JPH04311567A - 薄膜形成装置および薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成装置および薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH04311567A JPH04311567A JP3076073A JP7607391A JPH04311567A JP H04311567 A JPH04311567 A JP H04311567A JP 3076073 A JP3076073 A JP 3076073A JP 7607391 A JP7607391 A JP 7607391A JP H04311567 A JPH04311567 A JP H04311567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- opened
- shutter
- thin film
- icb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板面に多種物質か
らなる薄膜を蒸着する薄膜形成装置および薄膜形成方法
に関するものである。
らなる薄膜を蒸着する薄膜形成装置および薄膜形成方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は本出願人が先に出願した例えば特
願昭６３−１１８７６２号明細書に記載された酸化物薄
膜の製造方法における薄膜形成装置の構成図であり、多
元のクラスタ・イオンビーム法（ＩＣＢ法）によりＹ−
Ｂａ −Ｃｕ −Ｏ系高温超電導薄膜を形成する場合を
示す。ＩＣＢ法とは薄膜を作るべく生成した蒸発材料の
クラスタ（塊状原子集団）を途中でイオン化し、基板に
向って加速することによって基板上に薄膜を形成するも
のである。
願昭６３−１１８７６２号明細書に記載された酸化物薄
膜の製造方法における薄膜形成装置の構成図であり、多
元のクラスタ・イオンビーム法（ＩＣＢ法）によりＹ−
Ｂａ −Ｃｕ −Ｏ系高温超電導薄膜を形成する場合を
示す。ＩＣＢ法とは薄膜を作るべく生成した蒸発材料の
クラスタ（塊状原子集団）を途中でイオン化し、基板に
向って加速することによって基板上に薄膜を形成するも
のである。
【０００３】図４は上記薄膜形成装置の膜蒸着動作を示
す一部破断斜視図である。図３及び図４において、１は
ポンプ１ａにより排気される真空槽、２は蒸発材料３で
あるイットリウム（Ｙ），バリウム（Ｂａ ），及び銅
（Ｃｕ ）を充填し加熱するためのるつぼ、５はるつぼ
２に設けられたノズル、４はるつぼ２を加熱するための
加熱用フィラメント、６はノズル５より噴出した蒸発材
料３の蒸気が断熱膨張を起こすことにより形成されたク
ラスタ、７はクラスタ６をイオン化するための電子を放
出するイオン化フィラメント、８は薄膜を形成するため
の基板、９はクラスタ・イオンを加速するための加速電
極、１０は各蒸発材料３の基板８上への蒸着速度をモニ
ターするための蒸着速度モニター、１１はオゾンを基板
８上へ照射するためのオゾン導入機構、１２は基板８を
高温に加熱するための基板加熱ヒーター、１３ａ，１３
ｂ，１３ｃはクラスタ・イオンビーム（ＩＣＢ）源、１
４は高気圧放電を用いたオゾン発生機構（オゾン発生源
）である。
す一部破断斜視図である。図３及び図４において、１は
ポンプ１ａにより排気される真空槽、２は蒸発材料３で
あるイットリウム（Ｙ），バリウム（Ｂａ ），及び銅
（Ｃｕ ）を充填し加熱するためのるつぼ、５はるつぼ
２に設けられたノズル、４はるつぼ２を加熱するための
加熱用フィラメント、６はノズル５より噴出した蒸発材
料３の蒸気が断熱膨張を起こすことにより形成されたク
ラスタ、７はクラスタ６をイオン化するための電子を放
出するイオン化フィラメント、８は薄膜を形成するため
の基板、９はクラスタ・イオンを加速するための加速電
極、１０は各蒸発材料３の基板８上への蒸着速度をモニ
ターするための蒸着速度モニター、１１はオゾンを基板
８上へ照射するためのオゾン導入機構、１２は基板８を
高温に加熱するための基板加熱ヒーター、１３ａ，１３
ｂ，１３ｃはクラスタ・イオンビーム（ＩＣＢ）源、１
４は高気圧放電を用いたオゾン発生機構（オゾン発生源
）である。
【０００４】図５は薄膜形成装置の各ＩＣＢ源１３ａ，
１３ｂ，１３ｃのクラスタ噴出部近傍にサブシャッター
１５，１６，１７をそれぞれ配設した構成図であり、図
６は薄膜形成装置の基板８の膜形成面近傍にメインシャ
ッター１８を配設した構成図である。
１３ｂ，１３ｃのクラスタ噴出部近傍にサブシャッター
１５，１６，１７をそれぞれ配設した構成図であり、図
６は薄膜形成装置の基板８の膜形成面近傍にメインシャ
ッター１８を配設した構成図である。
【０００５】次に動作について説明する。到達真空圧力
１×１０−５Ｔｏｒｒ 以下に保たれた真空槽１内に設
置され、高融点金属又はグラファイト等で製作されたる
つぼ２内に各々蒸発材料３である金属イットリウム（Ｙ
），バリウム（Ｂａ ）及び銅（Ｃｕ）を入れ、るつぼ
２を１０００〜２５００℃程度に加熱された加熱用フィ
ラメント４からの輻射熱又は放射電子のエネルギーによ
って９００〜２０００℃程度に加熱する。加熱された蒸
発材料３であるイットリウム・バリウム，及び銅は蒸気
化し、るつぼ２内で０．１〜１０Ｔｏｒｒ 程度の圧力
の蒸気となる。この圧力の蒸気はるつぼ２に設けられた
ノズル５から基板８の方向に向って真空槽１内に噴射さ
れる。この時、各蒸発材料３の蒸気は断熱膨張によって
塊状原子集団（クラスタ）６となる。こうしてできた各
蒸発材料のクラスタ６にイオン化フィラメント７から放
出される電子を衝撃することによってクラスタ６の一部
をイオン化する。このイオン化したそれぞれのクラスタ
６は加速電極９によって１０ｋＶ以下のエネルギーで加
速されて、イオン化されていない中性クラスタ６ととも
に基板８上に到達する。基板８上に到達し蒸着する各蒸
発材料３の蒸着速度は、各元素毎に設けられた蒸着速度
モニター１０により計測される。この時、オゾン発生機
構１４より発生したオゾンは、オゾン導入機構１１によ
り基板８上に直接噴射されるため、基板８の近傍は高濃
度のオゾン雰囲気となる。更に基板８は基板加熱ヒータ
ー１２により１５０〜９００℃程度の高温となるため、
オゾンは基板８上で酸素原子と酸素分子に分解する。酸
素原子は酸素分子と比較した場合は言うまでもなくオゾ
ンと比べても反応活性である。これら酸素原子、オゾン
、酸素分子は、反応を起こし、基板８上にペロプスカイ
ト構造を有するＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ の高温超電導
薄膜が形成される。 オゾンを導入した場合の、基板８周辺の圧力は高く保た
れるが、真空槽１内のるつぼ２周辺は４×１０−４Ｔｏ
ｒｒ 以下の低い圧力に保たれている。
１×１０−５Ｔｏｒｒ 以下に保たれた真空槽１内に設
置され、高融点金属又はグラファイト等で製作されたる
つぼ２内に各々蒸発材料３である金属イットリウム（Ｙ
），バリウム（Ｂａ ）及び銅（Ｃｕ）を入れ、るつぼ
２を１０００〜２５００℃程度に加熱された加熱用フィ
ラメント４からの輻射熱又は放射電子のエネルギーによ
って９００〜２０００℃程度に加熱する。加熱された蒸
発材料３であるイットリウム・バリウム，及び銅は蒸気
化し、るつぼ２内で０．１〜１０Ｔｏｒｒ 程度の圧力
の蒸気となる。この圧力の蒸気はるつぼ２に設けられた
ノズル５から基板８の方向に向って真空槽１内に噴射さ
れる。この時、各蒸発材料３の蒸気は断熱膨張によって
塊状原子集団（クラスタ）６となる。こうしてできた各
蒸発材料のクラスタ６にイオン化フィラメント７から放
出される電子を衝撃することによってクラスタ６の一部
をイオン化する。このイオン化したそれぞれのクラスタ
６は加速電極９によって１０ｋＶ以下のエネルギーで加
速されて、イオン化されていない中性クラスタ６ととも
に基板８上に到達する。基板８上に到達し蒸着する各蒸
発材料３の蒸着速度は、各元素毎に設けられた蒸着速度
モニター１０により計測される。この時、オゾン発生機
構１４より発生したオゾンは、オゾン導入機構１１によ
り基板８上に直接噴射されるため、基板８の近傍は高濃
度のオゾン雰囲気となる。更に基板８は基板加熱ヒータ
ー１２により１５０〜９００℃程度の高温となるため、
オゾンは基板８上で酸素原子と酸素分子に分解する。酸
素原子は酸素分子と比較した場合は言うまでもなくオゾ
ンと比べても反応活性である。これら酸素原子、オゾン
、酸素分子は、反応を起こし、基板８上にペロプスカイ
ト構造を有するＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ の高温超電導
薄膜が形成される。 オゾンを導入した場合の、基板８周辺の圧力は高く保た
れるが、真空槽１内のるつぼ２周辺は４×１０−４Ｔｏ
ｒｒ 以下の低い圧力に保たれている。
【０００６】以上は同時蒸着でＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ
を蒸着形成する場合であるが、図５に示されている装
置を用い積層蒸着して形成する場合には、蒸着したい蒸
着物を噴出するＩＣＢ源のサブシャッターのみを順次開
閉してＣｕ ，Ｂａ ，Ｙを順次蒸着し、Ｙ／Ｂａ ／
Ｃｕ という３層膜を形成し、その後、アニール処理を
行いＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ 単層膜を形成する。
を蒸着形成する場合であるが、図５に示されている装
置を用い積層蒸着して形成する場合には、蒸着したい蒸
着物を噴出するＩＣＢ源のサブシャッターのみを順次開
閉してＣｕ ，Ｂａ ，Ｙを順次蒸着し、Ｙ／Ｂａ ／
Ｃｕ という３層膜を形成し、その後、アニール処理を
行いＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ 単層膜を形成する。
【０００７】一方、図６に示されている場合の装置には
、メインシャッターを閉じ蒸着したいＩＣＢ源のみ、例
えばＣｕ を立ち上げメインシャッターを開き、蒸着し
メインシャッターを閉じたのちＩＣＢ源を立ち下げる。 その後、同様に次に蒸着したいＢａ のＩＣＢ源を立ち
上げ、メインシャッターを開き蒸着しシャッターを閉じ
立ち下げる。そのあと同様にＹを蒸着しＹ／Ｂａ ／Ｃ
ｕ の３層膜を形成し、最後にアニール処理を行いＹＢ
ａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ 単層膜を形成する。
、メインシャッターを閉じ蒸着したいＩＣＢ源のみ、例
えばＣｕ を立ち上げメインシャッターを開き、蒸着し
メインシャッターを閉じたのちＩＣＢ源を立ち下げる。 その後、同様に次に蒸着したいＢａ のＩＣＢ源を立ち
上げ、メインシャッターを開き蒸着しシャッターを閉じ
立ち下げる。そのあと同様にＹを蒸着しＹ／Ｂａ ／Ｃ
ｕ の３層膜を形成し、最後にアニール処理を行いＹＢ
ａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ 単層膜を形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜形成装置は
以上のように構成されているので、ＩＣＢ源にのみサブ
シャッターを設けた場合、シャッターの開放時にＩＣＢ
源から膜厚モニターに入る輻射熱が増加し、これにより
モニターの値が変動し蒸着速度及び積算膜厚が不正確と
なる。また、メインシャッターのみを設置した場合には
、ＩＣＢ源からの輻射熱の変動がないためモニター値の
変動はないが、蒸着しないＩＣＢ源の電源はそのつど立
ち上げなければならず、また蒸着を始める場合にはその
つど立ち上げねばならず、その間、余分に時間を要し装
置の全運転時間が長くなるといった問題点があった。
以上のように構成されているので、ＩＣＢ源にのみサブ
シャッターを設けた場合、シャッターの開放時にＩＣＢ
源から膜厚モニターに入る輻射熱が増加し、これにより
モニターの値が変動し蒸着速度及び積算膜厚が不正確と
なる。また、メインシャッターのみを設置した場合には
、ＩＣＢ源からの輻射熱の変動がないためモニター値の
変動はないが、蒸着しないＩＣＢ源の電源はそのつど立
ち上げなければならず、また蒸着を始める場合にはその
つど立ち上げねばならず、その間、余分に時間を要し装
置の全運転時間が長くなるといった問題点があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、シャッターを開放する際の蒸着
速度、積算膜厚の変動をなくし、また、多種の元素から
なる物質の積層蒸着する際の蒸着速度、膜厚の高精度制
御及び蒸着しない物質の蒸着源のスイッチを切らずにで
きることから、全蒸着時間の短縮を可能にした薄膜形成
装置および薄膜形成方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、シャッターを開放する際の蒸着
速度、積算膜厚の変動をなくし、また、多種の元素から
なる物質の積層蒸着する際の蒸着速度、膜厚の高精度制
御及び蒸着しない物質の蒸着源のスイッチを切らずにで
きることから、全蒸着時間の短縮を可能にした薄膜形成
装置および薄膜形成方法を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る薄膜形成
装置は、真空中またはガス雰囲気中でクラスタ・イオン
ビーム源から噴出させた蒸発材料を基板面に蒸着するよ
うにした薄膜形成装置において、上記基板の膜形成面近
傍に開閉自在のメインシャッターと、上記クラスタ・イ
オンビーム源の噴出部近傍に開閉自在のサブシャッター
とを備えたことを特徴とする。
装置は、真空中またはガス雰囲気中でクラスタ・イオン
ビーム源から噴出させた蒸発材料を基板面に蒸着するよ
うにした薄膜形成装置において、上記基板の膜形成面近
傍に開閉自在のメインシャッターと、上記クラスタ・イ
オンビーム源の噴出部近傍に開閉自在のサブシャッター
とを備えたことを特徴とする。
【００１１】また、この発明に係る薄膜形成方法は、真
空中またはガス雰囲気中でクラスタ・イオンビーム源か
ら噴出させた蒸発材料を基板面に蒸着するようにした薄
膜形成方法において、上記基板の膜形成面近傍に開閉自
在のメインシャッターと、上記クラスタ・イオンビーム
源の噴出部近傍にサブシャッターを有し、サブシャッタ
ーの開放後、クラスタ・イオンビーム源からの輻射熱の
変動による膜厚モニターの変動が収まるまで一定のディ
レイ時間ののち、メインシャッターを開放するようにし
たことを特徴とする。
空中またはガス雰囲気中でクラスタ・イオンビーム源か
ら噴出させた蒸発材料を基板面に蒸着するようにした薄
膜形成方法において、上記基板の膜形成面近傍に開閉自
在のメインシャッターと、上記クラスタ・イオンビーム
源の噴出部近傍にサブシャッターを有し、サブシャッタ
ーの開放後、クラスタ・イオンビーム源からの輻射熱の
変動による膜厚モニターの変動が収まるまで一定のディ
レイ時間ののち、メインシャッターを開放するようにし
たことを特徴とする。
【００１２】
【作用】この発明においては、基板面への薄膜形成過程
でサブシャッターを開放し、その後、ディレイ時間のあ
とメインシャッターを開くことにより、蒸着しないクラ
スタ・イオンビーム源は動作させたまま、サブシャッタ
ーを開ける際の蒸着速度、積算膜厚の変動をなくし、多
種物質の積層蒸着の高精度制御及び全蒸着時間の短縮が
可能となる。
でサブシャッターを開放し、その後、ディレイ時間のあ
とメインシャッターを開くことにより、蒸着しないクラ
スタ・イオンビーム源は動作させたまま、サブシャッタ
ーを開ける際の蒸着速度、積算膜厚の変動をなくし、多
種物質の積層蒸着の高精度制御及び全蒸着時間の短縮が
可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例による薄膜形成装置の
構成図を示すもので、図３と同一部分は同一符号を付し
て重複する説明は省略する。図において、１９は基板８
の膜形成面近傍に開閉自在に配設したメインシャッター
、２０，２１，２２はクラスタ・イオンビーム（ＩＣＢ
）源１３ａ，１３ｂ，１３ｃの噴出部近傍にそれぞれ配
設した開閉自在のサブシャッターである。
する。図１はこの発明の一実施例による薄膜形成装置の
構成図を示すもので、図３と同一部分は同一符号を付し
て重複する説明は省略する。図において、１９は基板８
の膜形成面近傍に開閉自在に配設したメインシャッター
、２０，２１，２２はクラスタ・イオンビーム（ＩＣＢ
）源１３ａ，１３ｂ，１３ｃの噴出部近傍にそれぞれ配
設した開閉自在のサブシャッターである。
【００１４】次にこの発明の一実施例による薄膜形成装
置を用いて基板への薄膜の蒸着方法について説明する。 まず、始めに各サブシャッター２０，２１，２２及びメ
インシャッター１９を閉じ、ＩＣＢ源のスイッチを入れ
蒸着作業を準備をする。その後、蒸着したいＩＣＢ源１
３ａのサブシャッター２０を開き、このサブシャッター
２０を開くことによるＩＣＢ源から膜厚をモニターに入
射する輻射熱の変動による膜厚モニター値の変動が収ま
るまでの図２のタイミングチャートで示すディレイ時間
を経過したのち、メインシャッター１９を開き基板８に
ＩＣＢ源１３ａにより蒸着処理を行う。このＩＣＢ源１
３ａによる蒸着後、メインシャッター１９及びサブシャ
ッター２０を閉じ、その後、次に蒸着しようとするＩＣ
Ｂ源１３ｂのサブシャッター２１を開き、上記と同様の
ディレイ時間ののちメインシャッター１９を開き基板８
に蒸着処理する。以下、同様にＩＣＢ源１３ｃによる蒸
着処理を行う。また必要によって２つのＩＣＢ源による
同時蒸着も可能である。かくして上記蒸着処理の後、ア
ニール処理を行い、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ 単層膜を
形成する。
置を用いて基板への薄膜の蒸着方法について説明する。 まず、始めに各サブシャッター２０，２１，２２及びメ
インシャッター１９を閉じ、ＩＣＢ源のスイッチを入れ
蒸着作業を準備をする。その後、蒸着したいＩＣＢ源１
３ａのサブシャッター２０を開き、このサブシャッター
２０を開くことによるＩＣＢ源から膜厚をモニターに入
射する輻射熱の変動による膜厚モニター値の変動が収ま
るまでの図２のタイミングチャートで示すディレイ時間
を経過したのち、メインシャッター１９を開き基板８に
ＩＣＢ源１３ａにより蒸着処理を行う。このＩＣＢ源１
３ａによる蒸着後、メインシャッター１９及びサブシャ
ッター２０を閉じ、その後、次に蒸着しようとするＩＣ
Ｂ源１３ｂのサブシャッター２１を開き、上記と同様の
ディレイ時間ののちメインシャッター１９を開き基板８
に蒸着処理する。以下、同様にＩＣＢ源１３ｃによる蒸
着処理を行う。また必要によって２つのＩＣＢ源による
同時蒸着も可能である。かくして上記蒸着処理の後、ア
ニール処理を行い、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ 単層膜を
形成する。
【００１５】以上のようにこの発明では、各ＩＣＢ源を
動作させたまま、蒸着したいＩＣＢ源のサブシャッター
を開き、膜厚モニターに入射する輻射熱の変動による蒸
着速度及び積算膜厚の変動が収まってのちメインシャッ
ターを開けることによって、蒸着しないＩＣＢ源の電源
の立ち上げ、立ち下げの時間を節約でき、全蒸着時間の
短縮を可能とし、さらにサブシャッターを開ける際のモ
ニター値の変動が解消されることによる多種物質の積層
蒸着の際の蒸着速度及び積層膜厚の高精度制御が可能と
なる。
動作させたまま、蒸着したいＩＣＢ源のサブシャッター
を開き、膜厚モニターに入射する輻射熱の変動による蒸
着速度及び積算膜厚の変動が収まってのちメインシャッ
ターを開けることによって、蒸着しないＩＣＢ源の電源
の立ち上げ、立ち下げの時間を節約でき、全蒸着時間の
短縮を可能とし、さらにサブシャッターを開ける際のモ
ニター値の変動が解消されることによる多種物質の積層
蒸着の際の蒸着速度及び積層膜厚の高精度制御が可能と
なる。
【００１６】なお、実施例では、ＩＣＢ源にサブシャッ
ターを設置し、このシャッターの開閉タイミングを制御
する場合について示したが、その他、真空蒸着装置やイ
オンビームスパッタ装置、レーザー蒸着装置などの薄膜
形成装置について用いても上記同様の効果を奏する。
ターを設置し、このシャッターの開閉タイミングを制御
する場合について示したが、その他、真空蒸着装置やイ
オンビームスパッタ装置、レーザー蒸着装置などの薄膜
形成装置について用いても上記同様の効果を奏する。
【００１７】また、実施例ではＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ
のＹ系高温超電導薄膜を形成する場合について説明し
たが、その他、Ｂｉ系やＴｌ 系などの高温超電導薄膜
を形成する場合であってもよい。さらに、多元素酸化物
であるＹ−Ｂａ −Ｃｕ −Ｏ系高温超電導薄膜形成へ
適用した例について示したが、ＰＺＴ、ＰＬＺＴなどの
多元素酸化物薄膜あるいはＧａＡｓ，ＩｎＰ などの多
元素化合物膜形成へも適用できる。
のＹ系高温超電導薄膜を形成する場合について説明し
たが、その他、Ｂｉ系やＴｌ 系などの高温超電導薄膜
を形成する場合であってもよい。さらに、多元素酸化物
であるＹ−Ｂａ −Ｃｕ −Ｏ系高温超電導薄膜形成へ
適用した例について示したが、ＰＺＴ、ＰＬＺＴなどの
多元素酸化物薄膜あるいはＧａＡｓ，ＩｎＰ などの多
元素化合物膜形成へも適用できる。
【００１８】また、実施例ではＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ
の単層膜形成について説明したが、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ
７−Ｘ ／Ｍｇ Ｏ／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ などの
多層膜を形成する場合であっても上記と同様の効果を奏
する。
の単層膜形成について説明したが、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ
７−Ｘ ／Ｍｇ Ｏ／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘ などの
多層膜を形成する場合であっても上記と同様の効果を奏
する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
薄膜が形成される基板の膜形成面近傍にメインシャッタ
ーを設け、各ＩＣＢ源の噴出部近傍にサブシャッターを
設け、蒸着しようとするＩＣＢ源のサブシャッターの開
放後、輻射熱の変動による膜厚モニターの変動が収まっ
たのち、メインシャッターを開放するようにしたので、
シャッターを開ける際の蒸着速度や積算膜厚の変動をな
くすことができ、これによって、多種物質の積層蒸着の
際の高精度な制御及び全蒸着時間の短縮を行うことがで
きる。
薄膜が形成される基板の膜形成面近傍にメインシャッタ
ーを設け、各ＩＣＢ源の噴出部近傍にサブシャッターを
設け、蒸着しようとするＩＣＢ源のサブシャッターの開
放後、輻射熱の変動による膜厚モニターの変動が収まっ
たのち、メインシャッターを開放するようにしたので、
シャッターを開ける際の蒸着速度や積算膜厚の変動をな
くすことができ、これによって、多種物質の積層蒸着の
際の高精度な制御及び全蒸着時間の短縮を行うことがで
きる。
【図１】この発明の一実施例による薄膜形成装置の構成
図である。
図である。
【図２】メインシャッターとサブシャッターの開閉タイ
ミングのタイムチャート図である。
ミングのタイムチャート図である。
【図３】従来の薄膜形成装置の構成図である。
【図４】薄膜形成装置の膜蒸着動作を説明する一部破断
斜視図である。
斜視図である。
【図５】ＩＣＢ源側にサブシャッターを設けた従来の薄
膜形成装置の構成図である。
膜形成装置の構成図である。
【図６】基板側にメインシャッターを設けた従来の薄膜
形成装置の構成図である。
形成装置の構成図である。
１ 真空槽
２ るつぼ
３ 蒸発材料
４ 加熱用フィラメント
５ ノズル
６ クラスタ
７ イオン化フィラメント
８ 基板
９ 加速電極
１０ 蒸着速度モニター
１１ オゾン導入機構
１２ 基板加熱ヒーター
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ ＩＣＢ源
１９ メインシャッター
２０，２１，２２ サブシャッター
Claims (2)
- 【請求項１】 真空中またはガス雰囲気中でクラスタ
・イオンビーム源から噴出させた蒸発材料を基板面に蒸
着するようにした薄膜形成装置において、上記基板の膜
形成面近傍に開閉自在のメインシャッターと、上記クラ
スタ・イオンビーム源の噴出部近傍に開閉自在のサブシ
ャッターとを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 真空中またはガス雰囲気中でクラスタ
・イオンビーム源から噴出させた蒸発材料を基板面に蒸
着するようにした薄膜形成方法において、上記基板の膜
形成面近傍に開閉自在のメインシャッターと、上記クラ
スタ・イオンビーム源の噴出部近傍にサブシャッターを
有し、サブシャッターの開放後、クラスタ・イオンビー
ム源からの輻射熱の変動による膜厚モニターの変動が収
まるまで一定のディレイ時間ののち、メインシャッター
を開放するようにしたことを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076073A JPH04311567A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076073A JPH04311567A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311567A true JPH04311567A (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=13594628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3076073A Pending JPH04311567A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04311567A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101258252B1 (ko) * | 2006-02-06 | 2013-04-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 증착 장치 |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP3076073A patent/JPH04311567A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101258252B1 (ko) * | 2006-02-06 | 2013-04-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 증착 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5055319A (en) | Controlled high rate deposition of metal oxide films | |
| Mattox | Physical vapor deposition (PVD) processes | |
| US4861750A (en) | Process for producing superconducting thin film | |
| US5501911A (en) | Copper crystal film coated organic substrate | |
| US6913675B2 (en) | Film forming apparatus, substrate for forming oxide thin film, and production method thereof | |
| JP3490483B2 (ja) | Ｐｚｔ薄膜の作製方法 | |
| JP3203286B2 (ja) | 薄膜形成装置およびその蒸発源用るつぼ並びに昇華性蒸発材料の薄膜形成方法 | |
| JP3224293B2 (ja) | 誘電体薄膜の製造方法 | |
| US5731270A (en) | Oxide superconductor and method and apparatus for fabricating the same | |
| RU2044368C1 (ru) | Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников | |
| JP3169278B2 (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| JPH01163917A (ja) | 化合物薄膜形成方法 | |
| KR100701365B1 (ko) | Ｐｖｄ 시 플라즈마 소스에 따른 스퍼터링 효과 개선 방법및 장치 | |
| JPS61210615A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0211752A (ja) | 酸化物薄膜形成方法 | |
| JP2916514B2 (ja) | 酸化物薄膜の製造方法 | |
| JPH07243035A (ja) | 化合物薄膜作製方法および装置 | |
| JP2736062B2 (ja) | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 | |
| KR970005159B1 (ko) | 박막제조장치 | |
| KR0147635B1 (ko) | 박막 제조방법 | |
| JP2636577B2 (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 | |
| JPH03265506A (ja) | 化合物薄膜形成方法 | |
| JPH048506B2 (ja) | ||
| JPH0297402A (ja) | 酸化物超伝導体膜の形成装置及びその形成方法 | |
| JPH04240105A (ja) | 酸化物超電導体薄膜の製造方法及び酸化物超電導体薄膜の製造装置 |