JPH0431198B2 - - Google Patents

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JPH0431198B2
JPH0431198B2 JP60167235A JP16723585A JPH0431198B2 JP H0431198 B2 JPH0431198 B2 JP H0431198B2 JP 60167235 A JP60167235 A JP 60167235A JP 16723585 A JP16723585 A JP 16723585A JP H0431198 B2 JPH0431198 B2 JP H0431198B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は、銅系の導体ペーストを使用して導
体層を形成するようにした厚膜基板装置に係り、
特に導体層の密着強度を高め回路部品の搭載に効
果的となるようにしたものに関する。
[発明の技術的背景] 周知のように、近時では、電子機器等の小形軽
量化を図るために、混成集積回路が多く使用され
るようになつてきている。この混成集積回路は、
一般に、絶縁基板に導体材料及び抵抗材料を印刷
してなる厚膜基板に、リード線のないチツプタイ
プの受動素子や能動素子を半田付けして構成され
るものである。
このよう厚膜基板は、まず、例えばアルミナ等
のセラミツク材料で形成された絶縁基板に、例え
ば銀−パラジウム(Ag/Pd)系の導体ペースト
をスクリーン印刷法を用いて印刷し、酸化雰囲気
中で約800〜900℃の温度で焼成させることによ
り、導体層を形成する。
そして、この導体層に接続されるように、例え
ば酸化ルテニウム(RuO2)系の抵抗ペースト
を、スクリーン印刷法を用いて印刷し、酸化雰囲
気中で約800〜900℃の温度で焼成させることによ
り、抵抗体層を形成する。
ところで、上記のような、銀−パラジウム系の
導体ペーストは、インピーダンス(導体抵抗)が
単位体積当り20〜50mΩと高く、吸湿による銀の
移行現象(マイグレーシヨン)で絶縁劣化を生じ
易く、さらには貴金属であるため経済的に不利に
なるという種々の問題を有している。
そこで、近時では、銀−パラジウム系の導体ペ
ーストに代えて、銅系の導体ペーストを使用する
ことが考えられている。この銅系の導体ペースト
は、銅が酸化しない程度に中性または還元雰囲気
中で500〜700℃の低温で焼成すると、単位体積当
り2〜5mΩと低インピーダンスの導体を形成す
ることできるとともに、経済的にも有利であると
いう利点を有している。
第4図は、このような銅系の導体ペーストを使
用した厚膜基板を示すものである。すなわち、例
えばアルミナ等のセラミツク材料で形成された絶
縁基板11上に、抵抗体層12を形成する。この
抵抗体層12は、例えば酸化ルテニウム系の抵抗
ペーストをスクリーン印刷法を用いて印刷し、酸
化雰囲気中で約800〜900℃の温度で焼成させるこ
とにより形成されるものである。
次に、上記絶縁基板11上に導体層13を形成
する。この導体層13は、銅系の導体ペーストを
スクリーン印刷法を用いて印刷し、上記抵抗体層
12の抵抗値の変動を抑えるために、中性または
還元雰囲気中で約500〜700℃の低温で焼成させる
ことにより形成されるものである。
そして、上記抵抗体層12に対して、例えばレ
ーザトリミング法やサンドブラスト法等によりト
リミングを施して、その抵抗値を調整する。その
後、上記絶縁基板11、抵抗体層12及び導体層
13等を覆うように、ソルダーレジスト14を形
成する。このソルダーレジスト14は、例えばシ
リコーン樹脂をスクリーン印刷法を用いて印刷
し、100〜120℃の温度で硬化させることにより形
成されるものである。
次に、チツプタイプの回路部品15を導体層1
3に半田16によつて接続し、ここに銅系の導体
ペーストを使用した混成集積回路が構成されるも
のである。なお、第4図では図示していないが、
必要に応じて導体層13にリード端子を半田付け
したり、樹脂で全体を覆い回路の保護を行なうよ
うにすることもある。
[背景技術の問題点] しかしながら、上記のような従来の銅系の導体
ペーストを使用した厚膜基板では、次のような問
題が生じる。すなわち、導体層13は、形成時
に、抵抗体層12の焼成温度よりも低い温度で焼
成されるため、焼結が不十分になりがちで、その
結果絶縁基板11への密着強度が弱くなるもので
ある。このため、特に、導体層13に回路部品1
5を接続すると、回路部品15自体の重みや回路
部品15に加わる外力等の影響により、導体層1
3が絶縁基板11から剥離したりするという不都
合が生じる。
[発明の目的] この発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、絶縁基板への導体層の密着強度を高めること
ができ、該導体層への回路部品の接続を可能なら
しめる極めて良好な厚膜基板装置を提供すること
を目的とする。
[発明の概要] すなわち、この発明に係る厚膜基板装置は、導
体層を非酸化雰囲気中で約500〜700℃の低温で複
数回焼成し、この複数回焼成した導体層に回路部
品を接続するようにすることにより、絶縁基板へ
の導体層の密着強度を高めることができ、該導体
層への回路部品の接続を可能ならしめるようにし
たものである。
[発明の実施例] 以下、この発明の一実施例について図面を参照
して詳細に説明する。第1図において、17は例
えばアルミナ等のセラミツク材料で形成された絶
縁基板で、抵抗体層18が形成されている。この
抵抗体層18は、例えば酸化ルテニウム系の抵抗
ペーストをスクリーン印刷法を用いて印刷し、酸
化雰囲気中で約800〜900℃の温度で焼成すること
により形成される。
次に、上記絶縁基板17上に、抵抗体層18に
接続されないように、第1の導体層19を形成す
る。この第1の導体層19は、銅系の導体ペース
トをスクリーン印刷法を用いて印刷し、中性また
は還元雰囲気中つまり非酸化雰囲気中で約500〜
700℃の温度で焼成することにより形成されるも
のである。
その後、上記抵抗体層18と第1の導体層19
とを接続するように、第2の導体層20を形成す
る。この第2の導体層20は、上記第1の導体層
19と同様に、銅系の導体ペーストをスクリーン
印刷法を用いて印刷し、中性または還元雰囲気中
で約500〜700℃の温度で焼成することにより形成
されるものである。そして、この第2の導体層2
0によつて、抵抗体層18と第2の導体層19と
の電気的導通のためのコンタクトがとられるもの
である。
次に、上記抵抗体層18に対して、例えばレー
ザトリミング法やサンドブラスト法等によりトリ
ミングを施して、その抵抗値を調整する。その
後、上記絶縁基板17、抵抗体層18及び第1及
び第2の導体層19,20等を覆うように、ソル
ダーレジスト21を形成する。このソルダーレジ
スト21は、例えばシリコーン樹脂をスクリーン
印刷法を用いて印刷し、100〜120℃の温度で硬化
させることにより形成されるものである。
次に、チツプタイプの回路部品を第1の導体層
19に半田23によつて接続し、ここに銅系の導
体ペーストを使用した混成集積回路が構成される
ものである。
したがつて、上記実施例のような構成によれ
ば、第1の導体層19は、該第1の導体層19自
体の焼成時と、第2の導体層20の焼成時とで、
合計2回非酸化雰囲気中で約500〜700℃の低温焼
成されることになるので、銅系の導体ペーストの
焼結が良好に進行され、絶縁基板17への密着強
度が高くなるものである。このため、回路部品2
2は、第1の導体層19を介して、絶縁基板17
に強固に取着されるようになるものである。
第2図及び第3図は、それぞれこの発明の第2
及び第3の実施例を示すもので、多層の厚膜基板
を構成した例を示すものである。まず、第2図に
示すものは、第1の導体層(下層導体層)19を
形成した後、第1の導体層(下層導体層)19上
に絶縁層24を形成し、この絶縁層24上に第2
の導体層(上層導体層)20を形成するようにし
たものである。この場合、上記絶縁層24は、例
えばガラス系の絶縁ペーストをスクリーン印刷法
を用いて印刷し、中性または還元雰囲気中で約
500〜700℃の低温で焼成することにより形成され
る。
このような構成によれば、回路部品22が半田
23付けされる第1の導体層(下層導体層)19
は、該第1の導体層(下層導体層)19自体の焼
成時と、絶縁層24の焼成時と、第2の導体層
(上層導体層)20の焼成時とで、合計3回非酸
化雰囲気中で低温焼成されることになるので、上
記実施例と同様な効果を得ることができる。
また、第3図に示すものは、第1の導体層19
上に絶縁層24を形成し、この絶縁層24上に導
体層25を形成し、この導体層25上に絶縁層2
6を形成し、この絶縁層26上に第2の導体層2
0を形成し、この導体層25に回路部品22を半
田23付けするようにしたものである。この場
合、上記導体層25は、第1及び第2の導体層1
9,20と同様に、銅系の銅体ペーストをスクリ
ーン印刷法を用いて印刷し、中性または還元雰囲
気中で約500〜700℃の低温で焼成することにより
形成される。また、上記絶縁層26は、例えばガ
ラス系の絶縁ペーストをスクリーン印刷法を用い
て印刷し、中性または還元雰囲気中で約500〜700
℃の低温で焼成することにより形成される。
このような構成によれば、回路部品22が半田
23付けされる導体層25は、該導体層25自体
の焼成時と、絶縁層26の焼成時と、第2の導体
層20の焼成時とで、合計3回非酸化雰囲気中で
低温焼成されることになるので、やはり上記実施
例と同様な効果を得ることができる。
なお、この発明は上記各実施例に限定されるも
のではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲で
種々変形して実施することができる。
[発明の効果] したがつて、以上詳述したようにこの発明によ
れば、絶縁基板への導体層の密着強度を高めるこ
とができ、該導体層への回路部品の接続を可能な
らしめる極めて良好な厚膜基板装置を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る厚膜基板装置の一実施
例を示す側断面図、第2図及び第3図はそれぞれ
この発明の第2及び第3の実施例を示す側断面
図、第4図は従来の厚膜基板を示す側断面図であ
る。 11……絶縁基板、12……抵抗体層、13…
…導体層、14……ソルダーレジスト、15……
回路部品、16……半田、17……絶縁基板、1
8……抵抗体層、19……第1の導体層、20…
…第2の導体層、21……ソルダーレジスト、2
2……回路部品、23……半田、24……絶縁
層、25……導体層、26……絶縁層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 絶縁基板に銅系の導体ペーストを印刷し低温
    で焼成して導体層を形成してなる厚膜基板装置に
    おいて、前記導体層を非酸化雰囲気中で約500〜
    700℃の低温で複数回焼成し、この複数回焼成し
    た導体層に回路部品を接続するようにしてなるこ
    とを特徴とする厚膜基板装置。
JP16723585A 1985-06-29 1985-07-29 厚膜基板装置 Granted JPS6229194A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16723585A JPS6229194A (ja) 1985-07-29 1985-07-29 厚膜基板装置
DE19863621667 DE3621667A1 (de) 1985-06-29 1986-06-27 Mit einer mehrzahl von dickfilmen beschichtetes substrat, verfahren zu seiner herstellung und dieses enthaltende vorrichtung
US07/071,669 US4830878A (en) 1985-06-29 1987-07-09 Method of manufacturing a substrate coated with multiple thick films
US07/153,432 US4835038A (en) 1985-06-29 1988-02-08 Substrate coated with multiple thick films

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16723585A JPS6229194A (ja) 1985-07-29 1985-07-29 厚膜基板装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6229194A JPS6229194A (ja) 1987-02-07
JPH0431198B2 true JPH0431198B2 (ja) 1992-05-25

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JP16723585A Granted JPS6229194A (ja) 1985-06-29 1985-07-29 厚膜基板装置

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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5873185A (ja) * 1981-10-28 1983-05-02 株式会社東芝 厚膜回路基板の製造方法
JPS60250686A (ja) * 1984-05-25 1985-12-11 日本碍子株式会社 セラミツク配線基板の製造方法
JPS61121277A (ja) * 1984-11-19 1986-06-09 松下電器産業株式会社 布製採暖具

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6229194A (ja) 1987-02-07

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