JPH04312797A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
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- JPH04312797A JPH04312797A JP3104590A JP10459091A JPH04312797A JP H04312797 A JPH04312797 A JP H04312797A JP 3104590 A JP3104590 A JP 3104590A JP 10459091 A JP10459091 A JP 10459091A JP H04312797 A JPH04312797 A JP H04312797A
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- plasma generation
- plasma
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- container
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 73
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
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- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばエッチング装
置、薄膜形成装置、イオン源等に用いられるプラズマ発
生装置に関する。
置、薄膜形成装置、イオン源等に用いられるプラズマ発
生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種のプラズマ発生装置の従来例を図
3に示す。
3に示す。
【0003】このプラズマ発生装置は、前面が開口した
プラズマ生成容器2の背面部2aの周辺部の1〜4個所
程度にガス導入管4を接続し、そこからプラズマ生成容
器2内に所要のガス6を導入するようにしている。
プラズマ生成容器2の背面部2aの周辺部の1〜4個所
程度にガス導入管4を接続し、そこからプラズマ生成容
器2内に所要のガス6を導入するようにしている。
【0004】また、同じ背面部2aのほぼ中央部にマイ
クロ波導波管8を接続し、マイクロ波導入窓10を通し
てマイクロ波12をプラズマ生成容器2内に導入するよ
うにしている。
クロ波導波管8を接続し、マイクロ波導入窓10を通し
てマイクロ波12をプラズマ生成容器2内に導入するよ
うにしている。
【0005】またこの例では、プラズマ生成容器2の外
周部に、同容器2の内部においてマイクロ波12の導入
方向に沿う向きにECR(電子サイクロトロン共鳴)条
件を満足させる磁界を発生させる筒状の磁気コイル14
が設けられている。
周部に、同容器2の内部においてマイクロ波12の導入
方向に沿う向きにECR(電子サイクロトロン共鳴)条
件を満足させる磁界を発生させる筒状の磁気コイル14
が設けられている。
【0006】このようなプラズマ発生装置においては、
プラズマ生成容器2内を真空排気すると共にそこにガス
6およびマイクロ波12を導入すると、マイクロ波12
によってガス6が励起されてプラズマ生成容器2内にプ
ラズマ16が生成される。このようにして生成されたプ
ラズマ16は、例えばエッチング、薄膜形成、あるいは
引出し電極系と組み合わせてイオンビーム引出し等に用
いることができる。
プラズマ生成容器2内を真空排気すると共にそこにガス
6およびマイクロ波12を導入すると、マイクロ波12
によってガス6が励起されてプラズマ生成容器2内にプ
ラズマ16が生成される。このようにして生成されたプ
ラズマ16は、例えばエッチング、薄膜形成、あるいは
引出し電極系と組み合わせてイオンビーム引出し等に用
いることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記プラズ
マ発生装置においては、プラズマ生成容器2内へガス6
を導入する部分の数が少ないこともあって、プラズマ生
成容器2内における半径方向のガス圧の分布が中心軸2
bに対して対称にならず、そのためプラズマ16が偏る
という問題があり、これがエッチングや成膜等の均一性
低下をもたらしていた。
マ発生装置においては、プラズマ生成容器2内へガス6
を導入する部分の数が少ないこともあって、プラズマ生
成容器2内における半径方向のガス圧の分布が中心軸2
bに対して対称にならず、そのためプラズマ16が偏る
という問題があり、これがエッチングや成膜等の均一性
低下をもたらしていた。
【0008】但し、単にガス導入管4の数を増やしても
、そこからガス6がまっすぐ下に吹き出すだけであって
プラズマ生成容器2内におけるガス圧の均一性を高める
のにあまり効果はなく、またあまりガス導入管4の数を
増やすと、通常は各ガス導入管4に一つのマスフローコ
ントローラからガス6を供給するので、加工上コンダク
タンスの良い所に集中的にガス6が流れるようになり逆
効果となる。
、そこからガス6がまっすぐ下に吹き出すだけであって
プラズマ生成容器2内におけるガス圧の均一性を高める
のにあまり効果はなく、またあまりガス導入管4の数を
増やすと、通常は各ガス導入管4に一つのマスフローコ
ントローラからガス6を供給するので、加工上コンダク
タンスの良い所に集中的にガス6が流れるようになり逆
効果となる。
【0009】そこでこの発明は、プラズマ生成容器内に
おける半径方向のガス圧分布の均一性を高め、それによ
ってプラズマ密度分布の均一性を高めることを主たる目
的とする。
おける半径方向のガス圧分布の均一性を高め、それによ
ってプラズマ密度分布の均一性を高めることを主たる目
的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、この発明のプラズマ発生装置は、前述したようなプラ
ズマ生成容器の背面部に当該プラズマ生成容器の中心軸
に対して同心状に、ガスが導入される平面形状がリング
状の圧力調整室を設け、かつこの圧力調整室のプラズマ
生成容器内側に、当該圧力調整室につながっていてそこ
に導入されたガスをプラズマ生成容器内に吹き出す複数
のガスノズルを設けたことを特徴とする。
、この発明のプラズマ発生装置は、前述したようなプラ
ズマ生成容器の背面部に当該プラズマ生成容器の中心軸
に対して同心状に、ガスが導入される平面形状がリング
状の圧力調整室を設け、かつこの圧力調整室のプラズマ
生成容器内側に、当該圧力調整室につながっていてそこ
に導入されたガスをプラズマ生成容器内に吹き出す複数
のガスノズルを設けたことを特徴とする。
【0011】
【作用】上記構成によれば、圧力調整室に導入されたガ
スは、プラズマ生成容器の中心軸の周囲にほぼ均等に配
分され、このガスが各ガスノズルからプラズマ生成容器
内に吹き出すことになる。従って基本的には、前記ガス
ノズルを等配に設けておけば、プラズマ生成容器内の半
径方向におけるガス圧分布の均一性を高めることができ
る。また必要に応じて、このガスノズルの配置やノズル
穴の大きさ等を変えることにより、前記ガス圧分布の均
一性をより高めることができる。
スは、プラズマ生成容器の中心軸の周囲にほぼ均等に配
分され、このガスが各ガスノズルからプラズマ生成容器
内に吹き出すことになる。従って基本的には、前記ガス
ノズルを等配に設けておけば、プラズマ生成容器内の半
径方向におけるガス圧分布の均一性を高めることができ
る。また必要に応じて、このガスノズルの配置やノズル
穴の大きさ等を変えることにより、前記ガス圧分布の均
一性をより高めることができる。
【0012】
【実施例】図1は、この発明の一実施例に係るプラズマ
発生装置を示す概略断面図である。図3の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
発生装置を示す概略断面図である。図3の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
【0013】この実施例においては、前述したようなプ
ラズマ生成容器2の背面部2aの外側に、当該プラズマ
生成容器2の中心軸2bに対して同心状に、平面形状が
リング状の圧力調整室18を設けている。そしてこの圧
力調整室18に、何本かの(例えば2〜4本の)ガス導
入管4を等配に(即ち円周上等しい間隔で)接続して、
この圧力調整室18内にガス6を導入するようにしてい
る。
ラズマ生成容器2の背面部2aの外側に、当該プラズマ
生成容器2の中心軸2bに対して同心状に、平面形状が
リング状の圧力調整室18を設けている。そしてこの圧
力調整室18に、何本かの(例えば2〜4本の)ガス導
入管4を等配に(即ち円周上等しい間隔で)接続して、
この圧力調整室18内にガス6を導入するようにしてい
る。
【0014】また、背面部2a内に、この圧力調整室1
8とプラズマ生成容器2内とをつなぐ複数の貫通穴2c
(詳細は図2参照)を等配に設けて、そのプラズマ生成
容器2内側の出口の所にガスノズル20をそれぞれ設け
、この各ガスノズル20からプラズマ生成容器2内にガ
ス6を吹き出すようにしている。
8とプラズマ生成容器2内とをつなぐ複数の貫通穴2c
(詳細は図2参照)を等配に設けて、そのプラズマ生成
容器2内側の出口の所にガスノズル20をそれぞれ設け
、この各ガスノズル20からプラズマ生成容器2内にガ
ス6を吹き出すようにしている。
【0015】このガスノズル20は着脱可能にしておく
のが好ましく、そのようにすれば、後述するようなガス
6の吹き出しの調整が容易になる。そのためには、例え
ば、図2にも示すように、各貫通穴2cをタップ穴にし
、各ガスノズル20を細いノズル穴を有するボルト状の
ものにすれば良い。
のが好ましく、そのようにすれば、後述するようなガス
6の吹き出しの調整が容易になる。そのためには、例え
ば、図2にも示すように、各貫通穴2cをタップ穴にし
、各ガスノズル20を細いノズル穴を有するボルト状の
ものにすれば良い。
【0016】更にこの実施例では、プラズマ生成容器2
の背面部2aの内側に、各ガスノズル20をカバーする
ように、平面形状がリング状をしていて各ガスノズル2
0から吹き出したガス6の流れの方向を変えるリフレク
タ22を設けている。
の背面部2aの内側に、各ガスノズル20をカバーする
ように、平面形状がリング状をしていて各ガスノズル2
0から吹き出したガス6の流れの方向を変えるリフレク
タ22を設けている。
【0017】なお、図1中の24はパッキンであり、こ
の例ではプラズマ生成容器2の上部を着脱可能にしてい
る。
の例ではプラズマ生成容器2の上部を着脱可能にしてい
る。
【0018】上記構成によれば、各ガス導入管4を通し
て圧力調整室18内に導入されたガス6は、その圧力調
整室18に沿ってプラズマ生成容器の周囲にほぼ均等に
配分され、このガス6が各ガスノズル20からプラズマ
生成容器2内に吹き出すことになる。しかもこのガスノ
ズル20は前述したように基本的には等配に設けられて
いるので、ガス6がプラズマ生成容器2の周囲から均等
に吹き出すことになり、これによって、リフレクタ22
が無い場合でも、プラズマ生成容器2内の半径方向にお
けるガス圧分布の均一性を高めることができる。
て圧力調整室18内に導入されたガス6は、その圧力調
整室18に沿ってプラズマ生成容器の周囲にほぼ均等に
配分され、このガス6が各ガスノズル20からプラズマ
生成容器2内に吹き出すことになる。しかもこのガスノ
ズル20は前述したように基本的には等配に設けられて
いるので、ガス6がプラズマ生成容器2の周囲から均等
に吹き出すことになり、これによって、リフレクタ22
が無い場合でも、プラズマ生成容器2内の半径方向にお
けるガス圧分布の均一性を高めることができる。
【0019】しかも、ガスノズル20のノズル穴を細く
しておけば、ガス6は、ガスノズル20の入口部と出口
部の圧力差で、ガスノズル20から吹き出したときに弾
性膨張することになり、それによってガス6が広い領域
に均一に拡散するので、このこともプラズマ生成容器2
内におけるガス圧分布の均一性を高めるのに寄与する。
しておけば、ガス6は、ガスノズル20の入口部と出口
部の圧力差で、ガスノズル20から吹き出したときに弾
性膨張することになり、それによってガス6が広い領域
に均一に拡散するので、このこともプラズマ生成容器2
内におけるガス圧分布の均一性を高めるのに寄与する。
【0020】また、この実施例のようにガスノズル20
をプラズマ生成容器2に取り付ける構造にすれば、大き
なプラズマ生成容器2を加工する場合と違って、ガスノ
ズル20のノズル穴の加工精度を簡単に高めることがで
きるので、この意味からもプラズマ生成容器2内におけ
るガス圧分布の均一性を高めることが容易になる。
をプラズマ生成容器2に取り付ける構造にすれば、大き
なプラズマ生成容器2を加工する場合と違って、ガスノ
ズル20のノズル穴の加工精度を簡単に高めることがで
きるので、この意味からもプラズマ生成容器2内におけ
るガス圧分布の均一性を高めることが容易になる。
【0021】また、必要に応じて、背面部2aに前記貫
通穴2cを多めにあけておいたり、ノズル穴の大きさの
異なるガスノズル20を用意する等して、ガスノズル2
0の配置や(使用しない貫通穴2cはボルト等でふさげ
ば良い)そのノズル穴の大きさ等を変えることより、ガ
ス6の吹き出しの調整が可能になり、それによってプラ
ズマ生成容器2内におけるガス圧分布の均一性を一層高
めることができる。
通穴2cを多めにあけておいたり、ノズル穴の大きさの
異なるガスノズル20を用意する等して、ガスノズル2
0の配置や(使用しない貫通穴2cはボルト等でふさげ
ば良い)そのノズル穴の大きさ等を変えることより、ガ
ス6の吹き出しの調整が可能になり、それによってプラ
ズマ生成容器2内におけるガス圧分布の均一性を一層高
めることができる。
【0022】プラズマ生成容器2内におけるガス圧分布
の均一性が高まれば、プラズマ生成容器2内におけるプ
ラズマ16の密度分布の均一性も高まる。
の均一性が高まれば、プラズマ生成容器2内におけるプ
ラズマ16の密度分布の均一性も高まる。
【0023】更にこの実施例のようにリフレクタ22を
設けておくと、それによって各ガスノズル20から吹き
出したガス6を一旦プラズマ生成容器2の内壁に当てて
その流れを図1中に示すように中心軸2bの方向に広げ
ることができるので、プラズマ生成容器2内におけるプ
ラズマ16の分布をより広い領域に亘って均一にするこ
とができる。しかも、このようなリフレクタ22を設け
ておくと、例えばこのプラズマ発生装置を成膜に用いる
場合、各ガスノズル20が成膜用のプラズマ16にさら
されてそのノズル穴に膜が堆積してノズル穴が詰まるこ
とをリフレクタ22によって防ぐことができるという効
果も得られる。
設けておくと、それによって各ガスノズル20から吹き
出したガス6を一旦プラズマ生成容器2の内壁に当てて
その流れを図1中に示すように中心軸2bの方向に広げ
ることができるので、プラズマ生成容器2内におけるプ
ラズマ16の分布をより広い領域に亘って均一にするこ
とができる。しかも、このようなリフレクタ22を設け
ておくと、例えばこのプラズマ発生装置を成膜に用いる
場合、各ガスノズル20が成膜用のプラズマ16にさら
されてそのノズル穴に膜が堆積してノズル穴が詰まるこ
とをリフレクタ22によって防ぐことができるという効
果も得られる。
【0024】図1の装置をエッチング装置として使用し
た実験結果の一例を示すと、上記プラズマ生成容器2の
出口部付近の中心軸2b上に基板を配置して、次のよう
な条件でエッチングを行った。 導入マイクロ波電力:1KW 磁気コイル電流 :160A 真空度 :5×10−4Tor
r使用ガス :Cl2 基板材質
:ポリシリコン基板サイズ
:6インチエッチングレート :2000Å
/minこの結果、基板の面内におけるエッチングの均
一性として3%以下を達成することができた。ちなみに
従来例では5%程度が限度であった。
た実験結果の一例を示すと、上記プラズマ生成容器2の
出口部付近の中心軸2b上に基板を配置して、次のよう
な条件でエッチングを行った。 導入マイクロ波電力:1KW 磁気コイル電流 :160A 真空度 :5×10−4Tor
r使用ガス :Cl2 基板材質
:ポリシリコン基板サイズ
:6インチエッチングレート :2000Å
/minこの結果、基板の面内におけるエッチングの均
一性として3%以下を達成することができた。ちなみに
従来例では5%程度が限度であった。
【0025】勿論このような装置は、エッチング以外に
も、基板に対する成膜や、プラズマ生成容器2の出口部
に引出し電極系を設けることでイオン源としても使用す
ることもでき、その場合、上記のようにプラズマ16の
均一性が良いので、膜厚の均一性やイオンビーム密度分
布の均一性が良くなる。
も、基板に対する成膜や、プラズマ生成容器2の出口部
に引出し電極系を設けることでイオン源としても使用す
ることもでき、その場合、上記のようにプラズマ16の
均一性が良いので、膜厚の均一性やイオンビーム密度分
布の均一性が良くなる。
【0026】なお、圧力調整室18は、図1の例のよう
にプラズマ生成容器2の背面部2aの外側に突き出すよ
うな形で設けても良いし、図2の例のように背面部2a
内に溝を形成するような形で設けても良い。
にプラズマ生成容器2の背面部2aの外側に突き出すよ
うな形で設けても良いし、図2の例のように背面部2a
内に溝を形成するような形で設けても良い。
【0027】また、圧力調整室18は、図1の例のよう
に一つでも良いし、あるいは同心状に複数設けても良い
。図2は三つ設けた例を示し、そのそれぞれにガスノズ
ル20およびリフレクタ22を設けている。但しリフレ
クタ22は適当に省略しても良い。またこの例では、図
中右端のガスノズル20の位置は他の二つとずらしてい
る。
に一つでも良いし、あるいは同心状に複数設けても良い
。図2は三つ設けた例を示し、そのそれぞれにガスノズ
ル20およびリフレクタ22を設けている。但しリフレ
クタ22は適当に省略しても良い。またこの例では、図
中右端のガスノズル20の位置は他の二つとずらしてい
る。
【0028】上記のように圧力調整室18を複数設けれ
ば、各圧力調整室18にガス6を別々に導入することが
できるので、混ぜると反応する複数種類のガス6を用い
る場合に特に有効である。混ぜても反応しないガスは圧
力調整室18で混ぜておいても良く、その場合は圧力調
整室18は一つでも良い。
ば、各圧力調整室18にガス6を別々に導入することが
できるので、混ぜると反応する複数種類のガス6を用い
る場合に特に有効である。混ぜても反応しないガスは圧
力調整室18で混ぜておいても良く、その場合は圧力調
整室18は一つでも良い。
【0029】また、この発明のプラズマ発生装置におい
てガス6を励起する手段は特定のものに限定されるもの
ではなく、例えば上記例のようなマイクロ波12による
励起(ECR条件を満たしているか否かは問わない)で
も良いし、あるいはプラズマ生成容器2内にフィラメン
トを設けてアーク放電等による励起やプラズマ生成容器
2内にレーザを導入してそれによる励起等でも良い。
てガス6を励起する手段は特定のものに限定されるもの
ではなく、例えば上記例のようなマイクロ波12による
励起(ECR条件を満たしているか否かは問わない)で
も良いし、あるいはプラズマ生成容器2内にフィラメン
トを設けてアーク放電等による励起やプラズマ生成容器
2内にレーザを導入してそれによる励起等でも良い。
【0030】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、プラズ
マ生成容器内における半径方向のガス圧分布の均一性を
高めることができ、それによってプラズマ生成容器内に
おけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる
。
マ生成容器内における半径方向のガス圧分布の均一性を
高めることができ、それによってプラズマ生成容器内に
おけるプラズマ密度分布の均一性を高めることができる
。
【図1】 この発明の一実施例に係るプラズマ発生装
置を示す概略断面図である。
置を示す概略断面図である。
【図2】 圧力調整室周りの他の例を示す拡大部分断
面図である。
面図である。
【図3】 従来のプラズマ発生装置の一例を示す概略
断面図である。
断面図である。
2 プラズマ生成容器
2a 背面部
4 ガス導入管
8 マイクロ波導波管
16 プラズマ
18 圧力調整室
20 ガスノズル
22 リフレクタ
Claims (1)
- 【請求項1】 プラズマ生成容器内にガスを導入しか
つそれを励起してプラズマを発生させるプラズマ発生装
置において、前記プラズマ生成容器の背面部に当該プラ
ズマ生成容器の中心軸に対して同心状に、ガスが導入さ
れる平面形状がリング状の圧力調整室を設け、かつこの
圧力調整室のプラズマ生成容器内側に、当該圧力調整室
につながっていてそこに導入されたガスをプラズマ生成
容器内に吹き出す複数のガスノズルを設けたことを特徴
とするプラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3104590A JP2541393B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3104590A JP2541393B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | プラズマ発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04312797A true JPH04312797A (ja) | 1992-11-04 |
| JP2541393B2 JP2541393B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=14384651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3104590A Expired - Fee Related JP2541393B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2541393B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003115459A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Applied Materials Inc | 成膜装置のプロセスチャンバー、成膜装置および成膜方法 |
| KR100422048B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2004-03-11 | 주성엔지니어링(주) | 사이드 플로우 방식의 샤워링 인젝터 |
| JP2013518989A (ja) * | 2010-02-08 | 2013-05-23 | ロート ウント ラウ アーゲー | 設置面積を減少させた一様な薄膜堆積用の平行平板型反応容器 |
| JP2020123685A (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP3104590A patent/JP2541393B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003115459A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Applied Materials Inc | 成膜装置のプロセスチャンバー、成膜装置および成膜方法 |
| KR100422048B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2004-03-11 | 주성엔지니어링(주) | 사이드 플로우 방식의 샤워링 인젝터 |
| JP2013518989A (ja) * | 2010-02-08 | 2013-05-23 | ロート ウント ラウ アーゲー | 設置面積を減少させた一様な薄膜堆積用の平行平板型反応容器 |
| JP2020123685A (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2541393B2 (ja) | 1996-10-09 |
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