JPH0211752A - 酸化物薄膜形成方法 - Google Patents
酸化物薄膜形成方法Info
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- JPH0211752A JPH0211752A JP16185088A JP16185088A JPH0211752A JP H0211752 A JPH0211752 A JP H0211752A JP 16185088 A JP16185088 A JP 16185088A JP 16185088 A JP16185088 A JP 16185088A JP H0211752 A JPH0211752 A JP H0211752A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、酸化物薄膜の形成方法、特に基板上に蒸着
された薄膜体の酸化処理に関するものである。
された薄膜体の酸化処理に関するものである。
第８図は、例えば新超電導材料研究会第５回シンポジウ
ム（昭和６８年４月ｇ８日開催）で発表された従来の方
法で薄膜を形成する装置の断面？示す図である。この薄
膜形成装置は、蒸着すべき材料を酸素ガスなどの反応ガ
ス中で蒸発させて基板上［３着材料と反応ガスとの化合
物薄膜を形成する、所謂、反Ｆ５蒸着法を用いてＹ−Ｂ
ａ −Ｃｕ −０系の超電導薄膜を形成するものである
。図において、＋＋０１１−を所定の真空度やガス雰囲
気に保つ真空密閉槽、す刀は蒸発材料ｒｌｌａ）＋（ｌ
ｌｂ）、（ｌｌｃ）が充填されたるつぼであり、るつぼ
は外部より加熱されるか電子ビーム発生器（１りの電子
ビーム照射などにより加熱される。ｒｌａａ）。
ム（昭和６８年４月ｇ８日開催）で発表された従来の方
法で薄膜を形成する装置の断面？示す図である。この薄
膜形成装置は、蒸着すべき材料を酸素ガスなどの反応ガ
ス中で蒸発させて基板上［３着材料と反応ガスとの化合
物薄膜を形成する、所謂、反Ｆ５蒸着法を用いてＹ−Ｂ
ａ −Ｃｕ −０系の超電導薄膜を形成するものである
。図において、＋＋０１１−を所定の真空度やガス雰囲
気に保つ真空密閉槽、す刀は蒸発材料ｒｌｌａ）＋（ｌ
ｌｂ）、（ｌｌｃ）が充填されたるつぼであり、るつぼ
は外部より加熱されるか電子ビーム発生器（１りの電子
ビーム照射などにより加熱される。ｒｌａａ）。
（１８ｂ）、 （１８ｃ）及びＱ４１は蒸着材料（ｌｌ
ａ） 〜（ｌｉｅ）が加熱されて蒸発した蒸気を遮断す
るシャッターである。１１６１は蒸着材料に対向して設
けられ、所ガスを導入する導入管、０乃は蒸着するとき
に基板圃を所定温度に加熱する加熱ヒータ、賭は蒸着状
態をモニタする暎厚モニタである。
ａ） 〜（ｌｉｅ）が加熱されて蒸発した蒸気を遮断す
るシャッターである。１１６１は蒸着材料に対向して設
けられ、所ガスを導入する導入管、０乃は蒸着するとき
に基板圃を所定温度に加熱する加熱ヒータ、賭は蒸着状
態をモニタする暎厚モニタである。
次に、動作について説明する。筐ず、真空密閉槽（１０
）内を所定の真空度ま／とは雰囲気に保持して、蒸着材
料（ｌｌａ）〜（ｌｌｃ）を充填したるつぼを外部より
加熱するか！たけ電子ビームを照射して加熱しそれぞれ
の蒸着材料の蒸気を発生させる。このとき、蒸着速度を
膜厚モニタで監視しながら、基板ａ１ｉｌを加熱ヒータ
ｆ１７１により所定温度に加熱し、反応ガス導入管ａυ
より酸素ガスを基板輛周辺に導入し、シャッター８４１
開いて蒸着を開始する。その後、所定の膜厚になれば、
シャッター［１４１閉じて蒸着を終了させる。このとき
、蒸着中に酸素圧？高くし過ぎると蒸着状態が悪くなる
ので、ある限度内に抑えておく必要があり、このため薄
膜中にとり込まれるべき酸素量が不充分になることがあ
る。従って、蒸着後に、導入管−より真空密閉槽（ｌＯ
１内１ｃｇ００ｍＴＯｒｒ〜ｌａｔｍの酸素ガスを導入
し、これを活性化すべく基板ａ６を５００℃以上に加熱
して酸化処理を行っている。この後、冷却して大気中へ
取り出し酸化物超電導薄膜を得ている。このように、酸
化処理は５００℃以上の温度で行れるため、基板材料も
この温度域で使用できる必要がある。これに適する基板
材料は、例えば、マグネシア（ＭＰＯ）、チタン酸スト
ロンチウム（ｓｒＴｉｏｓ） 、イツトリウム安定化ジ
ルコニア（Ｙ−５ｔａｂｉｌｉｚｅｄ Ｚｒ０２）など
に限られ、これらは高師なものである。
）内を所定の真空度ま／とは雰囲気に保持して、蒸着材
料（ｌｌａ）〜（ｌｌｃ）を充填したるつぼを外部より
加熱するか！たけ電子ビームを照射して加熱しそれぞれ
の蒸着材料の蒸気を発生させる。このとき、蒸着速度を
膜厚モニタで監視しながら、基板ａ１ｉｌを加熱ヒータ
ｆ１７１により所定温度に加熱し、反応ガス導入管ａυ
より酸素ガスを基板輛周辺に導入し、シャッター８４１
開いて蒸着を開始する。その後、所定の膜厚になれば、
シャッター［１４１閉じて蒸着を終了させる。このとき
、蒸着中に酸素圧？高くし過ぎると蒸着状態が悪くなる
ので、ある限度内に抑えておく必要があり、このため薄
膜中にとり込まれるべき酸素量が不充分になることがあ
る。従って、蒸着後に、導入管−より真空密閉槽（ｌＯ
１内１ｃｇ００ｍＴＯｒｒ〜ｌａｔｍの酸素ガスを導入
し、これを活性化すべく基板ａ６を５００℃以上に加熱
して酸化処理を行っている。この後、冷却して大気中へ
取り出し酸化物超電導薄膜を得ている。このように、酸
化処理は５００℃以上の温度で行れるため、基板材料も
この温度域で使用できる必要がある。これに適する基板
材料は、例えば、マグネシア（ＭＰＯ）、チタン酸スト
ロンチウム（ｓｒＴｉｏｓ） 、イツトリウム安定化ジ
ルコニア（Ｙ−５ｔａｂｉｌｉｚｅｄ Ｚｒ０２）など
に限られ、これらは高師なものである。
一方、比較的安価なシリコン基板（ｓｉｏｓ）などでは
、５００℃以上で酸化処理を行えば蒸着された薄膜と基
板とが反応し超電導特性が悪くなってしまう。これに関
して、同一出願人は、特願昭６２−３２２１１ｇ号にて
、捷ず第一工程として基板と薄膜との反応を避けるため
にマグネシア（ＭｐＯ）などの中間層を形成し、第二工
程で中間層上にＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０などの化合物薄膜を
形成したあと、高温で酸化処理を行う薄膜形成方法を開
発している。
、５００℃以上で酸化処理を行えば蒸着された薄膜と基
板とが反応し超電導特性が悪くなってしまう。これに関
して、同一出願人は、特願昭６２−３２２１１ｇ号にて
、捷ず第一工程として基板と薄膜との反応を避けるため
にマグネシア（ＭｐＯ）などの中間層を形成し、第二工
程で中間層上にＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０などの化合物薄膜を
形成したあと、高温で酸化処理を行う薄膜形成方法を開
発している。
上記のような従来の薄膜形成方法では、蒸着などで成膜
された薄膜体を酸素ガス中で高温酸化処理する必要があ
ったので、適用できる基板材料が制限され、これらは高
価なものが多かった。一方、安価な基板材料などで基板
と薄膜とが反応するものでは、これ會避けるための中間
層全形成するなど成膜工程が増えるなどの課題があった
。
された薄膜体を酸素ガス中で高温酸化処理する必要があ
ったので、適用できる基板材料が制限され、これらは高
価なものが多かった。一方、安価な基板材料などで基板
と薄膜とが反応するものでは、これ會避けるための中間
層全形成するなど成膜工程が増えるなどの課題があった
。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、蒸着された薄膜体を比較的低い温度で酸化処理でき
、従って安価な基板にも適用できる酸化物薄膜形成方法
を提供することを目的とする。
で、蒸着された薄膜体を比較的低い温度で酸化処理でき
、従って安価な基板にも適用できる酸化物薄膜形成方法
を提供することを目的とする。
この発明に係る酸化物薄膜形成方法は、密閉槽内で基板
上に酸化物薄膜体を蒸着する工程と上記薄膜体を活性度
が高い励起状態の酸化ガスの雰囲気中で酸化させる工程
とを備えたものである。
上に酸化物薄膜体を蒸着する工程と上記薄膜体を活性度
が高い励起状態の酸化ガスの雰囲気中で酸化させる工程
とを備えたものである。
この発明においては、活性度が高い励起状態にある酸化
ガスが薄膜体と結合する。
ガスが薄膜体と結合する。
第１図は、この発明の方法を用いて酸化物薄膜を形成す
る装置の一実施例の断面図である。
る装置の一実施例の断面図である。
この装置にＹ −Ｂａ −Ｃｕ −０系の酸化物超電導
薄膜全形成する多元のクラスタイオンビーム（工ＯＢ）
蒸着装置であシ、図において、 １０１は従来と同様の
真空密閉槽、囚は蒸着材料（２υを蒸発・イオン化させ
たクラスタ（塊状原子集団を生成するＩＯ３源であり、
上記の酸化物超電導薄膜を形成する場合にはＹ、Ｂａ、
Ｃｕ用の三個設けられている。（ｎはＹ、Ｂａ、Ｃｕの
うち各元素毎の蒸着材料？１１を充填したるつぼ、ツは
るつぼ器内の蒸着材料−全加熱する加熱用フィラメント
、（財）はるつぼｖ９上部に設けられたノズル四より噴
出した蒸着材料の蒸気が断熱膨張を起こすことにより生
成されたクラスタ會イオン化するだめの電子全放出する
イオン化フィラメント、竣はクラスタ・イオンを加速す
るための加速電極、額は上記のようなＩＯＢ源嶽で生成
され加速されたクラスタ・イオンである。■はこのよう
なりラスタ・イオン０群が蒸着する基板、６υは各クラ
スタ・イオンの基板端上への蒸着速度をモニタする蒸着
速度モニタ、（至）は基板間を所定の温度に加熱するだ
めの基板加熱ヒータである。（６）は反応ガスを基板□
□□周辺に導くだめの導入管で、蒸着後の酸化処理中に
はオゾンなどの活性度が高い励起状態にある酸化ガスが
導入される。
薄膜全形成する多元のクラスタイオンビーム（工ＯＢ）
蒸着装置であシ、図において、 １０１は従来と同様の
真空密閉槽、囚は蒸着材料（２υを蒸発・イオン化させ
たクラスタ（塊状原子集団を生成するＩＯ３源であり、
上記の酸化物超電導薄膜を形成する場合にはＹ、Ｂａ、
Ｃｕ用の三個設けられている。（ｎはＹ、Ｂａ、Ｃｕの
うち各元素毎の蒸着材料？１１を充填したるつぼ、ツは
るつぼ器内の蒸着材料−全加熱する加熱用フィラメント
、（財）はるつぼｖ９上部に設けられたノズル四より噴
出した蒸着材料の蒸気が断熱膨張を起こすことにより生
成されたクラスタ會イオン化するだめの電子全放出する
イオン化フィラメント、竣はクラスタ・イオンを加速す
るための加速電極、額は上記のようなＩＯＢ源嶽で生成
され加速されたクラスタ・イオンである。■はこのよう
なりラスタ・イオン０群が蒸着する基板、６υは各クラ
スタ・イオンの基板端上への蒸着速度をモニタする蒸着
速度モニタ、（至）は基板間を所定の温度に加熱するだ
めの基板加熱ヒータである。（６）は反応ガスを基板□
□□周辺に導くだめの導入管で、蒸着後の酸化処理中に
はオゾンなどの活性度が高い励起状態にある酸化ガスが
導入される。
次に、上記装置を用いて蒸着する動作について説明する
。
。
まず、真空密閉槽（１０）内を１ｘｌＯＴｏｒｒ以下の
真空度に保ち、その密閉槽（１０）内に設置された三個
のるつぼＣ２＋１内にそれぞれ蒸着材料−であるＹ、
Ｂａ。
真空度に保ち、その密閉槽（１０）内に設置された三個
のるつぼＣ２＋１内にそれぞれ蒸着材料−であるＹ、
Ｂａ。
Ｃｕ ｆ入れ、るつぼｔ２１１ ｉ １０００〜２５０
０℃程度に加熱された加熱用フィラメント’２３からの
輻射熱または放射電子のエネルギーによって９００〜２
０００℃程度に加熱する。加熱された蒸着材料は蒸気化
し、るつぼｔ２１１内で０．１−１０Ｔｏｒｒ 程度の
圧力の蒸気となる。この蒸気はるつぼ３υ上部に設けら
れたノズル＋２５から基板…の方向に噴射される。この
時、各蒸着材料＋２２の蒸気は断熱膨張してクラスタと
なり、このクラスタはイオン化フィラメント！２４＋か
ら放出される電子の衝撃によりイオン化きれ、さらに加
速電極例によって１ＯＫｖｓ度以下のエネルギーで加速
されて、イオン化Ｊれていない中性のクラスタとともに
基板−に到達する。このとき、基板間は、基板加軌ヒー
タ（至）により加熱されている。また、反応ガス導入管
（９）より反応ガスを導入し、基板周辺を比較的高濃度
の酸素ガス雰囲気に保っておく。このような状態で、蒸
着速度モニタ６υより蒸着速度を監視しながら蒸着する
蒸着過程において、基板に蒸着されたＹ 、 Ｂａ 、
Ｃｕが酸化され、またクラスタ・イオンの運幼エネル
ギー及び基板加熱ヒータ（２）からの熱エネルギーによ
って結晶化し超電導構造であるペロプスカイト類似構造
になってゆく。一般に、Ｙ −Ｂａ −Ｃｕ −０系＠
電導材料では、雰囲気温度が高温になる程、また雰囲気
中の酸素圧が低くなる程、ペロプスカイト類似構造より
酸素が抜けこれに伴って超電導転移温度（Ｔｃ）が低下
することばよく知られている。従って、上記蒸着過程で
は、従来技術で説明したように、蒸着後の薄膜体では酸
素が欠陥しＴｃ が低いため、この後に酸素？とり込ま
せる酸化処理工程が必要になる。
０℃程度に加熱された加熱用フィラメント’２３からの
輻射熱または放射電子のエネルギーによって９００〜２
０００℃程度に加熱する。加熱された蒸着材料は蒸気化
し、るつぼｔ２１１内で０．１−１０Ｔｏｒｒ 程度の
圧力の蒸気となる。この蒸気はるつぼ３υ上部に設けら
れたノズル＋２５から基板…の方向に噴射される。この
時、各蒸着材料＋２２の蒸気は断熱膨張してクラスタと
なり、このクラスタはイオン化フィラメント！２４＋か
ら放出される電子の衝撃によりイオン化きれ、さらに加
速電極例によって１ＯＫｖｓ度以下のエネルギーで加速
されて、イオン化Ｊれていない中性のクラスタとともに
基板−に到達する。このとき、基板間は、基板加軌ヒー
タ（至）により加熱されている。また、反応ガス導入管
（９）より反応ガスを導入し、基板周辺を比較的高濃度
の酸素ガス雰囲気に保っておく。このような状態で、蒸
着速度モニタ６υより蒸着速度を監視しながら蒸着する
蒸着過程において、基板に蒸着されたＹ 、 Ｂａ 、
Ｃｕが酸化され、またクラスタ・イオンの運幼エネル
ギー及び基板加熱ヒータ（２）からの熱エネルギーによ
って結晶化し超電導構造であるペロプスカイト類似構造
になってゆく。一般に、Ｙ −Ｂａ −Ｃｕ −０系＠
電導材料では、雰囲気温度が高温になる程、また雰囲気
中の酸素圧が低くなる程、ペロプスカイト類似構造より
酸素が抜けこれに伴って超電導転移温度（Ｔｃ）が低下
することばよく知られている。従って、上記蒸着過程で
は、従来技術で説明したように、蒸着後の薄膜体では酸
素が欠陥しＴｃ が低いため、この後に酸素？とり込ま
せる酸化処理工程が必要になる。
この酸化処理のとき、例えばＳｉｎ、基板の場合で基板
と薄膜とが反応しない温度である５００°Ｃ以下の範囲
においても、活性度が高い励起状態にある酸化ガ素は薄
膜体と結合できる。このような酸化ガスとしては、オゾ
ンあるいはオゾンを分解することによって発生する酸素
原子を用いることができる。
と薄膜とが反応しない温度である５００°Ｃ以下の範囲
においても、活性度が高い励起状態にある酸化ガ素は薄
膜体と結合できる。このような酸化ガスとしては、オゾ
ンあるいはオゾンを分解することによって発生する酸素
原子を用いることができる。
ここで、オゾンを分解する一手段を第２図に示し、図に
おいて−が酸化処理手段である。これは、酸化処理中に
反応ガス導入管（財）よりオゾン全導入し、これをオゾ
ン分解用加熱ヒータ（６）中に流通させ、熱によって酸
素分子と酸素原子に分解して基板（ト）に吹き付けるよ
うにしたものである。
おいて−が酸化処理手段である。これは、酸化処理中に
反応ガス導入管（財）よりオゾン全導入し、これをオゾ
ン分解用加熱ヒータ（６）中に流通させ、熱によって酸
素分子と酸素原子に分解して基板（ト）に吹き付けるよ
うにしたものである。
この場合、酸素原子はオゾンよりも酸化力が強いので、
酸化処理時間を短かくすることができる。
酸化処理時間を短かくすることができる。
次ＶＣ１本発明の一実施例によるオゾンを用いた酸化処
理と従来の酸素ガスによる酸化処理との比較について説
明する。
理と従来の酸素ガスによる酸化処理との比較について説
明する。
次辰は、Ｍ７０基板及びＳｉｎ、基板上の愉化物超電導
薄膜体を約４００℃でオゾン及び酸素ガス雰囲気中で酸
化処理した場合の超電導転移温度（Ｔｃ）を示したもの
である。
薄膜体を約４００℃でオゾン及び酸素ガス雰囲気中で酸
化処理した場合の超電導転移温度（Ｔｃ）を示したもの
である。
表
上記表に示すように、オゾンを利用した酸化処理では、
酸素ガスを使用した場合に比べ、明らかにＴｃが高く−
より酸化が進んだことを示している。一方、酸化処理温
度を５００℃以上にすると、酸素ガスを用いての酸化処
理でもＭｙＯ基板の場合はＴｃ が約８０にと良好にな
るが、８１０ を基板の場合は基板と薄膜との反応が生
じ超電導転移しなかった。従って、高温では薄膜と反応
するような基板を使用する場合、酸化処理は低温で行う
必要があり、このときオゾンまたはオゾンを分解して生
成する酸素原子など活性度が悪い励起状態にある酸化ガ
スを使用することは極めて有効であるといえる。
酸素ガスを使用した場合に比べ、明らかにＴｃが高く−
より酸化が進んだことを示している。一方、酸化処理温
度を５００℃以上にすると、酸素ガスを用いての酸化処
理でもＭｙＯ基板の場合はＴｃ が約８０にと良好にな
るが、８１０ を基板の場合は基板と薄膜との反応が生
じ超電導転移しなかった。従って、高温では薄膜と反応
するような基板を使用する場合、酸化処理は低温で行う
必要があり、このときオゾンまたはオゾンを分解して生
成する酸素原子など活性度が悪い励起状態にある酸化ガ
スを使用することは極めて有効であるといえる。
上記実施例では、酸化物超電導薄膜の場合について示し
たが、他の材料の薄膜の場合でも良く、特に、酸化の過
程で高温にすることが不都合な材料、基板など全使用す
る場合に適用できる。
たが、他の材料の薄膜の場合でも良く、特に、酸化の過
程で高温にすることが不都合な材料、基板など全使用す
る場合に適用できる。
さらに、薄膜形成法としてＩＯＢ法を示したが、真空ま
たは適当な雰囲気の真空密閉槽内に容器に充填された 設置され）蒸発材料またはターゲットを熱またはイオン
ビーム等の作用により蒸気化またはスパッタリングして
上記密閉槽内に設置された基板上に薄膜を形成するもの
のうち、成膜後に酸化が不充分なもので後で酸化処理を
行う必要があるものには適用できることは言うまでもな
い。
たは適当な雰囲気の真空密閉槽内に容器に充填された 設置され）蒸発材料またはターゲットを熱またはイオン
ビーム等の作用により蒸気化またはスパッタリングして
上記密閉槽内に設置された基板上に薄膜を形成するもの
のうち、成膜後に酸化が不充分なもので後で酸化処理を
行う必要があるものには適用できることは言うまでもな
い。
この発明け、以上説明したとおり、密閉槽内で基板上に
薄膜体を蒸着する工程と、この薄膜体を活性度が高い励
起状態にある酸化ガスの雰囲気中で酸化させる工程とを
備えたので、蒸着された薄膜体を比較的低い温度で酸化
処理でき、従って安価な基板にも適用できる効果がある
。
薄膜体を蒸着する工程と、この薄膜体を活性度が高い励
起状態にある酸化ガスの雰囲気中で酸化させる工程とを
備えたので、蒸着された薄膜体を比較的低い温度で酸化
処理でき、従って安価な基板にも適用できる効果がある
。
第１図はこの発明の方法を用−て酸化物薄膜全形成する
装置の一実施例の断面図、第２図はこの発明の方法を用
いて酸化物薄膜を形成する装置の他の実施例に利用する
酸化処理手段の一例を示す図、第８図は従来の方法によ
り酸化物薄膜全形成する装置の一例の断面図である。 図において、ｔｌｏｌは密閉槽（真空槽）、囚は蒸着手
段（ＩＯＢ源）、（３１は基板、（７）は酸化処理手段
、（財）は反Ｂガス導入管（高活性酸化ガス導入管）で
ある。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
装置の一実施例の断面図、第２図はこの発明の方法を用
いて酸化物薄膜を形成する装置の他の実施例に利用する
酸化処理手段の一例を示す図、第８図は従来の方法によ
り酸化物薄膜全形成する装置の一例の断面図である。 図において、ｔｌｏｌは密閉槽（真空槽）、囚は蒸着手
段（ＩＯＢ源）、（３１は基板、（７）は酸化処理手段
、（財）は反Ｂガス導入管（高活性酸化ガス導入管）で
ある。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 密閉槽内で基板上に酸化物薄膜体を蒸着する第一工程と
、前記薄膜体を活性度が高い励起状態の酸化ガスの雰囲
気中で酸化させる第二工程とを備えたことを特徴とする
酸化物薄膜形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16185088A JPH0211752A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 酸化物薄膜形成方法 |
| DE19883844630 DE3844630C2 (ja) | 1987-11-25 | 1988-11-25 | |
| DE19883839903 DE3839903A1 (de) | 1987-11-25 | 1988-11-25 | Verfahren und vorrichtung zum aufdampfen von duennschichten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16185088A JPH0211752A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 酸化物薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0211752A true JPH0211752A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15743131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16185088A Pending JPH0211752A (ja) | 1987-11-25 | 1988-06-28 | 酸化物薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0211752A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06101020A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成方法 |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP16185088A patent/JPH0211752A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06101020A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成方法 |
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