JPH04312955A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH04312955A
JPH04312955A JP6034391A JP6034391A JPH04312955A JP H04312955 A JPH04312955 A JP H04312955A JP 6034391 A JP6034391 A JP 6034391A JP 6034391 A JP6034391 A JP 6034391A JP H04312955 A JPH04312955 A JP H04312955A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
semiconductor device
semiconductor wafer
intersection
present
Prior art date
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Pending
Application number
JP6034391A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Notani
野谷　佳弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
にそのチップ分離用ライン（以下、カッティングライン
と称す）の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体装置の構造の一例を
示す。本構造では、半導体ウエハ１上に集積回路または
電界効果トランジスタのパターンが形成されたチップ５
が複数個作製され、その後の工程でカッティングライン
２上にダイヤモンドカッタでごく浅い溝を入れその後ウ
エハの裏面からローラ，ピンセット等で半導体ウエハ１
を押えつけ（以下、本工程をブレイクと呼ぶ）個々のチ
ップ５に分割する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のようにしてウエハから分離されているので、半導体
ウエハ１の状態から各チップ５に分離するブレイク時に
チップ５のコーナ部どうしが接触しチップ５のコーナ部
でカケが発生する問題点があった。
【０００４】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、ブレイク時にチップのコーナ部
どうしが接触することを回避しチップコーナ部のカケの
拡大を防止してチップ上に形成されているパターンにか
からないようにした半導体装置を得ることを目的とする
。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、半導体ウエハ表面のチップ分離用ラインの交差する
部分のそれぞれに溝または金属膜を形成したものである
。
【０００６】
【作用】本発明における半導体装置は、チップ分離用ラ
インの交差する部分に溝を形成することにより、ブレイ
ク時のチップコーナ部どおしの接触が回避され、また、
チップ分離用ラインの交差する部分に金属膜を形成した
ので、チップコーナ部のカケの拡がりが防止される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図に従って説明す
る。図１は本発明の一実施例を示すウエハの斜視図で、
１は半導体ウエハであり、２は個々のチップ５に分離す
るためのカッティングライン、３は図２に拡大して示し
たように、半導体ウエハ１のカッティングライン２の交
差する部分に化学薬品のウエットエッチングにより形成
された溝で、カッティングライン２の交差部分の寸法内
で、所要の深さ、例えば１０〜２０μｍですりばち形状
に形成される。この溝３で各チップ５のコーナ部どうし
の接触を制御しコーナ部のカケを防止する。
【０００８】図３は本発明の他の実施例を示すウエハの
要部の拡大斜視図で、カッティングライン２の交差する
部分にレジストのパターニングが行われた後に真空蒸着
法により金属膜４を形成したものである。この金属膜４
は、カッティングを実施する場合のカッティング部位を
避けるような形状で、かつ各チップ５に形成されるボン
ディングパッド（図示は省略）までの寸法を限度として
形成される。このように金属膜４を形成することにより
チップ５のコーナ部のカケの拡がりが防止される。なお
、上記各実施例の溝３または金属膜４は、併用して形成
しても同様の効果が得られる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば半
導体ウエハのチップ分離用ラインの交差する部分に溝ま
たは金属膜を形成したので、ブレイク時のチップのコー
ナ部どおしの接触が回避され、また、チップのコーナ部
のカケの拡がりを防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による半導体装置の斜視図で
ある。
【図２】図１のカッティングラインの交差する部分を拡
大して示した図である。
【図３】本発明の他の実施例による半導体装置のカッテ
ィングラインの交差する部分を拡大して示した図である
。
【図４】従来の半導体装置の斜視図である。
【符号の説明】
１　　半導体ウエハ ２　　カッティングライン ３　　溝 ４　　金属膜 ５　　チップ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体ウエハ表面に形成されたチップ分離
    用ラインに沿って各チップに分離する半導体ウエハにお
    いて、前記チップ分離用ラインの交差する部分のそれぞ
    れに溝を形成したことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】半導体ウエハ表面に形成されたチップ分離
    用ラインに沿って各チップに分離する半導体ウエハにお
    いて、前記チップ分離用ラインの交差する部分のそれぞ
    れに金属膜を形成したことを特徴とする半導体装置。
JP6034391A 1991-03-25 1991-03-25 半導体装置 Pending JPH04312955A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107634032A (zh) * 2016-07-18 2018-01-26 南亚科技股份有限公司 晶片及晶片制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107634032A (zh) * 2016-07-18 2018-01-26 南亚科技股份有限公司 晶片及晶片制造方法
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