコントロールすることによって、表示が可
能になる。光散乱膜をディスプレイとして使用すると、
従来の液晶表示素子に不可欠だった偏光板が不必要にな
るため、明るい表示素子を得ることが可能であり、高輝
度が望まれる高精細液晶ライトバルブには特に有望であ
る。
るには、図１のように、素子基板２に形成された回路素
子３、および画素電極８と対向基板４上に形成された透
明電極（共通電極）７で光散乱膜１を挟んで、印加電圧
で透過光量をコントロールすることによって、表示が可
能になる。光散乱膜をディスプレイとして使用すると、
従来の液晶表示素子に不可欠だった偏光板が不必要にな
るため、明るい表示素子を得ることが可能であり、高輝
度が望まれる高精細液晶ライトバルブには特に有望であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光散乱膜の比抵抗は１０９ Ω・ｃｍと、液晶単体の１
０１２Ω・ｃｍより低い。そのため、ＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）素子と組み合わせた場合電圧保持率が低く、
極端な場合には駆動が不可能であった。また、透明電極
から構成される単純マトリックスの場合でも、表示の焼
き付きに代表される表示品位の低下が顕著であった。
光散乱膜の比抵抗は１０９ Ω・ｃｍと、液晶単体の１
０１２Ω・ｃｍより低い。そのため、ＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）素子と組み合わせた場合電圧保持率が低く、
極端な場合には駆動が不可能であった。また、透明電極
から構成される単純マトリックスの場合でも、表示の焼
き付きに代表される表示品位の低下が顕著であった。
【０００６】これらの原因は次のように考えられる。液
晶・高分子複合膜を作成する際に、従来の紫外線硬化型
樹脂と重合開始剤を使用した場合には、紫外線照射によ
りすみやかに重合する。しかし、重合開始剤は高分子マ
トリックスに組み込まれず、低分子の状態で残留する。 これが不純物として作用するので、光散乱膜の比抵抗が
低下する。あるいは、高分子マトリックス中から徐々に
液晶中に溶解するので、液晶表示体の特性，性能が経時
的に変化し、製品としての信頼性に問題があった。
晶・高分子複合膜を作成する際に、従来の紫外線硬化型
樹脂と重合開始剤を使用した場合には、紫外線照射によ
りすみやかに重合する。しかし、重合開始剤は高分子マ
トリックスに組み込まれず、低分子の状態で残留する。 これが不純物として作用するので、光散乱膜の比抵抗が
低下する。あるいは、高分子マトリックス中から徐々に
液晶中に溶解するので、液晶表示体の特性，性能が経時
的に変化し、製品としての信頼性に問題があった。
【０００７】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、その目的とするところは、光散乱膜の
比抵抗を液晶単体とほぼ同じ値にし、表示品質、および
信頼性の高い液晶表示素子を提供することにある。
なされたもので、その目的とするところは、光散乱膜の
比抵抗を液晶単体とほぼ同じ値にし、表示品質、および
信頼性の高い液晶表示素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の液晶電気光学素子は、紫外線硬化型
樹脂中にネマチック液晶が分散されている光散乱膜を有
する液晶電気光学素子において、前記紫外線硬化型樹脂
の重合開始剤としてポリシランが含有されていることを
特徴とする。
るために、本発明の液晶電気光学素子は、紫外線硬化型
樹脂中にネマチック液晶が分散されている光散乱膜を有
する液晶電気光学素子において、前記紫外線硬化型樹脂
の重合開始剤としてポリシランが含有されていることを
特徴とする。
【０００９】ポリシランとしては、ポリ（フェニルメチ
ルシリレン），ジメチルシリレンとフェニルメチルシリ
レンとの共重合体，ポリジヘキシルシリレンなどが好ま
しく用いられる。
ルシリレン），ジメチルシリレンとフェニルメチルシリ
レンとの共重合体，ポリジヘキシルシリレンなどが好ま
しく用いられる。
【００１０】本発明に適用できるポリシランとしては下
記式で示されるものが代表例として挙げられる。
記式で示されるものが代表例として挙げられる。
【００１１】
【化１】
【００１２】ポリシランは、紫外線を照射すると開裂し
ラジカルになる。そして、このラジカルによってポリシ
ランが３次元架橋すると同時に、ラジカルが重合開始剤
として作用し、紫外線硬化型樹脂が重合を始める。
ラジカルになる。そして、このラジカルによってポリシ
ランが３次元架橋すると同時に、ラジカルが重合開始剤
として作用し、紫外線硬化型樹脂が重合を始める。
【００１３】紫外線硬化型樹脂としては、ポリエステル
アクリレート，エポキシアクリレート，ウレタンアクリ
レートなどのオリゴマー，エチルヘキシルアクリレート
，Ｎ−ビニルピロリドン，ヘキサンジオールジアクリレ
ート，ネオペンチルグリコールジアクリレート，トリメ
チロールプロパントリアクリレート，ジペンタエリスリ
トールヘキサアクリレートなどの反応性希釈剤の単独、
あるいはオリゴマーとの混合物が好ましく用いられる。
アクリレート，エポキシアクリレート，ウレタンアクリ
レートなどのオリゴマー，エチルヘキシルアクリレート
，Ｎ−ビニルピロリドン，ヘキサンジオールジアクリレ
ート，ネオペンチルグリコールジアクリレート，トリメ
チロールプロパントリアクリレート，ジペンタエリスリ
トールヘキサアクリレートなどの反応性希釈剤の単独、
あるいはオリゴマーとの混合物が好ましく用いられる。
【００１４】ポリシラン成分と紫外線硬化型樹脂の混合
割合は、紫外線硬化型高分子１００重量部に対してポリ
シラン０．０５〜２重量部混合される。ポリシランが０
．０５重量部未満では重合開始剤としての作用があまり
期待できず、ポリシランが２重量部を越えると紫外線硬
化した後の樹脂が液晶により膨潤する傾向にある。
割合は、紫外線硬化型高分子１００重量部に対してポリ
シラン０．０５〜２重量部混合される。ポリシランが０
．０５重量部未満では重合開始剤としての作用があまり
期待できず、ポリシランが２重量部を越えると紫外線硬
化した後の樹脂が液晶により膨潤する傾向にある。
【００１５】光散乱膜を作成するには、まず上記のポリ
シランと紫外線硬化型樹脂との混合物に液晶を添加混合
しなければならないが、液晶の混合割合はポリシランと
紫外線硬化型樹脂と液晶との混合物の２５〜９５重量％
が望ましい。液晶の割合が２５重量％未満ではコントラ
ストが不十分であり、また、液晶の割合が９５重量％を
越えると光散乱能力が低下する。
シランと紫外線硬化型樹脂との混合物に液晶を添加混合
しなければならないが、液晶の混合割合はポリシランと
紫外線硬化型樹脂と液晶との混合物の２５〜９５重量％
が望ましい。液晶の割合が２５重量％未満ではコントラ
ストが不十分であり、また、液晶の割合が９５重量％を
越えると光散乱能力が低下する。
【００１６】このようにして得られた混合物は、２枚の
基板の間に挟む、あるいは、１枚の基板上に塗布するな
どした後に、紫外線を照射して硬化させる。
基板の間に挟む、あるいは、１枚の基板上に塗布するな
どした後に、紫外線を照射して硬化させる。
【００１７】
【作用】本発明によれば、紫外線照射前は溶剤中に可溶
であったポリシランが、紫外線照射によって不溶化する
と同時に、ポリシランと紫外線硬化型樹脂とが重合反応
し、高分子マトリックスに固定される。従って、未反応
の低分子量物および重合開始剤が液晶中に不純物として
溶け出すことはなくなり、その結果、比抵抗が上昇する
。
であったポリシランが、紫外線照射によって不溶化する
と同時に、ポリシランと紫外線硬化型樹脂とが重合反応
し、高分子マトリックスに固定される。従って、未反応
の低分子量物および重合開始剤が液晶中に不純物として
溶け出すことはなくなり、その結果、比抵抗が上昇する
。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１９】図１は従来例の図１に示した液晶電気光学
素子と同様の構造を有する。すなわち、光散乱膜１，素
子基板２，回路素子３，対向基板４，ネマチック液晶５
，粒子状あるいは３次元ネットワーク構造状高分子６，
対向電極７，画素電極８，シール剤９を有する。電圧無
印加状態では光散乱膜は光散乱状態であり、透明電極あ
るいはＴＦＴ素子により電圧を印加することにより光透
過状態に変化する。
素子と同様の構造を有する。すなわち、光散乱膜１，素
子基板２，回路素子３，対向基板４，ネマチック液晶５
，粒子状あるいは３次元ネットワーク構造状高分子６，
対向電極７，画素電極８，シール剤９を有する。電圧無
印加状態では光散乱膜は光散乱状態であり、透明電極あ
るいはＴＦＴ素子により電圧を印加することにより光透
過状態に変化する。
【００２０】この液晶電気光学素子は次のようにして作
成した。
成した。
【００２１】（実施例１）ポリシランとしてはフェニル
メチルポリシラン（以下、ＭＰＳ）を使用し、紫外線硬
化樹脂トリプロピレングリコルジアクリレート（以下、
ＴＰＧＤＡ）と、ＭＰＳ：ＴＰＧＤＡ＝１：１００で混
合した。この混合物と液晶ＰＮ−００１（ロディック社
製）とを混合物：液晶＝２５：７５（重量比）の割合で
混合した。これらの混合物を、あらかじめ組み立ててお
いたパネルに真空封入した。ギャップは５ミクロンであ
った。次に、１５００ｍＪ／ｃｍ２ の紫外線を照射し
、硬化を行った。
メチルポリシラン（以下、ＭＰＳ）を使用し、紫外線硬
化樹脂トリプロピレングリコルジアクリレート（以下、
ＴＰＧＤＡ）と、ＭＰＳ：ＴＰＧＤＡ＝１：１００で混
合した。この混合物と液晶ＰＮ−００１（ロディック社
製）とを混合物：液晶＝２５：７５（重量比）の割合で
混合した。これらの混合物を、あらかじめ組み立ててお
いたパネルに真空封入した。ギャップは５ミクロンであ
った。次に、１５００ｍＪ／ｃｍ２ の紫外線を照射し
、硬化を行った。
【００２２】得られた液晶セルの比抵抗は、２．１×１
０１１Ω・ｃｍ、コントラストは１：１３０であった。 このセルを６０度乾熱の条件下に放置したところ２００
０時間経過しても表示不良は発生しなかった。
０１１Ω・ｃｍ、コントラストは１：１３０であった。 このセルを６０度乾熱の条件下に放置したところ２００
０時間経過しても表示不良は発生しなかった。
【００２３】（実施例２）実施例１における混合物の代
わりに、ＭＰＳ：ＴＰＧＤＡ＝０．２：１００の割合で
混合した混合物を、混合物：液晶（ＰＮ−００１）＝２
５：７５の割合で混合した。それ以外は、実施例１と同
様にして液晶セルを組み立てた。得られた液晶セルの比
抵抗は、１．３×１０１０Ω・ｃｍ、コントラストは１
：１０５であった。このセルを６０度乾熱の条件下に放
置したところ２０００時間経過しても表示不良は発生し
なかった。
わりに、ＭＰＳ：ＴＰＧＤＡ＝０．２：１００の割合で
混合した混合物を、混合物：液晶（ＰＮ−００１）＝２
５：７５の割合で混合した。それ以外は、実施例１と同
様にして液晶セルを組み立てた。得られた液晶セルの比
抵抗は、１．３×１０１０Ω・ｃｍ、コントラストは１
：１０５であった。このセルを６０度乾熱の条件下に放
置したところ２０００時間経過しても表示不良は発生し
なかった。
【００２４】（比較例）実施例１におけるポリシランの
代わりに、重合開始剤として２，４−ジエチルオキサン
トンを、２，４−ジエチルオキサントン：ＴＰＧＤＡ＝
０．５：１００の割合で混合した。それ以外は、実施例
１と同様にして液晶セルを組み立てた。得られた液晶セ
ルの比抵抗は、６．５×１０７ Ω・ｃｍ、コントラス
トは１：１０６であった。このセルを６０度乾熱の条件
下に放置したところ５００時間経過後、１０枚中８枚の
パネルで表示不良が発生した。
代わりに、重合開始剤として２，４−ジエチルオキサン
トンを、２，４−ジエチルオキサントン：ＴＰＧＤＡ＝
０．５：１００の割合で混合した。それ以外は、実施例
１と同様にして液晶セルを組み立てた。得られた液晶セ
ルの比抵抗は、６．５×１０７ Ω・ｃｍ、コントラス
トは１：１０６であった。このセルを６０度乾熱の条件
下に放置したところ５００時間経過後、１０枚中８枚の
パネルで表示不良が発生した。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ポリシランを重合開始剤に適用することにより、低分子
量の状態で残留した重合開始剤が液晶中に不純物として
存在することがなくなり、光散乱膜の比抵抗が液晶単品
並みに向上する。その結果、安定なＴＦＴ駆動が可能に
なり、表示品位も向上する。
ポリシランを重合開始剤に適用することにより、低分子
量の状態で残留した重合開始剤が液晶中に不純物として
存在することがなくなり、光散乱膜の比抵抗が液晶単品
並みに向上する。その結果、安定なＴＦＴ駆動が可能に
なり、表示品位も向上する。
【図１】液晶電気光学素子の一般的な構成を示す模式的
断面図である。
断面図である。
１ 光散乱膜
２ 素子基板
３ 回路素子
４ 対向基板
５ ネマチック液晶
６ 粒子状あるいは３次元ネットワーク構造状高分子
７ 対向電極 ８ 画素電極 ９ シール剤
７ 対向電極 ８ 画素電極 ９ シール剤
Claims (3)
- 【請求項１】 紫外線硬化型樹脂中にネマチック液晶
が分散されている光散乱膜を有する液晶電気光学素子に
おいて、前記紫外線硬化型樹脂の重合開始剤としてポリ
シランが含有されていることを特徴とする液晶電気光学
素子。 - 【請求項２】 前記紫外線硬化型樹脂１００重量部に
ポリシランが０．０５〜２重量部混合されていることを
特徴とする請求項１に記載の液晶電気光学素子。 - 【請求項３】 前記ネマチック液晶が、ポリシランと
紫外線硬化型樹脂とネマチック液晶との全体量に対して
２５〜９５重量％含有されていることを特徴とする請求
項１に記載の液晶電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7645091A JPH04310921A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7645091A JPH04310921A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 液晶電気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04310921A true JPH04310921A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=13605491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7645091A Pending JPH04310921A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04310921A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06148605A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-05-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| WO1995004791A1 (en) * | 1993-08-06 | 1995-02-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Light modulating device having a silicon-containing matrix |
| US5641426A (en) * | 1994-04-29 | 1997-06-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Light modulating device having a vinyl ether-based matrix |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04227843A (ja) * | 1990-05-29 | 1992-08-17 | Merck Patent Gmbh | 液晶マイクロカプセルの作製法 |
| JPH04240614A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-08-27 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学素子 |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP7645091A patent/JPH04310921A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| JPH04227843A (ja) * | 1990-05-29 | 1992-08-17 | Merck Patent Gmbh | 液晶マイクロカプセルの作製法 |
| JPH04240614A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-08-27 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学素子 |
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